JPS6316285Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6316285Y2 JPS6316285Y2 JP1979097347U JP9734779U JPS6316285Y2 JP S6316285 Y2 JPS6316285 Y2 JP S6316285Y2 JP 1979097347 U JP1979097347 U JP 1979097347U JP 9734779 U JP9734779 U JP 9734779U JP S6316285 Y2 JPS6316285 Y2 JP S6316285Y2
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- JP
- Japan
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- voltage
- transistor
- ripple
- collector
- emitter
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
この考案は、増幅器の電源ラインに含まれる交
流動作時のリツプル成分や、電源の内部インピー
ダンスと増幅器の電流変化で生ずる電源ラインの
電圧変動を吸収し、安定した電源を供給する場合
等に用いて好適なリツプルフイルタに関する。
流動作時のリツプル成分や、電源の内部インピー
ダンスと増幅器の電流変化で生ずる電源ラインの
電圧変動を吸収し、安定した電源を供給する場合
等に用いて好適なリツプルフイルタに関する。
従来、整流回路の整流出力からリツプル成分を
除去するフイルタとして、第１図に示すようなリ
ツプルフイルタが考えられている。
除去するフイルタとして、第１図に示すようなリ
ツプルフイルタが考えられている。
すなわち、第１図において、T1は入力端子、
T2は出力端子を示し、端子T1は整流回路に接続
されてリツプル成分を含む電圧Eiが供給され、端
子T2には負荷が接続される。そして、ローパス
フイルタ（積分回路）を構成している抵抗器Ｒ及
びコンデンサＣの時定数が、リツプル周波数に対
応した値とされる。
T2は出力端子を示し、端子T1は整流回路に接続
されてリツプル成分を含む電圧Eiが供給され、端
子T2には負荷が接続される。そして、ローパス
フイルタ（積分回路）を構成している抵抗器Ｒ及
びコンデンサＣの時定数が、リツプル周波数に対
応した値とされる。
従つて、電圧Eiにリツプル成分が含まれていて
も、トランジスタQ1のベースにはリツプル成分
のない直流電圧が供給されると共に、このトラン
ジスタQ1は負荷に対してエミツタフオロワとし
て働くので、端子T2にはリツプル成分のない出
力電圧Eoが得られる。
も、トランジスタQ1のベースにはリツプル成分
のない直流電圧が供給されると共に、このトラン
ジスタQ1は負荷に対してエミツタフオロワとし
て働くので、端子T2にはリツプル成分のない出
力電圧Eoが得られる。
しかし、このリツプルフイルタでは、トランジ
スタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧をVCE，ベー
ス・エミツタ間電圧をVBE，ベース電流をIBとす
ると、 VCE＝VBE＋IBＲ となる。従つて、仮りにベース電流IBが小さくて
上式の第２項が無視できるとしても、 VCEVBE＝0.7〜0.8〔Ｖ〕 となり、すなわち、トランジスタQ1において、
0.7〜0.8V程度の電圧降下を生じるので、電圧損
失，電力損失が高く、電圧Eiが２〜3Vと低い場
合には、このリツプルフイルタは不適当である。
スタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧をVCE，ベー
ス・エミツタ間電圧をVBE，ベース電流をIBとす
ると、 VCE＝VBE＋IBＲ となる。従つて、仮りにベース電流IBが小さくて
上式の第２項が無視できるとしても、 VCEVBE＝0.7〜0.8〔Ｖ〕 となり、すなわち、トランジスタQ1において、
0.7〜0.8V程度の電圧降下を生じるので、電圧損
失，電力損失が高く、電圧Eiが２〜3Vと低い場
合には、このリツプルフイルタは不適当である。
そこで、第２図に示すようなリツプルフイルタ
も考えられている。
も考えられている。
すなわち、端子T1とT2との間に、トランジス
タQ1のエミツタ・コレクタ間が接続されると共
に、このトランジスタQ1のエミツタ・ベース間
に、抵抗器R1，R2の直列回路が並列接続され、
抵抗器R1，R2の接続中点Ｘが抵抗器R3とコンデ
ンサC1との直列回路を通じて接地される。
タQ1のエミツタ・コレクタ間が接続されると共
に、このトランジスタQ1のエミツタ・ベース間
に、抵抗器R1，R2の直列回路が並列接続され、
抵抗器R1，R2の接続中点Ｘが抵抗器R3とコンデ
ンサC1との直列回路を通じて接地される。
また、トランジスタQ2，Q3のエミツタが抵抗
器R4を通じて接地されて差動アンプA1が構成さ
れると共に、トランジスタQ2のベースが、抵抗
器R3及びコンデンサC1の接続中点に接続され、
そのコレクタがトランジスタQ1のベースに接続
され、トランジスタQ3がダイオード接続される
と共に、そのコレクタ及びベースが端子T2に接
続される。
器R4を通じて接地されて差動アンプA1が構成さ
れると共に、トランジスタQ2のベースが、抵抗
器R3及びコンデンサC1の接続中点に接続され、
そのコレクタがトランジスタQ1のベースに接続
され、トランジスタQ3がダイオード接続される
と共に、そのコレクタ及びベースが端子T2に接
続される。
従つて、入力電圧Eiにリツプル成分が含まれて
いても、主として素子R1，R3，C1の時定数によ
りトランジスタQ2のベースにはリツプル成分が
含まれない直流電圧が供給される。そして、この
直流電圧と出力電圧Eoとが差動アンプA1におい
て電圧比較され、出力電圧Eoにリツプル成分が
含まれれば、そのリツプル成分がトランジスタ
Q3により検出され、トランジスタQ2のコレクタ
電圧が逆に変化する。従つて、トランジスタQ1
のインピーダンスが、リツプル成分に対応して変
化するので、出力電圧Eoにはリツプル成分は含
まれなくなる。
いても、主として素子R1，R3，C1の時定数によ
りトランジスタQ2のベースにはリツプル成分が
含まれない直流電圧が供給される。そして、この
直流電圧と出力電圧Eoとが差動アンプA1におい
て電圧比較され、出力電圧Eoにリツプル成分が
含まれれば、そのリツプル成分がトランジスタ
Q3により検出され、トランジスタQ2のコレクタ
電圧が逆に変化する。従つて、トランジスタQ1
のインピーダンスが、リツプル成分に対応して変
化するので、出力電圧Eoにはリツプル成分は含
まれなくなる。
そして、このリツプルフイルタでは、定常時に
は、トランジスタQ2のベース電位は、トランジ
スタQ3のベース電位に等しいので、Eoである。
従つて、トランジスタQ2のベース電流を無視す
れば、抵抗器R1〜R3の接続点Ｘの電位もEoであ
る。また、トランジスタQ2のベース電流を無視
すれば、抵抗器R1，R2に流れる電流I1は、 I1＝VBE／（R1＋R2） となる。そして、接続点Ｘの電位Eoと、抵抗器
R1の降下電圧との和が入力電圧Eiに等しいと共
に、 VCE＝Ei−Eo であるから、 VCE＝（Eo＋I1・R1）−Eo ＝R1／R1＋R2VBE となる。
は、トランジスタQ2のベース電位は、トランジ
スタQ3のベース電位に等しいので、Eoである。
従つて、トランジスタQ2のベース電流を無視す
れば、抵抗器R1〜R3の接続点Ｘの電位もEoであ
る。また、トランジスタQ2のベース電流を無視
すれば、抵抗器R1，R2に流れる電流I1は、 I1＝VBE／（R1＋R2） となる。そして、接続点Ｘの電位Eoと、抵抗器
R1の降下電圧との和が入力電圧Eiに等しいと共
に、 VCE＝Ei−Eo であるから、 VCE＝（Eo＋I1・R1）−Eo ＝R1／R1＋R2VBE となる。
従つて、このリツプルフイルタでは、トランジ
スタQ1における降下電圧VCEが、第１図の場合に
比べ、R1／（R1＋R2）に小さくなるので、電圧
Eiが２〜3Vと低い場合にも使用できる。
スタQ1における降下電圧VCEが、第１図の場合に
比べ、R1／（R1＋R2）に小さくなるので、電圧
Eiが２〜3Vと低い場合にも使用できる。
しかし、このリツプルフイルタは、特定の交流
入力電圧が供給される整流回路とならば組み合わ
せることができるが、汎用性がない。すなわち、
整流回路の平滑用の時定数が一定の場合、整流出
力Eiに含まれるリツプル成分のレベルは、整流回
路の交流入力電圧の大きさに比例し、この交流入
力電圧が大きくなれば、リツプルレベルも大きく
なる。
入力電圧が供給される整流回路とならば組み合わ
せることができるが、汎用性がない。すなわち、
整流回路の平滑用の時定数が一定の場合、整流出
力Eiに含まれるリツプル成分のレベルは、整流回
路の交流入力電圧の大きさに比例し、この交流入
力電圧が大きくなれば、リツプルレベルも大きく
なる。
そして、リツプルフイルタにおいては、トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミツタ間の降下電圧VCE
が、リツプル成分とは逆に変化することにより出
力電圧Eoにはリツプル成分が含まれなくなるの
であるから、トランジスタQ1のコレクタ・エミ
ツタ間電圧VCEが、リツプルレベルよりも小さい
ときには、回路は、もはやリツプルフイルタとし
て動作しなくなる。
ジスタQ1のコレクタ・エミツタ間の降下電圧VCE
が、リツプル成分とは逆に変化することにより出
力電圧Eoにはリツプル成分が含まれなくなるの
であるから、トランジスタQ1のコレクタ・エミ
ツタ間電圧VCEが、リツプルレベルよりも小さい
ときには、回路は、もはやリツプルフイルタとし
て動作しなくなる。
そして、第２図のリツプルフイルタでは、トラ
ンジスタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEが特
に小さいので、特定の小さな入力交流電圧の整流
回路と組み合わせる場合には、問題ないが、大き
な入力交流電圧の整流回路と組み合わせて使用す
ことはできない。従つて、どのような整流回路と
組み合せて使用できるわけではなく、汎用性がな
い。特に、IC化した場合には、抵抗器R1，R2が
一定値になるので、なおさらである。
ンジスタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEが特
に小さいので、特定の小さな入力交流電圧の整流
回路と組み合わせる場合には、問題ないが、大き
な入力交流電圧の整流回路と組み合わせて使用す
ことはできない。従つて、どのような整流回路と
組み合せて使用できるわけではなく、汎用性がな
い。特に、IC化した場合には、抵抗器R1，R2が
一定値になるので、なおさらである。
換言すれば、第２図のリツプルフイルタの場
合、種々の入力電圧が供給される場合は不適当で
ある。すなわちトランジスタQ1のコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEは所定値であり入力電圧（リツ
プル電圧）に対応して変化することがない。従つ
て入力電圧の全範囲にわたつて十分なリツプル除
去効果を得るためには最大入力電圧に基いてトラ
ンジスタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEを設
定する必要がありおのずとトランジスタQ1のコ
レクタ・エミツタ間電圧VCEを高く設定しなけれ
ばならず、結果として大きな電圧損失，電力損失
をもたらすこととなる。
合、種々の入力電圧が供給される場合は不適当で
ある。すなわちトランジスタQ1のコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEは所定値であり入力電圧（リツ
プル電圧）に対応して変化することがない。従つ
て入力電圧の全範囲にわたつて十分なリツプル除
去効果を得るためには最大入力電圧に基いてトラ
ンジスタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEを設
定する必要がありおのずとトランジスタQ1のコ
レクタ・エミツタ間電圧VCEを高く設定しなけれ
ばならず、結果として大きな電圧損失，電力損失
をもたらすこととなる。
この考案は斯る点に鑑みてなされたもので、
種々の入力電圧に対応することができ、しかも電
圧損失，電力損失の酸くてリツプルフイルタを提
供するものである。
種々の入力電圧に対応することができ、しかも電
圧損失，電力損失の酸くてリツプルフイルタを提
供するものである。
以下、この考案の諸実施例を第３図〜第５図に
基づいて詳しく説明する。
基づいて詳しく説明する。
第３図はこの考案の第１実施例を示すもので、
本実施例では例えば第３図に示すように、時定数
用のコンデンサC1に並列に、所定の値の抵抗器
R5を接続する。
本実施例では例えば第３図に示すように、時定数
用のコンデンサC1に並列に、所定の値の抵抗器
R5を接続する。
このような構成によれば、トランジスタQ2の
ベースには、主として抵抗器R1〜R3，R5及びコ
ンデンサC1の時定数で決まるリツプル成分のな
い直流電圧が供給されるので、端子T2にはリツ
プル成分のない出力電圧Eoが取り出される。
ベースには、主として抵抗器R1〜R3，R5及びコ
ンデンサC1の時定数で決まるリツプル成分のな
い直流電圧が供給されるので、端子T2にはリツ
プル成分のない出力電圧Eoが取り出される。
そして、この場合、抵抗器R5には入力電圧Ei
に対応した大きさの電流I5が流れ、電圧Eiが高い
ときには、電流I5が大きくなつて接続点Ｘの電位
は低くなるので、トランジスタQ1のコレクタ・
エミツタ間電圧VCEは大きくなる。また、電圧Ei
が低いときには、電流I5が小さくなつて接続点Ｘ
の電位は高くなるので、トランジスタQ1のコレ
クタ・エミツタ間電圧VCEは小さくなる。
に対応した大きさの電流I5が流れ、電圧Eiが高い
ときには、電流I5が大きくなつて接続点Ｘの電位
は低くなるので、トランジスタQ1のコレクタ・
エミツタ間電圧VCEは大きくなる。また、電圧Ei
が低いときには、電流I5が小さくなつて接続点Ｘ
の電位は高くなるので、トランジスタQ1のコレ
クタ・エミツタ間電圧VCEは小さくなる。
従つて、入力電圧Eiが高いときには、トランジ
スタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEが大きく
なるので、このとき、電圧Eiに含まれるリツプル
成分のレベルが大きくても、このリツプル成分は
トランジスタQ1により除去され、端子T2の出力
電圧Eoにはリツプル成分は含まれなくなる。
スタQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEが大きく
なるので、このとき、電圧Eiに含まれるリツプル
成分のレベルが大きくても、このリツプル成分は
トランジスタQ1により除去され、端子T2の出力
電圧Eoにはリツプル成分は含まれなくなる。
また、入力電圧Eiが低いときには、トランジス
タQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEは小さくな
るが、このとき、電圧Eiに含まれているリツプル
成分のレベルは小さいので、このリツプル成分も
トランジスタQ1により除去され、端子T2にはリ
ツプル成分のない出力電圧Eoが取り出される。
タQ1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEは小さくな
るが、このとき、電圧Eiに含まれているリツプル
成分のレベルは小さいので、このリツプル成分も
トランジスタQ1により除去され、端子T2にはリ
ツプル成分のない出力電圧Eoが取り出される。
このように、本実施例では、入力電圧Eiが高く
ても低くてもリツプル成分を確実に除去すること
ができ、汎用性が大きい。しかも、この場合、入
力電圧Eiが低いときには、トランジスタQ1のコ
レクタ・エミツタ間電圧VCEが小さくなるので、
この入力電圧Eiが２〜3Vと低いときでも使用で
きる。例えば、抵抗器R1〜R3，R5の値を設定す
ることによりEi2VのときにはVCE＝0.2V，Ei≧
6VのときにはVCE＝0.5〜0.7Vにできた。かくし
て入力電圧Eiに対応したVCEが設定されるため
に、トランジスタQ1における電圧損失，電力損
失を最小限に抑えることができる。
ても低くてもリツプル成分を確実に除去すること
ができ、汎用性が大きい。しかも、この場合、入
力電圧Eiが低いときには、トランジスタQ1のコ
レクタ・エミツタ間電圧VCEが小さくなるので、
この入力電圧Eiが２〜3Vと低いときでも使用で
きる。例えば、抵抗器R1〜R3，R5の値を設定す
ることによりEi2VのときにはVCE＝0.2V，Ei≧
6VのときにはVCE＝0.5〜0.7Vにできた。かくし
て入力電圧Eiに対応したVCEが設定されるため
に、トランジスタQ1における電圧損失，電力損
失を最小限に抑えることができる。
第４図はこの考案の第２実施例を示したもの
で、本実施例では抵抗器R5にＮ個のダイオード
D1〜DNを直列接続した場合である。
で、本実施例では抵抗器R5にＮ個のダイオード
D1〜DNを直列接続した場合である。
斯る構成により本実施例でも第１実施例と略同
様の作用効果を得ることができ、更に本実施例で
は電圧Eiの変化に対する電流I5の変化を大きくす
ることができ、トランジスタQ1のコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEの変化を大きくできる。
様の作用効果を得ることができ、更に本実施例で
は電圧Eiの変化に対する電流I5の変化を大きくす
ることができ、トランジスタQ1のコレクタ・エ
ミツタ間電圧VCEの変化を大きくできる。
第５図はこの考案の第３実施例を示すもので、
本実施例では VCE＝R1／R1＋R5Ei となるようにした場合である。
本実施例では VCE＝R1／R1＋R5Ei となるようにした場合である。
斯る構成により本実施例でも第１実施例と略同
様の作用効果を得ることができる。
様の作用効果を得ることができる。
上述の如くこの考案によれば、入力電圧Eiが高
くても低くてもリツプル成分を確実に除去でき、
汎用性を拡大できる。また、入力電圧Eiすなわち
リツプル電圧に対応してトランジスタQ1のコレ
クタ・エミツタ間電圧VCEを変化させるようにし
たので、リツプル電圧に対応したトランジスタ
Q1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEが設定され、
トランジスタQ1における電圧損失，電力損失を
最小限に抑えることができる。
くても低くてもリツプル成分を確実に除去でき、
汎用性を拡大できる。また、入力電圧Eiすなわち
リツプル電圧に対応してトランジスタQ1のコレ
クタ・エミツタ間電圧VCEを変化させるようにし
たので、リツプル電圧に対応したトランジスタ
Q1のコレクタ・エミツタ間電圧VCEが設定され、
トランジスタQ1における電圧損失，電力損失を
最小限に抑えることができる。
第１図及び第２図は夫々従来回路の一例を示す
接続図、第３図はこの考案の一実施例を示す接続
図、第４図及び第５図は夫々この考案の他の実施
例を示す接続図である。 Q1，Q2，Q3はトランジスタ、A1は差動アン
プ、R1，R3，R5は抵抗器、C1はコンデンサであ
る。
接続図、第３図はこの考案の一実施例を示す接続
図、第４図及び第５図は夫々この考案の他の実施
例を示す接続図である。 Q1，Q2，Q3はトランジスタ、A1は差動アン
プ、R1，R3，R5は抵抗器、C1はコンデンサであ
る。
Claims (1)
- PNPトランジスタと、抵抗器とコンデンサが
直列接続された直列回路と、差動アンプを備え、
上記PNPトランジスタのエミツタ及び上記直列
回路の抵抗器側一端に入力電圧が供給されると共
に上記直列回路のコンデンサ側他端が接地され、
上記差動アンプによつて上記PNPトランジスタ
のコレクタ電圧と上記抵抗器とコンデンサの直列
接続部電圧に対応して形成された誤差電圧を上記
PNPトランジスタのベースに供給することによ
り、上記入力電圧に含まれるリツプル成分が除去
された電圧が上記PNPトランジスタのコレクタ
から出力されるリツプルフイルタにおいて、上記
直列回路を構成するコンデンサの両端に抵抗器が
並列的に接続されることにより上記入力電圧に対
応して上記PNPトランジスタのコレクタ・エミ
ツタ間電圧を可変と成したことを特徴とするリツ
プルフイルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979097347U JPS6316285Y2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1979097347U JPS6316285Y2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5615249U JPS5615249U (ja) | 1981-02-09 |
| JPS6316285Y2 true JPS6316285Y2 (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=29330151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1979097347U Expired JPS6316285Y2 (ja) | 1979-07-13 | 1979-07-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6316285Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4844432U (ja) * | 1971-09-30 | 1973-06-09 |
-
1979
- 1979-07-13 JP JP1979097347U patent/JPS6316285Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5615249U (ja) | 1981-02-09 |
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