JPS6355707B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ポジ原稿を用いた複写と印字の重ね
合せ機能、所謂ポジ・オーバレイ機能を有する電
子写真記録装置に関する。

最近事務室等に設置される出力装置として、複
写機能、印字機能さらにその重ね合せ機能つまり
フオーム・オーバレイ機能を有する記録装置の必
要性が高まつている。特にフオーム・オーバレイ
を行なう場合、従来のレーザープリンタでは、ネ
ガ像であるフオームを用いていた。しかしこのネ
ガ像のフオームの作成は煩雑な操作を必要とす
る。このため、ポジ像のフオームを用いてフオー
ム・オーバレイ、所謂ポジ・オーバレイを可能と
することが強く望まれている。このポジ・オーバ
レイを可能とするプロセスは既にいくつか提案さ
れている。これは次のようなものがある。

(A) 本発明者らが先に提案したカールソン法を用
いる方式（特願昭53−99949号、特願昭54−
48675号） (B) 感光体が、導電性支持体層、光導電体層、透
明絶縁層の三層構成であるものを用いる方式で (1) 同時除電露光方式による潜像形成法（特開
昭51−40132号） (2) 容量像方式による潜像形成法（特公昭54−
11702号） などがある。上記(B)に示す感光体は光導電体層が
透明絶縁層でおおわれているため、上記(A)に用い
る感光体よりも電気的、機械的に耐久性のすぐれ
たものとなる。本発明はこの三層構成の感光体を
用いるポジ・オーバレイの方法に関するものであ
り、従来法の欠点すなわち上記(B)の(1)に示す方式
はプロセスが複雑であり、また(B)の(2)に示す方式
ではこれに加えてフオーム・オーバレイの潜像強
度が大きく異なるため均一な現像ができないとい
う問題点を解決したものである。

まず上記(B)の従来法の像形成プロセスについて
説明する。

同時除電露光方式により記録を行なう場合は、
第１図に示すような導電性支持体層１、光導電体
層２、透明絶縁層３からなる三層構成の感光体４
が用いられる。第２図にオーバレイプロセスの原
理を示す。これは先ず同図ａに示すように初期帯
電を行ない次に図ｂに示すようにネガ印字露光＋
AC除電を行ない然る後に図ｃの如くポジフオー
ム露光を行なうという３段階により潜像が形成さ
れる。なおAC除電の替りに初期帯電とは逆極性
の帯電を行なつてもよい。この結果得られる潜像
は同図ｃに示すようにネガ印字露光の露光部とポ
ジ・フオーム露光の未露光部の電位が下がり図の
例では約0Vとなる。従つて同図ｄに示す現像工
程ではプラスのトナーを用いて反転現像を行なう
必要がある。ここで特に重要なことは同図ａに示
す初期帯電工程において帯電の極性は光導電体層
がＰ型半導体であれば負の帯電とし、また、Ｎ型
半導体であれば正の帯電としなければならないこ
とである。図示の例では正の帯電を用いている。
この結果同図ａに示すように、初期帯電電位と逆
極性の電荷が導電性支持体層１側から光導電体層
２に注入され透明絶縁層３と光導電体層２の界面
に帯電層を形成する。これに対し上記容量像方式
では、帯電極性を同時除電露光方式の場合と逆に
しなければならない。

第３図に容量像方式によるポジ・オーバレイプ
ロセスの原理を示す。この方式は光照射により感
光体４の容量を変化させて潜像を形成させるもの
である。この方式は同図ａ，ｂ，ｃ，ｄに示すよ
うに初期帯電、ネガ印写露光、再帯電、ポジフオ
ーム露光という４段階の工程により潜像が形成さ
れる。同図ａに示す初期帯電工程では第２図に示
す同時除電露光を用いる方式とは逆に光導電体層
２がＰ型半導体であれば正の帯電とし、またＮ型
半導体であれば負の帯電極性とする。図ではＰ型
半導体を用いた場合を示している。すると光導電
体層２と導電性支持体層１の界面に生じる障壁の
ために負電荷は光導電体層２内に注入され図ａに
示すような電荷分布となる。この容量像方式を用
いたポジ・オーバレイでは、プロセスが複雑であ
るばかりでなく、同図ｄに示すようにネガ像とポ
ジ像の潜像の大きさが大きく異なり均一な現像が
得られないという欠点を有す。

本発明は上記各従来法の問題点を解決し極めて
簡便なプロセスによりポジ・オーバレイを可能と
するものである。

第４図に本発明によるポジ・オーバレイプロセ
の原理を、また第５図にその装置構成を示す。

本発明に用いられる感光体は第１図に示す如く
三層構造のものである。

まず感光体４上にレーザ光照射によるネガ印字
露光と同時に帯電器５によるコロナ帯電を施こ
す。帯電の極性は光導電体層２がＰ型半導体のと
きは正の帯電、またＮ型半導体のときは負の帯電
とする。このとき露光部は光導電体層２の抵抗が
減少するため未露光部よりも容量が増加する。従
つて同図ａに示すように露光と同時に帯電を施こ
すと露光部の電位は、未露光部の電位V_Sよりも
多少低くなるがほぼV_S程度となる。しかし、実
効的な静電容量は露光部の方が大きいので透明絶
縁層３上の電荷密度は露光部のほうが高くなつて
いる。次にポジ・フオーム露光を行なう。同図ｂ
に示すようにポジ・フオーム露光の未露光部およ
びネガ印字露光の露光部の電位は図ａの状態がそ
のまゝ保持される。またネガ印字露光工程での未
露光部は、ポジ・フオーム露光により露光されて
容量が増加し、表面電位は低下し同図ｂに示す如
くV_Lとなる。従つて本発明によればネガ印字露
光＋帯電およびポジ・フオーム露光の都合２回の
工程だけで潜像が形成される。この潜像は、ポジ
露光の像部、すなわち未露光部よりも、ネガ露光
の像部、すなわち露光部の方が潜像電位は低い
が、透明絶縁層３上の電荷密度は逆に高い。従つ
て同図ｃに示すように負トナー６で現像を行なう
と均一な現像を行なうことができる。

本発明は以上述べたように像形成プロセスが簡
単であるばかりでなく、従来法の容量像方式を用
いた場合と異なりポジとネガ像の均一な記録を得
ることができる。

第５図は本発明を実際の装置に適用した場合の
構成を示す。第１図に示す感光体４をドラム状と
し、その近傍にコロナ帯電器５とその背面からレ
ーザ光７によるネガ印字露光が行なえる光学系を
配置し、次にポジ・フオーム光８を照射するため
のポジ・フオーム露光系を設ける。その後の現像
器９、転写器１０、除電器１３、クリーナー１
４、定着器１２等は通常の電子写真プロセスに使
用されるものと同様のものが適用できる。これら
の装置構成により記録紙１１上にポジ・オーバレ
イ像を形成させることができる。

次に本発明の実施例を示す。感光体４としては
導電性支持体層上に、Se−Te層を75μｍ蒸着し、
この上に25μｍの透明な絶縁フイルムを設けたも
のを用いる。この感光体ではSe−Te層と透明絶
縁フイルム層の容量はともにそれぞれ100PF／cm³
程度である。次にネガ印字露光系としてレーザー
光を用い正のコロナ帯電と同時にネガ印字露光を
行なう。感光体上の未露光部の表面電位は
1400V、露光部の電位は1200Vとする。透明絶縁
フイルム上の電荷密度は露光部で120nC／cm³、未
露光部で70nC／cm³となる。次にポジ・フオーム
の露光を行なうと、ポジ露光の像部の電位は
1400V、ネガ露光の像部の電位は約1200V、背景
部の電位は700Vであるポジ・オーバレイの潜像
が形成される。その後、現像器に800V程度の現
像バイアスを印加して正現像を行なうと、ネガ露
光の像部の方が潜像強度は小さいが、表面電荷密
度が大きいので均一な現像が得られる。次に正の
コロナ転写を行なうことにより記録紙にトナー像
を転写し以てポジ・オーバレイの良好な記録を行
なうことができた。

なおポジ・フオーム露光と同時、あるいはポ
ジ・フオーム露光の後に交流コロナ照射を行なう
と、感光体の電位レベルが下がり、現像工程にお
いて現像器に印加するバイアス電圧を下げること
ができ、また印字濃度のコントロールを行なうこ
とも可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は感光体の構造を説明するための図、第
２図、第３図は従来のポジオーバレイプロセスを
説明するための図、第４図は本発明にかゝるポジ
オーバレイプロセスを説明するための図、第５図
は本発明を適用した電子写真記録装置の一実施例
を示す図である。 図において、４は感光体、５はコロナ帯電器、
９は現像器、１０は転写器、１１は記録紙、１２
は定着器、１３は除電器、１４はクリーナーであ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 導電性支持体上に光導電体層を有しさらに該
   光導電体層上に透明絶縁層を有してなる感光体上
   にポジ像とネガ像の合成された潜像を形成する電
   子写真記録装置において、上記感光体上にネガ像
   露光を行なうと同時に全面帯電を施し以て該感光
   体の露光部と未露光部での静電容量を変化せしめ
   然る後にポジ像露光を行なうことを特徴とする電
   子写真記録装置。