JPS63169653A - 感光体 - Google Patents
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
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- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
崖栗上Ω利圧分野
本発明は、機能分離型感光体に関する。
従来の技術
カールソン法の発明以来、電子写真の応用分野は著しい
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。
発展を続け、感光体にも様々な材料が開発され実用化さ
れて来た。
従来用いられて来た感光体4村4の主な物としては、フ
タロシアニン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、ポリビニルカルバゾール、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散き
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
タロシアニン系顔料、ジスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔
料、ペリレン系顔料、ポリビニルカルバゾール、トリフ
ェニルメタン化合物、トリフェニルアミン化合物、ヒド
ラゾン化合物、スチリル化合物、ピラゾリン化合物、オ
キサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、等の有機
物質、非晶質セレン、セレン砒素、セレンテルル、硫化
カドミウム、酸化亜鉛、アモルファスシリコン等の無機
物質が挙げられる。また、その構成形態としては、これ
らの物質を単体で用いる単層型構成、結着材中に分散き
せて用いるバインダー型構成、機能別に電荷発生層と電
荷輸送層とを設ける積層型構成等が挙げられる。
中でもフタロシアニン系顔料は、フタロシアニン単体に
おいて良好な電荷発生能を有するばかりでなく、フタロ
シアニン骨格中に種々の金属原子或は置換基を導入する
ことにより光吸収波長域を比較的任意に選択可能である
ことから、可視域付近に発光波長を有する白色光を光源
に用いた所謂PPC用感光体から780nm付近に発光
波長を有する半導体レーザー光を光源に用いた所謂LB
P用感光感光体、輻広く応用可能な電荷発生材料として
多くの研究並びに発明がなされて来ている。
おいて良好な電荷発生能を有するばかりでなく、フタロ
シアニン骨格中に種々の金属原子或は置換基を導入する
ことにより光吸収波長域を比較的任意に選択可能である
ことから、可視域付近に発光波長を有する白色光を光源
に用いた所謂PPC用感光体から780nm付近に発光
波長を有する半導体レーザー光を光源に用いた所謂LB
P用感光感光体、輻広く応用可能な電荷発生材料として
多くの研究並びに発明がなされて来ている。
フタロシアニレ系顔料を樹脂中に分散せしめた塗膜が電
荷発生材料として感光体に使用可能であることは古くよ
り知られており、例えばバケット(C,F、Hacke
tt)により、1971年発行のザ・ジャーナル・オブ
・ケミカル・フィジックス(The Journa
l of Chemical Physics)
第55巻第7号第3178頁乃至第3187頁において
、高濃度のフタロシアニン顔料を含有するポリ−N−ビ
ニルカルバゾール層とポリ−N−ビニルカルバゾール層
とを塗布積層することにより電子写真用感光材料が得ら
れることが報告されている。また、特開昭47−303
28号公報にはX型及びβ型の無金属フタロシアニン及
び金属フタロシアニンを樹脂中に分散塗布せしめた電子
写真プレートが開示されている。この他にも、機能分離
型構成及びバインダー型構成の何れにも、フタロシアニ
ン系顔料を分散塗布した薄膜を電荷発生材料に用いた感
光体に関する開示が数多くなされている。
荷発生材料として感光体に使用可能であることは古くよ
り知られており、例えばバケット(C,F、Hacke
tt)により、1971年発行のザ・ジャーナル・オブ
・ケミカル・フィジックス(The Journa
l of Chemical Physics)
第55巻第7号第3178頁乃至第3187頁において
、高濃度のフタロシアニン顔料を含有するポリ−N−ビ
ニルカルバゾール層とポリ−N−ビニルカルバゾール層
とを塗布積層することにより電子写真用感光材料が得ら
れることが報告されている。また、特開昭47−303
28号公報にはX型及びβ型の無金属フタロシアニン及
び金属フタロシアニンを樹脂中に分散塗布せしめた電子
写真プレートが開示されている。この他にも、機能分離
型構成及びバインダー型構成の何れにも、フタロシアニ
ン系顔料を分散塗布した薄膜を電荷発生材料に用いた感
光体に関する開示が数多くなされている。
しかしながら、フタロシアニン系顔料を分散塗布した薄
膜を電荷発生材料に用いた感光体の作製には、使用する
フタロシアニン系顔料に適した樹脂の選択とフタロシア
ニン系顔料の分散性に優れた樹脂用溶剤の選択とを行な
う必要がある。そして、これらの材料から、混合比、粘
度、分散法等の調整により均質な塗液を調製し、ざらに
、塗工法、乾燥法等の調整により均等な膜厚を有する薄
膜を形成する必要があり、感光体作製における不安定要
素が多い。
膜を電荷発生材料に用いた感光体の作製には、使用する
フタロシアニン系顔料に適した樹脂の選択とフタロシア
ニン系顔料の分散性に優れた樹脂用溶剤の選択とを行な
う必要がある。そして、これらの材料から、混合比、粘
度、分散法等の調整により均質な塗液を調製し、ざらに
、塗工法、乾燥法等の調整により均等な膜厚を有する薄
膜を形成する必要があり、感光体作製における不安定要
素が多い。
一方、均一なフタロシアニン系顔料の薄膜を容易に形成
する手法に真空蒸着法がある。一般に、フタロシアニレ
系顔料の真空蒸着膜は、膜形成速度が低いため、感半体
全層に用いるには産業上不都合な点が多いが、機能分離
型感光体の電荷発生層として用いる場合には膜厚が極め
て薄くて済むため有用である。
する手法に真空蒸着法がある。一般に、フタロシアニレ
系顔料の真空蒸着膜は、膜形成速度が低いため、感半体
全層に用いるには産業上不都合な点が多いが、機能分離
型感光体の電荷発生層として用いる場合には膜厚が極め
て薄くて済むため有用である。
フタロシアニン系化合物の蒸着膜が感光体の電荷発生層
として使用可能であることは古くより知られており、例
えばレゲンスバーガー(P、J。
として使用可能であることは古くより知られており、例
えばレゲンスバーガー(P、J。
Regensburger)及びペトルツツエラ(N、
L、Petruzzel la)により、1971年発
行のジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソリッド(
Journal of N。
L、Petruzzel la)により、1971年発
行のジャーナル・オブ・ノンクリスタリン・ソリッド(
Journal of N。
n−Crystalline 5olid)第6巻第
13乃至第26頁において、無金属フタロシアニンの蒸
着膜を電荷発生層として用いた感光体において、非晶質
セレンを電荷輸送層として明減衰が得られることが報じ
られている。そしてこれまでに、電荷発生層として応用
可能なフタロシアニン系蒸着膜に関する多くの発明がな
されている。同時に、該電荷発生層と積層することによ
り感光体として実質的に機能させるために、接着性に優
れ、電荷発生層からの電荷注入が容易で、ざらに、電荷
輸送性に優れた電荷輸送層材料に関しても多くの発明が
なきれている。
13乃至第26頁において、無金属フタロシアニンの蒸
着膜を電荷発生層として用いた感光体において、非晶質
セレンを電荷輸送層として明減衰が得られることが報じ
られている。そしてこれまでに、電荷発生層として応用
可能なフタロシアニン系蒸着膜に関する多くの発明がな
されている。同時に、該電荷発生層と積層することによ
り感光体として実質的に機能させるために、接着性に優
れ、電荷発生層からの電荷注入が容易で、ざらに、電荷
輸送性に優れた電荷輸送層材料に関しても多くの発明が
なきれている。
例えば、特開昭49−48334号公報、特公昭59−
32787号公報、米国USP3,895.944号公
報には、無金属、または、Cu。
32787号公報、米国USP3,895.944号公
報には、無金属、または、Cu。
Cd、Zn、Pb等の金属を含むフタロシアニンの蒸着
膜を電荷発生層として設け、その上にオキサジアゾール
系の電荷輸送層を塗布した感光体が開示されている。こ
の他にも、フタロシアニン系蒸着膜を電荷発生層に用い
た感光体について数多くの開示が見られる。
膜を電荷発生層として設け、その上にオキサジアゾール
系の電荷輸送層を塗布した感光体が開示されている。こ
の他にも、フタロシアニン系蒸着膜を電荷発生層に用い
た感光体について数多くの開示が見られる。
一方、プラズマ有機重合膜自体は古くより知られており
、例えばジエン(M、5hen)及びベル(A、 T、
Be l l)により、1973年発行のジャーナル
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Jour
nal of Applied Polymer
5cience)第17巻第885乃至892頁に
おいて、数多くの有機化合物ガスから作製可能であるこ
とが報じられている。また、同著者らにより、1979
年のアメリカンケミカルソサエティー(America
nChemica l Soc 1ety)発行にょ
るプラズマボリマライゼーション(Plasmapo
lymer 1zat 1on)の中でもその成膜性が
記されている。
、例えばジエン(M、5hen)及びベル(A、 T、
Be l l)により、1973年発行のジャーナル
・オブ・アプライド・ポリマー・サイエンス(Jour
nal of Applied Polymer
5cience)第17巻第885乃至892頁に
おいて、数多くの有機化合物ガスから作製可能であるこ
とが報じられている。また、同著者らにより、1979
年のアメリカンケミカルソサエティー(America
nChemica l Soc 1ety)発行にょ
るプラズマボリマライゼーション(Plasmapo
lymer 1zat 1on)の中でもその成膜性が
記されている。
例えば、特開昭59−28161号公報には、基板上に
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭6
0−63541号公報には、アルミ基板とその上に設け
たアモルファスシリコン層との接着性を改善するために
、接着層として200人〜2μmのダイヤモンド状炭素
膜を中間に設けな感光体が開示きれ、残留電荷の面から
膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
ブロッキング層及び接着層としてプラズマ重合された網
目構造を有する高分子層を設け、その上にアモルファス
シリコン層を設けた感光体が開示されている。特開昭6
0−63541号公報には、アルミ基板とその上に設け
たアモルファスシリコン層との接着性を改善するために
、接着層として200人〜2μmのダイヤモンド状炭素
膜を中間に設けな感光体が開示きれ、残留電荷の面から
膜厚は2μm以下が好ましいとされている。
発「が解ゝしようとする問題点
前述のフタロシアニン系顔料の蒸着膜は、電荷発生能に
優れる反面、電気抵抗が低いため、そのまま機能分離型
感光体の電荷発生層として使用すると、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成きれるべき電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減し
、感度の低下を招く。また、フタロシアニン系顔料の蒸
着膜の中には半導体レーザー発光波長付近に感度を有す
るものもあるが、実用上さらなる高感度化が望士れる。
優れる反面、電気抵抗が低いため、そのまま機能分離型
感光体の電荷発生層として使用すると、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成きれるべき電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減し
、感度の低下を招く。また、フタロシアニン系顔料の蒸
着膜の中には半導体レーザー発光波長付近に感度を有す
るものもあるが、実用上さらなる高感度化が望士れる。
溶剤処理による高感度化が、前述の特開昭58−158
649号公報に開示きれてはいるが、工程の複雑化を伴
う。
649号公報に開示きれてはいるが、工程の複雑化を伴
う。
一方、従来の方法で作製したプラズマ有機重合膜は絶縁
性を前提とした用途に限って用いられ、即ち、それらの
膜は通常のポリエチレン膜の如くIQ16ΩCm程度の
比抵抗を有する絶縁膜としてしか作用せず、感光体の電
荷輸送層としては使用し得なかった。
性を前提とした用途に限って用いられ、即ち、それらの
膜は通常のポリエチレン膜の如くIQ16ΩCm程度の
比抵抗を有する絶縁膜としてしか作用せず、感光体の電
荷輸送層としては使用し得なかった。
本発明者らは、フタロシアニン系顔料の蒸着膜並びにプ
ラズマ有機重合膜の両者に対し検討を進める中で、フタ
ロシアニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着
膜とを交互に積層することにより、光感度を損なわずに
高抵抗化された電荷発生層が得られることを見出した。
ラズマ有機重合膜の両者に対し検討を進める中で、フタ
ロシアニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着
膜とを交互に積層することにより、光感度を損なわずに
高抵抗化された電荷発生層が得られることを見出した。
また、該電荷発生層においては、電荷発生層中に含有さ
れる無機酸化物の総量に応じて長波長感度が向上するこ
とを見出した。また、従来絶縁性の膜として認識されて
いたプラズマ有機重合膜が、フタロシアニン系顔料の真
空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着膜が交互に積層された
電荷発生層との積層においては、良好な電荷輸送層とし
て機能することを見出した。
れる無機酸化物の総量に応じて長波長感度が向上するこ
とを見出した。また、従来絶縁性の膜として認識されて
いたプラズマ有機重合膜が、フタロシアニン系顔料の真
空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着膜が交互に積層された
電荷発生層との積層においては、良好な電荷輸送層とし
て機能することを見出した。
本発明は、これらの新なる知見に基づいてなされたもの
であり、長波長域においても高感度を有し、かっ、帯電
性能に優れた感光体を提供しようとするものである。ま
た、本発明は、製造時においてドライプロセスのみを用
い、簡便化された工程で作製し得る感光体を提供しよう
とするものである。また、本発明は、接着性、耐久性、
及び、耐候性に優れた新規感光体を提供しようとするも
のである。
であり、長波長域においても高感度を有し、かっ、帯電
性能に優れた感光体を提供しようとするものである。ま
た、本発明は、製造時においてドライプロセスのみを用
い、簡便化された工程で作製し得る感光体を提供しよう
とするものである。また、本発明は、接着性、耐久性、
及び、耐候性に優れた新規感光体を提供しようとするも
のである。
山1点を解2するための
即ち、本発明は、導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送
層とを積層してなる機能分離型感光体において、該電荷
発生層がフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化
物のμ空蒸着膜が交互に設けられた積層1M成を有しく
以下、本発明による電−荷発生層をPc膜と称する)、
かつ、該電荷輸送層が有機化合物ガスの真空中グロー放
電により形成された少なくとも炭素原子と水素原子とを
構成原子として含有してなるプラズマ重合膜(以下、本
発明による電荷輸送層をa−C膜と称する)であること
を特徴とする感光体に関する。
層とを積層してなる機能分離型感光体において、該電荷
発生層がフタロシアニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化
物のμ空蒸着膜が交互に設けられた積層1M成を有しく
以下、本発明による電−荷発生層をPc膜と称する)、
かつ、該電荷輸送層が有機化合物ガスの真空中グロー放
電により形成された少なくとも炭素原子と水素原子とを
構成原子として含有してなるプラズマ重合膜(以下、本
発明による電荷輸送層をa−C膜と称する)であること
を特徴とする感光体に関する。
本発明感光体は少なくとも電荷発生層と電荷輸送層から
構成される。
構成される。
本発明感光体における電荷発生層、即ち、Pc膜は、フ
タロシアニン系顔料と無機酸化物とを蒸着源とし、真空
蒸着の常法を用いて、交互に蒸着することにより作製可
能である。
タロシアニン系顔料と無機酸化物とを蒸着源とし、真空
蒸着の常法を用いて、交互に蒸着することにより作製可
能である。
蒸着源として使用可能なフタロシアニン系顔料としては
、例えば、CuPc、AlClPc (CI ) 、A
I CI P c X H4F CSG e (OH
) 2Pc、ZnPc5MgPc1に2Pc、Ti0P
c等が挙げられる。また、蒸着源として使用可能な無機
酸化物としては、例えば、Al2O3、Cab。
、例えば、CuPc、AlClPc (CI ) 、A
I CI P c X H4F CSG e (OH
) 2Pc、ZnPc5MgPc1に2Pc、Ti0P
c等が挙げられる。また、蒸着源として使用可能な無機
酸化物としては、例えば、Al2O3、Cab。
CaO、CeO2、CdO,Co01Cr203、Cu
O1Cu2Q、Fe2O3、In2O3、MgO,Mn
O2、M o O3、N i ON P b ON S
t 0% S 102.5n02、Ta205、Ti
O,Ti0z、Ti2O3、W 03、Y 203、Z
nO1Z r 02、等が挙げられる。
O1Cu2Q、Fe2O3、In2O3、MgO,Mn
O2、M o O3、N i ON P b ON S
t 0% S 102.5n02、Ta205、Ti
O,Ti0z、Ti2O3、W 03、Y 203、Z
nO1Z r 02、等が挙げられる。
本発明のPc膜の膜厚は、200Å以上が好ましい。膜
厚が200人より薄いと、電荷発生層における光吸収量
が低下するため光励起キャリア数が減り、感度低下を招
く。膜厚の上限は物性的には制限を受けず、厚膜化すれ
ばPc膜だけでも感光体として使用できるが、生産性を
考慮すれば、概ね5μm以下の電荷発生層として用いる
ことが好ましい。
厚が200人より薄いと、電荷発生層における光吸収量
が低下するため光励起キャリア数が減り、感度低下を招
く。膜厚の上限は物性的には制限を受けず、厚膜化すれ
ばPc膜だけでも感光体として使用できるが、生産性を
考慮すれば、概ね5μm以下の電荷発生層として用いる
ことが好ましい。
本発明のPc膜中に構成きれるフタロシアニン系顔料の
真空蒸着膜及び無機酸化物の真空蒸着膜の膜厚は何れも
500Å以下が好ましい。フタロシアニン系顔料の真空
蒸着膜の膜厚が500人より厚いとフタロシアニン系顔
料の真空蒸着膜が元来有する低抵抗性が電荷発生層全体
においても支配的となり、前述の如く、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成されるべ夛電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減せ
しめ、感度低下を招き好ましくない。無機酸化物の真空
蒸着膜の膜厚が500人より厚いと無機酸化物の真空蒸
着膜が元来有する絶縁性が電荷発生層全体においても支
配的となり、感光体の感度低下と残留電位の上昇を招き
好ましくない。
真空蒸着膜及び無機酸化物の真空蒸着膜の膜厚は何れも
500Å以下が好ましい。フタロシアニン系顔料の真空
蒸着膜の膜厚が500人より厚いとフタロシアニン系顔
料の真空蒸着膜が元来有する低抵抗性が電荷発生層全体
においても支配的となり、前述の如く、コロナ帯電等に
より電荷発生層中に形成されるべ夛電界の強度が低くな
り、光励起キャリアの電荷輸送層への注入効率を低減せ
しめ、感度低下を招き好ましくない。無機酸化物の真空
蒸着膜の膜厚が500人より厚いと無機酸化物の真空蒸
着膜が元来有する絶縁性が電荷発生層全体においても支
配的となり、感光体の感度低下と残留電位の上昇を招き
好ましくない。
双方の膜厚が500人より厚いと電荷発生層内部でのキ
ャリアの移動が阻害され、感光体の感度低下を招き好ま
しくない。フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜及び無機
酸化物の真空蒸着膜の膜厚の下限は特にはなく、・装置
上安定に制御できる範囲に設定すればよい。本発明の電
荷発生層中に構成されるフタロシアニン系顔料の真空蒸
着膜及び無機酸化物の真空蒸着膜の膜厚は、常用される
元素分析、例えば、オージェ分析、IMA分析等を用い
て、深き方向の元素量分布を測ることにより知ることが
でき、また、予め二種類の蒸着源につき別個に単位時間
蒸着を行ない、形成された蒸着膜の膜厚をダイヤルゲー
ジで測定することにより堆積速度を算出しておき、実際
の蒸着時においては蒸着時間を計測すれば知ることがで
きる。これらの手段は、何れも測定誤差程度の範囲でよ
く一致した結果を得ることが可能である。
ャリアの移動が阻害され、感光体の感度低下を招き好ま
しくない。フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜及び無機
酸化物の真空蒸着膜の膜厚の下限は特にはなく、・装置
上安定に制御できる範囲に設定すればよい。本発明の電
荷発生層中に構成されるフタロシアニン系顔料の真空蒸
着膜及び無機酸化物の真空蒸着膜の膜厚は、常用される
元素分析、例えば、オージェ分析、IMA分析等を用い
て、深き方向の元素量分布を測ることにより知ることが
でき、また、予め二種類の蒸着源につき別個に単位時間
蒸着を行ない、形成された蒸着膜の膜厚をダイヤルゲー
ジで測定することにより堆積速度を算出しておき、実際
の蒸着時においては蒸着時間を計測すれば知ることがで
きる。これらの手段は、何れも測定誤差程度の範囲でよ
く一致した結果を得ることが可能である。
本発明感光体における電荷輸送層、即ち、a −C膜は
、真空中グロー放電を用いたプラズマ重合の常法により
作製することが可能である。該電荷輸送層を作製するた
めの原料ガスとしては有機気体、特に最も単純な組成の
原料ガスとしては、炭化水素ガスを用いることができる
。該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずし
も気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。該炭化水素としては、例えば
、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳
香族炭化水素、等が用いられる。
、真空中グロー放電を用いたプラズマ重合の常法により
作製することが可能である。該電荷輸送層を作製するた
めの原料ガスとしては有機気体、特に最も単純な組成の
原料ガスとしては、炭化水素ガスを用いることができる
。該炭化水素における相状態は常温常圧において必ずし
も気相である必要はなく、加熱或は減圧等により溶融、
蒸発、昇華等を経て気化し得るものであれば、液相でも
固相でも使用可能である。該炭化水素としては、例えば
、飽和炭化水素、不飽和炭化水素、脂環式炭化水素、芳
香族炭化水素、等が用いられる。
使用可能な炭化水素には種類が多いが、飽和炭化水素と
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ベンクン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
゛カン、ウンテ゛カン、トチ″カン、トリデカン、テト
ラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン
、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘ
キサン、3−エチルペンタン、2,2−ジメチルペンタ
ン、2,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペン
タン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへ
ブタン、2.2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメ
チルヘキサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2,
2.4−トリメチルペンタン、2゜3.3−)ジメチル
ペンタン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソバラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水景としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレ以1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペ
ンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブ
テン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラ
メチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノ
ネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、
メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエ
ン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、
オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、メチルアセチ
レン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1−ヘ
キシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン、1
−デシン、等が用いられる。
しては、例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、
ベンクン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、テ
゛カン、ウンテ゛カン、トチ″カン、トリデカン、テト
ラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカン、ヘプタデカン
、オクタデカン、ノナデカン、エイコサン、ヘンエイコ
サン、トコサン、トリコサン、テトラコサン、ペンタコ
サン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノ
ナコサン、トリアコンタン、トドリアコンタン、ペンタ
トリアコンタン、等のノルマルパラフィン並びに、イソ
ブタン、イソペンタン、ネオペンタン、イソヘキサン、
ネオヘキサン、2,3−ジメチルブタン、2−メチルヘ
キサン、3−エチルペンタン、2,2−ジメチルペンタ
ン、2,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペン
タン、トリブタン、2−メチルへブタン、3−メチルへ
ブタン、2.2−ジメチルヘキサン、2,2.5−ジメ
チルヘキサン、2,2.3−トリメチルペンタン、2,
2.4−トリメチルペンタン、2゜3.3−)ジメチル
ペンタン、2,3.4−トリメチルペンタン、イソナノ
ン、等のイソバラフィン、等が用いられる。不飽和炭化
水景としては、例えば、エチレン、プロピレン、イソブ
チレ以1−ブテン、2−ブテン、1−ペンテン、2−ペ
ンテン、2−メチル−1−ブテン、3−メチル−1−ブ
テン、2−メチル−2−ブテン、1−ヘキセン、テトラ
メチルエチレン、1−ヘプテン、1−オクテン、1−ノ
ネン、1−デセン、等のオレフィン、並びに、アレン、
メチルアレン、ブタジェン、ペンタジェン、ヘキサジエ
ン、シクロペンタジェン、等のジオレフィン、並びに、
オシメン、アロシメン、ミルセン、ヘキサトリエン、等
のトリオレフイン、並びに、アセチレン、メチルアセチ
レン、1−ブチン、2−ブチン、1−ペンチン、1−ヘ
キシン、1−ヘプチン、1−オクチン、1−ノニン、1
−デシン、等が用いられる。
脂環式炭化水素としては、例えば、シクロプロパン、シ
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロベンクチ゛カン、シ
クロテトラデカン、等のシクロパラフィン並びに、シク
ロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネ
ン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモ
ネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニリン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボ
リン、ジンギベリン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホリン、フイロクラテン、ボドカル
ブレン、ミリン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、フントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。
クロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロ
へブタン、シクロオクタン、シクロノナン、シクロデカ
ン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデ
カン、シクロテトラデカン、シクロベンクチ゛カン、シ
クロテトラデカン、等のシクロパラフィン並びに、シク
ロプロペン、シクロブテン、シクロペンテン、シクロヘ
キセン、シクロヘプテン、シクロオクテン、シクロノネ
ン、シクロデセン、等のシクロオレフィン並びに、リモ
ネン、テルビルン、フエランドレン、シルベストレン、
ツエン、カレン、ピネン、ボルニリン、カンフエン、フ
エンチェン、シクロウンデカン、トリシクレン、ビサボ
リン、ジンギベリン、クルクメン、フムレン、カジネン
セスキベニヘン、セリネン、カリオフィレン、サンタレ
ン、セドレン、カンホリン、フイロクラテン、ボドカル
ブレン、ミリン、等のテルペン並びに、ステロイド等が
用いられる。芳香族炭化水素としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ヘミメリテン、プソイドクメ
ン、メシチレン、プレニテン、イソジュレン、ジュレン
、ペンタメチルベンゼン、ヘキサメチルベンゼン、エチ
ルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、スチレン、ビ
フェニル、テルフェニル、ジフェニルメタン、トリフェ
ニルメタン、ジベンジル、スチルベン、インデン、ナフ
タリン、テトラリン、フントラセン、フェナントレン、
等が用いられる。
キャリアガスとしては、プラズマ重合法においては常用
される、H2、Ar、Ne、He等を用いることができ
る。
される、H2、Ar、Ne、He等を用いることができ
る。
これらの炭化水素とキャリアガスだけから作成されたa
−C膜は、炭素原子と水素原子だけから構成され、本発
明においては最も単純な組成となるが、この場合、含有
される水素原子の量は、炭素原子と水素原子の総量に対
して30乃至60原子%が適当である。本発明のa−C
膜中に含まれる水素原子の量は、゛成膜装置の形態によ
って程度は異なるが、成膜時の条件により変化させるこ
とが可能である。水素量を低くするには、例えば、基板
温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの
希釈率を低くする、水素含有率の低い原料ガスを用いる
、印加電力を高くする、交番電界の周波数を低くする、
交番電界に重畳せしめた0直流電界強度を高くする、等
の操作、或は、これらを組合せt:操作を行なえばよい
。水素量を高くするにはこの反対の操作を行なえばよい
。
−C膜は、炭素原子と水素原子だけから構成され、本発
明においては最も単純な組成となるが、この場合、含有
される水素原子の量は、炭素原子と水素原子の総量に対
して30乃至60原子%が適当である。本発明のa−C
膜中に含まれる水素原子の量は、゛成膜装置の形態によ
って程度は異なるが、成膜時の条件により変化させるこ
とが可能である。水素量を低くするには、例えば、基板
温度を高くする、圧力を低くする、原料炭化水素ガスの
希釈率を低くする、水素含有率の低い原料ガスを用いる
、印加電力を高くする、交番電界の周波数を低くする、
交番電界に重畳せしめた0直流電界強度を高くする、等
の操作、或は、これらを組合せt:操作を行なえばよい
。水素量を高くするにはこの反対の操作を行なえばよい
。
本発明のa−C膜の膜厚は、通常の電子写真プロセスで
用いるのであれば、5乃至50um、特に7乃至20a
mが適当であり、膜厚が5μmより薄い場合には、帯電
電位が低いため充分な複写画像濃度を得ることができな
い。また、50Iimより厚いと生産性の面で好ましく
ない。本発明のa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有す
ると共に電荷輸送性に富み、膜厚を5μm以上としても
キャリアはトラップされること無く輸送され、明減衰に
寄与することが可能である。
用いるのであれば、5乃至50um、特に7乃至20a
mが適当であり、膜厚が5μmより薄い場合には、帯電
電位が低いため充分な複写画像濃度を得ることができな
い。また、50Iimより厚いと生産性の面で好ましく
ない。本発明のa−C膜は、高透光性、高暗抵抗を有す
ると共に電荷輸送性に富み、膜厚を5μm以上としても
キャリアはトラップされること無く輸送され、明減衰に
寄与することが可能である。
本発明のa−C膜においては、ざらに、感光体性能を調
整する目的で、必要に応じて異種原子を化学的修飾物質
として含むことも可能である。例えば、明減衰性能を調
整するためにハロゲン原子、シリコン原子、ゲルマニウ
ム原子、周期律表第V族原子或は周期律表第111族原
子、等を、帯電性能或は膜特性の経時変化を改善するた
めにハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、等を含有して
もよい。具体的に、該異種原子を含有する本発明のa−
C膜を得るには、該異種原子を分子構造中に含有してな
る無機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原料
ガスとして用いる、該異種原子を分子構造中に含有して
なる有機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原
料ガスとして用いる、或は、該異種原子を分子構造中に
含有してなる有機化合物ガスを原料ガスとして用いる、
等の手段により、プラズマ重合反応を行なえばよい。
整する目的で、必要に応じて異種原子を化学的修飾物質
として含むことも可能である。例えば、明減衰性能を調
整するためにハロゲン原子、シリコン原子、ゲルマニウ
ム原子、周期律表第V族原子或は周期律表第111族原
子、等を、帯電性能或は膜特性の経時変化を改善するた
めにハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、等を含有して
もよい。具体的に、該異種原子を含有する本発明のa−
C膜を得るには、該異種原子を分子構造中に含有してな
る無機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原料
ガスとして用いる、該異種原子を分子構造中に含有して
なる有機化合物ガスを炭化水素ガスに混合したものを原
料ガスとして用いる、或は、該異種原子を分子構造中に
含有してなる有機化合物ガスを原料ガスとして用いる、
等の手段により、プラズマ重合反応を行なえばよい。
また、a −C膜中に含有される該異種原子の量を増減
するためには、炭化水素ガスと該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスとを原料ガスと
して使用する場合においては、該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスの使用量を増減
すればよく、該異種原子を分子構造中に含有してなる有
機化合物ガスを原料ガスとして使用する場合においては
、分子構造中の該異種原子の含有比が高い或は低い有機
化合物を選択すればよい。また、該異種原子を含有して
なる無機或は有機化合物ガスにおける相状態は常温常圧
において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧
等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであ
れば、液相でも同相でも使用可能である。
するためには、炭化水素ガスと該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスとを原料ガスと
して使用する場合においては、該異種原子を分子構造中
に含有してなる無機或は有機化合物ガスの使用量を増減
すればよく、該異種原子を分子構造中に含有してなる有
機化合物ガスを原料ガスとして使用する場合においては
、分子構造中の該異種原子の含有比が高い或は低い有機
化合物を選択すればよい。また、該異種原子を含有して
なる無機或は有機化合物ガスにおける相状態は常温常圧
において必ずしも気相である必要はなく、加熱或は減圧
等により溶融、蒸発、昇華等を経て気化しうるものであ
れば、液相でも同相でも使用可能である。
本発明におけるa−C膜は、可視光もしくは半導体レー
ザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は有
ざないが好適な電荷輸送性を有し、本発明におけるPc
膜で可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に
より発生したキャリアを効率よく輸送し、感光体の明減
衰に効果的に寄与するものである。
ザー光付近の波長の光に対しては明確なる光導電性は有
ざないが好適な電荷輸送性を有し、本発明におけるPc
膜で可視光もしくは半導体レーザー光付近の波長の光に
より発生したキャリアを効率よく輸送し、感光体の明減
衰に効果的に寄与するものである。
本発明における感光体は、電荷発生層と電荷輸送層から
なる機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
なる機能分離型の構成とするのが最適で、該電荷発生層
と該電荷輸送層の積層構成は、必要に応じて適宜選択す
ることが可能である。
第1図は、その一形態として、導電性基板(1)上に電
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1,)上に電荷発生層(3)と電荷輸送
層(2)を順次積層してなるflS7成を示しt:もの
である。第3図は、別の一形態として、導電性基板(1
)上に、電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸
送層(2)を順次積層してなる構成を示しt:ものであ
る。
荷輸送層(2)と電荷発生層(3)を順次積層してなる
構成を示したものである。第2図は、別の一形態として
、導電性基板(1,)上に電荷発生層(3)と電荷輸送
層(2)を順次積層してなるflS7成を示しt:もの
である。第3図は、別の一形態として、導電性基板(1
)上に、電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と電荷輸
送層(2)を順次積層してなる構成を示しt:ものであ
る。
感光体表面を、例えばコロナ帯電器等により正帯電した
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照q」光が
電荷輸送層中を通過することになるが、本発明による感
光体の電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜
像形成を行なうことが可能である。
後、画像露光して使用する場合においては、第1図では
電荷発生層(3)で発生した正孔が電荷輸送層(2)中
を導電性基板(1)に向は走行し、第2図では電荷発生
層(3)で発生した電子が電荷輸送層(2)中を感光体
表面に向は走行し、第3図では電荷発生層(3)で発生
した正孔が導電性基板側の電荷輸送層(2)中を導電性
基板(1)に向は走行すると共に、同時に電荷発生層(
3)で発生した電子が表面側の電荷輸送層(2)中を感
光体表面に向は走行し、好適な明減衰に保証きれた静電
潜像の形成が行なわれる。反対に感光体表面を負帯電し
た後、画像露光して使用する場合においては、電子と正
孔の挙動を入れ代えて、キャリアーの走行性を解すれば
よい。第2図及び第3図では、画像露光用の照q」光が
電荷輸送層中を通過することになるが、本発明による感
光体の電荷輸送層は透光性に優れることから、好適な潜
像形成を行なうことが可能である。
第4図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐久性に優れた本発明感光
体の電荷発生層であるため表面保護層を設けなくてもよ
いが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚染を防
止するような、複写機内の各種エレメントに対する整合
性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざら
なる一形態となりうる。第2図及び第3図の構成の場合
にも、最表面が耐久性に優れた本発明感光体の電荷輸送
層であるため表面保護層を設けなくてもよいが、同様の
理由により表面保護層を設けることもざらなる一形態と
なりうる。
に電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)と表面保護層(
4)を順次積層してなる構成を示したものである。即ち
第1図の形態に表面保護層を設けた形態に相当するが、
第1図の形態では、最表面が耐久性に優れた本発明感光
体の電荷発生層であるため表面保護層を設けなくてもよ
いが、例えば現像剤の付着による感光体表面の汚染を防
止するような、複写機内の各種エレメントに対する整合
性を調整する目的から、表面保護層を設けることもざら
なる一形態となりうる。第2図及び第3図の構成の場合
にも、最表面が耐久性に優れた本発明感光体の電荷輸送
層であるため表面保護層を設けなくてもよいが、同様の
理由により表面保護層を設けることもざらなる一形態と
なりうる。
第5図は、さらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止
効果に優れた、本発明感光体の電荷発生層であるため、
中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処
理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合性
を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる一
形態となりうる。第1図及び第3図の構成の場合にも、
導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止効果に優れ
た本発明感光体の電荷輸送層である事から、中間層を設
けなくてもよいが、同様の理由により中間層を設けるこ
ともざらなる一形態となりうる。
に中間層(5)と電荷発生層(3)と電荷輸送層(2)
を順次積層してなる構成を示したものである。即ち第2
図の形態に中間層を設けた形態に相当するが、第2図の
形態では、導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止
効果に優れた、本発明感光体の電荷発生層であるため、
中間層を設けなくてもよいが、例えば導電性基板の前処
理方法のような、感光層形成以前の製造工程との整合性
を調整する目的から、中間層を設けることもざらなる一
形態となりうる。第1図及び第3図の構成の場合にも、
導電性基板との接合面が接着性及び注入阻止効果に優れ
た本発明感光体の電荷輸送層である事から、中間層を設
けなくてもよいが、同様の理由により中間層を設けるこ
ともざらなる一形態となりうる。
第6図は、ざらなる一形態として、導電性基板(1)上
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
に中間層(5)と電荷輸送層(2)と電荷発生層(3)
と表面保護層(4)を順次積層してなる構成を示したも
のである。即ち第1図の形態に中間層と表面保護層を設
けた形態に相当する。中間層と表面保護層の設置理由は
前述と同様であり、従って第2図及び第3図の構成にお
いて中間層と表面保護層を設けることもざらなる一形態
となりうる。
本発明において中間層と表面保護層は、材料的にも、製
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。
法的にも、特に限定を受けるものではなく所定の目的が
達せられるものであれば、適宜選択することが可能であ
る。
第7図は本発明に係わる感光体の電荷発生層の内部構成
を示したもので、図中(3)は電荷発生層、(3a)は
フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜、並びに、(3b)
は無機酸化物の真空蒸着膜を表わす。図中、電荷発生層
(3)は、両端部構成とも無機酸化物の真空蒸着膜(3
b)で表わされ手いるが、この構成に限られるものでは
なく、本発明においては、フタロシアニン系顔料の真空
蒸着膜(3a)と無機酸化物の真空蒸着膜(3b)とが
交互に積層されることが重要である。
を示したもので、図中(3)は電荷発生層、(3a)は
フタロシアニン系顔料の真空蒸着膜、並びに、(3b)
は無機酸化物の真空蒸着膜を表わす。図中、電荷発生層
(3)は、両端部構成とも無機酸化物の真空蒸着膜(3
b)で表わされ手いるが、この構成に限られるものでは
なく、本発明においては、フタロシアニン系顔料の真空
蒸着膜(3a)と無機酸化物の真空蒸着膜(3b)とが
交互に積層されることが重要である。
第8図は本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置を
示し、図中(501)は真空槽を示し、内部には基板保
持部材(502)により保持された基板(503)が設
置されている。基板(503)と対向して蒸発源材料を
載置した第1ボート(504)及び第2ボート(505
)が配され、各ボートはそれぞれ第1電極(506)及
び第2電極(507)に接続され電力印加により加熱可
能とされている。基板(503)と第1ボート(504
)及び第2ボートとの間には第1遮蔽板(508)及び
第2遮蔽板(509)が設けられ、蒸着時以外において
は、例えば、ボートの昇温降温時或はボート温度の安定
化待機時等においては、蒸発源材料からの不安定な蒸散
物の基板(503)への付着を防止するために閉状態に
、蒸着時には開状態に駆動可能なように駆動ソレノイド
(510)に接続されている。真空槽(501)内は、
排気ポンプ(511)により減圧可能とされている。ま
た、本装置においては、ボートの昇温に所謂抵抗加熱法
を用いているが、蒸発温度の高い蒸着源物質については
、電子ビームを用いて昇温してもよい。
示し、図中(501)は真空槽を示し、内部には基板保
持部材(502)により保持された基板(503)が設
置されている。基板(503)と対向して蒸発源材料を
載置した第1ボート(504)及び第2ボート(505
)が配され、各ボートはそれぞれ第1電極(506)及
び第2電極(507)に接続され電力印加により加熱可
能とされている。基板(503)と第1ボート(504
)及び第2ボートとの間には第1遮蔽板(508)及び
第2遮蔽板(509)が設けられ、蒸着時以外において
は、例えば、ボートの昇温降温時或はボート温度の安定
化待機時等においては、蒸発源材料からの不安定な蒸散
物の基板(503)への付着を防止するために閉状態に
、蒸着時には開状態に駆動可能なように駆動ソレノイド
(510)に接続されている。真空槽(501)内は、
排気ポンプ(511)により減圧可能とされている。ま
た、本装置においては、ボートの昇温に所謂抵抗加熱法
を用いているが、蒸発温度の高い蒸着源物質については
、電子ビームを用いて昇温してもよい。
第9図は本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置の
別の一形態を示し、図中基板保持部材(502)及び基
板(503)の形状が異なり、基板保持部材(502)
が駆動モーター(512)に接続され基板(503)が
回転可能とされる事以外は、第7図と同様である。特に
、第9図に示される本発明に係わる感光体の電荷発生層
製造装置においては、円筒状の基板(!503)に本発
明感光体の電荷発生層を形成することが可能である。
別の一形態を示し、図中基板保持部材(502)及び基
板(503)の形状が異なり、基板保持部材(502)
が駆動モーター(512)に接続され基板(503)が
回転可能とされる事以外は、第7図と同様である。特に
、第9図に示される本発明に係わる感光体の電荷発生層
製造装置においては、円筒状の基板(!503)に本発
明感光体の電荷発生層を形成することが可能である。
第10図は本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置
を示し、図中(701”)乃至(706)は常温におい
て気相状態にある原料化合物及びキャリアガスを密封し
た第1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃至第6
調節弁(707)乃至(712)と第1乃至第6流量制
御器(713)乃至(718)に接続されている。図中
(719)乃至(721)は常温において液相または固
相状態にある原料化合物を封入した第1乃至第3容器で
、各々の容器は気化のため第1乃至第3濡調器(722
)乃至(724)により与熱可能であり、ざらに各々の
容器は第7乃至第9調節弁(725)乃至(727)と
第7乃至第9流量制御器(728)乃至(730)に接
続されている。これらのガスは混合器(731)で混合
された後、主管(732)を介して反応室(733)に
送り込まれる。途中の配管は、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。反応室内には接地電
極(735)と電力印加電極(736)・が対向して設
置され、各々の電極は電極加熱器(737)により与熱
可能とされている。電力印加電極(736)には、高周
波電力用整合器(738)を介して高周波電源(739
)、低周波電力用整合器(740)を介して低周波電源
(741)、ローパスフィルタ(742)を介して直流
電源(743)が接続されており、接続選択スイッチ(
744)により周波数の異なる電力が印加可能とされて
いる。反応室(733)内の圧力は圧力制御弁(745
)により調整可能であり、反応室(733)内の減圧は
、排気系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(74
7)、油回転ポンプ(748) 、或は、冷却除外装置
(749) 、メカニカルブースターポンプ(750)
、油回転ポンプC748)により行なわれる。排ガスに
ついては、ざらに適当な除外装置(753)により安全
無害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管
についても、常温において液相または固相状態にあった
原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないように
、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱可
能とされている。反応室(733)も同様の理由から反
応室加熱器(751)により与熱可能とされ、内部に配
された電極上に基板(752)が設置きれる。図中、基
板(752’)は接地電極(735)に固定して配され
ているが、電力印加電極(736)に固定して配されて
もよく、ざらに双方に配されてもよい。
を示し、図中(701”)乃至(706)は常温におい
て気相状態にある原料化合物及びキャリアガスを密封し
た第1乃至第6タンクで、各々のタンクは第1乃至第6
調節弁(707)乃至(712)と第1乃至第6流量制
御器(713)乃至(718)に接続されている。図中
(719)乃至(721)は常温において液相または固
相状態にある原料化合物を封入した第1乃至第3容器で
、各々の容器は気化のため第1乃至第3濡調器(722
)乃至(724)により与熱可能であり、ざらに各々の
容器は第7乃至第9調節弁(725)乃至(727)と
第7乃至第9流量制御器(728)乃至(730)に接
続されている。これらのガスは混合器(731)で混合
された後、主管(732)を介して反応室(733)に
送り込まれる。途中の配管は、常温において液相または
固相状態にあった原料化合物が気化したガスが、途中で
凝結しないように、適宜配置された配管加熱器(734
)により、与熱可能とされている。反応室内には接地電
極(735)と電力印加電極(736)・が対向して設
置され、各々の電極は電極加熱器(737)により与熱
可能とされている。電力印加電極(736)には、高周
波電力用整合器(738)を介して高周波電源(739
)、低周波電力用整合器(740)を介して低周波電源
(741)、ローパスフィルタ(742)を介して直流
電源(743)が接続されており、接続選択スイッチ(
744)により周波数の異なる電力が印加可能とされて
いる。反応室(733)内の圧力は圧力制御弁(745
)により調整可能であり、反応室(733)内の減圧は
、排気系選択弁(746)を介して、拡散ポンプ(74
7)、油回転ポンプ(748) 、或は、冷却除外装置
(749) 、メカニカルブースターポンプ(750)
、油回転ポンプC748)により行なわれる。排ガスに
ついては、ざらに適当な除外装置(753)により安全
無害化した後、大気中に排気される。これら排気系配管
についても、常温において液相または固相状態にあった
原料化合物が気化したガスが、途中で凝結しないように
、適宜配置された配管加熱器(734)により、与熱可
能とされている。反応室(733)も同様の理由から反
応室加熱器(751)により与熱可能とされ、内部に配
された電極上に基板(752)が設置きれる。図中、基
板(752’)は接地電極(735)に固定して配され
ているが、電力印加電極(736)に固定して配されて
もよく、ざらに双方に配されてもよい。
第11図は本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装置
の別の一形態を示し、反応室(733)内部の形態以外
は、第10図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送
層製造装置と同様である。
の別の一形態を示し、反応室(733)内部の形態以外
は、第10図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送
層製造装置と同様である。
第10図において、反応室(733)内部には、第10
図における接地電極(735)を兼ねた円筒形の導電性
基板(752)が設置され、内側には電極加熱器(73
7)が配されている。導電性基板(752)周囲には同
じく円筒形状をした電力印加電極(736)が配され、
外側には電極加熱器(737)が配されている。導電性
基板(752)は、外部より駆動モータ(754)を用
いて自転可能となっている。
図における接地電極(735)を兼ねた円筒形の導電性
基板(752)が設置され、内側には電極加熱器(73
7)が配されている。導電性基板(752)周囲には同
じく円筒形状をした電力印加電極(736)が配され、
外側には電極加熱器(737)が配されている。導電性
基板(752)は、外部より駆動モータ(754)を用
いて自転可能となっている。
本発明に係わる感光体の製造においては、電荷発生層は
第8図或は第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置により作製し、電荷輸送層は第10図或
は第11図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層
製造装置にて作製される。この場合、各装置は独立して
使用してもよいが、第8図に示した本発明に係わる感光
体の電荷発生層製造装置と第10図に示した本発明に係
わる感光体の電荷輸送層製造装置、または、第9図に示
した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置と第1
1図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装
置は、ゲートバルブを介して接続し、適当な基板搬送装
置を用いて蒸着工程とプラズマCVD工程とを真空を破
らずに連続して行なえる様にしてもよい。また、そうす
ることにより、真空外へ基板を取り出した時の基板及び
装置に対する種々のコンタミネーションを防止でき、本
発明感光体の作製を安定した条件下で行なえる様になり
好ましい。
第8図或は第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置により作製し、電荷輸送層は第10図或
は第11図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層
製造装置にて作製される。この場合、各装置は独立して
使用してもよいが、第8図に示した本発明に係わる感光
体の電荷発生層製造装置と第10図に示した本発明に係
わる感光体の電荷輸送層製造装置、または、第9図に示
した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置と第1
1図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造装
置は、ゲートバルブを介して接続し、適当な基板搬送装
置を用いて蒸着工程とプラズマCVD工程とを真空を破
らずに連続して行なえる様にしてもよい。また、そうす
ることにより、真空外へ基板を取り出した時の基板及び
装置に対する種々のコンタミネーションを防止でき、本
発明感光体の作製を安定した条件下で行なえる様になり
好ましい。
第8図或は第9図に示した本発明に係わる感光体の電荷
発生層製造装置において、本発明感光体の電荷発生層製
造に供する真空槽は、排気ポンプにより予め10−5乃
至10−’Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と
装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。次いで、第1
乃至第2電極に電力を印加し第1乃至第2ボートをそれ
ぞれ所定の温度まで昇温する。第1乃至第2ボートが所
定の温度で安定化しt:後、予め閉状態にしておいた第
1乃至第2遮蔽板を駆動ソレノイドを用いて交互に開状
態を繰返し、基板上にフタロシアニン系顔料の真空蒸着
膜と無機酸化物の真空蒸着膜とを交互に積層してなる本
発明感光体の電荷発生層を堆積きせる。ここで、フタロ
シアニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着膜
との膜厚は、遮蔽板の開時間の調整により行ない、該電
荷発生層が所定の膜厚に達したところで遮蔽板を両方共
閉状態とし、本発明感光体の電荷発生層を得る。膜゛堆
積終了後は、第1乃至第2電極の電力印加を停止して第
1乃至第2ボートを冷却すると共に、真空槽内を充分に
排気する。最後に、真空を破り基板を取り出すか、また
は、工程によってはゲートバルブを用いて第10図或は
第11図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製
造装置に基板を搬送する。
発生層製造装置において、本発明感光体の電荷発生層製
造に供する真空槽は、排気ポンプにより予め10−5乃
至10−’Torr程度にまで減圧し、真空度の確認と
装置内部に吸着したガスの脱着を行なう。次いで、第1
乃至第2電極に電力を印加し第1乃至第2ボートをそれ
ぞれ所定の温度まで昇温する。第1乃至第2ボートが所
定の温度で安定化しt:後、予め閉状態にしておいた第
1乃至第2遮蔽板を駆動ソレノイドを用いて交互に開状
態を繰返し、基板上にフタロシアニン系顔料の真空蒸着
膜と無機酸化物の真空蒸着膜とを交互に積層してなる本
発明感光体の電荷発生層を堆積きせる。ここで、フタロ
シアニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着膜
との膜厚は、遮蔽板の開時間の調整により行ない、該電
荷発生層が所定の膜厚に達したところで遮蔽板を両方共
閉状態とし、本発明感光体の電荷発生層を得る。膜゛堆
積終了後は、第1乃至第2電極の電力印加を停止して第
1乃至第2ボートを冷却すると共に、真空槽内を充分に
排気する。最後に、真空を破り基板を取り出すか、また
は、工程によってはゲートバルブを用いて第10図或は
第11図に示した本発明に係わる感光体の電荷輸送層製
造装置に基板を搬送する。
第10図或は第11図に示した本発明に係わる感光体の
電荷輸送層製造装置において、電荷輸送層製造に供する
反応室は、拡散ポンプにより予め10−4乃至10=T
orr程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸
着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により、
電極並びに電極に装着された基板を所定の温度まで昇温
する。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容
器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器を用い
て定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁によ
り反応室内を一定の減圧状態に保つ。
電荷輸送層製造装置において、電荷輸送層製造に供する
反応室は、拡散ポンプにより予め10−4乃至10=T
orr程度にまで減圧し、真空度の確認と装置内部に吸
着したガスの脱着を行なう。同時に電極加熱器により、
電極並びに電極に装着された基板を所定の温度まで昇温
する。次いで、第1乃至第6タンク及び第1乃至第3容
器から、原料ガスを適宜第1乃至第9流量制御器を用い
て定流量化しながら反応室内に導入し、圧力調節弁によ
り反応室内を一定の減圧状態に保つ。
ガス流量が安定化した後、接続選択スイッチにより、例
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。両電極間には放電が開始され、時間と共に基
板上に固相の膜が形成される。反応時間により膜厚を制
御し、所定の膜厚並びに積層構成に達したところで放電
を停止し、本発明感光体の電荷輸送層を得る。次いで、
第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内を充分に排気する
。最後に、真空を破り基板を取り出すか、または、工程
によってはゲートバルブを用いて第7図或は第8図に示
した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置に基板
を搬送する。
えば低周波電源を選択し、電力印加電極に低周波電力を
投入する。両電極間には放電が開始され、時間と共に基
板上に固相の膜が形成される。反応時間により膜厚を制
御し、所定の膜厚並びに積層構成に達したところで放電
を停止し、本発明感光体の電荷輸送層を得る。次いで、
第1乃至第9調節弁を閉じ、反応室内を充分に排気する
。最後に、真空を破り基板を取り出すか、または、工程
によってはゲートバルブを用いて第7図或は第8図に示
した本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装置に基板
を搬送する。
以下実施例を挙げながら、本発明を説明する。
実施例1
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンAlClPcの粉末を、第2ボ
ー) (505)に−酸化珪素SiOの粉末を載置し、
基板保持部材(502)には樅50×横50×厚き3m
mのアルミニウム板を基板(503)として取り付けた
。次いで真空槽(501)内を排気ポンプ(511)を
用いて1O−7Torr程度の高真空にした後、第1電
極及び第2電極(506及び507)に電力を印加し、
第1ボート(504)を520℃、及び、第2ボート(
505)を1080℃にまで昇温した。第1ボート(5
04)温度、及び、第2ボート(505)W度が安定し
たところで、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(50
8)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(51
0)を作動させて交互に開状態にし、lXl0−5程度
の真空度のもとで、基板(503)上にアルミニウムク
ロロフタロシアニンと一酸化珪素の多層蒸着膜を堆積さ
せな。ここで、第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(
509)の開時間はそれぞれ10秒及び10秒とし、双
方の開時間の合計が5分間となるまで蒸着を行なった後
、何れも閉状態とし、約2000人の膜厚を有する本発
明によるPc膜を電荷発生層として得た。Pc膜作製後
は、第1電極及び第2電極(506及び507)への通
電を停止すると共に、真空槽(501)内を充分に排気
した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンAlClPcの粉末を、第2ボ
ー) (505)に−酸化珪素SiOの粉末を載置し、
基板保持部材(502)には樅50×横50×厚き3m
mのアルミニウム板を基板(503)として取り付けた
。次いで真空槽(501)内を排気ポンプ(511)を
用いて1O−7Torr程度の高真空にした後、第1電
極及び第2電極(506及び507)に電力を印加し、
第1ボート(504)を520℃、及び、第2ボート(
505)を1080℃にまで昇温した。第1ボート(5
04)温度、及び、第2ボート(505)W度が安定し
たところで、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(50
8)及び第2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(51
0)を作動させて交互に開状態にし、lXl0−5程度
の真空度のもとで、基板(503)上にアルミニウムク
ロロフタロシアニンと一酸化珪素の多層蒸着膜を堆積さ
せな。ここで、第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(
509)の開時間はそれぞれ10秒及び10秒とし、双
方の開時間の合計が5分間となるまで蒸着を行なった後
、何れも閉状態とし、約2000人の膜厚を有する本発
明によるPc膜を電荷発生層として得た。Pc膜作製後
は、第1電極及び第2電極(506及び507)への通
電を停止すると共に、真空槽(501)内を充分に排気
した。
以上のようにして得られたPc膜中に構成されるアルミ
ニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜と一酸化珪素の蒸
着膜の膜厚をオージェ分析装置により測定したところ、
アルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜の膜厚は6
4人並びに−酸化珪素の蒸着膜の膜厚は69人であった
。一方、アルミニウムクロロフタロシアニンと一酸化珪
素とを個別に蒸着し、蒸着膜の膜厚測定から蒸着速度を
丁χ出し、アルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜
と一酸化珪素の蒸着膜の膜厚を求めたところアルミニウ
ムクロロフタロシアニンの蒸着膜の膜厚は61人並びに
−酸化珪素の蒸着膜の膜厚は70人であり、良く一致し
た結果が得られることが確認された。
ニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜と一酸化珪素の蒸
着膜の膜厚をオージェ分析装置により測定したところ、
アルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜の膜厚は6
4人並びに−酸化珪素の蒸着膜の膜厚は69人であった
。一方、アルミニウムクロロフタロシアニンと一酸化珪
素とを個別に蒸着し、蒸着膜の膜厚測定から蒸着速度を
丁χ出し、アルミニウムクロロフタロシアニンの蒸着膜
と一酸化珪素の蒸着膜の膜厚を求めたところアルミニウ
ムクロロフタロシアニンの蒸着膜の膜厚は61人並びに
−酸化珪素の蒸着膜の膜厚は70人であり、良く一致し
た結果が得られることが確認された。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第10図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節
弁(707)を解放し、第1タンク(701)より水素
ガスを出力圧1.0Kg/cm”の下で第1流量制御器
(713)内へ流入させた。同時に、第1容器(719
)よりスチレンガスを第1温調器(722)温度30℃
のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた。水素
ガスの流量を10s105e及び、スチレンガスのMf
fiを36secmとなるように設定して、途中混合器
(731)を介して、主管(732)より反応室(73
3)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室
(733)内の圧力が0.5Torrとなるように圧力
調節弁(745)を調整した。一方、PC膜が設けられ
、第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造
装置より移送されてきた基板(752)は、予め80℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた
低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736
)に90Wattの電力を周波数20KHzの下で印加
して約30分プラズマ重合反応を行ない、基板(752
)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸送層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ
、反応室(733)内を充分に排気した。
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節
弁(707)を解放し、第1タンク(701)より水素
ガスを出力圧1.0Kg/cm”の下で第1流量制御器
(713)内へ流入させた。同時に、第1容器(719
)よりスチレンガスを第1温調器(722)温度30℃
のもと第7流量制御器(728)内へ流入させた。水素
ガスの流量を10s105e及び、スチレンガスのMf
fiを36secmとなるように設定して、途中混合器
(731)を介して、主管(732)より反応室(73
3)内へ流入した。各々の流量が安定した後に、反応室
(733)内の圧力が0.5Torrとなるように圧力
調節弁(745)を調整した。一方、PC膜が設けられ
、第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造
装置より移送されてきた基板(752)は、予め80℃
に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で、
予め接続選択スイッチ(744)により接続しておいた
低周波電源(741)を投入し、電力印加電極(736
)に90Wattの電力を周波数20KHzの下で印加
して約30分プラズマ重合反応を行ない、基板(752
)上に厚ざ15μmのa−C膜を電荷輸送層として形成
した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調節弁を閉じ
、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa−C膜につき有機元素分析
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して44原子%であっt二。
を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原子
と水素原子の総量に対して44原子%であっt二。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたところ必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.1工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一5Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された6以上より、
本例に示した本発明による感光体は、実用上好適な特性
を有するものである。また、この感光体に対して、常用
のカールソンプロセスの中で作像して転写したところ、
鮮明な画像が得られた。さらに、この感光体の表面硬度
を、J IS−に−5400規格に基づいて測定したと
ころ、7H以上の硬度が観測きれ、実用的な感光体とし
て好適な表面性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約13秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたところ必要とされた光量は1.
5ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.1工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一5Vであり、好適
なイレース性能を有することが確認された6以上より、
本例に示した本発明による感光体は、実用上好適な特性
を有するものである。また、この感光体に対して、常用
のカールソンプロセスの中で作像して転写したところ、
鮮明な画像が得られた。さらに、この感光体の表面硬度
を、J IS−に−5400規格に基づいて測定したと
ころ、7H以上の硬度が観測きれ、実用的な感光体とし
て好適な表面性能を有することが確認された。
比較燃上
電荷発生層形成工程において、−酸化珪素を使用しない
こと以外は、実施例1と同様にして積層膜を作製した。
こと以外は、実施例1と同様にして積層膜を作製した。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例1と同様の評価を行なっ
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光を用いて半減電位にまで
明減衰させたとこる必要ときれた光量は約60ルツクス
・秒であり、半導体レーザー光を用いた場合には半減電
位に達しなかった。
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光を用いて半減電位にまで
明減衰させたとこる必要ときれた光量は約60ルツクス
・秒であり、半導体レーザー光を用いた場合には半減電
位に達しなかった。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことがら本発明において無機
酸化物を多層蒸着することによる効果が確認される。
するものとはいえず、このことがら本発明において無機
酸化物を多層蒸着することによる効果が確認される。
比較倒旦
実施例1において電荷輸送層だけを作製した。
特性評価結果:
得られた膜につ伊、実施例1と同様の評価を行なったと
ころ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放電に
より少なくとも一630Vの初期帯電が可能であった。
ころ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放電に
より少なくとも一630Vの初期帯電が可能であった。
しかし、初期帯電後、白色光或は半導体レーザー光を用
いて明減衰を試みたところ、電位減衰は全<a測されな
かった。
いて明減衰を試みたところ、電位減衰は全<a測されな
かった。
以上より、本例に示した膜は、それだけでは光導電性を
有ざないことが確認きれる。
有ざないことが確認きれる。
実施備品
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第2図に示
す、導電性基板(1)、電荷発生層(会)、並びに、電
荷輸送層(θ)をこの順に設けた本発明感光体を作製し
た。
す、導電性基板(1)、電荷発生層(会)、並びに、電
荷輸送層(θ)をこの順に設けた本発明感光体を作製し
た。
電荷発生層形成工程:
第8図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
1)の粉末を、第2ボート(505)にアルミナAl2
O3の粉末を載置し、基板保持部材(502)には樅5
0X横50X厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(50
3)として取り付けた。次いで真空槽(501)内を排
気ポンプ(511)を用いて10−’Torr程度の高
真空にした後、第1電極及び第2電極(506及び50
7)に電力を印加し、第1ボート(504)を490℃
、及び、第2ボート(505)を1450℃にまで昇温
しな。第1ボート(504)温度、及び、第2ボート(
505)温度が安定したところで、予め閉状態にしてお
いた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を
駆動ソレノイド(510)を作動させて交互に開状態0
にし、lXl0−5程度の真空度のもとで、基板(50
3)上にアルミニウムクロロフタロシアニンクロライド
とアルミナの多層蒸着膜を堆Vtさせな。ここで、第1
遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時間は
それぞれ5秒及び10秒とし、双方の開時間の合計が5
分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態とし、
約1500人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電荷
発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2
電極(506及び507)への通電を停止すると共に、
真空槽(501)内を充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
1)の粉末を、第2ボート(505)にアルミナAl2
O3の粉末を載置し、基板保持部材(502)には樅5
0X横50X厚ざ3mmのアルミニウム板を基板(50
3)として取り付けた。次いで真空槽(501)内を排
気ポンプ(511)を用いて10−’Torr程度の高
真空にした後、第1電極及び第2電極(506及び50
7)に電力を印加し、第1ボート(504)を490℃
、及び、第2ボート(505)を1450℃にまで昇温
しな。第1ボート(504)温度、及び、第2ボート(
505)温度が安定したところで、予め閉状態にしてお
いた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)を
駆動ソレノイド(510)を作動させて交互に開状態0
にし、lXl0−5程度の真空度のもとで、基板(50
3)上にアルミニウムクロロフタロシアニンクロライド
とアルミナの多層蒸着膜を堆Vtさせな。ここで、第1
遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時間は
それぞれ5秒及び10秒とし、双方の開時間の合計が5
分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態とし、
約1500人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電荷
発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2
電極(506及び507)への通電を停止すると共に、
真空槽(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜につき、オージェ分析
を行なったところ、アルミニウムクロロフタロシアニン
クロライドの蒸着膜の膜厚は27人並びにアルミナの蒸
着膜の膜厚は47人であった。
を行なったところ、アルミニウムクロロフタロシアニン
クロライドの蒸着膜の膜厚は27人並びにアルミナの蒸
着膜の膜厚は47人であった。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第10図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1乃至
第2調節弁(707乃至708)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)よりブ
タジェンガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で第1乃
至第2流量制御器(713乃至714)内へ流入させた
。水素ガスの流量を60secm、及び、ブタジェン、
/j :Z、 (7)fc量を60secmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が2.0T
orrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1乃至
第2調節弁(707乃至708)を解放し、第1タンク
(701)より水素ガス、第2タンク(702)よりブ
タジェンガスを出力圧1.0Kg/cm2の下で第1乃
至第2流量制御器(713乃至714)内へ流入させた
。水素ガスの流量を60secm、及び、ブタジェン、
/j :Z、 (7)fc量を60secmとなるよう
に設定して、途中混合器(731)を介して、主管(7
32)より反応室(733)内へ流入した。各々の流量
が安定した後に、反応室(733)内の圧力が2.0T
orrとなるように圧力調節弁(745)を調整した。
一方、Pc膜が設けられ、第8図に示す本発明に係わる
感光体の電荷発生層製造装置より移送されてきた基板(
752)は、予め5O℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744
)により接続しておいた低周波電源(741)を投入し
、電力印加電極(736)に90Wattの電力を周波
数200KHzの下で印加して約16分プラズマ重合反
応を行ない、基板(752)上に厚ざ15μmのa−C
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分
に排気した。
感光体の電荷発生層製造装置より移送されてきた基板(
752)は、予め5O℃に加熱しておき、ガス流量及び
圧力が安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744
)により接続しておいた低周波電源(741)を投入し
、電力印加電極(736)に90Wattの電力を周波
数200KHzの下で印加して約16分プラズマ重合反
応を行ない、基板(752)上に厚ざ15μmのa−C
膜を電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印
加を停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分
に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して40原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して40原子%であった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光景は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は6.2工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認きれた。まt
:、初期帯電iな、白色光80ルツクス・秒照射時の表
面電位を残留電位として測定したところ一7■であり、
好適なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約14秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光景は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたところ必要と
された光量は6.2工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認きれた。まt
:、初期帯電iな、白色光80ルツクス・秒照射時の表
面電位を残留電位として測定したところ一7■であり、
好適なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画伶が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感
光体として好適な表面性能を有することが確認された。
好適な特性を有するものである。また、この感光体に対
して、常用のカールソンプロセスの中で作像して転写し
たところ、鮮明な画伶が得られた。ざらに、この感光体
の表面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測
定したところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感
光体として好適な表面性能を有することが確認された。
比較グ旦
電荷発生層形成工程において第1遮蔽板(508)と第
2遮蔽板(509)の開時間を調整し、アルミニウムク
ロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を700
人、並びに、アルミナの蒸着膜の膜厚を100人とする
こと以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製した。
2遮蔽板(509)の開時間を調整し、アルミニウムク
ロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を700
人、並びに、アルミナの蒸着膜の膜厚を100人とする
こと以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製した。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例2と同様の評1凸を行な
ったところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ
放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であっ
た。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光
を用いて明減衰を試みたところ半減電位に達しなかった
。
ったところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ
放電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であっ
た。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光
を用いて明減衰を試みたところ半減電位に達しなかった
。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においてはフタロシアニン系顔料の蒸着膜の膜厚
が高過ぎると好適な感度が得られなくなることが確認さ
れる。
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においてはフタロシアニン系顔料の蒸着膜の膜厚
が高過ぎると好適な感度が得られなくなることが確認さ
れる。
比較例4
電荷発生層形成工程において第1遮蔽板(508)と第
2遮蔽板(!509)の開時間を調整し、アルミニウム
クロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を50
人、並びに、アルミナの蒸着膜の膜厚を700人とする
こと以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製した。
2遮蔽板(!509)の開時間を調整し、アルミニウム
クロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜厚を50
人、並びに、アルミナの蒸着膜の膜厚を700人とする
こと以外は、実施例2と同様にして積層膜を作製した。
特性評価結果:
得られた積層膜につき、実施例2と同様の評価を行なっ
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光を
用いて明減衰を試みt:ところ半減電位に達しなかった
。
たところ、常用のカールソンプロセスにおいてコロナ放
電により少なくとも一630Vに初期帯電可能であった
。しかし、初期帯電後、白色光及び半導体レーザー光を
用いて明減衰を試みt:ところ半減電位に達しなかった
。
以上より、本例に示した積層膜は実用上好適な特性を有
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においては無機酸化物の蒸着膜の膜厚が高過ぎる
と好適な感度が得られなくなることが確認される。
するものとはいえず、このことから本発明感光体の電荷
発生層においては無機酸化物の蒸着膜の膜厚が高過ぎる
と好適な感度が得られなくなることが確認される。
実施鑓旦
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けな本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷輸送層形成工程:
第11図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸送層製造
装置において、まず、反応装置(733)の内部を10
=Torr程度の高真空にした後、第1乃至第2調節弁
(707乃至708)@解放し、第1タンク(701)
よりアルゴンガス、第2タンク(702)よりアセチレ
ンガスを出力圧1.0Kg/crn2の下で第1乃至第
2流量制御器(713乃至714)内へ流入させた。ア
ルゴンガスの流量を120secm、及び、アセチレン
ガスの流量を101005eとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。
装置において、まず、反応装置(733)の内部を10
=Torr程度の高真空にした後、第1乃至第2調節弁
(707乃至708)@解放し、第1タンク(701)
よりアルゴンガス、第2タンク(702)よりアセチレ
ンガスを出力圧1.0Kg/crn2の下で第1乃至第
2流量制御器(713乃至714)内へ流入させた。ア
ルゴンガスの流量を120secm、及び、アセチレン
ガスの流量を101005eとなるように設定して、途
中混合器(731)を介して、主管(732)より反応
室(733)内へ流入した。
各々の流量が安定した後に、反応室(733)内の圧力
が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、基板(752)には直径80×長き3
30mmの円筒状アルミニウムドラムを用い、予め50
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ(744)により接続しておい
た高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(73
6)に130Wattの電力を周波数13.56MHz
の下で印加して約60分プラズマ重合反応を行ない、基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
が1.0Torrとなるように圧力調節弁(745)を
調整した。一方、基板(752)には直径80×長き3
30mmの円筒状アルミニウムドラムを用い、予め50
℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が安定した状態で
、予め接続選択スイッチ(744)により接続しておい
た高周波電源(739)を投入し、電力印加電極(73
6)に130Wattの電力を周波数13.56MHz
の下で印加して約60分プラズマ重合反応を行ない、基
板(752)上に厚き15μmのa−C膜を電荷輸送層
として形成した。成膜完了後は、電力印加を停止し、調
節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して37原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して37原子%であった。
電荷発生層形成工程:
第9図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にチタニルフ
タロシアニンTi0Pcの粉末を、第2ボート(505
)にマグネシアMgOの粉末を載置し、真空槽(501
)内を排気ポンプ(511)を用いて1O−7Torr
程度の高真空にした。一方、基板保持部材(502)に
は、a−C膜が設けられ、第11図に示す本発明に係わ
る感光体の電荷輸送層製造装置より移送されてきた基板
(503)を装着し、第1電極及び第2電極(506及
び507)に電力を印加し、第1ボート(504)を5
00℃、及び、第2ボート(505) @ 1700
℃L:& i’昇温シタ。第1ボート(504)温度、
及び、第2ボート(505−)温度が安定したところで
、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第
2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動
させて交互に開状態にし、lXl0−5程度の真空度の
もとで、基板(503)上にチタニルフタロシアニンと
マグネシアの多層蒸着膜を堆積きせた。ここで、第1遮
蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時間はそ
れぞれ15秒及び10秒とし、双方の開時間の合計が5
分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態とし、
約2000人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電荷
発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2
電極(506及び507)への通電を停止すると共に、
真空槽(501)内を充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にチタニルフ
タロシアニンTi0Pcの粉末を、第2ボート(505
)にマグネシアMgOの粉末を載置し、真空槽(501
)内を排気ポンプ(511)を用いて1O−7Torr
程度の高真空にした。一方、基板保持部材(502)に
は、a−C膜が設けられ、第11図に示す本発明に係わ
る感光体の電荷輸送層製造装置より移送されてきた基板
(503)を装着し、第1電極及び第2電極(506及
び507)に電力を印加し、第1ボート(504)を5
00℃、及び、第2ボート(505) @ 1700
℃L:& i’昇温シタ。第1ボート(504)温度、
及び、第2ボート(505−)温度が安定したところで
、予め閉状態にしておいた第1遮蔽板(508)及び第
2遮蔽板(509)を駆動ソレノイド(510)を作動
させて交互に開状態にし、lXl0−5程度の真空度の
もとで、基板(503)上にチタニルフタロシアニンと
マグネシアの多層蒸着膜を堆積きせた。ここで、第1遮
蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)の開時間はそ
れぞれ15秒及び10秒とし、双方の開時間の合計が5
分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態とし、
約2000人の膜厚を有する本発明によるPc膜を電荷
発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及び第2
電極(506及び507)への通電を停止すると共に、
真空槽(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜中にっきオージェ分析
を行なったところ、チタニルフタロシアニンの蒸着膜の
膜厚は95人並びにマグネシアの蒸着膜の膜厚は71人
であった。
を行なったところ、チタニルフタロシアニンの蒸着膜の
膜厚は95人並びにマグネシアの蒸着膜の膜厚は71人
であった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.2工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一3■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約15秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要とされた光量は1.
6ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
された光量は5.2工ルグ/cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したところ一3■であり、好適
なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。この事から、本例に示
した本発明による感光体は、実用的な円筒状形態でも作
製可能であることが確認された。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。この事から、本例に示
した本発明による感光体は、実用的な円筒状形態でも作
製可能であることが確認された。
実施例挟
本発明に係わる感光体の製造装置を用いて、第けた本発
明感光体を作製した。
明感光体を作製した。
電荷発生層形成工程:
第9図に示す本発明に係わる感光体の電荷発生層製造装
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
1)の粉末を、第2ボート(505)に−酸化珪素Si
Oの粉末を載置し、基板保持部材(502)には直径8
0X長と330mmの円筒状アルミニウムドラムを基板
(503)として取り付けた。次いで真空槽(501)
内を排気ポンプ(511)を用いて1O−77orr程
度の高真空にした後、第1電極及び第2電極(506及
び507)に電力を印加し、第1ボー) (504)を
520℃、及び、第2ボート(505)を1070℃に
まで昇温した。第1ボート(504)温度、及び、第2
ボート(505)温度が安定したところで、予め開状態
にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(5
09)を駆動ソレノイド(510)を作動させて交互に
開状態にし、lXl0−5程度の真空度のもとで、基板
(503)上にアルミニウムクロロフタロシアニンクロ
ライドと一酸化珪素の多層蒸着膜を堆積させた。ここで
、第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)・の
開時間はそれぞれ1秒及び1秒とし、双方の開時間の合
計が5分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態
とし、約2200人の膜厚を有する本発明によるPc膜
を電荷発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及
び第2電極(506及び507)への通電を停止すると
共に、真空槽(501)内を充分に排気した。
置において、まず、第1ボート(504)にアルミニウ
ムクロロフタロシアニンクロライドAlClPc (C
1)の粉末を、第2ボート(505)に−酸化珪素Si
Oの粉末を載置し、基板保持部材(502)には直径8
0X長と330mmの円筒状アルミニウムドラムを基板
(503)として取り付けた。次いで真空槽(501)
内を排気ポンプ(511)を用いて1O−77orr程
度の高真空にした後、第1電極及び第2電極(506及
び507)に電力を印加し、第1ボー) (504)を
520℃、及び、第2ボート(505)を1070℃に
まで昇温した。第1ボート(504)温度、及び、第2
ボート(505)温度が安定したところで、予め開状態
にしておいた第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(5
09)を駆動ソレノイド(510)を作動させて交互に
開状態にし、lXl0−5程度の真空度のもとで、基板
(503)上にアルミニウムクロロフタロシアニンクロ
ライドと一酸化珪素の多層蒸着膜を堆積させた。ここで
、第1遮蔽板(508)及び第2遮蔽板(509)・の
開時間はそれぞれ1秒及び1秒とし、双方の開時間の合
計が5分間となるまで蒸着を行なった後、何れも閉状態
とし、約2200人の膜厚を有する本発明によるPc膜
を電荷発生層として得た。Pc膜作製後は、第1電極及
び第2電極(506及び507)への通電を停止すると
共に、真空槽(501)内を充分に排気した。
以上のようにして得られたPc膜につき、蒸着速度より
、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着
膜と一酸化珪素の蒸着膜の膜厚を算出したところ、アル
ミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜
厚は7人並びに−酸化珪素の蒸着膜の膜厚は7人であっ
た。
、アルミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着
膜と一酸化珪素の蒸着膜の膜厚を算出したところ、アル
ミニウムクロロフタロシアニンクロライドの蒸着膜の膜
厚は7人並びに−酸化珪素の蒸着膜の膜厚は7人であっ
た。
電荷輸送層形成工程:
次いで、第11図に示す本発明に係わる感光体の電荷輸
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節
弁(707)を解放し、第1タンク(701)より水素
ガスを出力圧1.0Kg / c m 2の下で第1流
量制御器(713)内へ流入とせな。同時に、第1容器
(719)よりミルセンガスを第1温調器(722)温
度75℃のもと第7流量制御器(728)内へ流入させ
た。水素ガスの流量を10s105e及び、ミルセンガ
スの流量を25 s c amとなるように設定して、
途中混合器(731)を介して、主管(732)より反
応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応fi (733)内の圧力が0.25Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
Pc膜が設けられ、第9図に示す本発明に係わる感光体
の電荷発生層製造装置より移送されてきた基板(752
)は、予め80℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)によ
り接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力
印加電極(736)に140Wattの電力を周波数1
00KHzの下で印加して約40分プラズマ重合反応を
行ない、基板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気した。
送層製造装置において、まず、反応装置(733)の内
部を1O−6Torr程度の高真空にした後、第1調節
弁(707)を解放し、第1タンク(701)より水素
ガスを出力圧1.0Kg / c m 2の下で第1流
量制御器(713)内へ流入とせな。同時に、第1容器
(719)よりミルセンガスを第1温調器(722)温
度75℃のもと第7流量制御器(728)内へ流入させ
た。水素ガスの流量を10s105e及び、ミルセンガ
スの流量を25 s c amとなるように設定して、
途中混合器(731)を介して、主管(732)より反
応室(733)内へ流入した。各々の流量が安定した後
に、反応fi (733)内の圧力が0.25Torr
となるように圧力調節弁(745)を調整した。一方、
Pc膜が設けられ、第9図に示す本発明に係わる感光体
の電荷発生層製造装置より移送されてきた基板(752
)は、予め80℃に加熱しておき、ガス流量及び圧力が
安定した状態で、予め接続選択スイッチ(744)によ
り接続しておいた低周波電源(741)を投入し、電力
印加電極(736)に140Wattの電力を周波数1
00KHzの下で印加して約40分プラズマ重合反応を
行ない、基板(752)上に厚ざ15μmのa−C膜を
電荷輸送層として形成した。成膜完了後は、電力印加を
停止し、調節弁を閉じ、反応室(733)内を充分に排
気した。
以上のようにして得られたa −C膜につき有機元素分
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して57原子%であった。
析を行なったところ、含有される水素原子の量は炭素原
子と水素原子の総量に対して57原子%であった。
特性評価結果:
得られた感光体は、常用のカールソンプロセスにおいて
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約11秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は1.
2ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
きれた光量は4.3工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したとこ−3−3Vであり、好
適なイレース性能を有することが確認された。
コロナ放電により少なくとも一630■に初期帯電可能
であった。また、初期帯電電位から初期帯電電位の90
%にまで暗減衰するのに要した時間は約11秒であり、
これらのことから、実用上充分な帯電性能を有すること
が確認された。また、初期帯電後、白色光を用いて半減
電位にまで明減衰させたとこる必要ときれた光量は1.
2ルツクス・秒であり、このことから好適な感度を有す
ることが確認された。また、初期帯電後、半導体レーザ
ー光を用いて半減電位にまで明減衰させたとこる必要と
きれた光量は4.3工ルグ/Cm2であり、このことか
ら好適な長波長光感度を有することが確認された。また
、初期帯電後、白色光80ルツクス・秒照射時の表面電
位を残留電位として測定したとこ−3−3Vであり、好
適なイレース性能を有することが確認された。
以上より、本例に示した本発明による感光体は、実用上
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感光体
として好適な表面性能を有することが確認された。ざら
に、この感光体について耐久試験を行なったところ、A
4紙20万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた。
好適な特性を有するものである。また、この感光体をミ
ノルタ製複写機EP470Zに搭載し作像して転写した
ところ、鮮明な画像が得られた。また、この感光体の表
面硬度を、JIS−に−5400規格に基づいて測定し
たところ、7H以上の硬度が観測され、実用的な感光体
として好適な表面性能を有することが確認された。ざら
に、この感光体について耐久試験を行なったところ、A
4紙20万枚の耐刷試験後も、好適な画像が得られた。
第1図乃至第7図は本発明感光体の構成を示す図面、第
8図乃至第9図は本発明に係わる感光体の電荷発生層形
成装置を示す図面、及び、第10図乃至第11図は本発
明に係わる感光体の電荷輸送層形成装置を示す図面であ
る。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図
8図乃至第9図は本発明に係わる感光体の電荷発生層形
成装置を示す図面、及び、第10図乃至第11図は本発
明に係わる感光体の電荷輸送層形成装置を示す図面であ
る。 出願人 ミノルタカメラ株式会社 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図 第6図
Claims (1)
- 導電性基板上に電荷発生層と電荷輸送層とを積層してな
る機能分離型感光体において、該電荷発生層がフタロシ
アニン系顔料の真空蒸着膜と無機酸化物の真空蒸着膜が
交互に設けられた積層構成を有し、かつ、該電荷輸送層
が有機化合物ガスの真空中グロー放電により形成された
少なくとも炭素原子と水素原子とを構成原子として含有
してなるプラズマ重合膜であることを特徴とする感光体
。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP251887A JPS63169653A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
DE19883800227 DE3800227A1 (de) | 1987-01-06 | 1988-01-07 | Photoempfindlicher teil mit phthalozyanin-pigmenten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP251887A JPS63169653A (ja) | 1987-01-08 | 1987-01-08 | 感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63169653A true JPS63169653A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11531590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP251887A Pending JPS63169653A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-08 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63169653A (ja) |
-
1987
- 1987-01-08 JP JP251887A patent/JPS63169653A/ja active Pending
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