JPS63157850A - 溶射方法 - Google Patents

溶射方法

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Publication number
JPS63157850A
JPS63157850A JP30364786A JP30364786A JPS63157850A JP S63157850 A JPS63157850 A JP S63157850A JP 30364786 A JP30364786 A JP 30364786A JP 30364786 A JP30364786 A JP 30364786A JP S63157850 A JPS63157850 A JP S63157850A
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JP
Japan
Prior art keywords
thermal spraying
mask
film
boron nitride
coating
Prior art date
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Pending
Application number
JP30364786A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuhiko Kawamura
河村 伸彦
Kouji Sei
清 興至
Yoshio Machida
町田 芳雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
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Publication of JPS63157850A publication Critical patent/JPS63157850A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/14Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using spraying techniques to apply the conductive material, e.g. vapour evaporation
    • H05K3/143Masks therefor
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/053Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、溶射皮膜を形成する際の溶射用マスクに関す
るものである。
[従来の技術] 一般にフレーム溶射またはプラズマ溶射は素材表面の所
定部分に金属又はセラミック等の皮膜を形成し、素材の
硬さ、耐熱性、耐摩耗性等の特性を局部的に改善させる
手段として多用されている。
たとえばアルミナ製絶縁基板上に銅、ニッケルなどの導
電性金属を溶射して電気回路を形成したり、アルミニウ
ム基板上にアルミナを溶射して絶縁部を形成したりして
いる。
このように基材の一部分に溶射皮膜を形成する場合、所
定のパターンに打抜かれた打抜部を有する溶射用マスク
(以下マスクという)を基材面にあて、この上から溶射
して上記打抜部に所定パターンの溶射膜を形成している
溶射を行なう場合、使用するマスクの面には直接半溶融
の金属又はセラミックが高速で衝突するので、マスクと
して具備すべき条件は付着しな金属又はセラミックが剥
離し易いこと、高温に耐えること、寸法変形が無いこと
、耐久性があること、使用方法が容易であること等の特
性が要求される。
ところで、通常マスク材料として使用されているものに
は軟鋼板、ステンレス鋼板等の金属板、ガラステープ、
シリコンゴム等の薄膜、粘土類、あるいは弗素樹脂等が
使用されている。しかし上記金属板以外のマスク材料は
耐熱性、耐剥離性、耐施行性に難点がある。金属板は溶
射物が強固に付着することがあり、マスクの除去が困難
になったり、再使用の為の手入れに時間を要すという欠
点がある。
〔間…東Xヒ西耳ミデミ1シrニジ)の+叱〕本発明は
上記問題点゛を解決するためになされたものであり、溶
射物の剥離性にすぐれ、使用方法が簡単である点を最大
の特徴とするもので、窒化硼素を塗布してマスクとする
ものである。
以下、本発明を図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は本発明による溶射方法を示したもの
であり、第1図は鋼板を使用しない場合、第2図は鋼板
を使用した例である。第1図において基材1の表面部1
2は溶射を必要とぜす、表面部11部分のみに溶射皮膜
を形成するものとする。この場合、溶射不要部分12に
窒化硼素を塗布し窒化硼素皮M2を形成する。このよう
に窒化硼素マスクを形成して溶射すれば、溶射部3は基
材1の表面に一様に付着するか、マスク2部に付着した
溶射材3bは付着力が弱いので容易に剥き取ることが可
能である。溶射必要部12に付着した溶射材3aは基材
に強固に付着するので、不要部分と明瞭に区分し、必要
な部分にのみ皮膜を形成できる6本発明で使用する窒化
硼素(BN)は六方晶窒化硼素(h−BN)の微粒(平
均粒径0.4〜1μm)を溶媒中に窒化硼素含有量5〜
30%で懸濁させたものを使用する。溶媒としては水、
またはケトン系有機溶媒などの有機溶媒いずれでも良い
窒化硼素懸濁溶液をスプレー塗布又は刷毛を用いて溶射
を必要としない部分に塗布する。塗布後乾燥させると厚
さ20〜200μmのマスクとして使用に耐える窒化硼
素皮膜ができる。
以上説明したとおり、基材表面に直接マスクを形成して
も良いが本発明では従来使用していた金属マスク表面に
窒化硼素皮膜を形成しても良い。
この場合はマスクの反覆使用の点で効果があり、簡単な
手入れ作業でくり返し使用できる。第2図に従って説明
すれば、基材1の溶射不要部12に窒化硼素皮膜2を塗
布した金属マスク5をセットして溶射する。マスク5上
に付着しな溶射材3bは容易に剥離でき、金属マスク5
はくり返し使用可能である。この場合基材1の表面には
窒化硼素皮膜2が残らないので、基材表面に異種材料を
溶射しなり、更に別の処理を施こす場合に都合が良い。
なお窒化硼素マスクの剥離性はAj 203゜Ti O
2,Zr O2等の酸化物やNi 、 Cu 。
AJNi−Cr等の金属材料に広く対応できるものであ
る。
次に実施例をあげて本発明を説明する。
実施例 1 ステンレス鋼製のシャフトにNi  −cr自溶性合金
とZr03−Y203溶射皮膜を形成する場合について
説明する。第3図(a)において、1はJIS  5U
HIの直径50IIIII+の丸棒である。まず基材1
の表面をサンドブラストで研掃する。次にNi  −C
r自溶合金皮膜を作る部分1aをゴムテープで被覆した
のち他の部分1b及びIC部分に窒化硼素粉末懸濁液(
昭和電工製 商品名ルービーエヌ)をスプレー塗布し、
110℃で15分間乾燥し、窒化硼素皮膜3a、3cを
得た。
次にプラズマ溶射部により150メツシユパスのNi 
 −Cr自溶合金粉を溶射した。溶射条件は、アルゴン
流量: 354! /nin 、プラズマ電流ニア50
A、プラズマ電圧=30■、粉末供給量70g/n1n
−5= であった。皮M3の厚さは300μmであった。溶射処
理後窒化硼素を塗布した部分のNi  −Cr自溶合金
は容易に脱落した。
次にNi  −Cr自溶合金3の表面に窒化硼素粉末懸
濁液をスプレー塗布し、Z「02−Y203皮膜を付け
る部分1bの窒化硼素皮膜2bをサンドブラストにより
除去したのち、第3図(b)のごと< Z r O2−
Y 203粉末をプラズマ溶射した。
溶射条件は溶射材料を変えた以外は前と同様であった。
Z「02−Y203溶射皮wA4の厚さは100μmで
あった。溶射後Ni  −Cr皮膜3上に付着したz「
02−Y2o32aは簡単に脱落したが、素材面に形成
されたZr02−Y203皮膜4bは強固に付着してお
り、第3図(C)のような溶射皮膜を備えた軸が得られ
た。
実施例 2 アルミニウム基板上に絶縁物であるアルミナを溶射し、
回路基板を形成する場合について説明する。
第4図(a)に示すように、所定のパターンを打抜いた
厚さ0.2mmの軟鋼板製のマスク5の表面に、水10
0ccに対し2Ofの窒化硼素を混ぜて良く撹拌し懸濁
液としなものを刷毛塗布し、110℃120分間乾燥し
平均厚さ75μmの窒化硼素皮膜2を有するマスク14
を準備しな。このマスク14のA−A断面を第4図(b
)に示す。
次に、第2図に示すようにアルミニウム基板1の表面を
サンドブラストしたのち、前記マスク14を重ね合わせ
、プラズマ溶射法によりアルミナ粉末を溶射し、基板1
面上の所定位置に厚さ50μmのアルミナ皮膜3aを形
成した。マスク14上の開放部に付着したアルミナはア
ルミニウム基板1に強固に付着して溶射膜を形成してい
るのに対し、マスク14上に付着したアルミナは容易に
剥離することができた。
このようにしてマスク14は43回くり返し使用するこ
とができた。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明による溶射方法の実施例を説
明する図である。 第3図は実施例1の工程を説明する図である。 第4図は実施例2で使用するマスクの製造を説明する図
である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基材面の溶射不要部分に窒化硼素被覆を形成してマスキ
    ングすることを特徴とする溶射方法。
JP30364786A 1986-12-22 1986-12-22 溶射方法 Pending JPS63157850A (ja)

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JP30364786A JPS63157850A (ja) 1986-12-22 1986-12-22 溶射方法

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