JP2747925B2 - 光メモリデイスクハブの形成方法 - Google Patents
光メモリデイスクハブの形成方法Info
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- JP2747925B2 JP2747925B2 JP1141617A JP14161789A JP2747925B2 JP 2747925 B2 JP2747925 B2 JP 2747925B2 JP 1141617 A JP1141617 A JP 1141617A JP 14161789 A JP14161789 A JP 14161789A JP 2747925 B2 JP2747925 B2 JP 2747925B2
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光メモリデイスクに取り付けるハブの成形
方法に関する。
方法に関する。
近年、光メモリデイスクハブは大容量メモリとして文
書フアイル、教育用教材、画像処理フアイル等として実
用化されている。この光メモリデイスクは通常ドライブ
へのクランプを容易にするためマグネツトクランプ用ハ
ブが取り付けられている。ハブは直径40mm以下、厚さ5m
m以下の中心部に孔のある金属板、あるいは金属薄板を
接着剤や一体成形により熱可塑性樹脂に取り付けたもの
が一般的であるが、磁性体粉末を充填した樹脂材料から
なるハブも開発されている。これらのハブに要求される
特性としては寸法精度の高いこと、経時変化の少ないこ
と、熱膨張率が光デイスク基板に近く、環境変化により
光デイスク基板にストレスを与えないこと、接着性に優
れること、耐摩耗性に優れることである。
書フアイル、教育用教材、画像処理フアイル等として実
用化されている。この光メモリデイスクは通常ドライブ
へのクランプを容易にするためマグネツトクランプ用ハ
ブが取り付けられている。ハブは直径40mm以下、厚さ5m
m以下の中心部に孔のある金属板、あるいは金属薄板を
接着剤や一体成形により熱可塑性樹脂に取り付けたもの
が一般的であるが、磁性体粉末を充填した樹脂材料から
なるハブも開発されている。これらのハブに要求される
特性としては寸法精度の高いこと、経時変化の少ないこ
と、熱膨張率が光デイスク基板に近く、環境変化により
光デイスク基板にストレスを与えないこと、接着性に優
れること、耐摩耗性に優れることである。
上記金属製ハブあるいは金属薄板を熱可塑樹脂に取り
付けた構造のハブは、サーマルサイクルやローデイング
テスト等により、熱可塑性樹脂と金属との線膨張率の違
いに起因するストレスが光デイスク基板い金属板にかか
り、熱可塑性樹脂部材や光デイスク基板にクラツクやク
レーズが入りやすいことや、金属板が変形しクランプ用
磁石との位置がずれるため吸着力が変わるなど好ましく
ない面が多かつた。
付けた構造のハブは、サーマルサイクルやローデイング
テスト等により、熱可塑性樹脂と金属との線膨張率の違
いに起因するストレスが光デイスク基板い金属板にかか
り、熱可塑性樹脂部材や光デイスク基板にクラツクやク
レーズが入りやすいことや、金属板が変形しクランプ用
磁石との位置がずれるため吸着力が変わるなど好ましく
ない面が多かつた。
他方、熱可塑性樹脂に金属粉又は金属繊維を充填した
ハブは、このようなことがなく経時安定性に優れている
が、磁石に対する吸着力を高めるために金属含有量を非
常に高くする必要があり、そのため成形性が悪かつた
り、線膨張係数の違いが大きくなるという欠点があつ
た。金属含有量の低い場合にはこれらの欠点は少なくな
るが、磁石に対する吸着力が小さくなるなどの問題があ
つた。
ハブは、このようなことがなく経時安定性に優れている
が、磁石に対する吸着力を高めるために金属含有量を非
常に高くする必要があり、そのため成形性が悪かつた
り、線膨張係数の違いが大きくなるという欠点があつ
た。金属含有量の低い場合にはこれらの欠点は少なくな
るが、磁石に対する吸着力が小さくなるなどの問題があ
つた。
そこで、本発明者らは、低い磁性体含有量で、より高
い磁石に対する吸着力を有する光メモリデイスクハブを
得る方法について鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到つた。
い磁石に対する吸着力を有する光メモリデイスクハブを
得る方法について鋭意検討した結果、本発明を完成する
に到つた。
即ち、本発明は熱可塑性樹脂と磁性体繊維及び／又は
磁性体粉末とからなる光メモリデイスクハブを射出成形
して製造するに際し、光メモリデイスクをドライブにセ
ツトした際にドライブのチヤツキング用磁石側に位置す
るハブ面の反対側のハブ面に射出成形用のゲートを設け
た金型を用いることを特徴とする光メモリデイスクハブ
の成形方法である。
磁性体粉末とからなる光メモリデイスクハブを射出成形
して製造するに際し、光メモリデイスクをドライブにセ
ツトした際にドライブのチヤツキング用磁石側に位置す
るハブ面の反対側のハブ面に射出成形用のゲートを設け
た金型を用いることを特徴とする光メモリデイスクハブ
の成形方法である。
本発明を図面に基づいて説明する。第１図はハブ付き
光メモリデイスク及びドライブのターンテーブルを示し
た本発明の一実施例を、第２図は他の実施例を示すもの
である。ドライブのターンテーブル１にはチヤツキング
用磁石２と位置決め中心軸３が装着されている。一方、
光メモリデイスク基板４には、７の位置に射出成形用の
ゲートを設けられた金型により成形された光メモリデイ
スクハブ５が、チヤツキング用磁石に対するハブ面６の
反対側の面から貼付けてある。
光メモリデイスク及びドライブのターンテーブルを示し
た本発明の一実施例を、第２図は他の実施例を示すもの
である。ドライブのターンテーブル１にはチヤツキング
用磁石２と位置決め中心軸３が装着されている。一方、
光メモリデイスク基板４には、７の位置に射出成形用の
ゲートを設けられた金型により成形された光メモリデイ
スクハブ５が、チヤツキング用磁石に対するハブ面６の
反対側の面から貼付けてある。
本発明によれば、光メモリデイスクハブ中の磁性体が
チヤツキング用磁石に対面するハブ面側にやや多く集ま
り、このため磁石に対する吸着力が増すため磁性体はよ
り低含有率でも効果を示すものである。即ち、ハブの射
出成形において熱可塑性樹脂の比重に比べて５倍以上も
の比重差のある磁性体がゲートから遠い面に多く集まる
ことを利用することにある。さらにチヤツキング用磁石
側に位置するハブ面にひけなどの欠陥が出にくくなり、
装飾的にすぐれたハブが得られる利点も見出された。
チヤツキング用磁石に対面するハブ面側にやや多く集ま
り、このため磁石に対する吸着力が増すため磁性体はよ
り低含有率でも効果を示すものである。即ち、ハブの射
出成形において熱可塑性樹脂の比重に比べて５倍以上も
の比重差のある磁性体がゲートから遠い面に多く集まる
ことを利用することにある。さらにチヤツキング用磁石
側に位置するハブ面にひけなどの欠陥が出にくくなり、
装飾的にすぐれたハブが得られる利点も見出された。
本発明に用いる熱可塑性樹脂としては、ポリエステル
樹脂、ポリアミド樹脂、ABS樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリフエニレンオキサイド樹脂、ポリアセタール樹
脂、ポリフエニレンスルフイド樹脂、ポリスルホン樹
脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスチレン樹脂等が
挙げられる。
樹脂、ポリアミド樹脂、ABS樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリフエニレンオキサイド樹脂、ポリアセタール樹
脂、ポリフエニレンスルフイド樹脂、ポリスルホン樹
脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリスチレン樹脂等が
挙げられる。
本発明に用いる磁性体粉末又は磁性体繊維は残留磁束
密度が低く、飽和磁束密度の高いものが好ましい。これ
らの例として純度98重量％以上のFe,Siを１〜４重量％
含むSi−Fe合金、Al−Fe合金、Ni−Fe合金、Ni−Fe−Co
合金、又はJISに定められているSUS 400番代の合金を使
用することができる。
密度が低く、飽和磁束密度の高いものが好ましい。これ
らの例として純度98重量％以上のFe,Siを１〜４重量％
含むSi−Fe合金、Al−Fe合金、Ni−Fe合金、Ni−Fe−Co
合金、又はJISに定められているSUS 400番代の合金を使
用することができる。
磁性体粉末の重量平均粒径は0.001〜0.3mmであること
が好ましく、0.3mmを越えると熱可塑性樹脂と混合した
り、射出成形の際スクリユーとバレルとの間で摩擦が大
きくなり、スクリユーやバレルが損傷しやすいため好ま
しくない。他方、0.001mm未満であると熱可塑性樹脂と
の混合操作が難しくなるとともに混合物の飽和磁束密度
が低くなるため同様に好ましくない。
が好ましく、0.3mmを越えると熱可塑性樹脂と混合した
り、射出成形の際スクリユーとバレルとの間で摩擦が大
きくなり、スクリユーやバレルが損傷しやすいため好ま
しくない。他方、0.001mm未満であると熱可塑性樹脂と
の混合操作が難しくなるとともに混合物の飽和磁束密度
が低くなるため同様に好ましくない。
磁性体繊維の平均繊維長は10mm以下であることが望ま
しく、10mmを越えると熱可塑性樹脂と混合したり、射出
成形の際スクリユーやバレルを痛めやすいため好ましく
ない。また繊維径は0.002〜0.2mmが好ましい。0.002mm
未満であると繊維の塊ができやすくなり熱可塑性樹脂と
の混合操作が難しくなるとともに、ハブ成形品の磁石に
対する吸着力が弱くなる。他方0.2mmを越えると混合樹
脂の成形性が悪くなることが起こり易い。
しく、10mmを越えると熱可塑性樹脂と混合したり、射出
成形の際スクリユーやバレルを痛めやすいため好ましく
ない。また繊維径は0.002〜0.2mmが好ましい。0.002mm
未満であると繊維の塊ができやすくなり熱可塑性樹脂と
の混合操作が難しくなるとともに、ハブ成形品の磁石に
対する吸着力が弱くなる。他方0.2mmを越えると混合樹
脂の成形性が悪くなることが起こり易い。
熱可塑性樹脂と磁性体との混合比率は得られる光メモ
リデイスクハブの磁性的性質と信頼性及び成形性とから
決められ、磁性体繊維及び磁性体粉末の混合比率は、ハ
ブの全重量中35〜93重量％であり、好ましくは60〜87重
量％である。35重量％以下であると光メモリデイスクを
マグネツトクランプするに要する吸着力が得られないた
め、好ましくない。他方、93重量％を越えると押出し作
業性や射出成形性が著しく損なわれることと、熱可塑性
樹脂と磁性体との混合が不十分になり強度が小さく、僅
かな衝撃にも割れるようになり、信頼性が損なわれるた
め好ましくない。
リデイスクハブの磁性的性質と信頼性及び成形性とから
決められ、磁性体繊維及び磁性体粉末の混合比率は、ハ
ブの全重量中35〜93重量％であり、好ましくは60〜87重
量％である。35重量％以下であると光メモリデイスクを
マグネツトクランプするに要する吸着力が得られないた
め、好ましくない。他方、93重量％を越えると押出し作
業性や射出成形性が著しく損なわれることと、熱可塑性
樹脂と磁性体との混合が不十分になり強度が小さく、僅
かな衝撃にも割れるようになり、信頼性が損なわれるた
め好ましくない。
熱可塑性樹脂と磁性体繊維又は磁性体粉末を混合する
装置としては、通常用いられている装置、例えばヘンシ
エルミキサー、ミキシングロール、一軸押出機、二軸押
出機等を用いることができる。混合に際して、熱可塑性
樹脂は平均粒径1.5mm以下、好ましくは1.0mm以下の粉末
状として供給することで、良好な混合操作を行なうこと
ができる。
装置としては、通常用いられている装置、例えばヘンシ
エルミキサー、ミキシングロール、一軸押出機、二軸押
出機等を用いることができる。混合に際して、熱可塑性
樹脂は平均粒径1.5mm以下、好ましくは1.0mm以下の粉末
状として供給することで、良好な混合操作を行なうこと
ができる。
本発明の光メモリデイスクハブは、通常の射出成形機
により成形できるが、成形機内の溶融樹脂の長時間滞留
を避けるため、射出量は成形機の射出容量の15〜60％程
度が好ましい。射出成形条件としては、原料として用い
た熱可塑性樹脂の通常の成形条件より10〜20℃高い設定
温度、50〜100kg/cm2高い射出圧力、高めの射出速度に
設定した方が、磁性体クランプされる側により集まり易
く、吸着力の良好なハブが得られる。また、表面のつや
やヒケの点からも好ましい結果が得られる。
により成形できるが、成形機内の溶融樹脂の長時間滞留
を避けるため、射出量は成形機の射出容量の15〜60％程
度が好ましい。射出成形条件としては、原料として用い
た熱可塑性樹脂の通常の成形条件より10〜20℃高い設定
温度、50〜100kg/cm2高い射出圧力、高めの射出速度に
設定した方が、磁性体クランプされる側により集まり易
く、吸着力の良好なハブが得られる。また、表面のつや
やヒケの点からも好ましい結果が得られる。
本発明に用いる金型はピンゲートあるいはリング状ゲ
ートが好適であり、コールドランナー方式だけでなくホ
ツトランナーによる方法も用いることができる。ピンゲ
ートの場合、３点以上のゲート数が寸法精度の点から好
ましく、さらにゲート径は通常0.3〜2.0mmが用いられ、
ランド長さは2mm以下が好ましい。
ートが好適であり、コールドランナー方式だけでなくホ
ツトランナーによる方法も用いることができる。ピンゲ
ートの場合、３点以上のゲート数が寸法精度の点から好
ましく、さらにゲート径は通常0.3〜2.0mmが用いられ、
ランド長さは2mm以下が好ましい。
さらに本発明の方法はハブ外周に透明樹脂等を一体と
して成形することのできる２色成形にも応用することが
できる。
して成形することのできる２色成形にも応用することが
できる。
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
実施例１ 平均粒径100μｍのSUS 430粉末75重量部、平均繊維径
20μｍ、平均繊維長1.5mmのSUS430繊維５重量部、フエ
ノールとテトラクロルエタンの50/50溶液で測定した極
限粘度が0.85であり、平均粒径が0.4mmのポリブチレン
テレフタレート粉末20重量部、カーボンブラツク0.3重
量部、酸化防止剤としてＢ−220（チバガイギー社製）
0.2重量部を混合し、二軸押出機で押出して得たペレツ
ト状の磁性体充填熱可塑性樹脂を型締力10tonの小型成
形機を用いて図２に示す光メモリディスクハブを成形し
た。金型はドライブのチヤツキング用磁石側となるハブ
面の対面にゲート径1.0mmφ、ランド長さ1.2mmの３点ゲ
ートを設けた３枚割り型であり、得られたハブ成形品は
磁石に対し十分な吸着力である0.8kgを示し、且つチヤ
ツキング用磁石側となるハブ面にひけのない外観に優れ
たものであつた。
20μｍ、平均繊維長1.5mmのSUS430繊維５重量部、フエ
ノールとテトラクロルエタンの50/50溶液で測定した極
限粘度が0.85であり、平均粒径が0.4mmのポリブチレン
テレフタレート粉末20重量部、カーボンブラツク0.3重
量部、酸化防止剤としてＢ−220（チバガイギー社製）
0.2重量部を混合し、二軸押出機で押出して得たペレツ
ト状の磁性体充填熱可塑性樹脂を型締力10tonの小型成
形機を用いて図２に示す光メモリディスクハブを成形し
た。金型はドライブのチヤツキング用磁石側となるハブ
面の対面にゲート径1.0mmφ、ランド長さ1.2mmの３点ゲ
ートを設けた３枚割り型であり、得られたハブ成形品は
磁石に対し十分な吸着力である0.8kgを示し、且つチヤ
ツキング用磁石側となるハブ面にひけのない外観に優れ
たものであつた。
比較例１ 比較としてチヤツキング用磁石側となるハブ面に実施
例と同形状の３点ゲートを設けた金型を用いて同条件で
成形すると磁石に対する吸着力は0.7kgと小さくなり、
さらにチヤツキング用磁石側となるハブ面にひけが目立
ち外観の悪いハブが得られた。
例と同形状の３点ゲートを設けた金型を用いて同条件で
成形すると磁石に対する吸着力は0.7kgと小さくなり、
さらにチヤツキング用磁石側となるハブ面にひけが目立
ち外観の悪いハブが得られた。
本発明によれば、特定組成の材料を用い、特殊な成形
方法を採用することにより、効果的に磁石に対する吸着
性に優れ、かつ外観の良好な光メモリデイスクハブを製
造することができるため、工業上優れた効果を奏する。
方法を採用することにより、効果的に磁石に対する吸着
性に優れ、かつ外観の良好な光メモリデイスクハブを製
造することができるため、工業上優れた効果を奏する。
第１図はハブ付き光メモリデイスク及びドライブのター
ンテーブルを示した本発明の一実施例を、第２図は他の
実施例を示すものである。
ンテーブルを示した本発明の一実施例を、第２図は他の
実施例を示すものである。
Claims (1)
- 【請求項１】熱可塑性樹脂と磁性体繊維及び／又は磁性
体粉末とからなる光メモリデイスクハブを射出成形して
製造するに際し、光メモリデイスクをドライブにセツト
した際にドライブのチヤツキング用磁石側に位置するハ
ブ面の反対側のハブ面に射出成形用のゲートを設けた金
型を用いることを特徴とする光メモリデイスクハブの成
形方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141617A JP2747925B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 光メモリデイスクハブの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1141617A JP2747925B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 光メモリデイスクハブの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH035111A JPH035111A (ja) | 1991-01-10 |
| JP2747925B2 true JP2747925B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=15296205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1141617A Expired - Fee Related JP2747925B2 (ja) | 1989-06-02 | 1989-06-02 | 光メモリデイスクハブの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747925B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3032587B2 (ja) * | 1990-12-28 | 2000-04-17 | ティーディーケイ株式会社 | 光ディスクの製造方法 |
| DE9201504U1 (de) * | 1992-02-07 | 1992-04-16 | BASF Magnetics GmbH, 6800 Mannheim | Aufzeichnungsplatte mit einem Gehäuse |
| JP2616529B2 (ja) * | 1992-04-13 | 1997-06-04 | 松下電器産業株式会社 | ハブ付きディスク、ディスクカートリッジおよびディスク基板用射出成形金型 |
| WO2002089137A1 (fr) * | 2001-04-23 | 2002-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement d'information optique et appareil d'enregistrement/reproduction d'information optique |
| JP2010114731A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | カメラモジュールの製造方法 |
-
1989
- 1989-06-02 JP JP1141617A patent/JP2747925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH035111A (ja) | 1991-01-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |