JPS63163179A - 抵抗値測定回路 - Google Patents
抵抗値測定回路Info
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- JPS63163179A JPS63163179A JP31316586A JP31316586A JPS63163179A JP S63163179 A JPS63163179 A JP S63163179A JP 31316586 A JP31316586 A JP 31316586A JP 31316586 A JP31316586 A JP 31316586A JP S63163179 A JPS63163179 A JP S63163179A
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Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、温度、圧力などの環境の変化を検出する装
置、なかでも前記変化により抵抗値が変化する検出素子
を有する抵抗値測定回路に関する。
置、なかでも前記変化により抵抗値が変化する検出素子
を有する抵抗値測定回路に関する。
（従来の技術）
従来より世の中に存在する機器の動作（例えはサーマル
ヘッドであればヘッドのヒート動作）は、温度、湿度、
圧力など多くの環境パラメータにより影響を受けるため
、これらの値に応じた制御を行う必要があった。昨今こ
れらの制御にはマイクロコンピュータが使用されること
が多いが、そのためには前記環境パラメータを２進化さ
れたデジタル値としてマイクロコンピュータ内に取込む
必要がある。一方、環境検出素子としては、温度、湿度
、圧力などの変化に対応し抵抗値が変化するものがよく
用いられる。従来これら抵抗値の変化を２進化しマイク
ロコンピュータ内に取込むには、第４図にあるサーミス
タ等の検出素子２１を定抵抗２２と直列に接続し定電圧
源に接続し、この接続点の電圧変化をいわゆるＡ／Ｄコ
ンバータ２３で連続値から２進数に変換し取込む方法や
、第５図のごとく片安定マルチバイブレータ２４の充電
抵抗に検出素子２１を配し、前記片安定マルチバイブレ
ータ２４をリセットし、出力が出ている時間をカウンタ
２５により計測する方法などがあった。しかし、これら
の方法はコストが高く回路が複雑であり、素子や電源の
バラツキや変動に対して誤差を生じる、またコストがか
かるなどの欠点があった。なお２６はＣＰＵ、２７は直
線性補正抵抗でサーミスタ２１の温度−抵抗特性が第６
図のＡの様に指数変化するものであるので、サーミスタ
と並列或は直列に抵抗を挟入し、第６図のＢの様に測定
範囲内でほぼ直線になる様に補正する為のものである。
ヘッドであればヘッドのヒート動作）は、温度、湿度、
圧力など多くの環境パラメータにより影響を受けるため
、これらの値に応じた制御を行う必要があった。昨今こ
れらの制御にはマイクロコンピュータが使用されること
が多いが、そのためには前記環境パラメータを２進化さ
れたデジタル値としてマイクロコンピュータ内に取込む
必要がある。一方、環境検出素子としては、温度、湿度
、圧力などの変化に対応し抵抗値が変化するものがよく
用いられる。従来これら抵抗値の変化を２進化しマイク
ロコンピュータ内に取込むには、第４図にあるサーミス
タ等の検出素子２１を定抵抗２２と直列に接続し定電圧
源に接続し、この接続点の電圧変化をいわゆるＡ／Ｄコ
ンバータ２３で連続値から２進数に変換し取込む方法や
、第５図のごとく片安定マルチバイブレータ２４の充電
抵抗に検出素子２１を配し、前記片安定マルチバイブレ
ータ２４をリセットし、出力が出ている時間をカウンタ
２５により計測する方法などがあった。しかし、これら
の方法はコストが高く回路が複雑であり、素子や電源の
バラツキや変動に対して誤差を生じる、またコストがか
かるなどの欠点があった。なお２６はＣＰＵ、２７は直
線性補正抵抗でサーミスタ２１の温度−抵抗特性が第６
図のＡの様に指数変化するものであるので、サーミスタ
と並列或は直列に抵抗を挟入し、第６図のＢの様に測定
範囲内でほぼ直線になる様に補正する為のものである。
本発明はこれらの問題に鑑み、簡単な回路でかつ低コス
トで電荷蓄積素子にある電圧まで電荷を蓄積するのにか
かる時間を、基準抵抗のみと基準抵抗と被測定素子を並
列にした場合の２度測定し、その比を計算し測定値とす
ることにより、被測定素子の抵抗値の測定が可能な抵抗
値検出回路或は該回路を含む電子機器を提供することを
目的とする。
トで電荷蓄積素子にある電圧まで電荷を蓄積するのにか
かる時間を、基準抵抗のみと基準抵抗と被測定素子を並
列にした場合の２度測定し、その比を計算し測定値とす
ることにより、被測定素子の抵抗値の測定が可能な抵抗
値検出回路或は該回路を含む電子機器を提供することを
目的とする。
以下、本発明の実施例について詳細に説明する。
本発明を温度依存性抵抗（サーミスタ以後サーミスタと
呼ぶ）による温度検出に応用した例で説明する。第１図
に本実施例のブロック図を示す。
呼ぶ）による温度検出に応用した例で説明する。第１図
に本実施例のブロック図を示す。
第１図においてはマイクロプロセッサ（ＣＰｔＪ）であ
って、後述のＲＯＭ３よりプログラム命令及びあらかじ
め定められたデータを読み出し、温度検出に必要な演算
、比較等を行う。
って、後述のＲＯＭ３よりプログラム命令及びあらかじ
め定められたデータを読み出し、温度検出に必要な演算
、比較等を行う。
ＲＡＭ２はリード・ライトメモリであって、ＣＰＵ １
が後述４〜６の入力、出力ポートへの人力、出力データ
の一時保存９時間を計測するためのタイマー用レジスタ
、演算結果を格納しておくメモリなどとして使用される
（第２図（ａ）参照）。
が後述４〜６の入力、出力ポートへの人力、出力データ
の一時保存９時間を計測するためのタイマー用レジスタ
、演算結果を格納しておくメモリなどとして使用される
（第２図（ａ）参照）。
ＲＯＭ３は読み出し専用不揮発性メモリであって、ＣＰ
ＵＩが動作するためのシステムプログラム、演算結果を
実際の温度の値に対応させるための比較テーブルなどか
ら成っている（第２図（ｂ）参照）。
ＵＩが動作するためのシステムプログラム、演算結果を
実際の温度の値に対応させるための比較テーブルなどか
ら成っている（第２図（ｂ）参照）。
４の出力ポート１はＣＰｔＪ １の命令によって、パス
ラインＳ１を通して誤出力ボートに論理レベル“０°ま
たは′１“をラッチし、パスラインＳ２を通して後述の
１０のトランジスタ１を制御する。入力ボート５は後述
電圧比較器７より３３を通して出力された論理レベル゛
０゛または１°をパスラインＳ１を通してｇ売むことが
出来る。
ラインＳ１を通して誤出力ボートに論理レベル“０°ま
たは′１“をラッチし、パスラインＳ２を通して後述の
１０のトランジスタ１を制御する。入力ボート５は後述
電圧比較器７より３３を通して出力された論理レベル゛
０゛または１°をパスラインＳ１を通してｇ売むことが
出来る。
６の出力ポート２は４の出力ポート１と同様゛０゛ ま
たは°１°をラッチし、信号線Ｓ４を通して後述１３の
トランジスタ２を制御する。
たは°１°をラッチし、信号線Ｓ４を通して後述１３の
トランジスタ２を制御する。
尚、前記４の出力ボート１．６の出力ポート２はラッチ
した内容をＣＰＵ １の命令によって読むこともできる
。
した内容をＣＰＵ １の命令によって読むこともできる
。
電圧比較器７は、コンデンサー１４の端子電圧ｖｃであ
る信号線Ｓ５の値と基準電圧ｖｔｈを比較し、基準電圧
ｖｔｈの値の方が大きければ出力に論理レベル゛０°を
、逆に前記信号線Ｓ５の方が大きければ１゛を出力する
。８の抵抗Ｒ１と９の抵抗Ｒ２は電圧比較器７の基準電
圧ｖｔｈをつくるための分圧抵抗で Ｓ２が論理レベル゛１°のときは、コレクター−エミッ
タ間がＯＦＦ’ となっており、後述のサーミスタ１１
に電流が流れず充電されず、Ｓｌが０°のときはコレク
ター−エミッタ間が“ＯＮ’ となりサーミスタ１１に
電流を流すことができる。
る信号線Ｓ５の値と基準電圧ｖｔｈを比較し、基準電圧
ｖｔｈの値の方が大きければ出力に論理レベル゛０°を
、逆に前記信号線Ｓ５の方が大きければ１゛を出力する
。８の抵抗Ｒ１と９の抵抗Ｒ２は電圧比較器７の基準電
圧ｖｔｈをつくるための分圧抵抗で Ｓ２が論理レベル゛１°のときは、コレクター−エミッ
タ間がＯＦＦ’ となっており、後述のサーミスタ１１
に電流が流れず充電されず、Ｓｌが０°のときはコレク
ター−エミッタ間が“ＯＮ’ となりサーミスタ１１に
電流を流すことができる。
サーミスタ１１は温度依存性を有し温度によって抵抗値
が変化する素子で、その論理式はサーミスタの抵抗値を
ＲＴｈとすると Ｒｏ 、 Ｂ ｏ−−−−−サーミスタの固有定数Ｔ
ｏ−−−−−２７３［’ Ｋ］ Ｔ −−−−−サーミスタ温度［°Ｋ］となり
、前述した様に第６図のＡのようなカーブを描く。これ
からもわかるように、サーミスタの温度−抵抗値カーブ
は直線にはならず、定抵抗を並列に接続して、これを補
正すると非常によい直線性をもつので、サーミスタを用
いた温度検出ては一般にこの方法が多く用いられる。
が変化する素子で、その論理式はサーミスタの抵抗値を
ＲＴｈとすると Ｒｏ 、 Ｂ ｏ−−−−−サーミスタの固有定数Ｔ
ｏ−−−−−２７３［’ Ｋ］ Ｔ −−−−−サーミスタ温度［°Ｋ］となり
、前述した様に第６図のＡのようなカーブを描く。これ
からもわかるように、サーミスタの温度−抵抗値カーブ
は直線にはならず、定抵抗を並列に接続して、これを補
正すると非常によい直線性をもつので、サーミスタを用
いた温度検出ては一般にこの方法が多く用いられる。
１２の基準抵抗Ｒｓは、前記サーミスタの直線性補正と
基準時間測定のための基準抵抗を兼ねた定抵抗で、本発
明ではこの部品のみが高精度を要求される。しかし従来
に比して極めて低コストである。
基準時間測定のための基準抵抗を兼ねた定抵抗で、本発
明ではこの部品のみが高精度を要求される。しかし従来
に比して極めて低コストである。
１３のトランジスタ２は、信号線Ｓ４の論理レベルが１
″のときコレクター、−エミッタ間が°○Ｎ° となり
、後述１４のコンデンサーの電荷を放電し、０°のとき
ＯＦＦ’ となって何もしない。
″のときコレクター、−エミッタ間が°○Ｎ° となり
、後述１４のコンデンサーの電荷を放電し、０°のとき
ＯＦＦ’ となって何もしない。
１４のコンデンサーは、１２の基準抵抗Ｒｓ。
１１のサーミスタＲｔｈを通して流れる電荷を充電する
。
。
１５の電源フィルりであり、インパルス［生のノイズを
除去するものである。
除去するものである。
次に第２図（ａ）、（ｂ）を参照し、前記２のＲＡＭと
３のＲＯＭ内で本実施例で使用するレジスタ等について
若干の説明する。
３のＲＯＭ内で本実施例で使用するレジスタ等について
若干の説明する。
Ｒ’Ａ Ｍ Ｚ内には、第２図（ａ）に示したごとくサ
ンプルカウントレジスタ（以下５ＰＬＣＮＴと略す）と
、タイマーカウンタレジスタ（以下Ｔ Ｉ ＭＣＮＴと
略す）を有し、それぞれＲＡＭ内の特・定の番地に割当
てられている。
ンプルカウントレジスタ（以下５ＰＬＣＮＴと略す）と
、タイマーカウンタレジスタ（以下Ｔ Ｉ ＭＣＮＴと
略す）を有し、それぞれＲＡＭ内の特・定の番地に割当
てられている。
Ｓ Ｐ ＬＣＮＴは、測定の回数をカウントするのに用
いられる。
いられる。
一方Ｔ Ｉ ＭＣＮＴはコンデンサー１４が放電した後
基準電圧ｖｔｈまで充電されるまでの時間計測に用いら
れ、プログラムによっである一定時間ごとにインクリメ
ントされる。この一定時間が測定時間の最少単位となる
。
基準電圧ｖｔｈまで充電されるまでの時間計測に用いら
れ、プログラムによっである一定時間ごとにインクリメ
ントされる。この一定時間が測定時間の最少単位となる
。
次にＲＡＭＺ内には、基準抵抗測定カウント値レジスタ
（以下Ｎ５ＲＥＧと略す）基準抵抗とサーミスタを並列
で測定したカウント値を保持する。温度抵抗測定カウン
ト値ＲＥＧ （以下ＮＴＲＥＧと略す）を有し、２度の
カウント値測定の保持に使用している。
（以下Ｎ５ＲＥＧと略す）基準抵抗とサーミスタを並列
で測定したカウント値を保持する。温度抵抗測定カウン
ト値ＲＥＧ （以下ＮＴＲＥＧと略す）を有し、２度の
カウント値測定の保持に使用している。
一方ＲＯＭ３内には、第２図（ｂ）のごとく定数として
、測定最大回数（以下ＳＰＬＭＡＸと略す）、基準抵抗
値Ｒｓ、前記Ｒ８と使用するサーミスタの定数Ｂ。、Ｒ
ｏを元に求めた基準抵抗ＲｓとサーミスタＲｔｈを並列
接続した合成抵抗ＲＴと温度Ｔのカーブに対し２乗誤差
に対し最も誤差の小さくなるように、最小２乗法で求め
た回帰直線の傾きｍと接片すの値が格納されている。
、測定最大回数（以下ＳＰＬＭＡＸと略す）、基準抵抗
値Ｒｓ、前記Ｒ８と使用するサーミスタの定数Ｂ。、Ｒ
ｏを元に求めた基準抵抗ＲｓとサーミスタＲｔｈを並列
接続した合成抵抗ＲＴと温度Ｔのカーブに対し２乗誤差
に対し最も誤差の小さくなるように、最小２乗法で求め
た回帰直線の傾きｍと接片すの値が格納されている。
次に本実施例の動作説明の前に原理を簡単に説明してお
く。
く。
第１図において、電源電圧Ｖｃｃのもとて１２の基準抵
抗Ｒ３で１３のコンデンサＣを充電し、基準電圧ｖｔｈ
に達するまでの時間ｔ、はより となり、これをｔ。秒に一回カウントするカウンタで測
定するとすればカウント数Ｎ５はこれをに回くり返した
場合の平均値Ｎｓはとなる。同様に被測定抵抗である基
準抵抗ＲｓとサーミスタＲｔｈの並列合成抵抗ＲＴて充
電し、これをに回くり返した場合は となる。今、［式６］と［式７コの比をとるととなり。
抗Ｒ３で１３のコンデンサＣを充電し、基準電圧ｖｔｈ
に達するまでの時間ｔ、はより となり、これをｔ。秒に一回カウントするカウンタで測
定するとすればカウント数Ｎ５はこれをに回くり返した
場合の平均値Ｎｓはとなる。同様に被測定抵抗である基
準抵抗ＲｓとサーミスタＲｔｈの並列合成抵抗ＲＴて充
電し、これをに回くり返した場合は となる。今、［式６］と［式７コの比をとるととなり。
ここてＶｃｃ、Ｖｔｈ、Ｃ，ｔｏの変動は充電時間内は
無視てきる程度の大きさであり充電時間内で等しいもの
とすれば を得る。これより被測定抵抗ＲＴは、前記２つのカウン
ト値のに回の和（ｋは以上の任意の値）の比に基準抵抗
Ｒ３をかけた値として得られ、これにはＶｃｃ、Ｖｔｈ
、Ｃ，ｔｏは無関係であることがわかる。本発明はこの
原理に基づいて、実施されている。
無視てきる程度の大きさであり充電時間内で等しいもの
とすれば を得る。これより被測定抵抗ＲＴは、前記２つのカウン
ト値のに回の和（ｋは以上の任意の値）の比に基準抵抗
Ｒ３をかけた値として得られ、これにはＶｃｃ、Ｖｔｈ
、Ｃ，ｔｏは無関係であることがわかる。本発明はこの
原理に基づいて、実施されている。
では次に第１図と動作の流れを説明する第３図のフロー
チャートを用い、本発明の詳細な説明する。
チャートを用い、本発明の詳細な説明する。
まず前記のＲＡＭ２内の５ＰＬＣＮＴ、Ｎ５ＲＥＧ、Ｎ
ＴＲＥＧに「０」を書く（クリアーする）（ＳＴＥＰｌ
）。
ＴＲＥＧに「０」を書く（クリアーする）（ＳＴＥＰｌ
）。
次に４の出力ボート１に１°を出力し１０のＴｒｉをＯ
ＦＦ’ とし、基準抵抗測定モードとする。モして６の
出力ボート２を°１° とじ、あらかじめ定められた時
間この状態を保ち、１４コンデンサＣを完全に放電する
（ｓｔｅｐ２゜３）。次にＴ Ｉ ＭＣＮＴをクリアー
して（ｓｔｅｐ４）測定準備が完了する。そして６の出
力ボート２を０° として１３のＴｒ２を’ＯＦＦ’さ
せ、基準抵抗１２のみによるコンデンサＣ１４への充電
が開始される（ｓｔｅｐ５）。ＣＰＵ １は人力ボート
５を一定時間ごとに読み、値が０°であればＲＡＭ２内
のＴ Ｉ ＭＣＮＴをインクリメントし、再び入力ボー
ト５を読みにいく。
ＦＦ’ とし、基準抵抗測定モードとする。モして６の
出力ボート２を°１° とじ、あらかじめ定められた時
間この状態を保ち、１４コンデンサＣを完全に放電する
（ｓｔｅｐ２゜３）。次にＴ Ｉ ＭＣＮＴをクリアー
して（ｓｔｅｐ４）測定準備が完了する。そして６の出
力ボート２を０° として１３のＴｒ２を’ＯＦＦ’さ
せ、基準抵抗１２のみによるコンデンサＣ１４への充電
が開始される（ｓｔｅｐ５）。ＣＰＵ １は人力ボート
５を一定時間ごとに読み、値が０°であればＲＡＭ２内
のＴ Ｉ ＭＣＮＴをインクリメントし、再び入力ボー
ト５を読みにいく。
これをくり返すうち（ｓｔｅｐ６，７）コンデンサ１４
の端子電圧ｖｃが基準電圧ｖｔｈを越えると、電圧比較
器７が反転し人力ボート５が“１°になる。ｃｐｕｔが
人力ボート５が１゜であることを検出するとＴ Ｉ Ｍ
ＣＮＴのインクリメントを停止し、６の出力ボート２を
°１°とし充電を完了する（ｓｔｅｐ８）。
の端子電圧ｖｃが基準電圧ｖｔｈを越えると、電圧比較
器７が反転し人力ボート５が“１°になる。ｃｐｕｔが
人力ボート５が１゜であることを検出するとＴ Ｉ Ｍ
ＣＮＴのインクリメントを停止し、６の出力ボート２を
°１°とし充電を完了する（ｓｔｅｐ８）。
次にＣＰＵＩは４の出力ボート１の状態が０゛か°１′
かを判断しく５ｔｓｐ９）、“１°の時は（現在は°１
゛である）ＮＳＲＥＧの値に今インクリメントを停止し
たＴ Ｉ ＭＣＮＴの値を加え、Ｎ５ＲＥＧヘセツトし
く５ｔｅｐ１０）、４の出力ボート１を１゛→°０゛へ
反転させ（ｓｔｅｐＨ）、１０のＴｒｉを°ＯＮ°させ
て基準抵抗とサーミスタを並列接続して温度抵抗測定モ
ートとする。
かを判断しく５ｔｓｐ９）、“１°の時は（現在は°１
゛である）ＮＳＲＥＧの値に今インクリメントを停止し
たＴ Ｉ ＭＣＮＴの値を加え、Ｎ５ＲＥＧヘセツトし
く５ｔｅｐ１０）、４の出力ボート１を１゛→°０゛へ
反転させ（ｓｔｅｐＨ）、１０のＴｒｉを°ＯＮ°させ
て基準抵抗とサーミスタを並列接続して温度抵抗測定モ
ートとする。
次に、ＲＡＭ２内５ＰＬＣＮＴとＲＯＭ３内所定の測定
回数ＳＰＬＭＡＸを比較する（ｓｔｅｐ１２）。現在は
５ＰＬＣＮＴの値は「０」であり、５ＰＬＣＮＴ＜ＳＰ
ＬＭＡＸであり、この時は次の測定をすべく前記５ｔｅ
ｐ４に戻る。コンデンサ１４の電荷を放電させ充電を再
口する。そして５ＰＵＩが人力ボート５の°１°を検出
し、ＴＩＭＣＮＴのインクリメントを停止すると（ｓｔ
ｅｐ６．８）、今度は４の出力ボート１は°０°であり
、この時はＮＴＲＥＧＯ値とＴ Ｔ ＭＣＮＴの値を加
えＮＴＦｔＥＧヘセットしく５ｔｅｐ１４）、４の出力
ボート１を再び反転させＯ’ −’１’ としく５ｔｅ
ｐ１５）、次の測定が再び基準抵抗測定モードとなるよ
うにすると共にＳ Ｐ ＬＣＮＴをインクリメントしく
５ｔｅｐ１６）、この後Ｓ Ｐ ＬＣＮＴとＳＰＬＭＡ
Ｘを比較し、５ＰＬＣＮＴ＜ＳＰＬＭＡＸであればステ
ップ２へもどり再測定を行う。
回数ＳＰＬＭＡＸを比較する（ｓｔｅｐ１２）。現在は
５ＰＬＣＮＴの値は「０」であり、５ＰＬＣＮＴ＜ＳＰ
ＬＭＡＸであり、この時は次の測定をすべく前記５ｔｅ
ｐ４に戻る。コンデンサ１４の電荷を放電させ充電を再
口する。そして５ＰＵＩが人力ボート５の°１°を検出
し、ＴＩＭＣＮＴのインクリメントを停止すると（ｓｔ
ｅｐ６．８）、今度は４の出力ボート１は°０°であり
、この時はＮＴＲＥＧＯ値とＴ Ｔ ＭＣＮＴの値を加
えＮＴＦｔＥＧヘセットしく５ｔｅｐ１４）、４の出力
ボート１を再び反転させＯ’ −’１’ としく５ｔｅ
ｐ１５）、次の測定が再び基準抵抗測定モードとなるよ
うにすると共にＳ Ｐ ＬＣＮＴをインクリメントしく
５ｔｅｐ１６）、この後Ｓ Ｐ ＬＣＮＴとＳＰＬＭＡ
Ｘを比較し、５ＰＬＣＮＴ＜ＳＰＬＭＡＸであればステ
ップ２へもどり再測定を行う。
Ｓ Ｐ ＬＣＮＴ≧ＳＰＬＭＡＸとなルト所定の測定回
数ＳＰＬＭＡＸ回を終了し、Ｎ５ＲＥＧには、基準抵抗
でＳ Ｐ ＬＭＡ Ｘ回充電したカウント数の総和、Ｎ
ＴＲＥＧには基準抵抗とサーミスタを並列接続してＳＰ
ＭＡＸ回充電したカウント数の総和が格納されている。
数ＳＰＬＭＡＸ回を終了し、Ｎ５ＲＥＧには、基準抵抗
でＳ Ｐ ＬＭＡ Ｘ回充電したカウント数の総和、Ｎ
ＴＲＥＧには基準抵抗とサーミスタを並列接続してＳＰ
ＭＡＸ回充電したカウント数の総和が格納されている。
次にＣＰＵ １は、このＮ５ＲＥＧとＮＴＲＥＧの２つ
のレジスタの比ＮＴＲＥＧ／Ｎ Ｓ ＲＥＧを求め、こ
れにＲＯＭａ内にデータとして保存されているＲ３の値
をかけて被測定抵抗値ＲＴを算出する。さらに前記Ｒ５
と被測定用のサーミスタの定数ＢＯ，ＲＯを用いて、あ
らかじめ求めＲＯＭ３内に保存されている回帰直線の傾
きｍと接片すより、最終的に求める温度ＴをＴ＝−ｍＲ
Ｔ＋ｂ を計算することにより求める。
のレジスタの比ＮＴＲＥＧ／Ｎ Ｓ ＲＥＧを求め、こ
れにＲＯＭａ内にデータとして保存されているＲ３の値
をかけて被測定抵抗値ＲＴを算出する。さらに前記Ｒ５
と被測定用のサーミスタの定数ＢＯ，ＲＯを用いて、あ
らかじめ求めＲＯＭ３内に保存されている回帰直線の傾
きｍと接片すより、最終的に求める温度ＴをＴ＝−ｍＲ
Ｔ＋ｂ を計算することにより求める。
前記実施例では、検出素子として温度依存性抵抗素子（
サーミスタ）を用いた温度検出回路で説明したが、これ
は何らかに依存して抵抗値の変化する素子、物質であれ
ば何でもよく、いわゆる抵抗器そのものの測定にも使用
できる。
サーミスタ）を用いた温度検出回路で説明したが、これ
は何らかに依存して抵抗値の変化する素子、物質であれ
ば何でもよく、いわゆる抵抗器そのものの測定にも使用
できる。
ＴｒｉとＴｒ２に使用するのは別にトランジスタに限ら
ず、、ＦＥＴでもリレーでもかまわない。
ず、、ＦＥＴでもリレーでもかまわない。
また今回は電圧比較手段としてコンパレータと基準電圧
を用いたが、これはさらにコストダウンを追求して、ゲ
ートＩＣのスレミホールド電圧をそのまま使用してもか
まわない。また今回は時間測定手段としてソフトウェア
のループを利用したソフトタイマーを用いたが、これは
最近のマイクロコンピュータによく内蔵されているタイ
マーユニットと割込を利用してもよく、外部にカウンタ
を設けてもかまわない。また２つの測定値ＮアとＮ５よ
り実際の温度求めるのに、本実施例では計算式を用いた
が、これはＮＴ／Ｎｓが実際の温度と対応しているため
、Ｎ１／ Ｎ ｓを何段階かに分割し、ＲＯＭ内にテー
ブルデータを持ってそれを参照して求めてもよい。
を用いたが、これはさらにコストダウンを追求して、ゲ
ートＩＣのスレミホールド電圧をそのまま使用してもか
まわない。また今回は時間測定手段としてソフトウェア
のループを利用したソフトタイマーを用いたが、これは
最近のマイクロコンピュータによく内蔵されているタイ
マーユニットと割込を利用してもよく、外部にカウンタ
を設けてもかまわない。また２つの測定値ＮアとＮ５よ
り実際の温度求めるのに、本実施例では計算式を用いた
が、これはＮＴ／Ｎｓが実際の温度と対応しているため
、Ｎ１／ Ｎ ｓを何段階かに分割し、ＲＯＭ内にテー
ブルデータを持ってそれを参照して求めてもよい。
さらに実際に必要なデータは温度の値そのものでなく温
度に対応した制御パラメータであることが多く、その場
合は前述のようにＮ Ｔ ／ Ｎ Ｓを分割し、その値
に対応したテーブルデータをＲＯＭ内にもっていればよ
い。
度に対応した制御パラメータであることが多く、その場
合は前述のようにＮ Ｔ ／ Ｎ Ｓを分割し、その値
に対応したテーブルデータをＲＯＭ内にもっていればよ
い。
又、本発明は多方面に応用できるもので、例えばタイプ
ライタ等のサーマルプリンタ装置の環境を検出する場合
にも適用でき、常に高品位の印字を極めて低コストでか
つ簡単な回路で実現できる。
ライタ等のサーマルプリンタ装置の環境を検出する場合
にも適用でき、常に高品位の印字を極めて低コストでか
つ簡単な回路で実現できる。
以上詳述した様に、基準抵抗さえ精度のよいものを使用
すれば、コンデンサ、電圧比較器の基準電圧、電源電圧
のバラツキを無視できるため、無調整で高精度な抵抗測
定回路が実現できる。またＡ／Ｄコンバータ、片安定マ
ルチバイブレータ等を使ったものに比して、極めて低コ
ストが実現できるのである。更には本発明の回路を採用
することにより、例えばプリンタの高品位印字及び低コ
スト化が実現できる。
すれば、コンデンサ、電圧比較器の基準電圧、電源電圧
のバラツキを無視できるため、無調整で高精度な抵抗測
定回路が実現できる。またＡ／Ｄコンバータ、片安定マ
ルチバイブレータ等を使ったものに比して、極めて低コ
ストが実現できるのである。更には本発明の回路を採用
することにより、例えばプリンタの高品位印字及び低コ
スト化が実現できる。
胞
第１図は本発明の実働例である抵抗値測定回路及びブロ
ック図、 第２図はＲＡＭ２．ＲＯＭ３の内容を説明する図、 第３図は実施例の動作の流れを示すフローチャート、 第４図は従来例を示す図、 第５図は従来例を示す図、 第６図はサーミスタの特性を示す図、 １ −−−−−−−− ＣＰ Ｕ ２ −−−−−−−− ＲＡＭ ３ −−−−−−−− ＲＯＭ ４、 ６ −−−一出力ポート
ック図、 第２図はＲＡＭ２．ＲＯＭ３の内容を説明する図、 第３図は実施例の動作の流れを示すフローチャート、 第４図は従来例を示す図、 第５図は従来例を示す図、 第６図はサーミスタの特性を示す図、 １ −−−−−−−− ＣＰ Ｕ ２ −−−−−−−− ＲＡＭ ３ −−−−−−−− ＲＯＭ ４、 ６ −−−一出力ポート
Claims (2)
- （１）既知抵抗値の基準素子と被測定素子と電荷を蓄積
する蓄積手段と、前記蓄積手段に蓄積された電荷の放電
を行わせる為の電荷放電手段と、前記基準素子によって
蓄積される前記蓄積手段の電圧が所定値になるまでの第
１時間と、前記基準素子と前記被測定素子によって蓄積
される前記蓄積手段の電圧が前記所定値になるまでの第
２の時間とを測定する測定手段と、前記測定手段の測定
結果に基づいて前記被測定素子の測定値と前記第１と第
２の時間の比を対応づけることを特徴とした抵抗値測定
回路。 - （２）前記基準素子は定抵抗、前記被測定素子は温度依
存性抵抗、前記電荷蓄積手段はコンデンサであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の抵抗値測定回路
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31316586A JPS63163179A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 抵抗値測定回路 |
| US07/134,035 US4910689A (en) | 1986-12-25 | 1987-12-17 | Resistivity value measuring circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31316586A JPS63163179A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 抵抗値測定回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63163179A true JPS63163179A (ja) | 1988-07-06 |
Family
ID=18037883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31316586A Pending JPS63163179A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 抵抗値測定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63163179A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162572A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Asahi Kasei Microsystems Kk | インピーダンス測定装置 |
| JP2010139241A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Nec Corp | 温度測定回路、及び、方法 |
| CN109188095A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-11 | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 | 一种电阻测量电路、方法及环境参数测量装置 |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP31316586A patent/JPS63163179A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006162572A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Asahi Kasei Microsystems Kk | インピーダンス測定装置 |
| JP4551204B2 (ja) * | 2004-12-10 | 2010-09-22 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | インピーダンス測定装置 |
| JP2010139241A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Nec Corp | 温度測定回路、及び、方法 |
| CN109188095A (zh) * | 2018-10-11 | 2019-01-11 | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 | 一种电阻测量电路、方法及环境参数测量装置 |
| CN109188095B (zh) * | 2018-10-11 | 2024-05-17 | 深圳和而泰智能控制股份有限公司 | 一种电阻测量电路、方法及环境参数测量装置 |
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