JPS63168887A - 光メモリデイスクハブ - Google Patents
光メモリデイスクハブInfo
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- JPS63168887A JPS63168887A JP62000750A JP75087A JPS63168887A JP S63168887 A JPS63168887 A JP S63168887A JP 62000750 A JP62000750 A JP 62000750A JP 75087 A JP75087 A JP 75087A JP S63168887 A JPS63168887 A JP S63168887A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁力によりクランプするため光メモリディスク
に付けるハブに関する。
に付けるハブに関する。
し従来の技術〕
近年、光メモリディスクは大容量メモリとして文書ファ
イル、教育用教材、画像処理ファイル等として実用化さ
れている。この光メモリディスクは記録面を内にして2
枚相対して貼り合わせるか、凍たはスペーサーを挟んで
貼り合わせたディスクを専用ケースに収納したカートリ
ッジとして供給される。
イル、教育用教材、画像処理ファイル等として実用化さ
れている。この光メモリディスクは記録面を内にして2
枚相対して貼り合わせるか、凍たはスペーサーを挟んで
貼り合わせたディスクを専用ケースに収納したカートリ
ッジとして供給される。
貼合せディスクを構成する基板の材質は、ガラス、ポリ
カーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン系樹脂等が用いられている。これらのうち熱
可塑性樹脂製のものは大量生産が比較的容易であり、比
較的安価−に製造できることから工業的生産に適してい
るが、温度や湿度による影響が比較的大きく、剛性も小
さい九め、参耐環境性に劣っていたことから、これまで
に材料特性、貼合せディスクの構造、ケースの形状、記
録材料の種類等信頼性の向上等について種々の工夫がな
された結果、実用化レベルに到達した。他方、光メモリ
ディスクを記録再生装置にクランプする方法についても
多くの検討がなされてきた。クランプ方法は機械的にク
ランプする方法とディスクに磁性体からなるハブを取り
つけマグネットを利用しクランプする方法が開発されて
いるが、クランプの容易さ、安定性、正確さ等から好ま
し一方法としてマグネットクランプが一般化しつつある
。
カーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ
オレフィン系樹脂等が用いられている。これらのうち熱
可塑性樹脂製のものは大量生産が比較的容易であり、比
較的安価−に製造できることから工業的生産に適してい
るが、温度や湿度による影響が比較的大きく、剛性も小
さい九め、参耐環境性に劣っていたことから、これまで
に材料特性、貼合せディスクの構造、ケースの形状、記
録材料の種類等信頼性の向上等について種々の工夫がな
された結果、実用化レベルに到達した。他方、光メモリ
ディスクを記録再生装置にクランプする方法についても
多くの検討がなされてきた。クランプ方法は機械的にク
ランプする方法とディスクに磁性体からなるハブを取り
つけマグネットを利用しクランプする方法が開発されて
いるが、クランプの容易さ、安定性、正確さ等から好ま
し一方法としてマグネットクランプが一般化しつつある
。
ハブは通常直径50閣以下、厚み3■以下の中心部に孔
のある金属板であるが、錆のため党メモリディスクが汚
染されることがないようにステ/レス鋼系合金等の不錆
鋼からなっている。
のある金属板であるが、錆のため党メモリディスクが汚
染されることがないようにステ/レス鋼系合金等の不錆
鋼からなっている。
ハブをディスクに取付ける方法としてはディスクと金属
板を直接接着する方法、金属板をディスクの上下から挟
みこみ、ネジ留めする方法、熱可塑性樹脂に金属板を貼
付けたノ・プを超音波や接着剤を用いてディスクに接着
する方法等が開発されてhる。
板を直接接着する方法、金属板をディスクの上下から挟
みこみ、ネジ留めする方法、熱可塑性樹脂に金属板を貼
付けたノ・プを超音波や接着剤を用いてディスクに接着
する方法等が開発されてhる。
しかしながら、信頼性の高い元メモリディスクを工業的
に生産するために従来のマグネットクランプで鉱不十分
な結果しか得られなかつ九。
に生産するために従来のマグネットクランプで鉱不十分
な結果しか得られなかつ九。
し発明が解決しようとする問題点コ
金属裂ハブを取付けた光メモリディスクをマグネットク
ランプする方法は利点は多いが、ハブと熱可塑性樹脂製
ディスク基板の膨張係数の差および剛性のちがいかられ
ずかの温湿度変化によって基板の複屈折率が非常に大き
くなり、時にはノリを引き起こすことすらある。光メモ
リディスクはレーザー元を基板を通して照射し記録層か
らの反射を読みとるため、基板の複屈折率が大きいとピ
ットエラーレートが大きくなり、光メモリディスクとし
て使用できなくなる。
ランプする方法は利点は多いが、ハブと熱可塑性樹脂製
ディスク基板の膨張係数の差および剛性のちがいかられ
ずかの温湿度変化によって基板の複屈折率が非常に大き
くなり、時にはノリを引き起こすことすらある。光メモ
リディスクはレーザー元を基板を通して照射し記録層か
らの反射を読みとるため、基板の複屈折率が大きいとピ
ットエラーレートが大きくなり、光メモリディスクとし
て使用できなくなる。
又、ディスクのノリ、偏芯はドライブに過大の負担を強
いることになり、これらが大きいとどットエラーレート
が大きくなるため同様に好ましくない。
いることになり、これらが大きいとどットエラーレート
が大きくなるため同様に好ましくない。
さらに、金属板金熱可星性樹脂部品で保持した構造のハ
ブを熱可塑性樹脂部品と基板とを接着し直接金属板と基
板とを接着しない方法を用いることで温湿度変化の影響
を緩邪する方法は複屈折率の増加を抑える効果が認めら
れるものの、熱可塑性樹脂と金属板の線膨張係数の差お
よび剛性の連込からサーマルサイクルテストやドライブ
装置への繰り返しローディングテストにより熱可塑性樹
脂と金属板、又は熱可塑性樹脂と基板との接着面にクラ
ックやクレーズが入りやすい上、工程が複雑になりコス
トの上昇を招くことは避けられないことに加えて、錆の
発きるものはなかった。
ブを熱可塑性樹脂部品と基板とを接着し直接金属板と基
板とを接着しない方法を用いることで温湿度変化の影響
を緩邪する方法は複屈折率の増加を抑える効果が認めら
れるものの、熱可塑性樹脂と金属板の線膨張係数の差お
よび剛性の連込からサーマルサイクルテストやドライブ
装置への繰り返しローディングテストにより熱可塑性樹
脂と金属板、又は熱可塑性樹脂と基板との接着面にクラ
ックやクレーズが入りやすい上、工程が複雑になりコス
トの上昇を招くことは避けられないことに加えて、錆の
発きるものはなかった。
本発明者らはハブの取付けによって複屈折率変化の少な
い、製造工程の簡単な、そして環境変化の少ない光メモ
リディスクを得るためハブの材質について鋭意検討した
結果本発明に到達したものである。
い、製造工程の簡単な、そして環境変化の少ない光メモ
リディスクを得るためハブの材質について鋭意検討した
結果本発明に到達したものである。
〔問題点を解決するための手段]
すなわち、本発明は熱可胆性樹脂7〜55重量%ト鉄、
コバルト、ニッケルのうち少なくとも1種80重量%以
上を含む磁性体粉末45〜93重量%との混合物からな
る光メモリディスクハブであり、本発明の光メモリディ
スクハブを用いれば、ディスク基板と容易に接着するこ
とができ、ディスク基板の複屈折率を実質的に増加させ
ることなく、又サーマルサイクルテストで接着面にクラ
ック等の欠陥のでることがなく、繰り返しローディング
テストにも充分耐える上、過酷表環境条件下でも錆の発
生がないため、ハブ取付けが原因でピットエラーレート
が増加することを最少とすることができる。
コバルト、ニッケルのうち少なくとも1種80重量%以
上を含む磁性体粉末45〜93重量%との混合物からな
る光メモリディスクハブであり、本発明の光メモリディ
スクハブを用いれば、ディスク基板と容易に接着するこ
とができ、ディスク基板の複屈折率を実質的に増加させ
ることなく、又サーマルサイクルテストで接着面にクラ
ック等の欠陥のでることがなく、繰り返しローディング
テストにも充分耐える上、過酷表環境条件下でも錆の発
生がないため、ハブ取付けが原因でピットエラーレート
が増加することを最少とすることができる。
本発明に用いる熱可塑性樹脂としては、たとえばポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ABS樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリ7エ=Vンオキサイド樹脂、ポリアセ
メール樹脂、ボリフエニレノスルフイド樹脂、ポリスル
ホン樹脂、ポリエーテルスルホ7樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ポリスチレン樹脂等が挙げられるが、特にポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ムBS樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリオレフイノ樹脂が好ましい。
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ABS樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリ7エ=Vンオキサイド樹脂、ポリアセ
メール樹脂、ボリフエニレノスルフイド樹脂、ポリスル
ホン樹脂、ポリエーテルスルホ7樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ポリスチレン樹脂等が挙げられるが、特にポリエ
ステル樹脂、ポリアミド樹脂、ムBS樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ポリオレフイノ樹脂が好ましい。
ポリエステル樹脂としてはポリエステル形成能を有する
七ツマ−1例えばジカルボン酸とジオール、ヒドロキシ
カルボン酸から公知の方法で製造したホモポリエステル
、コポリエステルが適当である。ジカルボン酸成分とし
てはマロン酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸など
の脂肪族ジカルボン酸、1.3−シクロペンタンジカル
ボン酸、1.3−シクロヘキサンジカルボン酸、1.4
−シクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン
酸、テレフタル酸、イノフタル酸、入5−ジブロムテレ
フタル酸、246−ナフタリンジカルボン酸、4.4−
スルホン−ジフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボ
ン酸及びこれらのジカルボン酸のアルキル置換エステル
類等、ジオール成分としてはエチレングリコール、ポリ
エチレングリコール、ホリプロビレンクリコール、シフ
ロピレングリコール、1゜4−ブテンジオール、1.4
−ジヒドロキシヘキサン、1.4−ジヒドロキシメチル
−シクロヘキサン等、ヒドロキシカルボン酸としては4
−ヒドロキシメチル−シクロヘキサンカルボン酸、p−
ヒドロキシフェニル酢酸等を用いることができる。
七ツマ−1例えばジカルボン酸とジオール、ヒドロキシ
カルボン酸から公知の方法で製造したホモポリエステル
、コポリエステルが適当である。ジカルボン酸成分とし
てはマロン酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸など
の脂肪族ジカルボン酸、1.3−シクロペンタンジカル
ボン酸、1.3−シクロヘキサンジカルボン酸、1.4
−シクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン
酸、テレフタル酸、イノフタル酸、入5−ジブロムテレ
フタル酸、246−ナフタリンジカルボン酸、4.4−
スルホン−ジフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボ
ン酸及びこれらのジカルボン酸のアルキル置換エステル
類等、ジオール成分としてはエチレングリコール、ポリ
エチレングリコール、ホリプロビレンクリコール、シフ
ロピレングリコール、1゜4−ブテンジオール、1.4
−ジヒドロキシヘキサン、1.4−ジヒドロキシメチル
−シクロヘキサン等、ヒドロキシカルボン酸としては4
−ヒドロキシメチル−シクロヘキサンカルボン酸、p−
ヒドロキシフェニル酢酸等を用いることができる。
これらのポリエステル樹脂のうちポリエチレンテレフタ
レート、ポリブチレンテレフタレートおよびこれらを少
なくとも50重t*含む共重合体又はブレンド組成物が
特に好適に用いられる。
レート、ポリブチレンテレフタレートおよびこれらを少
なくとも50重t*含む共重合体又はブレンド組成物が
特に好適に用いられる。
ポリアミド樹脂としてはナイロン66、ナイロン610
、ナイロン12、およびこれらの共重合物又はブレンド
組成物を用いることができるが、ナイロン6やナイロン
4は吸湿しやすく磁性体粉末を錆びさせることと、環境
変化によって寸法変化しやすいため、好ましくない。
、ナイロン12、およびこれらの共重合物又はブレンド
組成物を用いることができるが、ナイロン6やナイロン
4は吸湿しやすく磁性体粉末を錆びさせることと、環境
変化によって寸法変化しやすいため、好ましくない。
AB8樹脂としては、ポリブタジェン又はポリブタジェ
ン共重合物をゴム成分としたアクリロニトリル−ブタジ
ェノ−スチレン樹脂であり、一般に市販のものを用いる
ことができる。
ン共重合物をゴム成分としたアクリロニトリル−ブタジ
ェノ−スチレン樹脂であり、一般に市販のものを用いる
ことができる。
ポリカーボネート樹脂としてはビスフェノール類とホス
ゲンあるいはジアリールカーボネートのごときカーボネ
ート前駆物質とを反応させて得られるものである。ビス
フェノール類としてはビス(4−ヒドロキシフェニル)
メタン、1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル〕エタ
ン、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フロパン
、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブテン、2
.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、ビス
〔4−ヒドロキシフェニル〕フェニルメタノ、λ2−ビ
ス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フロパン、
1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタ
ノ、1.1−kl’ス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン、4.4−シヒドロキシジフェニルエ、−チ
ル等が挙げられる。これらのポリカーボネート樹脂の中
でa2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(いわゆるビスフェノールA)から製造されたポリカー
ボネート樹脂が特に好適でちる。
ゲンあるいはジアリールカーボネートのごときカーボネ
ート前駆物質とを反応させて得られるものである。ビス
フェノール類としてはビス(4−ヒドロキシフェニル)
メタン、1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル〕エタ
ン、2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フロパン
、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブテン、2
.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)オクタン、ビス
〔4−ヒドロキシフェニル〕フェニルメタノ、λ2−ビ
ス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)フロパン、
1.1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロペンタ
ノ、1.1−kl’ス(4−ヒドロキシフェニル)シク
ロヘキサン、4.4−シヒドロキシジフェニルエ、−チ
ル等が挙げられる。これらのポリカーボネート樹脂の中
でa2.2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン
(いわゆるビスフェノールA)から製造されたポリカー
ボネート樹脂が特に好適でちる。
ポリオレフィン樹脂としてはエチレン、プロピレン、ブ
テン−1,4−メチルブテン−1,4−メチルペンテン
−1の1種又は2種以上を重合して得られる樹脂あるい
はアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、7マル酸等
の不飽和カルボン酸又はこれらの酸の無水物やエステル
類を共重合又はグラフト重合させたポリオレフイア共重
合体などを挙げることができる。
テン−1,4−メチルブテン−1,4−メチルペンテン
−1の1種又は2種以上を重合して得られる樹脂あるい
はアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、7マル酸等
の不飽和カルボン酸又はこれらの酸の無水物やエステル
類を共重合又はグラフト重合させたポリオレフイア共重
合体などを挙げることができる。
本発明に用いる磁性体粉末は保磁力が小さく残留磁束密
度の低いものでらり、飽和磁束密度が高く高透a率をも
つ材料からなっているものが好ましい。これらの例とし
て純度99.61以上のPa粉末、Slを1〜4重f%
含む8l−Fe合金粉末、Atを10〜16重![係を
含むAt−・10合金粉末、81−ムt−lPeからな
るいわめるセンダスト粉末、通称パーマロイと称すN1
を55重量係以上含むNi−Pa合金の粉末、Ni−F
e−C0合金粉末、又はFe、 Ni、 Ooの一種又
は二程以上を80重量%以上含み且つOr、 Mn、
W等を含む合金粉末等を使用することができる。
度の低いものでらり、飽和磁束密度が高く高透a率をも
つ材料からなっているものが好ましい。これらの例とし
て純度99.61以上のPa粉末、Slを1〜4重f%
含む8l−Fe合金粉末、Atを10〜16重![係を
含むAt−・10合金粉末、81−ムt−lPeからな
るいわめるセンダスト粉末、通称パーマロイと称すN1
を55重量係以上含むNi−Pa合金の粉末、Ni−F
e−C0合金粉末、又はFe、 Ni、 Ooの一種又
は二程以上を80重量%以上含み且つOr、 Mn、
W等を含む合金粉末等を使用することができる。
これら磁性体粉末の重量平均粒径はα5〜300μmで
あることが望ましく、500μm以上であると熱可塑性
樹脂と混合したシ、射出成形の際スクリューとバレルと
の間で摩擦が大きく碌り、スクリューやバレルが損傷し
やすいため好ましくない。又、(L5μm以下であると
熱可塑性樹脂との混合操作が難しくなるとともに得られ
たハブ成形品の残留磁束密度が大きくなり透a軍が小さ
くなるため同様に好ましくなく、このうち5〜150μ
mが特に好ましい範囲のものである。
あることが望ましく、500μm以上であると熱可塑性
樹脂と混合したシ、射出成形の際スクリューとバレルと
の間で摩擦が大きく碌り、スクリューやバレルが損傷し
やすいため好ましくない。又、(L5μm以下であると
熱可塑性樹脂との混合操作が難しくなるとともに得られ
たハブ成形品の残留磁束密度が大きくなり透a軍が小さ
くなるため同様に好ましくなく、このうち5〜150μ
mが特に好ましい範囲のものである。
熱可塑性樹脂と磁性体粉末との混合北軍は得られる光メ
モリディスクツ・プの磁性的性質と信頼性および押出作
業性とから決められ、磁性体粉末の混合北軍は45〜9
3重量係である。45重量%以下であると光メモリディ
スクをクランプするに要する力が得られないため好まし
くない。他方、93重量係を超えると押出作条性や射出
成形性が著しく損われることと熱可塑性樹脂と磁性体粉
末との混合が不充分になり強度が小さく、僅かな衝撃に
も割れるようになり、信頼性が損なわれるため好ましく
ない。
モリディスクツ・プの磁性的性質と信頼性および押出作
業性とから決められ、磁性体粉末の混合北軍は45〜9
3重量係である。45重量%以下であると光メモリディ
スクをクランプするに要する力が得られないため好まし
くない。他方、93重量係を超えると押出作条性や射出
成形性が著しく損われることと熱可塑性樹脂と磁性体粉
末との混合が不充分になり強度が小さく、僅かな衝撃に
も割れるようになり、信頼性が損なわれるため好ましく
ない。
熱可塑性樹脂と磁性体粉末とを混合する装置としては通
常用いられている装置例えばヘンシェルミキサー、ミキ
シングロール、−軸押出機、二軸押出機等を用いること
ができる。混合に際して熱可塑性樹脂は平均粒径1.5
回以下の粉末状として供給することで特に良好な混合操
作を行なうことができる。
常用いられている装置例えばヘンシェルミキサー、ミキ
シングロール、−軸押出機、二軸押出機等を用いること
ができる。混合に際して熱可塑性樹脂は平均粒径1.5
回以下の粉末状として供給することで特に良好な混合操
作を行なうことができる。
磁性体粉末をエポキシ系処理剤やシラン系処理剤等であ
らかじめ処理した後混合する方法は成形品の外観改良や
機械的強度の向上等好ましい結果をもたらすが、しかし
これらを用いなくても本発明の実施には支障はない。又
混合時に着色剤、酸化防止剤、離型剤等の添加も本発明
の実施に支障はない。
らかじめ処理した後混合する方法は成形品の外観改良や
機械的強度の向上等好ましい結果をもたらすが、しかし
これらを用いなくても本発明の実施には支障はない。又
混合時に着色剤、酸化防止剤、離型剤等の添加も本発明
の実施に支障はない。
ハブの成形はプレス法によっても行なうことができるが
、成形コストが大となるため射出成形法が特に優れた成
形法として推奨できる。射出成形の際原料として用いた
熱可塑性樹脂の成形温度よシ10〜20℃高く設定する
か、射出圧力を50〜100 kg7cm”高めて成形
する方が表面のつややヒフ等の点から好ましい結果が得
られる。
、成形コストが大となるため射出成形法が特に優れた成
形法として推奨できる。射出成形の際原料として用いた
熱可塑性樹脂の成形温度よシ10〜20℃高く設定する
か、射出圧力を50〜100 kg7cm”高めて成形
する方が表面のつややヒフ等の点から好ましい結果が得
られる。
本発明に用いられる材料は未充填熱可塑性樹脂に較べて
金型t−摩耗させ易いので射出成形金型の材質は硬度鋼
や硬質クロムメッキ処理等をほどこした方が金型寿命を
大幅に延ばすことができる。
金型t−摩耗させ易いので射出成形金型の材質は硬度鋼
や硬質クロムメッキ処理等をほどこした方が金型寿命を
大幅に延ばすことができる。
このようにして得られたハブは苛酷な塩水噴霧テストや
サーマルサイクルテストによっても錆の発生がなく、長
期にわたり安定であり、ディスク基板にエポキシ系接着
剤、シアノアクリレート系接着剤、アクリル系接着剤、
ウレタン系接着剤による接着や超音波接着によって取p
付けることができる。これらの接着の際、位置合わせが
非常に重要であシ、ディスクの傾き、偏芯等が極力少な
くなるように充分に位置合わせした後接着しなければな
らない。
サーマルサイクルテストによっても錆の発生がなく、長
期にわたり安定であり、ディスク基板にエポキシ系接着
剤、シアノアクリレート系接着剤、アクリル系接着剤、
ウレタン系接着剤による接着や超音波接着によって取p
付けることができる。これらの接着の際、位置合わせが
非常に重要であシ、ディスクの傾き、偏芯等が極力少な
くなるように充分に位置合わせした後接着しなければな
らない。
本発明の光メモリディスクハブは熱可塑性樹脂ディスク
基板に付けたとき特に良好な結果が得られるが、ガラス
製ディスク基板に付けても良好な結果が得られる。
基板に付けたとき特に良好な結果が得られるが、ガラス
製ディスク基板に付けても良好な結果が得られる。
以下、実施例によシ本発明を具体的に説明する。
実施例1
フェノールとテトラクロルエタンの50750溶液中で
測定した極限粘度がα75で′I7りり、平均粒径がα
4fiのポリエチレンテレフタレート粉末40重量係と
同様に測定した極限粘度が合し、さらに熱可塑性樹脂粉
末量に対し着色剤としてカーボンブラックα5チ、酸化
防止剤としてB−220(チパガイギー社製〕α2%、
離型剤として0F−WAX(ヘキスト社製)α2チを加
えてVaタンブラ−に入れ50 rpmで50分間攪拌
混合した後、直径455wmのダルメージ付スクリュー
をもつぺ7ト式−軸押出機で押出しストランドをカット
しペレット状の磁性体充填熱可塑性樹脂を得た。これら
のペレットを1オンスの射出容量をもつ射出成形機を使
用し、シ177グ一温度270℃、金型温度80℃、射
出最高圧500 kg7cm” %成形サイクル22秒
の条件で外径2aOO+a、厚み2.05目の円盤状で
あり中心部に一辺4.0011IKの四角形の孔のある
ハブ成形品を得た。
測定した極限粘度がα75で′I7りり、平均粒径がα
4fiのポリエチレンテレフタレート粉末40重量係と
同様に測定した極限粘度が合し、さらに熱可塑性樹脂粉
末量に対し着色剤としてカーボンブラックα5チ、酸化
防止剤としてB−220(チパガイギー社製〕α2%、
離型剤として0F−WAX(ヘキスト社製)α2チを加
えてVaタンブラ−に入れ50 rpmで50分間攪拌
混合した後、直径455wmのダルメージ付スクリュー
をもつぺ7ト式−軸押出機で押出しストランドをカット
しペレット状の磁性体充填熱可塑性樹脂を得た。これら
のペレットを1オンスの射出容量をもつ射出成形機を使
用し、シ177グ一温度270℃、金型温度80℃、射
出最高圧500 kg7cm” %成形サイクル22秒
の条件で外径2aOO+a、厚み2.05目の円盤状で
あり中心部に一辺4.0011IKの四角形の孔のある
ハブ成形品を得た。
このハブを、別に成形し九グループの記録されている上
にシアニン色素系記録材を塗布した外径130m、内径
15III11厚み1.2■のポリカーボネート展ディ
スク基板にエポキシ系接着剤を用いて接着し、ついでこ
のノ・プ付ディスク基板を2枚、記録面を内にして、厚
み06II11のポリカーボネート製の薄板を最外周と
最内周部に挟み、これらを接着剤接着しサンドウィッチ
構造の光メモリディスクを得几。評価結果を第1表に示
すが、測定は次のように行なった。
にシアニン色素系記録材を塗布した外径130m、内径
15III11厚み1.2■のポリカーボネート展ディ
スク基板にエポキシ系接着剤を用いて接着し、ついでこ
のノ・プ付ディスク基板を2枚、記録面を内にして、厚
み06II11のポリカーボネート製の薄板を最外周と
最内周部に挟み、これらを接着剤接着しサンドウィッチ
構造の光メモリディスクを得几。評価結果を第1表に示
すが、測定は次のように行なった。
まずハブ成形品は60℃、90%R4で2週間の環境テ
ストおよびJIS Z2571の方法により48時間の
塩水噴霧テストを行ない、それぞれハブ表面の錆の発生
状況をi祭した。
ストおよびJIS Z2571の方法により48時間の
塩水噴霧テストを行ない、それぞれハブ表面の錆の発生
状況をi祭した。
ついで光メモリディスクの直径60mのダブルパス複屈
折率を波長830 nmで、ハブ接着前後と一50℃か
ら60℃、90嗟R)iを24時間を1サイクルとする
いわゆるサーマルサイクルテスト10サイクル後のサン
プルについてそれぞれ測定し、さらに記録再生用ドライ
ブ装置にs、ooo回ローデイノグしたあとの外観検査
、ドライブ装置にクラップされた光メモリディスクt−
軸方向に引き離すに要する力を測定するクラ/プカ、つ
いでハブを光メモリディスクから剥μさせるに要する接
着強度を測定し次。これらの結果を第1表にまとめて示
す。
折率を波長830 nmで、ハブ接着前後と一50℃か
ら60℃、90嗟R)iを24時間を1サイクルとする
いわゆるサーマルサイクルテスト10サイクル後のサン
プルについてそれぞれ測定し、さらに記録再生用ドライ
ブ装置にs、ooo回ローデイノグしたあとの外観検査
、ドライブ装置にクラップされた光メモリディスクt−
軸方向に引き離すに要する力を測定するクラ/プカ、つ
いでハブを光メモリディスクから剥μさせるに要する接
着強度を測定し次。これらの結果を第1表にまとめて示
す。
実施例2
平均分子325,000.平均粒径α5fiのポリカー
ボネート020重量係と99.8チの純度をもつFe粉
粉末8菫 と同様の方法でベレット状のPa充充填ポリカーボー1
− 樹脂を得た。これを1オンス射出成形機を使用し、
シリ7ダ一温度280℃、金型温度50℃、射出最高圧
6 5 0 kg/cm” 、成形サイクル25秒で、
超音波接着用の小突起を直径24■.20■,16℃m
の3個所に同心円状に設けた外径2a00■、内径40
06鱈、厚み2.03簡の円盤状のハブ成形品を得た。
ボネート020重量係と99.8チの純度をもつFe粉
粉末8菫 と同様の方法でベレット状のPa充充填ポリカーボー1
− 樹脂を得た。これを1オンス射出成形機を使用し、
シリ7ダ一温度280℃、金型温度50℃、射出最高圧
6 5 0 kg/cm” 、成形サイクル25秒で、
超音波接着用の小突起を直径24■.20■,16℃m
の3個所に同心円状に設けた外径2a00■、内径40
06鱈、厚み2.03簡の円盤状のハブ成形品を得た。
これを実施例1に用いたディスク基板に超音波接着法に
より接着し、実施例1と同様の方法で2枚のハブ付ディ
スク基板からなるサンドウィッチ状の光メモリディスク
を得、同様に評価を行なった。結果はM2表に示すよう
に非常に良好であった。
より接着し、実施例1と同様の方法で2枚のハブ付ディ
スク基板からなるサンドウィッチ状の光メモリディスク
を得、同様に評価を行なった。結果はM2表に示すよう
に非常に良好であった。
実施例3
極限粘度α85、平均粒径α3■のポリブチレノテレ7
タレート粉末の20重量係と平均粒径40μmの99.
8%純度のFe粉粉末4電京 をポリブチレンテレフタレートに対しそれぞれα1重量
%づつ全よく混合し実施例1と同様の方法でベレット状
の磁性体充填ポリブチレンテレフタレート樹脂を得た。
タレート粉末の20重量係と平均粒径40μmの99.
8%純度のFe粉粉末4電京 をポリブチレンテレフタレートに対しそれぞれα1重量
%づつ全よく混合し実施例1と同様の方法でベレット状
の磁性体充填ポリブチレンテレフタレート樹脂を得た。
これを1オンス射出成形機を使用し、シリンダ一温度2
50℃、金型温度50℃、射出最高圧4 5 0 kg
7cm” 、成形サイクル18秒で、外径2 4 9
8 11111 %内径4.001鱈、厚み2.OOm
の円盤状のハブ成形品を得た。
50℃、金型温度50℃、射出最高圧4 5 0 kg
7cm” 、成形サイクル18秒で、外径2 4 9
8 11111 %内径4.001鱈、厚み2.OOm
の円盤状のハブ成形品を得た。
実施例1と同様の方法でディスク基板と・・ブを接着し
、組合わせて、2枚のハブ付ディスク基板からなるサン
ドウィッチ状の光メモリディスクを得、同様に評価を行
なった。結果は第2表に示すように非常に良好であった
。
、組合わせて、2枚のハブ付ディスク基板からなるサン
ドウィッチ状の光メモリディスクを得、同様に評価を行
なった。結果は第2表に示すように非常に良好であった
。
実施例4
平均粒径α11IlKのポリフェニレ7スルフイド粉末
の101f%と平均粒径α5鵡のナイロン66粉末10
重量%と平均粒径40μmの99.8チ純度のFe粉粉
末7電 例1と同様の方法でペレット状の磁性体充填ポリプチレ
ンテレフタレート樹脂を得た。これを1オンス射出成形
機を使用し、シリンダ一温度300℃、金型温度80℃
、射出最高圧600に9/cHI” 、成形サイクル2
5秒で、外径2S03鱈、内径4004m、厚み2.0
1■の円盤状のハブ成形品を得比。実施例1と同様の方
法でディスク基板とハブを接着し、組合わせて接着し、
2枚のハブ付ディスク基板からなるサンドウィッチ状の
光メモリディスクを得、同様に評価を行なった。結果は
第2表に示すように非常に良好であった。
の101f%と平均粒径α5鵡のナイロン66粉末10
重量%と平均粒径40μmの99.8チ純度のFe粉粉
末7電 例1と同様の方法でペレット状の磁性体充填ポリプチレ
ンテレフタレート樹脂を得た。これを1オンス射出成形
機を使用し、シリンダ一温度300℃、金型温度80℃
、射出最高圧600に9/cHI” 、成形サイクル2
5秒で、外径2S03鱈、内径4004m、厚み2.0
1■の円盤状のハブ成形品を得比。実施例1と同様の方
法でディスク基板とハブを接着し、組合わせて接着し、
2枚のハブ付ディスク基板からなるサンドウィッチ状の
光メモリディスクを得、同様に評価を行なった。結果は
第2表に示すように非常に良好であった。
実施例5
平均粒径α4wmのポリブチレンテレフタレート粉末の
10重量係と平均粒径α3−のポリカーボネート粉末1
2重量係と平均粒径40の99.8係純度のIFe粉末
78重−i−憾をよく混合し実施例1と同様の方法でペ
レット状の磁性体充填熱可塑性樹脂を得た。これを1オ
ンス射出成形機を使用し、シリンダ一温度28゛0℃、
金型温度60℃、射出最高圧700kliF/♂へ成形
サイクル23秒で、超音波接着用の小突起を直径24m
、 201111. 16mの3個所に同心円状に設
けた外径2 !>04wm、内径4.005sl11厚
み2.02mの円盤状のハブ成形品を得た。実施例2と
同様の方法でディスク基板とハブを超音波接着し、組合
わせて、2枚のハブ付ディスク基板からなるサンドウィ
ッチ状の光メモリディスクを得、同様に評価を行なった
。結果は第2表に示すように非常に良好であった。
10重量係と平均粒径α3−のポリカーボネート粉末1
2重量係と平均粒径40の99.8係純度のIFe粉末
78重−i−憾をよく混合し実施例1と同様の方法でペ
レット状の磁性体充填熱可塑性樹脂を得た。これを1オ
ンス射出成形機を使用し、シリンダ一温度28゛0℃、
金型温度60℃、射出最高圧700kliF/♂へ成形
サイクル23秒で、超音波接着用の小突起を直径24m
、 201111. 16mの3個所に同心円状に設
けた外径2 !>04wm、内径4.005sl11厚
み2.02mの円盤状のハブ成形品を得た。実施例2と
同様の方法でディスク基板とハブを超音波接着し、組合
わせて、2枚のハブ付ディスク基板からなるサンドウィ
ッチ状の光メモリディスクを得、同様に評価を行なった
。結果は第2表に示すように非常に良好であった。
本発明の光デイスクハブは接着や環境条件変化による光
メモリディスクの複屈折率を増加させることが非常に少
なく、そりの少ない1穎性の高い光メモリディスクが安
価に得られ、工業的価値が高め。
メモリディスクの複屈折率を増加させることが非常に少
なく、そりの少ない1穎性の高い光メモリディスクが安
価に得られ、工業的価値が高め。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)熱可塑性樹脂7〜55重量%と鉄、コバルト、ニッ
ケルのうち少なくとも1種80重量%以上を含む磁性体
粉末45〜93重量%との混合物からなる光メモリディ
スクハブ。 2)熱可塑性樹脂がポリエステル樹脂である特許請求の
範囲第1項記載の光メモリディスクハブ。 3)ポリエステル樹脂がポリエチレンテレフタレートを
少なくとも50重量%含有する樹脂である特許請求の範
囲第2項記載の光メモリディスクハブ。 4)ポリエステル樹脂がポリブチレンテレフタレートを
少なくとも50重量%含有する樹脂である特許請求の範
囲第2項記載の光メモリディスクハブ。 5)熱可塑性樹脂がポリカーボネート樹脂である特許請
求の範囲第1項記載の光メモリディスクハブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000750A JPS63168887A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光メモリデイスクハブ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62000750A JPS63168887A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光メモリデイスクハブ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63168887A true JPS63168887A (ja) | 1988-07-12 |
Family
ID=11482372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62000750A Pending JPS63168887A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 光メモリデイスクハブ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63168887A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0273583A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光メモリデイスクハブ |
US5448553A (en) * | 1988-08-30 | 1995-09-05 | Mitsubishi Rayon Company Limited | Plastic hub containing a magnetic material and method of its manufacture |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP62000750A patent/JPS63168887A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5448553A (en) * | 1988-08-30 | 1995-09-05 | Mitsubishi Rayon Company Limited | Plastic hub containing a magnetic material and method of its manufacture |
JPH0273583A (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-13 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 光メモリデイスクハブ |
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