JPS63160338A - 半導体装置の表面保護構造 - Google Patents
半導体装置の表面保護構造Info
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- JPS63160338A JPS63160338A JP30982486A JP30982486A JPS63160338A JP S63160338 A JPS63160338 A JP S63160338A JP 30982486 A JP30982486 A JP 30982486A JP 30982486 A JP30982486 A JP 30982486A JP S63160338 A JPS63160338 A JP S63160338A
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- adhesive
- buffer layer
- protective
- protective film
- protective sheet
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- Pending
Links
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置に関し、特に半導体基板の裏面の
研磨時に半導体装置の表面を保護する保護構造に関する
ものである。
研磨時に半導体装置の表面を保護する保護構造に関する
ものである。
［従来の技術］
第３図は従来の半導体基板の裏面の研磨工程時における
半導体基板の保護構造を示す断面図である。
半導体基板の保護構造を示す断面図である。
図において、たとえばシリコン基板１の上に写真製版工
程で使用するレジストが塗布されて保護膜２として形成
され、さらに保護膜２の上に接着剤３を介して保護シー
ト５が接着される。ここで、保護膜２は保護シート５よ
り衝撃吸収性に優れ半導体表面を保護する。
程で使用するレジストが塗布されて保護膜２として形成
され、さらに保護膜２の上に接着剤３を介して保護シー
ト５が接着される。ここで、保護膜２は保護シート５よ
り衝撃吸収性に優れ半導体表面を保護する。
第４図は従来の半導体基板の裏面研磨時の概略断面図で
ある。
ある。
図において第３図で示した保護構造をその表面に有した
シリコン基板１が吸着台６上に設置され、シリコン基板
１の裏面（本図では上側）にグラインダ７が接している
。
シリコン基板１が吸着台６上に設置され、シリコン基板
１の裏面（本図では上側）にグラインダ７が接している
。
裏面研磨の動作を以下説明する。
シリコン基板１はその表面の保護構造側を吸着台６に向
け、吸着台６の真空吸着効果で固定される。次にシリコ
ン基板上の裏面にグラインダ７が回転しながら押し付け
られることによって、所望の厚みまで裏面が研磨される
。このときグラインダ７によってシリコン基板１に加え
られる力は、その横方向へのねじれの力も含め保護膜２
の衝撃吸収効果で軽減され半導体表面が保護゛される。
け、吸着台６の真空吸着効果で固定される。次にシリコ
ン基板上の裏面にグラインダ７が回転しながら押し付け
られることによって、所望の厚みまで裏面が研磨される
。このときグラインダ７によってシリコン基板１に加え
られる力は、その横方向へのねじれの力も含め保護膜２
の衝撃吸収効果で軽減され半導体表面が保護゛される。
所定のシリコン基板１の裏面の研磨が終了した後、シリ
コン基板１は吸着台６から取り外され、保護シート５を
剥がしてから保護Ｍ２を酸素ガス等を用いて灰化して除
去する。
コン基板１は吸着台６から取り外され、保護シート５を
剥がしてから保護Ｍ２を酸素ガス等を用いて灰化して除
去する。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のような従来の半導体装置の保護構造では、裏面研
磨時のグラインダ７によって加えられた局部的な力が衝
撃吸収効果の小さい保護シート５と接着剤３との間に保
護膜２を介して伝達され、その部分の接着剤を熱硬化さ
せたり変質させることがある。したがって、研磨終了後
保護シートを剥がすと接着剤３の一部が残ってしまう場
合があり、第５図はこの状態を示した断面図である。図
に示されている接着剤残渣８および接着剤残渣８の影響
によるその下の保護膜２の一部が、保護Ｍ２が灰化され
た後もシリコン基板１上に残り不具合を生じるという問
題点があった。
磨時のグラインダ７によって加えられた局部的な力が衝
撃吸収効果の小さい保護シート５と接着剤３との間に保
護膜２を介して伝達され、その部分の接着剤を熱硬化さ
せたり変質させることがある。したがって、研磨終了後
保護シートを剥がすと接着剤３の一部が残ってしまう場
合があり、第５図はこの状態を示した断面図である。図
に示されている接着剤残渣８および接着剤残渣８の影響
によるその下の保護膜２の一部が、保護Ｍ２が灰化され
た後もシリコン基板１上に残り不具合を生じるという問
題点があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、保護シートを除去した後に接着剤および保護膜の一
部が残らない半導体の保護構造を提供することを目的と
する。
で、保護シートを除去した後に接着剤および保護膜の一
部が残らない半導体の保護構造を提供することを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る保護構造は、接着剤と保護シートとの間
に少なくとも１層の緩衝層を設けたものである。
に少なくとも１層の緩衝層を設けたものである。
［作用］
この発明においては、緩衝層が裏面研磨時のグラインダ
によって加えられる力を吸収し、接着剤と保護膜との過
度の密着を防止するので接着剤を変質させず、研磨時の
保護シートを緩衝層とともに剥がしたとき接着剤の一部
が保護膜上に残ることを防ぐことになる。
によって加えられる力を吸収し、接着剤と保護膜との過
度の密着を防止するので接着剤を変質させず、研磨時の
保護シートを緩衝層とともに剥がしたとき接着剤の一部
が保護膜上に残ることを防ぐことになる。
［実施例］
、第１図はこの発明の一実施例を示す半導体保護構造の
断面図・である。
断面図・である。
図において、たとえばシリコン基板１の上に写真製版工
程で使用するレジストが塗布されて保護膜２として形成
されるのは従来技術と同様である。
程で使用するレジストが塗布されて保護膜２として形成
されるのは従来技術と同様である。
さらに、保護膜２の上に接着剤３を介して緩衝層４が接
合された保護シート５が接着される。ここでこの緩衝層
４は保護シート５より衝撃吸収性に優れたものである。
合された保護シート５が接着される。ここでこの緩衝層
４は保護シート５より衝撃吸収性に優れたものである。
第２図はこの発明の一実施例における半導体裏面研磨時
の断面図である。
の断面図である。
図において、緩衝層４がシリコン基板工の裏面に付加さ
れている以外、従来技術と同様で研磨動作も従来技術と
同一である。
れている以外、従来技術と同様で研磨動作も従来技術と
同一である。
この場合、グラインダ７によってシリコン基板１に加え
られた力は、保護シート５と接着剤３との間の緩衝層４
に吸収され、接着剤３と保護膜２とが過度に密着するこ
とがないので接着剤３を変質硬化させることがない。し
たがって、裏面研磨工程が終了後、保護シート５を緩衝
層４とともに剥がす際には接着剤３の残渣が保護膜２に
残ることなく、保護膜２を酸素ガス等による灰化で除去
すれば半導体基板１から保護層を完全に除去することが
できる。
られた力は、保護シート５と接着剤３との間の緩衝層４
に吸収され、接着剤３と保護膜２とが過度に密着するこ
とがないので接着剤３を変質硬化させることがない。し
たがって、裏面研磨工程が終了後、保護シート５を緩衝
層４とともに剥がす際には接着剤３の残渣が保護膜２に
残ることなく、保護膜２を酸素ガス等による灰化で除去
すれば半導体基板１から保護層を完全に除去することが
できる。
なお、上記実施例では緩衝層は１層としたが多層として
も良いのは言うまでもない。
も良いのは言うまでもない。
また、上記実施例では、半導体基板をシリコン基板とし
たが他の材質の半導体であっても同様の効果を奏する。
たが他の材質の半導体であっても同様の効果を奏する。
［発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、保護シートと接着剤の
間に緩衝層を設けたので、接着剤と保護膜との間で過度
に密着することがなく、接着剤を変質させたりして生じ
る接着剤の残渣を生じさせず、保護層を完全に除去でき
る効果がある。
間に緩衝層を設けたので、接着剤と保護膜との間で過度
に密着することがなく、接着剤を変質させたりして生じ
る接着剤の残渣を生じさせず、保護層を完全に除去でき
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による断面図、第２図はこ
の発明の一実施例における裏面研磨時の断面図、第３図
は従来の半導体表面の保護構造を示す断面図、第４図は
従来の裏面研磨時の断面図、第５図は従来の保護シート
を剥がした状態の断面図である。 図において、１はシリコン基板、２は保護膜、３は接着
剤、４は緩衝層、５は保護シートである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
の発明の一実施例における裏面研磨時の断面図、第３図
は従来の半導体表面の保護構造を示す断面図、第４図は
従来の裏面研磨時の断面図、第５図は従来の保護シート
を剥がした状態の断面図である。 図において、１はシリコン基板、２は保護膜、３は接着
剤、４は緩衝層、５は保護シートである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体装置の表面保護構造であって、半導体基板上に
形成された保護膜と、前記保護膜上に接着剤によって接
着される、少なくとも１層の第１の緩衝層と第２の緩衝
層とを接合して形成される保護層とを備え、前記第１の
緩衝層は前記第２の緩衝層より衝撃吸収効果において大
であり、前記第１の緩衝層の側が前記保護膜に接着され
る、半導体装置の表面保護構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30982486A JPS63160338A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体装置の表面保護構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30982486A JPS63160338A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体装置の表面保護構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63160338A true JPS63160338A (ja) | 1988-07-04 |
Family
ID=17997700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30982486A Pending JPS63160338A (ja) | 1986-12-24 | 1986-12-24 | 半導体装置の表面保護構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63160338A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04210361A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-07-31 | Seiko Electronic Components Ltd | ウエハの両面加工方法 |
-
1986
- 1986-12-24 JP JP30982486A patent/JPS63160338A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04210361A (ja) * | 1990-12-14 | 1992-07-31 | Seiko Electronic Components Ltd | ウエハの両面加工方法 |
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