JPS6315880Y2 - - Google Patents

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JPS6315880Y2
JPS6315880Y2 JP11358679U JP11358679U JPS6315880Y2 JP S6315880 Y2 JPS6315880 Y2 JP S6315880Y2 JP 11358679 U JP11358679 U JP 11358679U JP 11358679 U JP11358679 U JP 11358679U JP S6315880 Y2 JPS6315880 Y2 JP S6315880Y2
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JP
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bias
potential
developing
sleeve
developing device
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JP11358679U
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JPS5632850U (ja
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  • Developing For Electrophotography (AREA)
  • Magnetic Brush Developing In Electrophotography (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、電子写真装置に用いられる現像装置
に関する。
一般に、磁気ブラシ現像装置などのような対向
電極型の現像装置では、光導電層と対向する現像
電極に光導電層の表面電位と同じ向きのバイアス
電圧を印加して、非潜像面に反撥電界を形成し、
トナー電荷の鏡像力や物理的駆動力、機械的付着
力にうちかつて、地肌汚れを防ぎ見かけ上の感度
を上げる手法がとられている。したがつて、この
手法をより効果的に行うには、各原稿のパター
ン、言換えれば潜像形成プロセスを経た光導電層
表面の平均電位に応じてバイアス電位を決定すれ
ばよいこととなる。
これまでに多く提案されてきたオートバイアス
法は上述した理念に基づくもので、露光後の潜像
が現像電極に到達するまでの間に、その潜像電位
を検出し、その検出出力によつて現像バイアス電
位を決定してゆこうとするものである。
ところが、複写機に代表される電子写真装置の
感光体ドラム1上には、第1図に見られるよう
に、その周上に帯電器2、露光部3、現像装置
4、転写帯電器5、除電器6、クリーニング装置
7といつた作像プロセス部材が配列されているた
め、露光部3と現像器4の間隙は狭く、表面電位
検出器7が検出できる範囲Sは、潜像先端付近の
数cmに限られる。したがつて、たとえば画像の前
半が写真などの高電位潜像、後半が白地肌の多い
低電位潜像のような場合には、高電位部を地肌と
してしまうため、非常に高いバイアスを電極に印
加する結果、後半の文字などが飛んでしまうとい
つた不都合を生じる。
このような不都合を解消するには、表面電位の
測定範囲Sを大きくすれば足りるが、露光部3と
現像器4との間隔をいたずらに大きくすることは
装置の大型化に繋がるばかりでなく、電位減衰が
生じて、画像のコントラストを低下させることに
なる。また、表面電位の変化に応じてその都度バ
イアス電位を補正する方策は、画像濃度が部分的
に変化してしまうことにもなつて現実的ではな
い。
本考案は、オートバイアス法における上述した
不都合を解消することを目的としたもので、装置
のレイアウトを変更することなく測定範囲の拡大
を可能にするとともに、従来のオートバイアス法
によるものより高いコントラストを画像に与え得
る新たな装置を提案するものである。
以下、本考案の詳細を図面に基づいて説明す
る。
第2図は本考案の一実施例を示すもので、第1
図と共通する部分には同一符号を付してある。同
図中符号4は二成分系現像剤を用いて現像する磁
気ブラシ現像装置で、内部に磁気ブラシ形成用の
第1スリーブ4aと、第2スリーブ4bを配し、
これにより現像巾を長くして高速複写を可能にし
てある。これら2本のスリーブ4a,4bのう
ち、露光部3側の第1スリーブ4aは、固定バイ
アス電源10と接続させ、低めの電位VE1のバイ
アスが印加してある。また、露光部3から離れて
位置する第2スリーブ4aには、表面電位検出器
7の出力側に繋がるオートバイアス演算回路8及
びバイアス付勢回路9を介して可変のバイアス電
位VE2が印加できるよう構成してある。
上述した実施例において、現像部に達した潜像
は、まず低めのバイアス電位VE1がかけられたス
リーブ4a上の磁気ブラシにより能率よく現像さ
れる。ついで、表面電位検出器7により、潜像先
端が第2スリーブ4bに到るまでの広い範囲S′の
光導電層表面から平均電位Vsを検出し、この出
力に基づいて第2スリーブ4bに高い電位VE2
バイアスを印加する。これにより、第2スリーブ
4bは、第1スリーブ4aの現像の際付着した地
肌部のトナーを掻き取り、画像に高いコントラス
トを与える。
黒部電位800V、平均地肌電位200Vの画像に対
して、第1スリーブバイアス電位VE1と第2ス
リーブバイアス電位VE2をともに150Vに固定した
場合と、第1スリーブバイアス電位VE1と第2
スリーブバイアス電位VE2をともに検出電位、つ
まり平均地肌電位Vsより80V高くした場合、及
び第1スリーブバイアス電位VE1を150Vにし、
第2スリーブバイアス電位VE1を平均地肌電位Vs
より80V高くした場合についてそれぞれ実験した
ところ、第3図のような結果を得た。これより、
本考案に係る装置を用いることにより、の固定
バイアス方式による地肌汚れが自働的に防がれる
とともに、のオートバイアス方式よりも高いコ
ントラストの画像が得られることがわかつた。
なお、上述した実施例は磁気ブラシ形成用のス
リーブを2本用いたものであるが、より高速複写
を可能とするためにスリーブの本数をさらに増や
すことも可能であり、この場合、最も露光部3か
ら離れたスリーブにオートバイアス方式によつて
バイアスを印加すればよい。
また、現像装置については他の対向電極型のも
のにも本考案が適用できることは云うまでもな
い。
以上述べたように本考案によれば、オートバイ
アス方式の現像装置に複数個の現像電極を設け、
露光部寄りの電極には一定のバイアスを、露光部
から離れた位置にある電極には表面電位検出器の
検出値に応じたバイアスを印加するようにしたか
ら、電子写真装置のレイアウトを変更することな
しに露光部と可変バイアスが印加される電極間の
距離を大きくとることができ、光導電層表面の平
均電位を正確に検出して、原稿のパターンに応じ
た適切現像を可能にする。同時に、露光部よりの
定バイアスが印加された電極と協働して一般のオ
ートバイアス方式を採るもの以上の高いコントラ
ストを画像に与え得ることもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のオートバイアス方式の現像装
置を示す説明図、第2図は、本考案の一実施例を
示す装置の説明図、第3図は、原稿濃度と複写濃
度の特性を示す図である。 4……現像装置、4a……第1スリーブ、4b
……第2スリーブ、7……表面電位検出器、8…
…オートバイアス演算回路、9……バイアス付勢
回路、10……固定バイアス電源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 光導電層の表面電位を検出し、その値に応じて
    現像電極に印加するバイアス電位を変化させるオ
    ートバイアス方式の現像装置において、該現像装
    置に複数個の現像電極を配設するとともに、該複
    数個の現像電極のうち露光部寄りの現像電極に一
    定のバイアスを、露光部から離れて位置する現像
    電極に光導電層の平均表面電位に応じたバイアス
    をそれぞれ印加するようにしたことを特徴とする
    現像装置。
JP11358679U 1979-08-17 1979-08-17 Expired JPS6315880Y2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP11358679U JPS6315880Y2 (ja) 1979-08-17 1979-08-17

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JP11358679U JPS6315880Y2 (ja) 1979-08-17 1979-08-17

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Publication Number Publication Date
JPS5632850U JPS5632850U (ja) 1981-03-31
JPS6315880Y2 true JPS6315880Y2 (ja) 1988-05-06

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JP11358679U Expired JPS6315880Y2 (ja) 1979-08-17 1979-08-17

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5929948A (ja) * 1982-08-11 1984-02-17 Sharp Corp 太陽熱集熱給湯システムの集熱制御装置
US4603961A (en) * 1985-06-13 1986-08-05 Xerox Corporation Development system

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JPS5632850U (ja) 1981-03-31

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