JPS63159705A - マスクとウエハのギヤツプ測定方法 - Google Patents
マスクとウエハのギヤツプ測定方法Info
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- JPS63159705A JPS63159705A JP61314898A JP31489886A JPS63159705A JP S63159705 A JPS63159705 A JP S63159705A JP 61314898 A JP61314898 A JP 61314898A JP 31489886 A JP31489886 A JP 31489886A JP S63159705 A JPS63159705 A JP S63159705A
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- Japan
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- gap
- mask
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- diffraction grating
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 6
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001015 X-ray lithography Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマスクとウェハのギャップ測定方法、特に、Ｘ
線露光装置に適しうるマスクとウエノ・のギャップ測定
方法に関する。
線露光装置に適しうるマスクとウエノ・のギャップ測定
方法に関する。
近年の半導体はＤＲＡＭに代表されるように高集積化が
進む傾向にあシ、超ＬＳＩのパターンの最小線幅もミク
ロンからブブミクロンの領域へ突入しようとしている。
進む傾向にあシ、超ＬＳＩのパターンの最小線幅もミク
ロンからブブミクロンの領域へ突入しようとしている。
このような状況において、従μｍ以下のパターンに対応
できる次世代の露光装置が強く望まれている。この次世
代の露光装置として、現在、Ｘ線露光装置が有望視され
ておシ、研究・開発が進められている。
できる次世代の露光装置が強く望まれている。この次世
代の露光装置として、現在、Ｘ線露光装置が有望視され
ておシ、研究・開発が進められている。
一般に、Ｘ線露光装置では発散Ｘ線が用いられ、投影レ
ンズなどの光学系を構成することができないため、露光
方式はグロキシミテイ露光である。
ンズなどの光学系を構成することができないため、露光
方式はグロキシミテイ露光である。
マスクとウェハのプロキシミテイギャツプは半影ぼけを
小さくするために１０〜１５０μｍと不妊く、ランナウ
ト誤差を小さくするためにギャップ設定を厳しく制御す
る必要がある。したがって、Ｘｌｌ１露光装置における
アライメントは、マスクとウェハの横方向の位置合わせ
に加え、ギャップとめおシを正確に設定しなければなら
ず、そのためのアライメント方法が各種提案されている
。
小さくするために１０〜１５０μｍと不妊く、ランナウ
ト誤差を小さくするためにギャップ設定を厳しく制御す
る必要がある。したがって、Ｘｌｌ１露光装置における
アライメントは、マスクとウェハの横方向の位置合わせ
に加え、ギャップとめおシを正確に設定しなければなら
ず、そのためのアライメント方法が各種提案されている
。
従来の技術としては、例えば、日経マイクロデバイス１
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステッパ［ＭＸ−１６００４がおち「ＭＸ−１６
００４におけるマスクとクエＩ・のアライメントは、マ
スク用マークとしてリニヤ・フレネル・ゾーン・プレー
） （ＬＦＺＰ）と呼ばれる光の回折を利用した集光レ
ンズを用い、ウェハ用マークとして線状回折格子を用い
て行う。このアライメント方法についてはＢ−Ｆａｙら
によＦ） Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉ
ｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ。
９８６年４月号等に紹介されている米マイクロニクス社
のＸ線ステッパ［ＭＸ−１６００４がおち「ＭＸ−１６
００４におけるマスクとクエＩ・のアライメントは、マ
スク用マークとしてリニヤ・フレネル・ゾーン・プレー
） （ＬＦＺＰ）と呼ばれる光の回折を利用した集光レ
ンズを用い、ウェハ用マークとして線状回折格子を用い
て行う。このアライメント方法についてはＢ−Ｆａｙら
によＦ） Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ Ｖａｃｕｕｍ ５ｃｉ
ｅｎｃｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ。
１６（６）ｐｐ、１９５４−１９５８、Ｎｏｖ／Ｄｅｃ
１９７９の“０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｓｕｂ −ｍｉｃｒｏｎ Ｘ−
ｒａｙ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”に報告嘔れ説明する
。
１９７９の“０ｐｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ
Ｓｙｓｔｅｍ ｆｏｒ Ｓｕｂ −ｍｉｃｒｏｎ Ｘ−
ｒａｙ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ”に報告嘔れ説明する
。
第５図はＬＦＺＰを用いたアライメント方法を示す説明
図である。クエへ８には回折格子９が刻印てれておシ、
ウェハ８の上には所定のギャップだけ離れてマスク１０
が対向している。マスク１０には焦点距離がマスクとウ
ェハのギャップ量に等しいＬＦＺＰＩＩが描かれている
。第６図はマスク用マークのＬＦＺＰの構造を示す説明
図である。ＬＦ−ＺＰはいろいろな幅や間隔の縞が並ん
だ構造になで、ｆは焦点距離、λはアライメントに用い
るレーザの波長である。また、第７図はクエ／〜用マー
クの回折格子を示す説明図である。回折格子は大きさの
等しい長方形が等間隔に並んだ構造になっておシ、回折
格子のピッチｄによって回折角度が決まる。
図である。クエへ８には回折格子９が刻印てれておシ、
ウェハ８の上には所定のギャップだけ離れてマスク１０
が対向している。マスク１０には焦点距離がマスクとウ
ェハのギャップ量に等しいＬＦＺＰＩＩが描かれている
。第６図はマスク用マークのＬＦＺＰの構造を示す説明
図である。ＬＦ−ＺＰはいろいろな幅や間隔の縞が並ん
だ構造になで、ｆは焦点距離、λはアライメントに用い
るレーザの波長である。また、第７図はクエ／〜用マー
クの回折格子を示す説明図である。回折格子は大きさの
等しい長方形が等間隔に並んだ構造になっておシ、回折
格子のピッチｄによって回折角度が決まる。
第５図においてマスク１０の上方から入射された平行レ
ーザビーム１２はＬＦＺＰＩＩによシ集光され、クエへ
８面上で焦点を結びスリット状の像をつくる。この結像
したスリットとワエ八８面上の回折格子９が一直線上に
重なると、レーザビームは回折し再びＬＦＺＰＩＩを通
シ平行光となって、位置決め信号及びギャップ設定信号
として検出される。
ーザビーム１２はＬＦＺＰＩＩによシ集光され、クエへ
８面上で焦点を結びスリット状の像をつくる。この結像
したスリットとワエ八８面上の回折格子９が一直線上に
重なると、レーザビームは回折し再びＬＦＺＰＩＩを通
シ平行光となって、位置決め信号及びギャップ設定信号
として検出される。
マスク上のＬＦＺＰＩＩの焦点距離ｆをマスクとウェハ
のギャップ設定値Ｓ。と同じにしておくと、マスクとウ
ェハのギャップＳが８０と等しくなったときに検出器の
出力が最大となる。第８図は前述のＢ−Ｆａｙの文献に
記述された実験結果である。
のギャップ設定値Ｓ。と同じにしておくと、マスクとウ
ェハのギャップＳが８０と等しくなったときに検出器の
出力が最大となる。第８図は前述のＢ−Ｆａｙの文献に
記述された実験結果である。
ＬＰＩＰの焦点距離はｆ＝２０μｍで、マスクとウェハ
のギャップＳを１０μｍから・５０μｍｔで亥えると８
＝２０μｍのとき検出器の出力が最大となる。したがっ
て検出器の出力が最大となるようにギャップを制御すれ
は、所定のギャップ量を設定することができる。
のギャップＳを１０μｍから・５０μｍｔで亥えると８
＝２０μｍのとき検出器の出力が最大となる。したがっ
て検出器の出力が最大となるようにギャップを制御すれ
は、所定のギャップ量を設定することができる。
上述した従来のアライメント方法は、ギャップ設定の制
御としては、検出器の出力が最大となるように制御する
方法であるので、マスク又はりエバのステージを実際に
動かして、検出器の出力が最大となる点をさがしだす方
法が取られていた。
御としては、検出器の出力が最大となるように制御する
方法であるので、マスク又はりエバのステージを実際に
動かして、検出器の出力が最大となる点をさがしだす方
法が取られていた。
この方法ではＸ線露光中にマスク又はウェハを動かすこ
とができないので、露光前にギャップを合わせ込んだう
えで、露光中はその位置を保持していくことによシ、ギ
ャップの設定を維持していた。
とができないので、露光前にギャップを合わせ込んだう
えで、露光中はその位置を保持していくことによシ、ギ
ャップの設定を維持していた。
前述の米マイクロニクス社のＸ線ステッパ「ＭＸ１６０
０４では！スフステージの内に差動トランスを組み込ん
で、ギャップの設定を維持していた。
０４では！スフステージの内に差動トランスを組み込ん
で、ギャップの設定を維持していた。
このため装置が複雑になるという欠点があった。
嘔らに露光中にギャップがずれていく怖れがあった。現
時点で入手できるＸ線源はエネルギ密度が低く、又Ｘ線
レジストの感度が悪いために１回の露光時間は１０分前
後がふつうである。このため、ステージ駆動系、検出器
アンプのドリフトや露光中の温度変化による寸法変化等
が生じ一１設定したギャップがずれていくという欠点が
あった。
時点で入手できるＸ線源はエネルギ密度が低く、又Ｘ線
レジストの感度が悪いために１回の露光時間は１０分前
後がふつうである。このため、ステージ駆動系、検出器
アンプのドリフトや露光中の温度変化による寸法変化等
が生じ一１設定したギャップがずれていくという欠点が
あった。
マスクとウェハを対向して設置し、前記マスク上に焦点
距離が異なる第１と第２のリニアフレネルゾーンプレー
トを設け、前記ウェハ上にはピッチの異なる第１と第２
の回折格子を設け、レーザ光を前記マスク上の前記第１
と第２のリニアフレネルゾーンプレートに照射し、前記
ウェハ上の前記第１と第２の回折格子からの反射回折光
を第１と第２検出器で検出して、前記第１と第２の検出
器の出力信号の大小を比較することを特徴とするマスク
とウェハのギャップ測定方法を含んで構成される。
距離が異なる第１と第２のリニアフレネルゾーンプレー
トを設け、前記ウェハ上にはピッチの異なる第１と第２
の回折格子を設け、レーザ光を前記マスク上の前記第１
と第２のリニアフレネルゾーンプレートに照射し、前記
ウェハ上の前記第１と第２の回折格子からの反射回折光
を第１と第２検出器で検出して、前記第１と第２の検出
器の出力信号の大小を比較することを特徴とするマスク
とウェハのギャップ測定方法を含んで構成される。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図である。
第１図に示すマスクとウェハのギャップ測定方法は、マ
スク１に互いに焦点距離の異なる第１のＬＰ−Ｚｒ２と
第２のＬＦＺＰ３を近接して設け、マスクｌに対向する
フェノ１４上に第１のＬＦＺＰ２に対向する第１の回折
格子５と第２のＬＦＺＰ３に対向し第１の回折格子５と
ピッチの異なる第２の回折格子６を設け、マスク１上の
第１のＬＦＺＰ２と第２のＬＦＺＰ３に平行レーザビー
ム７を照射し、ウェハ４上の第１の回折格子５と第２の
回折格子６からの反射回折光を２個の検出器でそれぞれ
検出し、２個の検出器からの出力を比較してギャップを
測定することを含んで構成される。
スク１に互いに焦点距離の異なる第１のＬＰ−Ｚｒ２と
第２のＬＦＺＰ３を近接して設け、マスクｌに対向する
フェノ１４上に第１のＬＦＺＰ２に対向する第１の回折
格子５と第２のＬＦＺＰ３に対向し第１の回折格子５と
ピッチの異なる第２の回折格子６を設け、マスク１上の
第１のＬＦＺＰ２と第２のＬＦＺＰ３に平行レーザビー
ム７を照射し、ウェハ４上の第１の回折格子５と第２の
回折格子６からの反射回折光を２個の検出器でそれぞれ
検出し、２個の検出器からの出力を比較してギャップを
測定することを含んで構成される。
第２図は第１図に示すＬＦＺＰと回折格子を示す説明図
である。マスク１に照射された平行レーザビーム７は第
１のＬＦＺＰ２と第２のＬＦＺＰ３によって集光される
。このとき第１のＬＦＺＰ２の焦点距離ｆ１と第２のＬ
ＦＺＰ３の焦点距離ｆｘは、マスクとウェハの設定ギャ
ップ量をｄｌ、ギャップの定ギヤツプ量ｄ・を３０（μ
ｍ〕、ギャップの検出範囲を２０（μｍ〕とすると、第
１のＬＦＺＰ２の焦点距離は２０（μｍ）、第２のＬＦ
ＺＰ３の焦点距離は４０〔μｍ〕になる。このときのギ
ャップｄと検出器の出力■との関係を図３に示す。第１
のＬＦＺＰ２からのもどり光を検出した第１のセンス信
号ａはギャップが２０（μｍ〕のときにピークになシ、
第２のＬＦＺＰ３からのもど多光を検出した第２のセン
ス信号すはギャップが４０〔μｍ〕のときにピークにな
る。第１の信号ａと第２の信号すとの差をギャップ信号
Ｃとして、ギャップ信号Ｃの波形を図４に示す。第１の
センス信号ａと第２のセンス信号すはそれぞれの焦点距
離ｆ＊、ｆ＊に関して±１０（μｍ〕の範囲においては
ほぼ対称な曲線になっているので、ギャップ信号Ｃはギ
ャップｄが設定ギャップ量である３０（μｍ〕のときＯ
となり、ギャップｄが２０〔μｍ〕から４０〔μｍ〕の
範囲においてほぼ直線的に変化する。したがって、この
ギャップ信号Ｃを用いることによシ、設定ギャップ量ｄ
０に対してサーボをかけることが可能となる。
である。マスク１に照射された平行レーザビーム７は第
１のＬＦＺＰ２と第２のＬＦＺＰ３によって集光される
。このとき第１のＬＦＺＰ２の焦点距離ｆ１と第２のＬ
ＦＺＰ３の焦点距離ｆｘは、マスクとウェハの設定ギャ
ップ量をｄｌ、ギャップの定ギヤツプ量ｄ・を３０（μ
ｍ〕、ギャップの検出範囲を２０（μｍ〕とすると、第
１のＬＦＺＰ２の焦点距離は２０（μｍ）、第２のＬＦ
ＺＰ３の焦点距離は４０〔μｍ〕になる。このときのギ
ャップｄと検出器の出力■との関係を図３に示す。第１
のＬＦＺＰ２からのもどり光を検出した第１のセンス信
号ａはギャップが２０（μｍ〕のときにピークになシ、
第２のＬＦＺＰ３からのもど多光を検出した第２のセン
ス信号すはギャップが４０〔μｍ〕のときにピークにな
る。第１の信号ａと第２の信号すとの差をギャップ信号
Ｃとして、ギャップ信号Ｃの波形を図４に示す。第１の
センス信号ａと第２のセンス信号すはそれぞれの焦点距
離ｆ＊、ｆ＊に関して±１０（μｍ〕の範囲においては
ほぼ対称な曲線になっているので、ギャップ信号Ｃはギ
ャップｄが設定ギャップ量である３０（μｍ〕のときＯ
となり、ギャップｄが２０〔μｍ〕から４０〔μｍ〕の
範囲においてほぼ直線的に変化する。したがって、この
ギャップ信号Ｃを用いることによシ、設定ギャップ量ｄ
０に対してサーボをかけることが可能となる。
本発明のマスクとウェハのギャップ測定方法では、マス
ク上に近接して設けられた焦点距離の異なる２個ＬＦＺ
Ｐを通過したレーザビームをそれぞれ別の検出器で検出
しなければならない。そのため、ウェハ上にそれぞれピ
ッチの異なる２個の回折格子を設け、回折角度を変える
ことによってそれぞれのＬＦＺＰを通過したレーザビー
ムを空間的に分離している。これは結果的に、検出すべ
きウェハからの反射回折光とマスク面での反射光とを空
間的に分離することにもな９、ウェハ用マークとして回
折格子を用いることによＦ）ＳｌＮ比も高めている。ま
た、２個の回折格子からの反射回折光については、ビー
ムの強度の点から一次回折光を検出するのが好ましい。
ク上に近接して設けられた焦点距離の異なる２個ＬＦＺ
Ｐを通過したレーザビームをそれぞれ別の検出器で検出
しなければならない。そのため、ウェハ上にそれぞれピ
ッチの異なる２個の回折格子を設け、回折角度を変える
ことによってそれぞれのＬＦＺＰを通過したレーザビー
ムを空間的に分離している。これは結果的に、検出すべ
きウェハからの反射回折光とマスク面での反射光とを空
間的に分離することにもな９、ウェハ用マークとして回
折格子を用いることによＦ）ＳｌＮ比も高めている。ま
た、２個の回折格子からの反射回折光については、ビー
ムの強度の点から一次回折光を検出するのが好ましい。
このとき、片方の一次回折光ともう片方の高次回折光が
干渉しないように、２個の回折格子のピッチを非整数倍
にしておき、さらに、回折格子の幅は、マスクとウェハ
の位置ずれによるギャップ信号の変動を無くすために、
ＬＦＺＰの幅と同程度に広くする必要がある。
干渉しないように、２個の回折格子のピッチを非整数倍
にしておき、さらに、回折格子の幅は、マスクとウェハ
の位置ずれによるギャップ信号の変動を無くすために、
ＬＦＺＰの幅と同程度に広くする必要がある。
〔発明の効果ゴ
本発明のマスクとウェハのギャップ測定法は、所定のギ
ャップ量に等しい焦点距離を有する１個のＬＦＺＰを設
ける代シに、互いに焦点距離の異なる２個のＬＦＺＰを
設けることによシ、２個＋７） ＬＦＺＰからのビーム
のセンス信号を比較することによってギャップのずれに
比例した信号が、得られるため、設定したギャップに対
してサーボがかけられるので、露光中にも安定したギャ
ップ設定が行えるという効果がある。また、マスク又は
ウェハのステージを実際に動かして検出器の出力が最大
となる点を探す代）に、閉ループのサーボ系を構成して
ギャップ設定を行うため、ギャップ設定のシーケンスが
簡単にな）、別にギャップ測定用のセンサが必要ないの
で、装置が単純になるという効果がある０
ャップ量に等しい焦点距離を有する１個のＬＦＺＰを設
ける代シに、互いに焦点距離の異なる２個のＬＦＺＰを
設けることによシ、２個＋７） ＬＦＺＰからのビーム
のセンス信号を比較することによってギャップのずれに
比例した信号が、得られるため、設定したギャップに対
してサーボがかけられるので、露光中にも安定したギャ
ップ設定が行えるという効果がある。また、マスク又は
ウェハのステージを実際に動かして検出器の出力が最大
となる点を探す代）に、閉ループのサーボ系を構成して
ギャップ設定を行うため、ギャップ設定のシーケンスが
簡単にな）、別にギャップ測定用のセンサが必要ないの
で、装置が単純になるという効果がある０
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は第１
図に示すＬＦＺＰと回折格子を示す説明図、第３図は２
個の検出器の出力を示すグラフ、第４図はギャップ信号
を示すグラフ、第５図は従来のＬＦＺＰ ｔ−用いたア
ライメント方法を示す説明図、第６図はＬＦＺＰの構造
を示す説明図、第７図は回折格子の構造を示す説明図、
第８図はギャップと検出器出力の関係を示すグラフであ
る。 ４．８・・・・・・ウェハ、５・・・・・・回折格子、
６・出・・回折格子、７．１２・・・・・・レーザビー
ム、９・・・・・・回折格子、１１−−−−−・ＬＦＺ
Ｐ０ 茅 Ｉ 閃 ＄ ２ 田 声 、３ 図 茅 ４ 関 芽 ５ 閤
図に示すＬＦＺＰと回折格子を示す説明図、第３図は２
個の検出器の出力を示すグラフ、第４図はギャップ信号
を示すグラフ、第５図は従来のＬＦＺＰ ｔ−用いたア
ライメント方法を示す説明図、第６図はＬＦＺＰの構造
を示す説明図、第７図は回折格子の構造を示す説明図、
第８図はギャップと検出器出力の関係を示すグラフであ
る。 ４．８・・・・・・ウェハ、５・・・・・・回折格子、
６・出・・回折格子、７．１２・・・・・・レーザビー
ム、９・・・・・・回折格子、１１−−−−−・ＬＦＺ
Ｐ０ 茅 Ｉ 閃 ＄ ２ 田 声 、３ 図 茅 ４ 関 芽 ５ 閤
Claims (1)
- マスクとウエハを対向して設置し、前記マスク上に焦点
距離が異なる第１と第２のリニアフレネルゾーンプレー
トを設け、前記ウエハ上にはピッチの異なる第１と第２
の回折格子を設け、レーザ光を前記マスク上の前記第１
と第２のリニアフレネルゾーンプレートに照射し、前記
ウエハ上の前記第１と第２の回折格子からの反射回折光
を第１と第２の検出器で検出して、前記第１と第２の検
出器の出力信号の大小を比較することを特徴とするマス
クとウエハのギャップ測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314898A JPS63159705A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | マスクとウエハのギヤツプ測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61314898A JPS63159705A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | マスクとウエハのギヤツプ測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159705A true JPS63159705A (ja) | 1988-07-02 |
Family
ID=18058962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61314898A Pending JPS63159705A (ja) | 1986-12-23 | 1986-12-23 | マスクとウエハのギヤツプ測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63159705A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0439322A2 (en) * | 1990-01-23 | 1991-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Device and method for measuring the gap between two opposed objects |
-
1986
- 1986-12-23 JP JP61314898A patent/JPS63159705A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0439322A2 (en) * | 1990-01-23 | 1991-07-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Device and method for measuring the gap between two opposed objects |
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