JPS63159293A - 単結晶薄膜の製法 - Google Patents
単結晶薄膜の製法Info
- Publication number
- JPS63159293A JPS63159293A JP30375786A JP30375786A JPS63159293A JP S63159293 A JPS63159293 A JP S63159293A JP 30375786 A JP30375786 A JP 30375786A JP 30375786 A JP30375786 A JP 30375786A JP S63159293 A JPS63159293 A JP S63159293A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- thin film
- fluorosilane
- substrate
- silane
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は単結晶薄膜の製法に関し、特にシリコン単結晶
薄膜の低温形成に関する。
薄膜の低温形成に関する。
［背景技術］
単結晶薄膜の低温形成法は、半導体装置の高集積化を達
成する為に非常に重要な技術として最近注目されており
、このために各種のアプローチがなされている。しかし
ながら、たとえば、モノシランの熱ＣＶＤ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：化学
気相蒸着）法では約１０００〜１１００°Ｃ程度の高温
が必要であり、また、我々の検討の結果によれば、フロ
ロシランもしくはジシランの光ＣＶＤ法においては、約
６００〜７００℃程度の温度が必要であった。このよう
に従来の技術においては、まだかなりの高温が必要であ
り、現在のところ、必ずしも満足されうる低温での単結
晶薄膜の形成技術は完成されていない状況にある。
成する為に非常に重要な技術として最近注目されており
、このために各種のアプローチがなされている。しかし
ながら、たとえば、モノシランの熱ＣＶＤ （Ｃｈｅｍ
ｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ：化学
気相蒸着）法では約１０００〜１１００°Ｃ程度の高温
が必要であり、また、我々の検討の結果によれば、フロ
ロシランもしくはジシランの光ＣＶＤ法においては、約
６００〜７００℃程度の温度が必要であった。このよう
に従来の技術においては、まだかなりの高温が必要であ
り、現在のところ、必ずしも満足されうる低温での単結
晶薄膜の形成技術は完成されていない状況にある。
本発明者はシランおよびフロロシランを光分解（光ＣＶ
Ｄ法）することにより、低温で単結晶薄膜を形成し得る
技術を基本的に完成し、先に提案したく特願昭６０−２
１５１７０号、特願昭６０−２１５１’７１号、特願昭
６０−２１５１７２号、特願昭６０−２１５１７３号）
。
Ｄ法）することにより、低温で単結晶薄膜を形成し得る
技術を基本的に完成し、先に提案したく特願昭６０−２
１５１７０号、特願昭６０−２１５１’７１号、特願昭
６０−２１５１７２号、特願昭６０−２１５１７３号）
。
しかしなが駅この光ＣＶＤ法では、膜形成時間が長くな
るにつれて、わずかずつではあるが光透過窓が曇り、光
の透過量が徐々に低下するという実用上の問題点があっ
た。
るにつれて、わずかずつではあるが光透過窓が曇り、光
の透過量が徐々に低下するという実用上の問題点があっ
た。
この問題を解決すぺ（さらに検討を進めた結果、フロロ
シランとシランの混合ガスに水素を過剰量加えた原料ガ
スを用いることにより、３００℃以下の基板温度におい
てさえも、単結晶シリコン薄膜が、光ＣＶＤよりも大面
積化、高速製造性等において、実用性の高い放電分解に
よって成長することを見出し、本発明を完成した。
シランとシランの混合ガスに水素を過剰量加えた原料ガ
スを用いることにより、３００℃以下の基板温度におい
てさえも、単結晶シリコン薄膜が、光ＣＶＤよりも大面
積化、高速製造性等において、実用性の高い放電分解に
よって成長することを見出し、本発明を完成した。
［発明の開示］
本発明は、シラン、フロロシランおよび過剰量の水素か
らなる混合ガスを放電分解して基板上に形成することを
特徴とする単結晶薄膜の製法、を要旨とするものである
。
らなる混合ガスを放電分解して基板上に形成することを
特徴とする単結晶薄膜の製法、を要旨とするものである
。
以下、本発明の詳細な説明する。
本発明においては、シランとして、５ｉｎ）ｌｘｓ＋ｚ
（−は１〜３の整数）で表わされるモノシラン、ジシラ
ン、トリシランなどが有効に用いられる。
（−は１〜３の整数）で表わされるモノシラン、ジシラ
ン、トリシランなどが有効に用いられる。
また、フロロシランとしては５ＩＨ４−１１ＦＴｌ （
ｎ・１〜４の整数）で表されるフロロモノシランまたは
５ｉｔｅｓが有効に用いられる。
ｎ・１〜４の整数）で表されるフロロモノシランまたは
５ｉｔｅｓが有効に用いられる。
本発明は、かかるフロロシランおよびシランとともに過
剰量の水素を存在せしめ、すなわち、フロロシラン、シ
ランおよび過剰量の水素からなる混合ガス、好ましくは
シランとフロロシランに対して５倍量以上の水素を含む
混合ガスとし、これを放電により分解し、加熱された結
晶性基板上に単結晶薄膜を形成する方法である。
剰量の水素を存在せしめ、すなわち、フロロシラン、シ
ランおよび過剰量の水素からなる混合ガス、好ましくは
シランとフロロシランに対して５倍量以上の水素を含む
混合ガスとし、これを放電により分解し、加熱された結
晶性基板上に単結晶薄膜を形成する方法である。
本発明における放電分解は高周波グロー放電、直流グロ
ー放電、マイクロ波放電などを有効に利用することがで
きる。
ー放電、マイクロ波放電などを有効に利用することがで
きる。
また本発明では、単結晶薄膜を、基板上に、特に好まし
いＢ様として単結晶からなる基板上にエピタキシャル成
長させるものであり、該基板としてはシリコンウェハー
やサファイアなどが用いられる。
いＢ様として単結晶からなる基板上にエピタキシャル成
長させるものであり、該基板としてはシリコンウェハー
やサファイアなどが用いられる。
本発明においては、上記のごとく、フロロシランとシラ
ンに対して過剰量の水素を共存させた状態で放電分解す
ることが好ましいのであるが、さらに好ましくは、シラ
ンとフロロシランに対して５倍量以上の水素を混合した
ガスを放電分解するものである。
ンに対して過剰量の水素を共存させた状態で放電分解す
ることが好ましいのであるが、さらに好ましくは、シラ
ンとフロロシランに対して５倍量以上の水素を混合した
ガスを放電分解するものである。
この混合ガス比については、単結晶薄膜を形成する薄膜
形成装置への原料ガス供給流量（容量）比で表わすこと
が便利である。好ましい流量比の範囲はつぎの通りであ
る。すなわち、フロロシラン／シラン−０，５〜５０、
特に好ましくは１〜２０である。また、水素／（フロロ
シラン＋シラン）は５以上である。蓋し、単結晶薄膜は
水素添加量の過剰の領域で形成されやすい傾向にあるか
らである。但し、水素添加量を多くしすぎると、単結晶
薄膜の成長速度が低下するので好ましくないので、本発
明において好ましい混合比は、水素／（フロロシラン＋
シラン）５〜１００、さらに好ましくは１０〜５０、特
に好ましくは１２〜３０の範囲である。
形成装置への原料ガス供給流量（容量）比で表わすこと
が便利である。好ましい流量比の範囲はつぎの通りであ
る。すなわち、フロロシラン／シラン−０，５〜５０、
特に好ましくは１〜２０である。また、水素／（フロロ
シラン＋シラン）は５以上である。蓋し、単結晶薄膜は
水素添加量の過剰の領域で形成されやすい傾向にあるか
らである。但し、水素添加量を多くしすぎると、単結晶
薄膜の成長速度が低下するので好ましくないので、本発
明において好ましい混合比は、水素／（フロロシラン＋
シラン）５〜１００、さらに好ましくは１０〜５０、特
に好ましくは１２〜３０の範囲である。
本発明において、混合ガスの形成方法は臨界的な因子で
はなく特に限定されるものではない、たとえば、該形成
装置外であらかじめ混合したガスを導入することや、該
形成装置内で、上記の希釈度合を満足すべく水素を混合
することのいずれも有用である。もちろん、水素希釈の
フロロシランやシランを使用することもなんら支障がな
い。
はなく特に限定されるものではない、たとえば、該形成
装置外であらかじめ混合したガスを導入することや、該
形成装置内で、上記の希釈度合を満足すべく水素を混合
することのいずれも有用である。もちろん、水素希釈の
フロロシランやシランを使用することもなんら支障がな
い。
また、本発明において、放電分解に用いる電力を発生す
る電源も臨界的な条件ではなく特に限定されるものでは
ない、具体的示例としては、高周波電源、直流高圧電源
、マイクロ波電源などが有用である。
る電源も臨界的な条件ではなく特に限定されるものでは
ない、具体的示例としては、高周波電源、直流高圧電源
、マイクロ波電源などが有用である。
さらに本発明において、放電分解時の混合ガス圧力や供
給電力については特に臨界的に限定される条件はない、
これらの条件は単結晶薄膜の成長速度に影響を与えるも
のであり、成長速度に応じて基板温度を適宜変更するこ
とで効果的に単結晶薄膜をエピタキシャル成長させるこ
とができる。
給電力については特に臨界的に限定される条件はない、
これらの条件は単結晶薄膜の成長速度に影響を与えるも
のであり、成長速度に応じて基板温度を適宜変更するこ
とで効果的に単結晶薄膜をエピタキシャル成長させるこ
とができる。
本発明の特にすぐれた特徴の一つとして、単結晶薄膜を
形成する温度が従来の方法に比較して極めて低いことが
挙げられる。
形成する温度が従来の方法に比較して極めて低いことが
挙げられる。
［発明を実施するための好ましい形Ｌｉｔ］つぎに本発
明の実施のＪ！！様についてしるす、放電手段、基板導
入手段、基板保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、
真空排気手段を少なくとも有する薄膜形成装置内に洗浄
およびまたはエツチングにより表面を清浄にした単結晶
材料の基板を設置し真空排気下基板を１００〜４００℃
に加熱する、原料ガスはシランに対するフロロシランの
流量比を１〜１０とし、かつ（フロロシラン＋シラン）
に対する水素の流量比を５倍以上、より好ましくは１０
倍以上として該装置に供給される。真空排気手段で該装
置内の圧力を１０Ｔｏｒｒ以下として、１〜１００ Ｗ
で放電を開始する。放電開始と共に薄膜の形成が始まる
ので成膜速度を考慮にいれて必要膜厚になる時間におい
て放電をとめる。また、膜厚モニターによって膜厚を計
測しつつ、成膜時間を決めることもできる。
明の実施のＪ！！様についてしるす、放電手段、基板導
入手段、基板保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、
真空排気手段を少なくとも有する薄膜形成装置内に洗浄
およびまたはエツチングにより表面を清浄にした単結晶
材料の基板を設置し真空排気下基板を１００〜４００℃
に加熱する、原料ガスはシランに対するフロロシランの
流量比を１〜１０とし、かつ（フロロシラン＋シラン）
に対する水素の流量比を５倍以上、より好ましくは１０
倍以上として該装置に供給される。真空排気手段で該装
置内の圧力を１０Ｔｏｒｒ以下として、１〜１００ Ｗ
で放電を開始する。放電開始と共に薄膜の形成が始まる
ので成膜速度を考慮にいれて必要膜厚になる時間におい
て放電をとめる。また、膜厚モニターによって膜厚を計
測しつつ、成膜時間を決めることもできる。
［発明の効果］
本発明において得られる単結晶薄膜は基板の温度が３０
０℃以下の低温、さらには２００℃以下というきわめて
低い温度においても形成されるものである。高集積化の
ために、半導体薄膜や半導体装置の低温形成技術が熱望
されている半導体装置の製造分野に対して、本発明は極
めて有用な技術を提供するものである。
０℃以下の低温、さらには２００℃以下というきわめて
低い温度においても形成されるものである。高集積化の
ために、半導体薄膜や半導体装置の低温形成技術が熱望
されている半導体装置の製造分野に対して、本発明は極
めて有用な技術を提供するものである。
また本発明は、光ＣＶＤ法のように、増悪剤たる有害な
水銀を必要としないので公害防止面からもすぐれた技術
である。さらに、光ＣＶＤ法よりも高速成膜が達成され
るので実用面からもすぐれた技術と云わざるを得ない。
水銀を必要としないので公害防止面からもすぐれた技術
である。さらに、光ＣＶＤ法よりも高速成膜が達成され
るので実用面からもすぐれた技術と云わざるを得ない。
［実施例１］
高周波電力導入手段および放電電極、基板導入取り出し
手段、基板保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、真
空排気手段、基板導入取り出し室を設備された薄膜形成
装置を用いて本発明を実施した。基板導入取り出し手段
を用いて膜付けのための基板であるところの洗浄済のＰ
型シリコンウェハー（１００）を基板導入取り出し室か
ら基板導入取り出し手段を用いて導入し基板保持手段に
設置した。真空排気手段で真空排気しつつ基板加熱手段
により該基板を２５０°Ｃに加熱した。ついでモノシラ
ン（ＳｉＨａ ） ／ジフロロシラン（ＳｉＨｚＦｔ
） ／水素を１１５／１００の流量比で導入し、真空排
気手段に設備されている圧力調節機構で薄膜形成装置内
の圧力をＩ Ｔｏｒｒに調節保持した。基板の温度およ
び薄膜形成装置内の圧力が一定となった時、高周波電力
導入手段により放ｉｔ極に２０Ｗの高周波電力を印加し
グロー放電を開始した。膜厚が約６０００Ａになった時
に放電を停止する。平均の成膜速度は０．３八八であっ
た。冷却後基板を取り出して観察したところ、基板面は
曇りの全くない鏡面であった０表面を反射電子線回折（
ＲＨＥＥＤ ）により観察して、基板と同一のストリー
ク状のラウェ斑点を得て、該基板面から単結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長していることを確認した。その抵抗率
は１００Ω・Ｃ−以上であった。
手段、基板保持手段、基板加熱手段、ガス導入手段、真
空排気手段、基板導入取り出し室を設備された薄膜形成
装置を用いて本発明を実施した。基板導入取り出し手段
を用いて膜付けのための基板であるところの洗浄済のＰ
型シリコンウェハー（１００）を基板導入取り出し室か
ら基板導入取り出し手段を用いて導入し基板保持手段に
設置した。真空排気手段で真空排気しつつ基板加熱手段
により該基板を２５０°Ｃに加熱した。ついでモノシラ
ン（ＳｉＨａ ） ／ジフロロシラン（ＳｉＨｚＦｔ
） ／水素を１１５／１００の流量比で導入し、真空排
気手段に設備されている圧力調節機構で薄膜形成装置内
の圧力をＩ Ｔｏｒｒに調節保持した。基板の温度およ
び薄膜形成装置内の圧力が一定となった時、高周波電力
導入手段により放ｉｔ極に２０Ｗの高周波電力を印加し
グロー放電を開始した。膜厚が約６０００Ａになった時
に放電を停止する。平均の成膜速度は０．３八八であっ
た。冷却後基板を取り出して観察したところ、基板面は
曇りの全くない鏡面であった０表面を反射電子線回折（
ＲＨＥＥＤ ）により観察して、基板と同一のストリー
ク状のラウェ斑点を得て、該基板面から単結晶薄膜がエ
ピタキシャル成長していることを確認した。その抵抗率
は１００Ω・Ｃ−以上であった。
［実施例２〜１３］および［比較例］
実施例１の装置を利用して、第１表に示したガス流量比
、圧力、放電電力でエピタキシャル膜を作成した。基板
温度は２００〜３００°Ｃの間で保持した。成膜速度は
第１表に示した。単結晶であるか否かは、ＲＨＥＥＤパ
ターンにストリークが現れるか否かで判定した。また、
単結晶の比抵抗はすべて１００Ω・Ｃ−以上であった。
、圧力、放電電力でエピタキシャル膜を作成した。基板
温度は２００〜３００°Ｃの間で保持した。成膜速度は
第１表に示した。単結晶であるか否かは、ＲＨＥＥＤパ
ターンにストリークが現れるか否かで判定した。また、
単結晶の比抵抗はすべて１００Ω・Ｃ−以上であった。
比較のために水素希釈量が５倍よりも少ないものを示し
た。このときには、リング状のＲ）ＩＥＥＤパターンが
得られ、単結晶でないことを確認した。
た。このときには、リング状のＲ）ＩＥＥＤパターンが
得られ、単結晶でないことを確認した。
Claims (6)
- （１）シラン、フロロシランおよび過剰量の水素からな
る混合ガスを放電分解して基板上に形成することを特徴
とする単結晶薄膜の製法。 - （２）放電分解せしめられる混合ガスの組成比はシラン
およびフロロシランにたいして水素は少なくとも５倍量
以上である特許請求の範囲第１項記載の製法。 - （３）フロロシランがＳｉＨ＿４＿−＿ｎＦ＿ｎ（ｎ＝
１〜４の整数）で表されるフロロモノシランまたはＳｉ
＿２Ｆ＿６である特許請求の範囲第１項記載の製法。 - （４）シランがＳｉ＿ｍＨ＿２＿ｍ＿＋＿２（ｍ＝１〜
３の整数）である特許請求の範囲第１項記載の製法。 - （５）結晶性基板上に単結晶薄膜がエピタキシャルに形
成される特許請求の範囲第１項記載の製法。 - （６）シラン、フロロシランおよび水素からなる混合ガ
スをグロー放電により分解し、加熱された結晶性基板上
にエピタキシャル形成する特許請求の範囲第１項記載の
製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30375786A JPH0733316B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 単結晶薄膜の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30375786A JPH0733316B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 単結晶薄膜の製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63159293A true JPS63159293A (ja) | 1988-07-02 |
| JPH0733316B2 JPH0733316B2 (ja) | 1995-04-12 |
Family
ID=17924907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30375786A Expired - Fee Related JPH0733316B2 (ja) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | 単結晶薄膜の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0733316B2 (ja) |
-
1986
- 1986-12-22 JP JP30375786A patent/JPH0733316B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0733316B2 (ja) | 1995-04-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |