JPS63159895A - 多重表示パネルの電極形成方法 - Google Patents
多重表示パネルの電極形成方法Info
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- JPS63159895A JPS63159895A JP31135086A JP31135086A JPS63159895A JP S63159895 A JPS63159895 A JP S63159895A JP 31135086 A JP31135086 A JP 31135086A JP 31135086 A JP31135086 A JP 31135086A JP S63159895 A JPS63159895 A JP S63159895A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は強誘電性液晶と色調調整用TN型液晶を重ね合
わせた構成の多重表示パネルなどにおける中間透明基板
の表裏両面の同一位置に精度良く、透明電極を形成する
ため、中間透明基板の一方の面に形成した不透光性薄膜
付きの電極形成用レジストパターンを利用した、所謂セ
ルファライン技法を用いて該基板の他方の面に全く同一
パターン形状の電極形成用レジストパターンを形成し、
かかる両電極形成用レジストパターンによって該基板の
両面の同一位置に透明電極を精度良く、かつ容易に形成
するようにしたものである。
わせた構成の多重表示パネルなどにおける中間透明基板
の表裏両面の同一位置に精度良く、透明電極を形成する
ため、中間透明基板の一方の面に形成した不透光性薄膜
付きの電極形成用レジストパターンを利用した、所謂セ
ルファライン技法を用いて該基板の他方の面に全く同一
パターン形状の電極形成用レジストパターンを形成し、
かかる両電極形成用レジストパターンによって該基板の
両面の同一位置に透明電極を精度良く、かつ容易に形成
するようにしたものである。
本発明は多重表示パネルの電極形成方法に係り、特に対
向する両側の電極支持基板間に、表裏面に電極を設けた
中間基板を介在して少なくとも二つの異種液晶層を重ね
て設けた色調調整可能な液晶表示パネル、或いはカラー
液晶表示パネル等における中間基板の表裏面に配設して
なる電極形成方法に関するものである。
向する両側の電極支持基板間に、表裏面に電極を設けた
中間基板を介在して少なくとも二つの異種液晶層を重ね
て設けた色調調整可能な液晶表示パネル、或いはカラー
液晶表示パネル等における中間基板の表裏面に配設して
なる電極形成方法に関するものである。
強誘電性液晶を用いた表示パネルにおいては、該液晶セ
ル厚のバラツキにより色むら等ができる問題を解消する
ため、第2図の概念図に示すように表裏面に透明電極2
,3を設けた中間基板1を介して、TNN型液晶セル層
と強誘電性液晶セル層5とを重ね合わせ、その両側にそ
れぞれ透明電極8,9を支持した透明基板6.7が配設
された構成とし、前記TN型液晶セル層4を灰色フィル
タとして駆動させ、該TN型液晶セル層4の単位セル毎
に電圧を選択印加することによって、強誘電性液晶セル
層5での色むらを調整可能とした液晶表示パネル、或い
は少なくとも二つの異種液晶層と色フィルタ等を重ね合
わせて構成したカラー液晶表示パネルなどの多重液晶表
示パネルが既に提案されている。
ル厚のバラツキにより色むら等ができる問題を解消する
ため、第2図の概念図に示すように表裏面に透明電極2
,3を設けた中間基板1を介して、TNN型液晶セル層
と強誘電性液晶セル層5とを重ね合わせ、その両側にそ
れぞれ透明電極8,9を支持した透明基板6.7が配設
された構成とし、前記TN型液晶セル層4を灰色フィル
タとして駆動させ、該TN型液晶セル層4の単位セル毎
に電圧を選択印加することによって、強誘電性液晶セル
層5での色むらを調整可能とした液晶表示パネル、或い
は少なくとも二つの異種液晶層と色フィルタ等を重ね合
わせて構成したカラー液晶表示パネルなどの多重液晶表
示パネルが既に提案されている。
このような多重液晶表示パネルに用いられる中間基板の
表裏面に設けた透明電極としては、画素ズレが生じない
ように該表裏面の同一位置に精度良(設けることが要求
され、そのような電極形成を容易に行う方法が必要とさ
れている。
表裏面に設けた透明電極としては、画素ズレが生じない
ように該表裏面の同一位置に精度良(設けることが要求
され、そのような電極形成を容易に行う方法が必要とさ
れている。
従来、上記した多重液晶表示パネルに用いられる中間基
板の表裏面に電極を形成する方法としては、先ず第3図
(alに示すように、例えばガラス板等からなる透明中
間基板21の表面に第一レジスト膜22を塗着し、該第
一レジスト膜22に対して電極形成用バクーンマスク2
3を介して露光を行う。
板の表裏面に電極を形成する方法としては、先ず第3図
(alに示すように、例えばガラス板等からなる透明中
間基板21の表面に第一レジスト膜22を塗着し、該第
一レジスト膜22に対して電極形成用バクーンマスク2
3を介して露光を行う。
次に第3図(b+に示すように第一レジスト膜22を現
像することにより得られた第一レジストパターン24上
を含む前記基板21上にインジウム・6861化膜(I
TO)などからなる第一透明4電膜25を被着する。
像することにより得られた第一レジストパターン24上
を含む前記基板21上にインジウム・6861化膜(I
TO)などからなる第一透明4電膜25を被着する。
次に第3図(C1に示すように前記第一レシストパター
ン24及びその上の第一透明導電膜25部分をリフトオ
フ法により除去して表面側透明電極26を形成した後、
該中間基板21の裏面に第二レジスト膜27を塗着し、
該第二レジスト膜27に対して前記表面側透明電極26
と対応する部分に露光がなされるように電極形成用パタ
ーンマスク23を介して露光を行う。
ン24及びその上の第一透明導電膜25部分をリフトオ
フ法により除去して表面側透明電極26を形成した後、
該中間基板21の裏面に第二レジスト膜27を塗着し、
該第二レジスト膜27に対して前記表面側透明電極26
と対応する部分に露光がなされるように電極形成用パタ
ーンマスク23を介して露光を行う。
その後、第3図(d)に示すように第二レジスト膜27
を現像して得られた第二レジストパターン28上を含む
前記基板21上にインジウム・錫酸化膜(ITO)など
からなる第二透明導電膜29を被着し、前記第二レジス
トパターン28及びその上の第二透明導電膜29部分を
リフトオフ法により除去して裏面側透明電極30を形成
することによって、第3図(e)に示すように前記中間
基板21の表裏両面の同一位置に表面側透明電極26と
裏面側透明電極30を設けた構成としている。
を現像して得られた第二レジストパターン28上を含む
前記基板21上にインジウム・錫酸化膜(ITO)など
からなる第二透明導電膜29を被着し、前記第二レジス
トパターン28及びその上の第二透明導電膜29部分を
リフトオフ法により除去して裏面側透明電極30を形成
することによって、第3図(e)に示すように前記中間
基板21の表裏両面の同一位置に表面側透明電極26と
裏面側透明電極30を設けた構成としている。
ところで上記したような従来の電極形成方法では、中間
基板21の表面及び裏面にそれぞれ電極形成用パターン
マスク23を用いて各透明電極26.30を形成してい
るため、これら中間基板21の表裏面に対して電極形成
用パターンマスク23の位置合わせをかなり高精度に行
わないと、表面側透明電極26と裏面側透明電極30を
中間基板210表裏両面の同一位置に正確に設けること
が難しく、またかかる形成工程が複雑になるという欠点
があった。
基板21の表面及び裏面にそれぞれ電極形成用パターン
マスク23を用いて各透明電極26.30を形成してい
るため、これら中間基板21の表裏面に対して電極形成
用パターンマスク23の位置合わせをかなり高精度に行
わないと、表面側透明電極26と裏面側透明電極30を
中間基板210表裏両面の同一位置に正確に設けること
が難しく、またかかる形成工程が複雑になるという欠点
があった。
本発明は上記従来の実情に鑑み、中間基板の一方の面に
形成した電極形成用パターンを利用して、該基板の表裏
面の同一位置に精度良くそれぞれ電極を形成し得る新規
な多重液晶表示パネルの電極形成方法を提供することを
目的とするものである。
形成した電極形成用パターンを利用して、該基板の表裏
面の同一位置に精度良くそれぞれ電極を形成し得る新規
な多重液晶表示パネルの電極形成方法を提供することを
目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、中間透明基板の表面
に不透光性薄膜が被着された表面側電極形成用レジスト
パターンを形成し、この不透光性薄膜付きの表面側電極
形成用レジストパターンを利用して、該中間透明基板の
裏面に塗着したレジスト膜を選択的に前記基板を通して
露光し、裏面側電極形成用レジストパターンを形成する
。
に不透光性薄膜が被着された表面側電極形成用レジスト
パターンを形成し、この不透光性薄膜付きの表面側電極
形成用レジストパターンを利用して、該中間透明基板の
裏面に塗着したレジスト膜を選択的に前記基板を通して
露光し、裏面側電極形成用レジストパターンを形成する
。
その後、前記中間透明基板の表裏両面にそれぞれ不透光
性薄膜付き表面側電極形成用レジストパターン及び裏面
側電極形成用レジストパターンを介して透明導電膜を被
着した後、該表裏面の前記各レジストパターン及びその
上の不透光性薄膜、透明導電膜を所謂、リフトオフ法に
よって除去することにより、中間透明基板の両面の同一
位置にそれぞれ透明電極を形成する。
性薄膜付き表面側電極形成用レジストパターン及び裏面
側電極形成用レジストパターンを介して透明導電膜を被
着した後、該表裏面の前記各レジストパターン及びその
上の不透光性薄膜、透明導電膜を所謂、リフトオフ法に
よって除去することにより、中間透明基板の両面の同一
位置にそれぞれ透明電極を形成する。
本発明の多重表示パネルの電極形成方法では、中間透明
基板の一方の面に形成した不透光性薄膜付きの電極形成
用レジストパターンを利用した、所謂セルファライン技
法を用いて該基板の他方の面に全く同一形状の電極形成
用レジストパターンを形成し、これら両電極形成用レジ
ストパターンによって透明電極を形状すれば、該基板の
両面の同一位置に高精度にそれぞれ透明電極を設けるこ
とが可能となる。
基板の一方の面に形成した不透光性薄膜付きの電極形成
用レジストパターンを利用した、所謂セルファライン技
法を用いて該基板の他方の面に全く同一形状の電極形成
用レジストパターンを形成し、これら両電極形成用レジ
ストパターンによって透明電極を形状すれば、該基板の
両面の同一位置に高精度にそれぞれ透明電極を設けるこ
とが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第1図(a)〜(flは本発明に係る多重表示パネルの
電極形成方法の一実施例を工程順に示す要部断面図であ
る。
電極形成方法の一実施例を工程順に示す要部断面図であ
る。
先ず第1図(a)に示すように、例えばガラス板等から
なる中間透明基板31の表□面に第一レジスト膜32を
塗着し、該第一レジスト膜32に対して電極形成用パタ
ーンマスク33を介して露光を行う。
なる中間透明基板31の表□面に第一レジスト膜32を
塗着し、該第一レジスト膜32に対して電極形成用パタ
ーンマスク33を介して露光を行う。
次に第1図(blに示すようにかかる第一レジスト膜3
2上にアルミニウム(A1)などからなる不透光性薄膜
34を被着した後、この第一レジスト膜32の露光部分
とその上の不透光性薄膜34部分とを、リフトオフ法に
より選択的に除去する。
2上にアルミニウム(A1)などからなる不透光性薄膜
34を被着した後、この第一レジスト膜32の露光部分
とその上の不透光性薄膜34部分とを、リフトオフ法に
より選択的に除去する。
次に第1図(C)に示すように前記基板31の裏面に第
二レジスト膜36を塗着すると共に、前記バターニング
された不透光性薄膜34付き表面側電極形成用レジスト
パターン35を裏面側電極形成用のパターンマスクにし
て該第二レジスト膜36を前記基板31を通して選択的
に露光し、かつ現像して第1図(d+に示すように裏面
側電極形成用レジストパターン37を形成する。
二レジスト膜36を塗着すると共に、前記バターニング
された不透光性薄膜34付き表面側電極形成用レジスト
パターン35を裏面側電極形成用のパターンマスクにし
て該第二レジスト膜36を前記基板31を通して選択的
に露光し、かつ現像して第1図(d+に示すように裏面
側電極形成用レジストパターン37を形成する。
しかる後、第1図(e)に示すように前記透明基板31
の両面にそれぞれ不透光性薄膜34付き表面側電極形成
用レジストパターン35及び裏面側電極形成用レジスト
パターン37を介して、例えばインジウム・錫酸化膜(
TTO)などからなる第一、第二透明導電膜38.39
を被着形成する。
の両面にそれぞれ不透光性薄膜34付き表面側電極形成
用レジストパターン35及び裏面側電極形成用レジスト
パターン37を介して、例えばインジウム・錫酸化膜(
TTO)などからなる第一、第二透明導電膜38.39
を被着形成する。
次に前記表裏面の各電極形成用レジストパターン35.
37及びその上の不透光性薄膜34、透明導電膜38.
39を所謂、リフトオフ法によって除去することにより
、第1図(f)に示すように中間透明基板31の両面の
同一位置にそれぞれ透明電極40.41を1μm以下の
位置ズレ 誤差範囲に精度良く形成することができる。
37及びその上の不透光性薄膜34、透明導電膜38.
39を所謂、リフトオフ法によって除去することにより
、第1図(f)に示すように中間透明基板31の両面の
同一位置にそれぞれ透明電極40.41を1μm以下の
位置ズレ 誤差範囲に精度良く形成することができる。
(発明の効果〕
以上の説明から明らかなように、本発明に係る多重表示
パネルの電極形成方法によれば、中間透明基板の一方の
面に形成した不透光性薄膜付きの電極形成用レジストパ
ターンを利用した、所謂セルファライン技法を用いて該
基板の他方の面に全く同一パターン形状の電極形成用レ
ジストパターンを形成することが出来る。
パネルの電極形成方法によれば、中間透明基板の一方の
面に形成した不透光性薄膜付きの電極形成用レジストパ
ターンを利用した、所謂セルファライン技法を用いて該
基板の他方の面に全く同一パターン形状の電極形成用レ
ジストパターンを形成することが出来る。
従って、かかる両電極形成用レジストパターンによって
透明電極を形状すれば、該基板の両面の同一位置に高精
度にそれぞれ透明電極を容易に設けることが可能となる
優れた効果を奏する。
透明電極を形状すれば、該基板の両面の同一位置に高精
度にそれぞれ透明電極を容易に設けることが可能となる
優れた効果を奏する。
第1図(al〜(flは本発明に係る多重表示パネルの
電極形成方法の一実施例を工程順に示 す要部断面図、 第2図は多重表示パネルを概念的に説明するための要部
断面図、 第3図は従来の多重表示パネルにおける中間透明基板に
対する電極形成方法を工程順 に説明するための要部断面図である。 第1図(a)〜(f)において、 31は中間透明基板、32は第一レジスト膜、33は電
極形成用パターンマスク、34は不透光性薄膜、35.
37はレジストパターン、36は第二レジスト膜、38
は第一透明導電膜、39は第二透明導電膜、40.41
は透明電極をそれぞれ示す。 33ハシt〉マス7 Ic) 本茫111r/l突蛤例tひf櫨1zネT字部新血m第
1図
電極形成方法の一実施例を工程順に示 す要部断面図、 第2図は多重表示パネルを概念的に説明するための要部
断面図、 第3図は従来の多重表示パネルにおける中間透明基板に
対する電極形成方法を工程順 に説明するための要部断面図である。 第1図(a)〜(f)において、 31は中間透明基板、32は第一レジスト膜、33は電
極形成用パターンマスク、34は不透光性薄膜、35.
37はレジストパターン、36は第二レジスト膜、38
は第一透明導電膜、39は第二透明導電膜、40.41
は透明電極をそれぞれ示す。 33ハシt〉マス7 Ic) 本茫111r/l突蛤例tひf櫨1zネT字部新血m第
1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 対向する2つの基板の対向面にそれぞれ異種の表示媒体
層に対する一方の電極を形成し、これら基板間に介在す
る中間透明基板(31)の両面に前記異種の表示媒体層
に対する他方の透明電極(40、41)を形成してなる
多重表示パネルにおいて、 上記中間透明基板(31)の両面に前記異種の表示媒体
層に対する他方の透明電極(40、41)を形成するに
際し、該中間透明基板(31)の表面に第一レジスト膜
(32)を塗着し、該第一レジスト膜(32)に電極形
成用パターンマスク(33)を介して露光を行う工程と
、該第一レジスト膜(32)上に不透光性薄膜(34)
を被着し、第一レジスト膜(32)の露光部分をその上
の不透光性薄膜(34)と共に除去する工程と、更に前
記基板(31)の裏面に第二レジスト膜(36)を塗着
し、前記パターニングされた不透光性薄膜(34)付き
レジストパターン(35)を電極形成用パターンマスク
にして第二レジスト膜(36)を選択的に露光してレジ
ストパターン(37)を形成する工程と、前記基板(3
1)の両面にそれぞれ不透光性薄膜(34)及びレジス
トパターン(37)を介して導電膜(38、39)を被
着する工程を行った後、前記導電膜(38、39)が被
着した不透光性薄膜(34)付きレジストパターン(3
5)及びレジストパターン(37)を除去することによ
り、前記基板(31)の両面の同一位置に電極(40、
41)を形成することを特徴とする多重表示パネルの電
極形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31135086A JPH0640250B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 多重表示パネルの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31135086A JPH0640250B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 多重表示パネルの電極形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63159895A true JPS63159895A (ja) | 1988-07-02 |
JPH0640250B2 JPH0640250B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=18016092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31135086A Expired - Fee Related JPH0640250B2 (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | 多重表示パネルの電極形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0640250B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020013059A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 株式会社東芝 | 装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP31135086A patent/JPH0640250B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0640250B2 (ja) | 1994-05-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |