JPS63163178A - 抵抗値測定回路 - Google Patents

抵抗値測定回路

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JPS63163178A
JPS63163178A JP31316486A JP31316486A JPS63163178A JP S63163178 A JPS63163178 A JP S63163178A JP 31316486 A JP31316486 A JP 31316486A JP 31316486 A JP31316486 A JP 31316486A JP S63163178 A JPS63163178 A JP S63163178A
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JP
Japan
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resistance
value
reference resistance
voltage
measured
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Application number
JP31316486A
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English (en)
Inventor
Yoshikazu Shibamiya
芳和 柴宮
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、温度、圧力などの環境の変化を検出する装
置、なかでも前記変化により抵抗値が変化する検出素子
を有する抵抗値測定回路に関する。
(従来の技術〕 従来より、世の中に存在する機器の動作(サーマルプリ
ンタであればサーマルヘッドのヒート処理)は、温度、
湿度、圧力など多くの環境パラメータにより影響を受け
るため、これらの値に応じた制御を行う必要があフた。
昨今、これらの制御には、マイクロコンピュータが使用
さすることが多いが、そのためには前記環境パラメータ
を2進化されたデジタル値としてマイクロコンピュータ
内に取込む必要がある。
一方、環境検出素子としては、温度、湿度。
圧力などの変化に対応し、抵抗値が変化するものがよく
用いられる。従来、これら抵抗値の変化を2進化し、マ
イクロコンピュータ内に取込むには、第4図にあるサー
ミスタ等の検出素子21を定抵抗22と直列に接続し、
定電圧源に接続し、この接続点の電圧変化を、いわゆる
A/Dコンバータ23で連続値から2進数に変換し取込
む方法や、第5図のごとく片安定マルチバイブレータ2
4の充電抵抗に検出素子21を配し、前記片安定マルチ
バイブレータ24をリセットし、出力が出ている時間を
カウンタ25により計測する方法などがあった。しかし
、これらの方法は、コストが高く、回路が複雑であり、
素子や電源のバラツキや変動に対して誤差を生じる。
また、コストがかかるなどの欠点があった。
なお、26はCPU27は、直線性補正抵抗でサーミス
タ21の温度−抵抗特性が第6図のAの様に指数変化す
るものであるので、サーミスタと並列、或いは直列に抵
抗を挟入し、第6図のBの様に測定範囲内でほぼ直線に
なる様に補正する為のものである。
〔目的〕
本発明は、これらの問題に鑑み、簡単な回路でかつ低コ
ストで電荷蓄積素子にある電圧まで電荷を蓄積するのに
かかる時間を基準抵抗のみと、基準抵抗と被測定素子を
並列にした場合の2度測定し、その比を計算し、測定値
とすることにより、被測定素子の抵抗値の測定が可能な
抵抗値検出回路或いは該回路を含む電子機器を提供する
ことを目的とする。
更には、上述の測定動作を定めら五た回数繰り返して前
記第1と第2の時間のそれぞれの和の比を求め、これよ
り、求めたい値を算出することで、低コスト、高安定、
高精度の測定装置を得ることができる抵抗値検出回路を
提供することを目的としている。
又、求めたい値が、被測定素子そのものではなく、基準
抵抗との並列値である場合、前述の比が求めたい値と比
例する様にした抵抗値検出回路を提供することを目的と
している。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
本発明を温度依存性抵抗(サーミスタ、以後サーミスタ
と呼ぶ)による温度検出に応用した例で説明する。第1
図に本実施例のブロック図を示す。
第1図においては、マイクロプロセッサ(CPU)であ
って、後述のROM3よりプログラム命令、及びあらか
じめ定められたデータを読み出し、温度検出に必要な演
算比較等を行う。
RAM2は、リード・ライトメモリであって、CPU 
1が、後述4〜6の入力、出力ボートへの人力、出力デ
ータの一時保存、時間を計測するためのタイマー用レジ
スタ、演算結果を格納しておくメモリなどとして使用さ
れる(第2図(a)参照)。
ROM3は、読み出し専用不揮発性メモリであって、C
PtJ 1が動作するためのシステムプログラム、演算
結果を実際の温度の値に対応させるための、比較テーブ
ルなどから成っている(第2図(b)参照)。
4の出力ボート1は、CPLllの命令によって、パス
ラインS1を通して、誤出力ボートに論理レベル゛°0
″または“1”をラッチし、パスラインS2を通して、
後述の10のトランジスタ1を制御する。入力ボート5
は、後述電圧比較器7より33を通して出力された論理
レベル“0′または°1″をパスラインS1を通して読
むことが出来る。
6の出力ボート2は、4の出力ボート1と同様°゛0′
または1″をラッチし、信号線S4を通して後述13の
トランジスタ2を制御する。
尚、前記4の出力ボート1.6の出力ボート2はラッチ
した内容をCPU 1の命令によって読むこともできる
電圧比較器7は、コンデンサー14の端子電圧Vcであ
る信号線S5の値と基準電圧vthを比較し、基準電圧
vthの値の方が大とければ出力に論理レベル“0°°
を、逆に前記信号線s5の方が大きければ°゛1゛°を
出力する。8の抵抗R1と9の抵抗R2は電圧比較器7
の基準電圧vthをつくるための分圧抵抗で 10のトランジスタ1 (Trl)は、信号線S2が論
理レベル゛1”のときは、コレクター−エミッタ間が“
’OFF”となっており、後述のサーミスタ11に電流
が流れず充電されず、Slが゛0°°のときはコレクタ
ー−エミッタ間が” ON ”となり、サーミスタ11
に電流を流すことができる。
サーミスタ11は温度依存性を有し、温度によって抵抗
値が変化する素子で、その論理式は、サーミスタの抵抗
値をRthとすると Ro、Bo−−−−−サーミスタの固有定数To   
 −−−−−273[” K]T     −−−−−
サーミスタ温度[°K]となり、前述した様に第6図の
Aのようなカーブを描く。これからもわかるように、サ
ーミスタの温度−抵抗値カーブは直線にはならず、定抵
抗を並列に接続して、これを補正すると非常によい直線
性をもつので、サーミスタを用いた温度検出では、一般
にこの方法が多く用いられる。
12の基準抵抗Rsは、前記サーミスタの直線性補正と
基準時間測定のための基準抵抗を兼ねた定抵抗で、本発
明ではこの部品のみが高精度を要求される。しかし、従
来に比して極めて低コストである。
13のトランジスタ2は、信号線S4の論理レベルが1
′°のときコレクター−エミッタ間が“ON”となり、
後述14のコンデンサーの電荷を放電し、0′のとき“
OF F ”となって何もしない。
14のコンデンサーは、12の基準抵抗Rs、11のサ
ーミスタRthを通して流れる電荷を充電する。
15の電源フィルタであり、インパルス性のノイズを除
去するものである。
次に、第2図(a)、(b)を参照し、前記2のRAM
と3のROM内で本実施例で使用するレジスタ等につい
て若干の説明をする。
RAMZ内には、第2図(a)に示したごとくサンプル
カウントレジスタ(以下S P LCNTと略す)と、
タイマーカウンタレジスタ(以下T I MCNTと略
す)を有し、それぞれRAM内の特定の番地に割当てら
れている。
5PLCNTは、?IIIJ定の回数をカウントするの
に用いられる。
一方、T I MCNTはコンデンサー14が放電した
後基準電圧vthまで充電されるまでの時間計測に用い
られ、プログラムによって、ある一定時間ごとにインク
リメントされる。この一定時間が測定時間の最少単位と
なる。
次に、RAMZ内には、基準抵抗測定カウント値レジス
タ(以下、N5REGと略す)基準抵抗とサーミスタを
並列で測定したカウント値を保持する。温度抵抗測定カ
ウント値REG (以下、NTREGと略す)を有し、
2度のカウント値測定の保持に使用している。
一方、ROM3内には、第2図(b)のごとく定数とし
て、測定最大回数(以下、S P LMA Xと略す)
、基準抵抗値Rs、前記Rsと使用するサーミスタの定
数Bo、Roを元に求めた基準抵抗RsとサーミスタR
thを並列接続した合成抵抗R?と温度Tのカーブに対
し2乗誤差に対し最も誤差の小さくなるように、最小2
乗法で求めた回帰直線の傾きmと接片すの値が格納され
ている。
次に本実施例の動作説明の前に原理を簡単に説明してお
く。
第1図において、電源電圧Vccのもとで12の基準抵
抗R3で13のコンデンサCを充!し、基準電圧vth
に達するまでの時間tsはより となり、これを七〇秒に一回カウントするカウントで測
定するとすればカウント数NSはとなる。同様に本実施
例で求める値である基準抵抗R9とサーミスタRthの
並列合成抵抗R?で充電した場合の時間tT、これをt
。おきにカウントした時の値Ntは ここで[式5]と[式7]の比をとるととなり、C,t
o、Vth、Vccの絶対値にバラツキがあっても、N
TとN、の測定時間内で同じであるとすれば、すなわち
C”C′ t。
=七〇′ Vth=Vth’ 、Vcc=Vcc’ であればとな
りRTの値は基準抵抗Rsと2つの測定値NT及びN、
によって決定される。
しかし実際には実時間ts、tTからカウント数N!!
、N丁を測定する段階において、七〇秒ごとにカウント
するので最大上〇の量子化誤差が発生する。また外来ノ
イズによりvthやVccもわずかに変動している。こ
れらの誤差を押さえるには、NTとN、を何回か測定し
、その平均値を採用するのが有効である。今、NTとN
5をに回測定し、その平均値NT、N、とすると、とな
り、これより となり、k回の平均値を算出しなくともNTとNsのそ
れぞれの和を求めればよい。
では次に、第1図と動作の流れを説明する第3図のフロ
ーチャートを用い、本発明の詳細な説明する。
まず、前記のRAMZ内の5PLCNT。
N S RE G 、  N T RE Gに「0」を
書く(クリアーする)(STEPI)。
次に、4の出力ボート1に1°を出力し10のTriを
OFF’ とし、基準抵抗測定モードとする。そして、
6の出力ボート2を1゛ とし、あらかじめ定められた
時間この状態を保ち、14コンデンサCを完全に放電す
る(step2.3)−次にT I MCNTをクリア
ーして(step4)、測定準備が完了する。
モして6の出力ボート2を0゛として、13のTr2を
OFF’ させ、基準抵抗12のみによる、コンデンサ
C14への充電が開始される(step5)、CPUI
は入力ボート5を一定時間ごとに読み、値が0°であれ
ばRAM2内のT I MCNTをインクリメントし、
再び人力ボート5を読みにいく。これをくり返すうち(
step6.7)、コンデンサー14の端子電圧Vcが
基準電圧Vthを越えると、電圧比較器7が反転し、人
力ボート5か° 1° になる。
CPUIが入力ボート5が1″であることを検出すると
、T I MCNTのインクリメントを停止し、6の出
力ボート2を1° とし、充電を完了する(step8
)。
次にCPUIは4の出力ボート1の状態が0゛か1′か
を判断しく5tsp9)、1′の時は(現在は°1“で
ある) NS RE Gの値に今インクリメントを停止
したT I MCNTの値を加え、N5REGヘセツト
しく5tep10・)、4の出力ボート1を“1°−0
°へ反転させ(stepll)、10のTriをON°
させて基準抵抗とサーミスタを並列接続して、温度抵抗
測定モードとする。
次に、RAM2内5PLCNTとROM3内所定の測定
回数SPLMAXを比較する(step12)。現在は
S P LCNTの値は「0」であり、5PLCNT<
SPLMAXであり、この時は、次の測定をすべく前記
5tep4に戻る。コンデンサ14の電荷を放電させ、
充電を再口する。モして5PUIが人力ボート5の1°
を検出し、T I MCNTのインクリメントを停止す
ると(step6.8)、今度は4の出力ボート1は°
0°であり、この時は、NTREGO値とT I MC
NTの値を加え、NTREGヘセットしく5tep1.
4)、4の出力ボート1を再び反転させ、°0°−°1
° としく5tep15)、次の測定が再び基準抵抗測
定モードとなるようにすると共に、5PLCNTをイン
クリメントしく5tep16)、この後、5PLCNT
とSPLMAXを比較し、S P LCNT<SPLM
AXであれば、ステップ2へもどり、再測定を行う。
5PLCNT≧SPLMAXとなると、所定の測定回数
SPLMAX回を終了し、N5REGには、基準抵抗で
SPLMAX回充電したカウント数ノ総和、NTREG
には、基準抵抗とサーミスタを並列接続してSPMAX
回充電したカウント数の総和が格納されている。
次にCPLIIは、このN5REGとNTREGの2つ
のレジスタの比、NTREG/N5REGを求め、これ
にROM3内にデータとして保存されているR3の値を
かけて、被測定抵抗値RTを算出する。さらに、前記R
sと、被測定用のサーミスタの定数Bo、Roを用いて
、あらかじめ求めROMB内に保存されている回帰直線
の傾きmと接片すより、最終的に求める温度TをT=−
mRT +b を計算することにより求める。
〔他の実施例〕
前記実施例では、検出素子として、温度依存性抵抗素子
(サーミスタ)を用いた温度検出回路で説明したが、こ
れは、何らかに依存して、抵抗値の変化する素子、物質
であれば何でもよく、いわゆる抵抗器そのものの測定に
も使用できる。
TriとTr2に使用するのは、別にトランジスタに限
らず、FETでもリレーでもかまわない。
また、今回は電圧比較手段としてコンパレータと基準電
圧を用いたが、これはさらにコストダウンを追求して、
ゲートICのスレミホールド電圧をそのまま使用しても
かまわない。また、今回は時間測定手段としてソフトウ
ェアのループを利用したソフトタイマーを用いたが、こ
れは最近のマイクロコンピュータによく内蔵されている
タイマーユニットと割込を利用してもよく、外部にカウ
ンタを設けてもかまわない。また2つの測定値NTとN
Sより実際の温度求めるのに、本実施例では計算式を用
いたが、これは、N1/ N sが実際の温度と対応し
ているため、NT/ N Sを何段階かに分割し、RO
M内にテーブルデータをもって、それを参照して求めて
もよい。
さらに、実際に必要なデータは、温度の値そのものでな
く、温度に対応した制御パラメータであることが多く、
その場合は、前述のようにN T / N sを分割し
、その値に対応したテーブルデータをROM内にもって
いればよい。
又、本発明は多方面に応用できるもので例えばタイプラ
イタ等のサーマルプリンタ装置の環境を検出する場合に
も通用でき、常に高品位の印字を極めて低コストで、か
つ簡単な回路で実現できる。
(発明の効果) 以上詳述した様に、基準抵抗さえ、精度のよいものを使
用すればコンデンサ、電圧比較器の基準電圧、電源電圧
のバラツキを無視できるため、無調整で高精度な抵抗測
定回路が実現できる。また、A/Dコンバータ、片安定
マルチバイブレータ等を使ったものに比して、極めて低
コストが実現できるのである。本発明により、抵抗と並
列合成抵抗の充電時間の何回かの測定の和の比を求める
ことにより、基準抵抗に精度のよいものを使用すれば、
その他の素子や電圧のバラツキや変動を無視することが
でき、極めて低コストで無調整、高精度の温度測定装置
を得ることができる。
更には、本発明の回路を採用することにより、例えばプ
リンタの高品位印字及び低コスト化が実現できる。
第2図はRAM2.ROM3の内容を説明する図、 第3図は実施例の動作の流れを示すフローチャート、 第4図は従来例を示す図、 第5図は従来例を示す図、 第6図はサーミスタの特性を示す図、 t  −一−−−−−−c p u 2  −−−−−−−−  RAM 3 −−−−−−−− ROM 4、 6 −−−一出力ボート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)電荷を蓄積する蓄積手段と、被測定素子と前記蓄
    積手段との電気的接続を行うスイッチ手段前記蓄積手段
    に蓄積された電荷の放電を行わせる為の電荷放電手段と
    、基準素子のみによって蓄積される前記蓄積手段の電圧
    が所定値になるまでの第1時間と、前記基準素子と前記
    被測定素子によって蓄積される前記蓄積手段の電圧が前
    記所定値になるまでの第2の時間とを前記スイッチ手段
    による接続動作を行うことにより、繰り返し測定する測
    定手段と、前記測定手段の測定結果に基づいて前記被測
    定素子の測定値と前記第1と第2の時間の比を対応づけ
    ることを特徴とした抵抗値測定回路。
  2. (2)前記基準素子は定抵抗、前記被測定素子は温度依
    存性抵抗、前記電荷蓄積手段はコンデンサ、前記スイッ
    チ手段、前記電荷放電手段はトランジスタであることを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の抵抗値測定回路
JP31316486A 1986-12-25 1986-12-25 抵抗値測定回路 Pending JPS63163178A (ja)

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JP31316486A JPS63163178A (ja) 1986-12-25 1986-12-25 抵抗値測定回路
US07/134,035 US4910689A (en) 1986-12-25 1987-12-17 Resistivity value measuring circuit

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JP31316486A JPS63163178A (ja) 1986-12-25 1986-12-25 抵抗値測定回路

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JPS63163178A true JPS63163178A (ja) 1988-07-06

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JP (1) JPS63163178A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5968577A (en) * 1993-12-07 1999-10-19 S & S Maschinenbau Gmbh Cake baking process and device
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RU2705179C1 (ru) * 2018-12-29 2019-11-05 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Устройство для измерения полного сопротивления параметрических датчиков

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