JPS63161006A - 光デイスク用基板材料 - Google Patents
光デイスク用基板材料Info
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- JPS63161006A JPS63161006A JP61307898A JP30789886A JPS63161006A JP S63161006 A JPS63161006 A JP S63161006A JP 61307898 A JP61307898 A JP 61307898A JP 30789886 A JP30789886 A JP 30789886A JP S63161006 A JPS63161006 A JP S63161006A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は光ディスク用基板材料に関し、さらに詳しくは
、追記可能又は書き換え可能な光ディスク用基板材料、
特に大容量画像ファイル又は大容量コンピューターメモ
リー等の大容且情報記録に適した光ディスクに有用な樹
脂基板材料に関する。
、追記可能又は書き換え可能な光ディスク用基板材料、
特に大容量画像ファイル又は大容量コンピューターメモ
リー等の大容且情報記録に適した光ディスクに有用な樹
脂基板材料に関する。
く従来の技術〉
現在、光ディスク用基板として、再生専用のビデオディ
スク(以下、VDと略記することがある)にはメタクリ
ル樹脂が使用されており、°まな、デジタルオーディオ
ディスク(以下、CDと略記することがある)にはポリ
カーボネート樹脂が使用され、射出成形法により大量に
生産されている。
スク(以下、VDと略記することがある)にはメタクリ
ル樹脂が使用されており、°まな、デジタルオーディオ
ディスク(以下、CDと略記することがある)にはポリ
カーボネート樹脂が使用され、射出成形法により大量に
生産されている。
これらの樹脂基板材料はそれぞれ光ディスク用として優
れた特性を有している半面、欠点もある。
れた特性を有している半面、欠点もある。
例えば、VDに使用されているメタクリル樹脂は、透明
性及び耐候性に優れ、また射出成形しても複屈折が非常
に低いという良好な光学的性質及び成形性を有し、機械
的強度も良好であるが、反面熱変形温度が若干低(、吸
湿性が高くソリを生じやすいという欠点がある。他方、
CDに使用されているポリカーボネート樹脂は、メタク
リル樹脂とは逆に、熱変形温度が高く吸湿性が低いが、
流動性に劣り成形上が残りやすい上に樹脂本来の光弾性
係数が大きく複屈折が高くなりやすいという欠点がある
。しかし、VDやCDなどの再生専用の光ディスク基板
にあっては、それ程厳密な性能は要求されないので、上
記の如き欠点があるにもかかわらず、現在、メタグリル
樹脂及びボリカーボネー)+J(Ifflが使用されて
いるというのが実情である。
性及び耐候性に優れ、また射出成形しても複屈折が非常
に低いという良好な光学的性質及び成形性を有し、機械
的強度も良好であるが、反面熱変形温度が若干低(、吸
湿性が高くソリを生じやすいという欠点がある。他方、
CDに使用されているポリカーボネート樹脂は、メタク
リル樹脂とは逆に、熱変形温度が高く吸湿性が低いが、
流動性に劣り成形上が残りやすい上に樹脂本来の光弾性
係数が大きく複屈折が高くなりやすいという欠点がある
。しかし、VDやCDなどの再生専用の光ディスク基板
にあっては、それ程厳密な性能は要求されないので、上
記の如き欠点があるにもかかわらず、現在、メタグリル
樹脂及びボリカーボネー)+J(Ifflが使用されて
いるというのが実情である。
ところが、最近の高度情報化の進行と共に、追記可能型
光ディスク(以下、DRAWディスクということがある
)及び書き換え可能型光ディスク(以下、E−DRAN
ディスクということがある)に対する要望が高まりつつ
ある。
光ディスク(以下、DRAWディスクということがある
)及び書き換え可能型光ディスク(以下、E−DRAN
ディスクということがある)に対する要望が高まりつつ
ある。
DRAWディスク用の基板材料としては、メタクリル樹
脂注型板、がラス、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
IM、ポリオレフィン樹脂等が使用され、現在中でも、
メタクリル樹脂注型板の表面に紫外線硬化型樹脂により
プレグルーブ等を付与したものが主として使用されてい
る。このメタクリル樹脂注型板は射出成形基板に比べて
複屈折はさらに改良されるが、メタクリル樹脂が本米有
している前述の如き物性は依然として保持しており、前
述した如き欠点がある。
脂注型板、がラス、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹
IM、ポリオレフィン樹脂等が使用され、現在中でも、
メタクリル樹脂注型板の表面に紫外線硬化型樹脂により
プレグルーブ等を付与したものが主として使用されてい
る。このメタクリル樹脂注型板は射出成形基板に比べて
複屈折はさらに改良されるが、メタクリル樹脂が本米有
している前述の如き物性は依然として保持しており、前
述した如き欠点がある。
また、E−DRAWディスクについては、その性質上、
E−DRAW用記録材料の膜形成時の基板の耐熱性、記
録材料の耐久性に与える基板材料の影響をはじめとして
、極めて厳しい性能が要求され、例えば光磁気ディスク
用の基板材料に対しては一般に下記に示す性能を満たす
ことが要求されている。
E−DRAW用記録材料の膜形成時の基板の耐熱性、記
録材料の耐久性に与える基板材料の影響をはじめとして
、極めて厳しい性能が要求され、例えば光磁気ディスク
用の基板材料に対しては一般に下記に示す性能を満たす
ことが要求されている。
(i)吸湿性:飽和吸水率が1%以下、望ましくは0.
5%以下であること。
5%以下であること。
(ii)耐熱性:熱変形温度が110℃以上、望ましく
は120℃以上であること。
は120℃以上であること。
(iii)透明性二光線透過率(厚さ1 、2 mm)
が80%以上、望ましくは85%以上であること。
が80%以上、望ましくは85%以上であること。
(iv)複屈折二光路差(シングルパス)が10nm以
下、望ましくは5nm以fであること。
下、望ましくは5nm以fであること。
(v)If(!i撃性:Izod衝撃強度(/ツチなし
)が10 kg φam/ 0m以上、望ましくは15
kg−am/ am以上であること。
)が10 kg φam/ 0m以上、望ましくは15
kg−am/ am以上であること。
このような要求性能を満たす材料として現在は無機ガラ
スが提案されでいる程度であるが、しかし無機がラスは
成形加工性や取扱性、経済性等に問題がある。
スが提案されでいる程度であるが、しかし無機がラスは
成形加工性や取扱性、経済性等に問題がある。
〈本発明が解決しようとする問題点〉
本発明の目的は、透明性、複屈折等の光学的性質が良好
であり、機械的強度が大きく、E−DRAW記録材料の
膜形成時の高温にも充分に耐えるだけの優れた熱的性質
を有し、且つ最終製品の耐久性やソリ等に影響を及ぼす
吸湿性が非常に少ないhニー[)RAWディスク用の基
板材料を提供することである。
であり、機械的強度が大きく、E−DRAW記録材料の
膜形成時の高温にも充分に耐えるだけの優れた熱的性質
を有し、且つ最終製品の耐久性やソリ等に影響を及ぼす
吸湿性が非常に少ないhニー[)RAWディスク用の基
板材料を提供することである。
く問題点を解決するための手段〉
本発明によれば、上記目的は、
A、(a)トリブロモフェニル゛
メタクリレート 10〜80重量%(1,)ス
チレン系単量体 90〜20重景%及重 量c)他の共重合ηF能なモノ エチレン性不飽和単歇体 0〜10重量%と13、これ
ら(a)、(b)及(/(c)の単量体の合計100重
量部当り1〜40重量部の架橋性単量体との架橋重合体
よりなることを特徴とする光ディスク用尤扱材料により
達成される。
チレン系単量体 90〜20重景%及重 量c)他の共重合ηF能なモノ エチレン性不飽和単歇体 0〜10重量%と13、これ
ら(a)、(b)及(/(c)の単量体の合計100重
量部当り1〜40重量部の架橋性単量体との架橋重合体
よりなることを特徴とする光ディスク用尤扱材料により
達成される。
以下、本発明の基板材料及1その製造法についてさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
恒Yニヒ+77’ U % フェニルメ乙!ユレート:
本発明の基板材料を構成する重合体の第一の単量体成分
であるトリプロ毛フェニルメタクリレートは下記式 で示される化合物であり、ベンゼン環上の3個の臭素原
子の置換位置としては、特に制限はないが、殊に2.4
.6−位に存在するものが好適である。
本発明の基板材料を構成する重合体の第一の単量体成分
であるトリプロ毛フェニルメタクリレートは下記式 で示される化合物であり、ベンゼン環上の3個の臭素原
子の置換位置としては、特に制限はないが、殊に2.4
.6−位に存在するものが好適である。
(ト)−uIIは
本発明の基板材料を構成する重合体の第二の単量体成分
であるスチレン系単斌体には、スチレンそれ自体及びそ
のビニル基部分及び/又はベンゼン環上に重合に対して
不活性な置換基を有するスチレン汚導体が包合され、好
ましくは下記式R。
であるスチレン系単斌体には、スチレンそれ自体及びそ
のビニル基部分及び/又はベンゼン環上に重合に対して
不活性な置換基を有するスチレン汚導体が包合され、好
ましくは下記式R。
畳
式中、R1は水素原子又はメチル基を表わし、モしてR
2は水素原子、塩素原子、臭素原子又はメチル基を表わ
す、 で示されるものである。より具体的には、例えば、スチ
レン、α−/チルスチレン、メチルスチレン、クロルス
チレンブロモスチレン等が挙げられ、中でもスチレン及
びp−メチルスチレンが好適である。
2は水素原子、塩素原子、臭素原子又はメチル基を表わ
す、 で示されるものである。より具体的には、例えば、スチ
レン、α−/チルスチレン、メチルスチレン、クロルス
チレンブロモスチレン等が挙げられ、中でもスチレン及
びp−メチルスチレンが好適である。
これらのスチレン系’it体はそれぞれ単独で使用rる
ことができ、或いは2種又はそれ以上併用してもよい。
ことができ、或いは2種又はそれ以上併用してもよい。
本発明の基板材料を構成する重合体は、以上に述べた2
威分に加えて、必要に応じて、透明性の向上、機械的強
度の向上等の目的で、第三の単量体成分として他の共重
合機能なモノエチレン性不飽和単量体を含むことができ
る。そのようなモノエチレン性不飽和単量体は、前記の
) +7ブロモフエニルメタクリレートとスチレン系単
量体とから形成される重合体の光学的、機械的及び熱的
性質、吸湿性等の性能に対して実質的に悪影響を及ぼさ
ないものである限り、特に制限はなく、例えば、アクリ
ル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、アクリル
酸ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル等の(メタ)ア
クリルaC5〜C9(シクロ)フルキルエステル類;ア
クリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアン化ビニ
ル類;等の中から要求される特性等に応じて1種又は2
種以上を選んで使用することができる。
威分に加えて、必要に応じて、透明性の向上、機械的強
度の向上等の目的で、第三の単量体成分として他の共重
合機能なモノエチレン性不飽和単量体を含むことができ
る。そのようなモノエチレン性不飽和単量体は、前記の
) +7ブロモフエニルメタクリレートとスチレン系単
量体とから形成される重合体の光学的、機械的及び熱的
性質、吸湿性等の性能に対して実質的に悪影響を及ぼさ
ないものである限り、特に制限はなく、例えば、アクリ
ル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、
メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、アクリル
酸ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル等の(メタ)ア
クリルaC5〜C9(シクロ)フルキルエステル類;ア
クリロニトリル、メタクリロニトリル等のシアン化ビニ
ル類;等の中から要求される特性等に応じて1種又は2
種以上を選んで使用することができる。
装置」lす1←
本発明の基板材料を構成する架橋重合体の架橋成分とし
て使用される架橋性単量体は、上記の単量体(a)、(
b)及び(c)の少なくとも1つし単量体(C)を使用
しない場合には単量体(n)及V(b)の少なくとも一
方1と重合しうる不飽和官能基(例えばエチレン性不飽
和基)を少なくとも2つ、好ましくは2〜4個の含有す
る直鎖状、分岐顎状又は環式の化合物て・あり、例えば
下記式 %式%() 上記式(I)及び(]V)において、 R1は水素原子又はメチル基を表わし、又は−Clli
C(:R20− C11゜ の基を表わし、ここで、R)は水素原子又はメチル基を
表わし、1は1〜9の整数であり、論及び11はそれぞ
れ0又は1〜4の整数であり、且つ1≦−十〇≦8であ
り、 八は炭素原子数3〜B(111の3価又は4価の脂肪族
炭化水素基を表わし、 kは藷Aの価数と等い整数である、 で示される化合物を表わす。
て使用される架橋性単量体は、上記の単量体(a)、(
b)及び(c)の少なくとも1つし単量体(C)を使用
しない場合には単量体(n)及V(b)の少なくとも一
方1と重合しうる不飽和官能基(例えばエチレン性不飽
和基)を少なくとも2つ、好ましくは2〜4個の含有す
る直鎖状、分岐顎状又は環式の化合物て・あり、例えば
下記式 %式%() 上記式(I)及び(]V)において、 R1は水素原子又はメチル基を表わし、又は−Clli
C(:R20− C11゜ の基を表わし、ここで、R)は水素原子又はメチル基を
表わし、1は1〜9の整数であり、論及び11はそれぞ
れ0又は1〜4の整数であり、且つ1≦−十〇≦8であ
り、 八は炭素原子数3〜B(111の3価又は4価の脂肪族
炭化水素基を表わし、 kは藷Aの価数と等い整数である、 で示される化合物を表わす。
より具体的に、上記式(III)の化合物として、例え
ば、エチレングリコールノ(メタ)アクリレート、ノエ
チレングリコールノ(メタ)アクリレート、トリエチレ
ングリコールり(メタ)7クリレート、プロビレングリ
コールン(メタ)アクリレート、1゜3−ブタンノオー
ルジ(メタ)7クリレート、1,6−ヘキサンノオール
ジ(メタ)アクリレート、ネオペンナルグリコ−7レジ
(メタ)アクリレート等が挙げられ、また上記式(IV
)の化合物として、例えば、トリノチロールメタントリ
(メタ)アクリレート、トリノチロールエタントリ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ
)アクリレート、テトラメチロールメタンテFう(メタ
)アクリレート等が挙げられる。さらに上記式(Ifl
)、(IV)以外の架橋性単量体としてノビニルベンゼ
ン、アリル(メタ)7クリレート等が含まれる。
ば、エチレングリコールノ(メタ)アクリレート、ノエ
チレングリコールノ(メタ)アクリレート、トリエチレ
ングリコールり(メタ)7クリレート、プロビレングリ
コールン(メタ)アクリレート、1゜3−ブタンノオー
ルジ(メタ)7クリレート、1,6−ヘキサンノオール
ジ(メタ)アクリレート、ネオペンナルグリコ−7レジ
(メタ)アクリレート等が挙げられ、また上記式(IV
)の化合物として、例えば、トリノチロールメタントリ
(メタ)アクリレート、トリノチロールエタントリ(メ
タ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ
)アクリレート、テトラメチロールメタンテFう(メタ
)アクリレート等が挙げられる。さらに上記式(Ifl
)、(IV)以外の架橋性単量体としてノビニルベンゼ
ン、アリル(メタ)7クリレート等が含まれる。
上記の架橋性単量体はそれぞれ単独で使用することがで
き、或いは2種又はそれ以上組合わせて使用してもよい
。これら架橋性単量の中では、エチレングリコールジメ
タクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタクリレートが好適
である。このような架橋性単量体の使用により、得られ
るJ&糎材料の熱変形温度を着しく高めることがでさる
と共に、機械的強度、耐溶剤性などの物性も大幅に改善
することかで詐る。
き、或いは2種又はそれ以上組合わせて使用してもよい
。これら架橋性単量の中では、エチレングリコールジメ
タクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレー
ト、トリメチロールプロパントリメタクリレートが好適
である。このような架橋性単量体の使用により、得られ
るJ&糎材料の熱変形温度を着しく高めることがでさる
と共に、機械的強度、耐溶剤性などの物性も大幅に改善
することかで詐る。
兎」づ= (7) !l! L:
以上に述べた(、l)及f/ (b)の2成分又は(a
)、(b)及び(c)の3成分と架橋性単量体とを重合
させることにより本発明の基板材料を構成する架橋重合
体を調製することができる。その場合、(11)、(b
)、(c)の各単量体は以下に示す割合で重合に供する
ことができる。
)、(b)及び(c)の3成分と架橋性単量体とを重合
させることにより本発明の基板材料を構成する架橋重合
体を調製することができる。その場合、(11)、(b
)、(c)の各単量体は以下に示す割合で重合に供する
ことができる。
(a))リブクモフェニルメタクリレート:10〜80
重量%、好ましくは20〜75重h1%、さらに好まし
くは40〜゛?0重量%、(b)スチレン系単量体:9
0〜20重景%、重量しくは80〜b は60〜30重量%、 (c)他の共重合可能なモノエチレン性不飽和単量体:
0〜10重量%、好ましくは0〜5重量%。
重量%、好ましくは20〜75重h1%、さらに好まし
くは40〜゛?0重量%、(b)スチレン系単量体:9
0〜20重景%、重量しくは80〜b は60〜30重量%、 (c)他の共重合可能なモノエチレン性不飽和単量体:
0〜10重量%、好ましくは0〜5重量%。
ただし、「重量%」は単量体(a)、(b)及び(c)
の合計量を基準にしたものである。
の合計量を基準にしたものである。
一方、前述した架橋性単量体は、上記単量体(a)、(
b)及び(c)の合計100重量部当り1〜40重量部
、好ましくは3〜301fL量部、さらに好ましくは5
〜20重量部の割合で使用することができる。
b)及び(c)の合計100重量部当り1〜40重量部
、好ましくは3〜301fL量部、さらに好ましくは5
〜20重量部の割合で使用することができる。
これら単量体の重合は一般にラジカル重合開始剤を用い
て通常の注型重合法を利用して??なうことができる。
て通常の注型重合法を利用して??なうことができる。
これら単量体の重合はラジカル重合開始剤を用いてキャ
スト法およびプレス法による塊状重合方法によって実施
することができる。
スト法およびプレス法による塊状重合方法によって実施
することができる。
具体的に実施するにあたっては、キャスト法の場合、所
定の割合に配合した単量体混合物あるいは架橋性単量体
を含まないR,量体混合物を部分型介し、これに所定量
のi橋性単量体を加えることにより得られるシラツブ、
または架橋性単量体を含まないItt:tj1体混体物
合物なる重合体を架橋性単量体を含む単量体混合物に溶
解してなるシラツブを調製し、それらフッカル重合開始
剤と共に軟質塩化ビニル等の枠をセットしたガラス又は
ステンレス鋼製のセル内に注入し、40〜150℃、好
ましくは60〜140”Cの温度で所定vf間重合する
のがよい。またプレス法の場合、所定の割合に配合した
架橋性単量体を含まない単量体混合物を部分重合し、こ
れに所定量の架橋性単量体を加えることにより得られる
シラツブあるいは架橋性単量体を含まない単量体混合物
からなる重合体を架橋性@量体を含む単量体混合物に溶
解してなるシラツブをill!L、これをラジカル重合
開始剤と共にスタンパ−の装着可能なディスク基板用成
形金型内に注入し、70〜150℃、好ましくは80〜
140℃の温度で加圧子重合を完結させるようにするの
が有利である。
定の割合に配合した単量体混合物あるいは架橋性単量体
を含まないR,量体混合物を部分型介し、これに所定量
のi橋性単量体を加えることにより得られるシラツブ、
または架橋性単量体を含まないItt:tj1体混体物
合物なる重合体を架橋性単量体を含む単量体混合物に溶
解してなるシラツブを調製し、それらフッカル重合開始
剤と共に軟質塩化ビニル等の枠をセットしたガラス又は
ステンレス鋼製のセル内に注入し、40〜150℃、好
ましくは60〜140”Cの温度で所定vf間重合する
のがよい。またプレス法の場合、所定の割合に配合した
架橋性単量体を含まない単量体混合物を部分重合し、こ
れに所定量の架橋性単量体を加えることにより得られる
シラツブあるいは架橋性単量体を含まない単量体混合物
からなる重合体を架橋性@量体を含む単量体混合物に溶
解してなるシラツブをill!L、これをラジカル重合
開始剤と共にスタンパ−の装着可能なディスク基板用成
形金型内に注入し、70〜150℃、好ましくは80〜
140℃の温度で加圧子重合を完結させるようにするの
が有利である。
キャスト法およびプレス法でのシラツブの+il ’I
I法として、より具体的には、例えば次の方法を挙げる
、:とがでさる。
I法として、より具体的には、例えば次の方法を挙げる
、:とがでさる。
(1)上記単量体(a)および(b)の全部又は一部並
びに、さらに必要に応じて単量体(c)の全部又は一部
を用いて予め部分重合物をつくり、この部分重合物に単
量体(a)及び/又は(h)及び/又は(c)を一部用
いた場合はその残りと架橋性単量体全部を加えてシラツ
ブとする調製法。
びに、さらに必要に応じて単量体(c)の全部又は一部
を用いて予め部分重合物をつくり、この部分重合物に単
量体(a)及び/又は(h)及び/又は(c)を一部用
いた場合はその残りと架橋性単量体全部を加えてシラツ
ブとする調製法。
(2)上記単量体(a)および(b)の全部又は一部並
びに、さらに必要に応じて単量体(c)の全部又は一部
を用いて全使用単風体の30重量%を越えない範囲で重
合体をつくり、この重合体を単量体(a)及び/又は(
b)及び/又は(c)の残りと架橋性jit f1体全
部に溶解してシラツブとする調製法。
びに、さらに必要に応じて単量体(c)の全部又は一部
を用いて全使用単風体の30重量%を越えない範囲で重
合体をつくり、この重合体を単量体(a)及び/又は(
b)及び/又は(c)の残りと架橋性jit f1体全
部に溶解してシラツブとする調製法。
上記注型シラツブの粘度は、キャスト法の場合、注入お
よび脱気可能な粘度以゛ドであれば特に限定されないが
、光ディスク基板は板厚が1.211ILL1前後と薄
いためB型粘度計を用いて25℃で測定して1()ボイ
ズ以ド、好ましくは3ボイズ以ドである。またプレス法
の場合その粘度は5〜300ボイズ、好ましくは50〜
2゛50ボイズの範囲内にあるのが好都合である(粘度
が5ボイズ未満では成形金型内で重合を行なったときに
ヒケやパリが生じやすく、一定@厚の基板がe難く、気
泡ら生じやすい。・地力、粘度が300ボイズを超える
とFJi屈折の高い基板が生じやすくなる)。
よび脱気可能な粘度以゛ドであれば特に限定されないが
、光ディスク基板は板厚が1.211ILL1前後と薄
いためB型粘度計を用いて25℃で測定して1()ボイ
ズ以ド、好ましくは3ボイズ以ドである。またプレス法
の場合その粘度は5〜300ボイズ、好ましくは50〜
2゛50ボイズの範囲内にあるのが好都合である(粘度
が5ボイズ未満では成形金型内で重合を行なったときに
ヒケやパリが生じやすく、一定@厚の基板がe難く、気
泡ら生じやすい。・地力、粘度が300ボイズを超える
とFJi屈折の高い基板が生じやすくなる)。
上記部分重合物および重合体の5I造、キャスト法での
セル内およびプレス法での成形金型内での相合に使用し
うるラノカル重合開始剤としては、待lこ制限はなく、
例えば、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオ
キサイド、tert−プチルパーオキシピバレー)、t
ert−プチルパーオキンイゾブチレー)、tert−
プチルパーオキンイソプロビルカーボネート、2.5−
ツメチル−2,5−ジ(tert−メチルプロビル)ヘ
キサン、tert−ブチルパーオキサイド等の有機過酸
化物系開始剤;2,2’−7ゾビスイソブチロニトリル
、2.2’−アゾビス(2゜4−ジチメルバレロニトリ
ル)、2.2’−アゾビス(2*4t4−)リメチルペ
ンクン)等のアゾ系開始剤;ベンゾイルパーオキサイド
とN、N−ジ(2−ヒドロキシブaビル)−p−)ルイ
ノン、N、N−;/メチルーロートルイノン、N、N−
?ツメチルアニリン等の第三級アミンとの姐合わせより
なるレドックス系開始剤などが挙げられる。
セル内およびプレス法での成形金型内での相合に使用し
うるラノカル重合開始剤としては、待lこ制限はなく、
例えば、ラウロイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオ
キサイド、tert−プチルパーオキシピバレー)、t
ert−プチルパーオキンイゾブチレー)、tert−
プチルパーオキンイソプロビルカーボネート、2.5−
ツメチル−2,5−ジ(tert−メチルプロビル)ヘ
キサン、tert−ブチルパーオキサイド等の有機過酸
化物系開始剤;2,2’−7ゾビスイソブチロニトリル
、2.2’−アゾビス(2゜4−ジチメルバレロニトリ
ル)、2.2’−アゾビス(2*4t4−)リメチルペ
ンクン)等のアゾ系開始剤;ベンゾイルパーオキサイド
とN、N−ジ(2−ヒドロキシブaビル)−p−)ルイ
ノン、N、N−;/メチルーロートルイノン、N、N−
?ツメチルアニリン等の第三級アミンとの姐合わせより
なるレドックス系開始剤などが挙げられる。
また、前記単量体混合物および注型シラフプには必要に
応じてj!![移動剤としてのメルカプタン類、染料、
紫外#ij吸収剤、EIf塑剤、離型剤等の添加物を過
ffi添加配合することも可能である。
応じてj!![移動剤としてのメルカプタン類、染料、
紫外#ij吸収剤、EIf塑剤、離型剤等の添加物を過
ffi添加配合することも可能である。
以上の述べた方法によって製造される本発明の基板材料
は、後記実施例に示されているとおり、透明性、複屈折
、光学歪などの光学的性質が良好で、機械的強度が大き
く、耐熱性に優れており、しかも低吸湿性であって、前
述した光磁気ディスク用の基板材料に要求される性能を
すべて満たしている。従って、本発明の基板材料はDR
AWディスクは勿論、E−DRAWディスク用の基板材
料としても使用することができる。
は、後記実施例に示されているとおり、透明性、複屈折
、光学歪などの光学的性質が良好で、機械的強度が大き
く、耐熱性に優れており、しかも低吸湿性であって、前
述した光磁気ディスク用の基板材料に要求される性能を
すべて満たしている。従って、本発明の基板材料はDR
AWディスクは勿論、E−DRAWディスク用の基板材
料としても使用することができる。
次に実施例を掲げて本発明をさらに具体的に説明する。
(実 施 例)
なお実施例中の各物性値は以下の方法により測定した。
飽和吸水率:ASTM D5’10に基く平衝吸水率
(水中23℃) 熱変形温度:ASTM D648 全光iii率:AsrM D1003 板層 1.2曽鵡 複Jl(祈値:光路差(シングルパス)板M1.2mm
アイゾツト衝撃強度:ASTM D256(ノツチ無
し、板厚3 、2 a+a+) 実施例 1〜16 2.4.6−トリブロモフェニル/タクリレート、スチ
レン、p−メチルスチレンおよび第1.&に示す架橋性
単斌体を第1表に示す垂凌割合に混合して溶解した。こ
の単量体混合物M、 100 yA重量部対してt−ブ
チルパーオキシネオデカ/エート0.03ないし0.1
5爪量部および2.2−ビス(t−ブチルパーオキシ)
ブタン0 、10 重量部を添加混合し、軟質塩化ビニ
ルのがスケットで枠をセットしたガラス製のセル内に注
ぎ込み、50℃に10時圀ついで1:号0℃に4時間保
持し七重合を行ない厚さ1.2 amおよび3.2L#
I11のキャスト板を得た。得られたキャスト板の飽和
吸水率、熱変形温度、金光籾透過率およびアイゾツト衝
撃強度を第1表に示す。
(水中23℃) 熱変形温度:ASTM D648 全光iii率:AsrM D1003 板層 1.2曽鵡 複Jl(祈値:光路差(シングルパス)板M1.2mm
アイゾツト衝撃強度:ASTM D256(ノツチ無
し、板厚3 、2 a+a+) 実施例 1〜16 2.4.6−トリブロモフェニル/タクリレート、スチ
レン、p−メチルスチレンおよび第1.&に示す架橋性
単斌体を第1表に示す垂凌割合に混合して溶解した。こ
の単量体混合物M、 100 yA重量部対してt−ブ
チルパーオキシネオデカ/エート0.03ないし0.1
5爪量部および2.2−ビス(t−ブチルパーオキシ)
ブタン0 、10 重量部を添加混合し、軟質塩化ビニ
ルのがスケットで枠をセットしたガラス製のセル内に注
ぎ込み、50℃に10時圀ついで1:号0℃に4時間保
持し七重合を行ない厚さ1.2 amおよび3.2L#
I11のキャスト板を得た。得られたキャスト板の飽和
吸水率、熱変形温度、金光籾透過率およびアイゾツト衝
撃強度を第1表に示す。
なお複屈折値はいずれも511II(シングルパス、板
)v41.2mm)以)°であった。
)v41.2mm)以)°であった。
実施例17〜19、比較例1〜2
2.4.6−)リプロモフェニルメタリレート、スチレ
ン、p−メチルスチレンおよび第2表に示すモノエチレ
ン性不飽和単量体を第2表に示す再会割合に混合して溶
解し、その単量体混合物100重量部に対してクアリー
ルバーオキシシカーボネ−) 0.01重量部を添加し
て、N2雰囲気下60℃で3時+11重合後冷却して反
応を停止させた。こうして得られた部分重合物に第2表
で示す架橋性単量体を@2表に示す重合側合C添加混合
し注型シラツブを得た。この注型シラツブ100部に対
してL−ブチルパーオキシイソブチレート0.4重量部
を添加混合し、所定量を100℃に温調したグループ付
スタンパ−を備えた直径3001のディスク用成形金型
に注入して加圧下12分間保持して硬化させ、冷却後板
厚1.2m鶴の光ディスク用基振を得た。得られた光デ
ィスク用基板の複屈折値および電子顕微m写真でのグル
ープの転写性の評価結果を第2−&に示す。
ン、p−メチルスチレンおよび第2表に示すモノエチレ
ン性不飽和単量体を第2表に示す再会割合に混合して溶
解し、その単量体混合物100重量部に対してクアリー
ルバーオキシシカーボネ−) 0.01重量部を添加し
て、N2雰囲気下60℃で3時+11重合後冷却して反
応を停止させた。こうして得られた部分重合物に第2表
で示す架橋性単量体を@2表に示す重合側合C添加混合
し注型シラツブを得た。この注型シラツブ100部に対
してL−ブチルパーオキシイソブチレート0.4重量部
を添加混合し、所定量を100℃に温調したグループ付
スタンパ−を備えた直径3001のディスク用成形金型
に注入して加圧下12分間保持して硬化させ、冷却後板
厚1.2m鶴の光ディスク用基振を得た。得られた光デ
ィスク用基板の複屈折値および電子顕微m写真でのグル
ープの転写性の評価結果を第2−&に示す。
また、二の注型シラツブから同一硬化条件で得た3 、
2 arm仮の飽和吸水率および熱変形温度を1@2
表に示す。
2 arm仮の飽和吸水率および熱変形温度を1@2
表に示す。
\、
\、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 A、(a)トリブロモフェニル メタクリレート10〜80重量% (b)スチレン系単量体90〜20重量% 及び (c)他の共重合可能なモノ エチレン性不飽和単量体0〜10重量% とB、これら(a)、(b)及び(c)の単量体の合計
100重量部当り1〜40重量部の架橋性単量体との架
橋重合体よりなることを特徴とする光ディスク用基板材
料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307898A JPS63161006A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光デイスク用基板材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61307898A JPS63161006A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光デイスク用基板材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63161006A true JPS63161006A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17974497
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61307898A Pending JPS63161006A (ja) | 1986-12-25 | 1986-12-25 | 光デイスク用基板材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63161006A (ja) |
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61307898A patent/JPS63161006A/ja active Pending
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