JPS63153847A - マイクロ波集積回路基板のア−ス接続方法 - Google Patents
マイクロ波集積回路基板のア−ス接続方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、キャリアと該キャリア上に搭載したマイクロ
波集積回路基板との間のアース接続方法において、スル
ーホールを形成した誘電体基板の上下面及びスルーホー
ルの内面に導体膜を形成してなる接続用基板を該導体膜
を介してキャリア上に搭載し、マイクロ波集積回路基板
上のアース回路パターンと接続用基板上の導体膜とを導
電性金属箔細片のボンディング又は半田付けにより接続
することにより、キャリアの予熱を必要とすることなく
、且つ、作業能率良く、信頬性の高いアース接続構造を
得ることができるようにしたものである。
波集積回路基板との間のアース接続方法において、スル
ーホールを形成した誘電体基板の上下面及びスルーホー
ルの内面に導体膜を形成してなる接続用基板を該導体膜
を介してキャリア上に搭載し、マイクロ波集積回路基板
上のアース回路パターンと接続用基板上の導体膜とを導
電性金属箔細片のボンディング又は半田付けにより接続
することにより、キャリアの予熱を必要とすることなく
、且つ、作業能率良く、信頬性の高いアース接続構造を
得ることができるようにしたものである。
本発明は、キャリア上に搭載されるマイクロ波集積回路
基板とキャリアとの間のアース接続方法に関する。
基板とキャリアとの間のアース接続方法に関する。
マイクロ波帯域で使用されるマイクロ波集積回路、例え
ばマイクロ波増幅器等に用いられるマイクロ波集積回路
基板は、銅板、黄銅板等からなるキャリア上に搭載する
必要があり、更に、マイクロ波集積回路基板とキャリア
との間でマイクロ波了−ス、ＤＣバイアスアース等の電
気的接Ｖｔ ヲ行なう必要がある。
ばマイクロ波増幅器等に用いられるマイクロ波集積回路
基板は、銅板、黄銅板等からなるキャリア上に搭載する
必要があり、更に、マイクロ波集積回路基板とキャリア
との間でマイクロ波了−ス、ＤＣバイアスアース等の電
気的接Ｖｔ ヲ行なう必要がある。
第３図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ従来のマイクロ波集積
回路基板とキャリアとの間のマイクロ波アース、ＤＣバ
イアスアース等のアース接続方法を示したものである。
回路基板とキャリアとの間のマイクロ波アース、ＤＣバ
イアスアース等のアース接続方法を示したものである。
各図において、１はキャリア、２はキャリア１上に搭載
されたマイクロ波集積回路基板、３はマイクロ波アース
、ＤＣバイアスアース等のアース回路パターン、４はマ
イクロ波集積回路基板２の裏面アースパターンである。
されたマイクロ波集積回路基板、３はマイクロ波アース
、ＤＣバイアスアース等のアース回路パターン、４はマ
イクロ波集積回路基板２の裏面アースパターンである。
第３図（ａ）に示す接続方法は、Ａｕリボン、Ａｕメツ
キリボン等の導電性金属箔細片５をマイクロ波集積回路
基板２のアース回路パターン３上にボンディングにより
接続し、キャリア１に対しては導電性接着剤６により接
着するものである。
キリボン等の導電性金属箔細片５をマイクロ波集積回路
基板２のアース回路パターン３上にボンディングにより
接続し、キャリア１に対しては導電性接着剤６により接
着するものである。
この接続方法の場合、導電性接着剤６の硬化に時間を要
するため、接続工程が長時間化する欠点があり、また、
導電性接着剤６は温度、湿度等の影響を受けやすいので
、回路の気密封止が必要となり、コストアンプになると
いう欠点がある。
するため、接続工程が長時間化する欠点があり、また、
導電性接着剤６は温度、湿度等の影響を受けやすいので
、回路の気密封止が必要となり、コストアンプになると
いう欠点がある。
第３図（ｂ）に示す接続方法は、導電性金属箔細片５を
マイクロ波集積回路基板２上のアース回路パターン３上
にボンディングにより接着し、キャリア１に対しては半
田材料７による半田付けにより接続するものである。
マイクロ波集積回路基板２上のアース回路パターン３上
にボンディングにより接着し、キャリア１に対しては半
田材料７による半田付けにより接続するものである。
この接続方法の場合、熱容量が大きいキャリア１をホッ
トプレート８により予熱する必要があるため、設備が大
型化し、また、予熱に時間がかかるので、接続工程が長
時間化するという欠点がある。また、キャリア１を予熱
するに当たっては、マイクロ波集積回路基板２に搭載さ
れる電子部品の温度影響を考慮する必要があるため、作
業工程が複雑になり、コストアップになるという欠点が
ある。
トプレート８により予熱する必要があるため、設備が大
型化し、また、予熱に時間がかかるので、接続工程が長
時間化するという欠点がある。また、キャリア１を予熱
するに当たっては、マイクロ波集積回路基板２に搭載さ
れる電子部品の温度影響を考慮する必要があるため、作
業工程が複雑になり、コストアップになるという欠点が
ある。
第３図（Ｃ１に示す接続方法は、マイクロ波集積回路基
板２にスルーホール９をマスクエツチング等により形成
し、スルーホール９の内面にアース回路パターン３及び
裏面のアースパターン４と一体の導体膜１０を形成し、
スルーホール９の内面の導体膜１０及び裏面アースパタ
ーン４を介してアース回路パターン３をキャリアｌに電
気的に接続するものである。
板２にスルーホール９をマスクエツチング等により形成
し、スルーホール９の内面にアース回路パターン３及び
裏面のアースパターン４と一体の導体膜１０を形成し、
スルーホール９の内面の導体膜１０及び裏面アースパタ
ーン４を介してアース回路パターン３をキャリアｌに電
気的に接続するものである。
この接続方法の場合、一般に多品種、少量生産される各
マイクロ波集積回路基板２のアース回路パターン位置に
合わせてスルーホール９を形成するためのマスクパター
ンを準備する必要があり、また、マイクロ波集積回路基
板１のアース回路パターン３とスルーホール９との正確
な位置決めを必要とする。このため、製造コストが非常
に高くなる欠点がある。
マイクロ波集積回路基板２のアース回路パターン位置に
合わせてスルーホール９を形成するためのマスクパター
ンを準備する必要があり、また、マイクロ波集積回路基
板１のアース回路パターン３とスルーホール９との正確
な位置決めを必要とする。このため、製造コストが非常
に高くなる欠点がある。
したがって、本発明は、マイクロ波集積回路基板上のマ
イクロ波アース回路、ＤＣバイアスアース回路等のアー
ス回路パターンとキャリアとの間簡単に能率良く、しか
も確実に電気的に接続することができるマイクロ波集積
回路基板のアース接続方法を提供することを目的とする
。
イクロ波アース回路、ＤＣバイアスアース回路等のアー
ス回路パターンとキャリアとの間簡単に能率良く、しか
も確実に電気的に接続することができるマイクロ波集積
回路基板のアース接続方法を提供することを目的とする
。
本発明は、キャリアと該キャリア上に搭載したマイクロ
波集積回路基板との間のアース接続方法において、スル
ーホールを形成した誘電体基板の上下面及びスルーホー
ルの内面に導体膜を形成してなる接続用基板を該導体膜
を介してキャリア上に搭載し、マイクロ波集積回路基板
上のアース回路パターンと接続用基板上の導体膜とを導
電性金属箔細片のボンディング又は半田付けにより接続
することを特徴とするマイクロ波集積回路基板のアース
接続方法を提供する。
波集積回路基板との間のアース接続方法において、スル
ーホールを形成した誘電体基板の上下面及びスルーホー
ルの内面に導体膜を形成してなる接続用基板を該導体膜
を介してキャリア上に搭載し、マイクロ波集積回路基板
上のアース回路パターンと接続用基板上の導体膜とを導
電性金属箔細片のボンディング又は半田付けにより接続
することを特徴とするマイクロ波集積回路基板のアース
接続方法を提供する。
本発明によるマイクロ波集積回路基板のアース接続方法
においては、キャリア上に搭載した接続用基板上の導体
膜がキャリアに対してダイレクトに電気的に接続され、
また、接続用基板上の導体膜とマイクロ波集積回路基板
上のアース回路パターンとが導電性金属箔細片のボンデ
ィング又は半田付けにより接続される。したがって、湿
度等の影響を受けにくく信頼性の高い接続構造が得られ
る。
においては、キャリア上に搭載した接続用基板上の導体
膜がキャリアに対してダイレクトに電気的に接続され、
また、接続用基板上の導体膜とマイクロ波集積回路基板
上のアース回路パターンとが導電性金属箔細片のボンデ
ィング又は半田付けにより接続される。したがって、湿
度等の影響を受けにくく信頼性の高い接続構造が得られ
る。
接続用基板はスルーホールを形成した誘電体基板の上下
面及びスルーホール内面に導体膜を形成した構成となっ
ているので、キャリアを予熱することなく、キャリア上
に搭載した接続用基板上の導体膜と導電性金属箔細片と
のボンディング又は半田付けを行なうことができる。ま
た、マイクロ波集積回路基板上のアース回路パターン及
び接続用基板上の導体膜に対する導電性金属箔細片の接
続は、キャリア上にマイクロ波集積回路基板及び接続用
基板を搭載した状態で、マイクロ波集積回路基板上への
電子部品のボンディングと同時に行なうことができるの
で、極めて能率良くマイクロ波集積回路基板のアース接
続作業を行なうことができる。
面及びスルーホール内面に導体膜を形成した構成となっ
ているので、キャリアを予熱することなく、キャリア上
に搭載した接続用基板上の導体膜と導電性金属箔細片と
のボンディング又は半田付けを行なうことができる。ま
た、マイクロ波集積回路基板上のアース回路パターン及
び接続用基板上の導体膜に対する導電性金属箔細片の接
続は、キャリア上にマイクロ波集積回路基板及び接続用
基板を搭載した状態で、マイクロ波集積回路基板上への
電子部品のボンディングと同時に行なうことができるの
で、極めて能率良くマイクロ波集積回路基板のアース接
続作業を行なうことができる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を示すものである
。これらの図において、１１は銅、黄銅等の上面にＡｕ
等の良導電性金属メッキを施したキャリアである。キャ
リア１１上にはマイクロ波集積回路基板１２が搭載され
ている。マイクロ波集積回路基板１２はセラミック等の
誘電体基板１３を有しており、その下面にはアースパタ
ーン１４が形成されている。また、マイクロ波集積回路
基板１２の誘電体基板１３の上面には各種回路パターン
（図示省略）と共に、マイクロ波アース、ＤＣバイアス
アース等のためのアース回路パターン１５が形成されて
いる。パターン１５上には各種電子部品（第１図には１
つの電子部品１６のみ図示されている。）が搭載されて
いる。
。これらの図において、１１は銅、黄銅等の上面にＡｕ
等の良導電性金属メッキを施したキャリアである。キャ
リア１１上にはマイクロ波集積回路基板１２が搭載され
ている。マイクロ波集積回路基板１２はセラミック等の
誘電体基板１３を有しており、その下面にはアースパタ
ーン１４が形成されている。また、マイクロ波集積回路
基板１２の誘電体基板１３の上面には各種回路パターン
（図示省略）と共に、マイクロ波アース、ＤＣバイアス
アース等のためのアース回路パターン１５が形成されて
いる。パターン１５上には各種電子部品（第１図には１
つの電子部品１６のみ図示されている。）が搭載されて
いる。
キャリア１１上には接続用基板１７が搭載されている。
接続用基板１７はセラミック等の誘電体基板１８にマス
クエツチング等により形成されたスルーホール１９を有
しており、誘電体基板１８の上下面及びスルーホール１
９の内面には良導電性の導体膜２０が形成されている。
クエツチング等により形成されたスルーホール１９を有
しており、誘電体基板１８の上下面及びスルーホール１
９の内面には良導電性の導体膜２０が形成されている。
キャリアｌｌ上への接続用基板１７の搭載により、接続
用基板１７の表面の導体膜２０はダイレクトにキャリア
１１に電気的に接続される。
用基板１７の表面の導体膜２０はダイレクトにキャリア
１１に電気的に接続される。
マイクロ波集積回路基板１２上のアース回路パターン１
５と接続用基板１７上の導体膜２０とは導電性金属箔細
片２１のボンディング又は半田付けにより接続される。
５と接続用基板１７上の導体膜２０とは導電性金属箔細
片２１のボンディング又は半田付けにより接続される。
導電性金属箔細片２１は例えばＡｕリボン又は銅箔にＡ
ｕメッキを施したものを用いることができる。
ｕメッキを施したものを用いることができる。
一般に、マイクロ波集積回路基板１２上では電子部品１
６やパターン間の導電性金属箔細片２２による接続等が
ボンディングにより行われるので、作業効率の点からは
導電性金属箔細片２１はマイクロ波集積回路基板１２上
及び接続用基板１７上に対しそれぞれボンディングによ
り接続することが望ましいが、例えば接続用基板１７に
対して導電性金属箔細片２１を半田ごてを用いた半田付
は又はリフロー半田付は等により接続することができる
。
６やパターン間の導電性金属箔細片２２による接続等が
ボンディングにより行われるので、作業効率の点からは
導電性金属箔細片２１はマイクロ波集積回路基板１２上
及び接続用基板１７上に対しそれぞれボンディングによ
り接続することが望ましいが、例えば接続用基板１７に
対して導電性金属箔細片２１を半田ごてを用いた半田付
は又はリフロー半田付は等により接続することができる
。
導電性金属箔細片２１と接続用基板１７の導体膜２０と
をボンディングにより接続する場合、接続用基板１７の
導体膜２０は薄膜技術によるＡｕ膜とし、導電性金属箔
細片２１と接続用基板１７の導体膜２０とを半田付けに
より接続する場合には、接続用基板１７の導体膜２０は
厚膜技術によるＡｇ−Ｐｄ膜とすることが好ましい。
をボンディングにより接続する場合、接続用基板１７の
導体膜２０は薄膜技術によるＡｕ膜とし、導電性金属箔
細片２１と接続用基板１７の導体膜２０とを半田付けに
より接続する場合には、接続用基板１７の導体膜２０は
厚膜技術によるＡｇ−Ｐｄ膜とすることが好ましい。
上記構成を有するマイクロ波集積回路基板のアース接続
方法においては、キャリア１１・上に搭載された接続用
基板１７上の導体膜２０がキャリア１１に対してダイレ
クトに電気的に接続される。
方法においては、キャリア１１・上に搭載された接続用
基板１７上の導体膜２０がキャリア１１に対してダイレ
クトに電気的に接続される。
また、接続用基板１７上の導体膜２０とマイクロ波集積
回路基板１２上のアース回路パターン１４とが導電性金
属箔細片２１のボンディング又は半田付けにより接続さ
れる。したがって、湿度等の影響を受けにくく信頼性の
高いアース接続構造が得られる。
回路基板１２上のアース回路パターン１４とが導電性金
属箔細片２１のボンディング又は半田付けにより接続さ
れる。したがって、湿度等の影響を受けにくく信頼性の
高いアース接続構造が得られる。
接続用基板１７は誘電体基板１８の上下面及びスルーホ
ール１９内面に導体膜２０を形成した構成となっている
ので、キャリア１１の予熱を必要とすることなく、キャ
リアｌｌ上に搭載した接続用基板１７上の導体膜２０と
導電性金属箔細片２１とをボンディング又は半田付けに
より接続することができる。また、マイクロ波集積回路
基板１７上のアース回路パターン１５及び接続用基板１
７上の導体膜２０に対する導電性金属箔細片２１の接続
は、キャリアｌｌ上にマイクロ波集積回路基板１２及び
接続用基板１７を搭載した状態で、マイクロ波集積回路
基板１２上への電子部品１６等のボンディングと同時に
行なうことができるので、極めて能率良くマイクロ波集
積回路基板１２のアース接続作業を行なうことができる
。
ール１９内面に導体膜２０を形成した構成となっている
ので、キャリア１１の予熱を必要とすることなく、キャ
リアｌｌ上に搭載した接続用基板１７上の導体膜２０と
導電性金属箔細片２１とをボンディング又は半田付けに
より接続することができる。また、マイクロ波集積回路
基板１７上のアース回路パターン１５及び接続用基板１
７上の導体膜２０に対する導電性金属箔細片２１の接続
は、キャリアｌｌ上にマイクロ波集積回路基板１２及び
接続用基板１７を搭載した状態で、マイクロ波集積回路
基板１２上への電子部品１６等のボンディングと同時に
行なうことができるので、極めて能率良くマイクロ波集
積回路基板１２のアース接続作業を行なうことができる
。
以上、図示実施例につき説明したが、本発明は上記実施
例の態様のみに限定されるものではなく、例えば、必要
に応じて接続用基板のスルーホール配列形態や導電性金
属箔細片、導体膜等の材質等に変更を加えることができ
る。
例の態様のみに限定されるものではなく、例えば、必要
に応じて接続用基板のスルーホール配列形態や導電性金
属箔細片、導体膜等の材質等に変更を加えることができ
る。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、スル
ーホールを形成した誘電体基板の上下面及びスルーホー
ルの内面に導体膜を形成してなる接続用基板を該導体膜
を介してキャリア上に搭載することにより、接続用基板
の導体膜をダイレクトにキャリアに電気的に接続し、一
方、マイクロ波集積回路基板上のアース回路パターンと
接続用基板上の導体膜とを導電性金属箔細片のボンディ
ング又は半田付けにより接続するから、マイクロ波集積
回路基板上のマイクロ波アース回路、ＤＣバイアスアー
ス回路等のアース回路パターンとキャリアとを簡単に能
率良く、しかも確実に電気的に接続することができるマ
イクロ波集積回路基板のアース接続方法を提供すること
ができる。
ーホールを形成した誘電体基板の上下面及びスルーホー
ルの内面に導体膜を形成してなる接続用基板を該導体膜
を介してキャリア上に搭載することにより、接続用基板
の導体膜をダイレクトにキャリアに電気的に接続し、一
方、マイクロ波集積回路基板上のアース回路パターンと
接続用基板上の導体膜とを導電性金属箔細片のボンディ
ング又は半田付けにより接続するから、マイクロ波集積
回路基板上のマイクロ波アース回路、ＤＣバイアスアー
ス回路等のアース回路パターンとキャリアとを簡単に能
率良く、しかも確実に電気的に接続することができるマ
イクロ波集積回路基板のアース接続方法を提供すること
ができる。
第１図は本発明の一実施例を示すマイクロ波集積回路基
板のアース接続状態の断面図、第２図は第１図に示すア
ース接続構造の平面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞ
れ従来のマイクロ波集積回路基板のアース接続方法を示
す断面図である。 図において、１１はキャリア、１２はマイクロ波集積回
路基板、１５はアース回路パターン、１７は接続用基板
、１８は誘電体基板、１９はスルーホール、２０は導体
膜、２１は導電性金属箔細片をそれぞれ示す。
板のアース接続状態の断面図、第２図は第１図に示すア
ース接続構造の平面図、第３図（ａ）〜（Ｃ）はそれぞ
れ従来のマイクロ波集積回路基板のアース接続方法を示
す断面図である。 図において、１１はキャリア、１２はマイクロ波集積回
路基板、１５はアース回路パターン、１７は接続用基板
、１８は誘電体基板、１９はスルーホール、２０は導体
膜、２１は導電性金属箔細片をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、キャリア（１１）と該キャリア上に搭載したマイク
ロ波集積回路基板（１２）との間のアース接続方法にお
いて、 スルーホール（１９）を形成した誘電体基板（１８）の
上下面及びスルーホール（１９）の内面に導体膜（２０
）を形成してなる接続用基板（１７）を該導体膜（２０
）を介してキャリア（１１）上に搭載し、 マイクロ波集積回路基板（１２）上のアース回路パター
ン（１５）と接続用基板（１７）上の導体膜（２０）と
を導電性金属箔細片（２１）のボンディング又は半田付
けにより接続することを特徴とするマイクロ波集積回路
基板のアース接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300115A JPS63153847A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | マイクロ波集積回路基板のア−ス接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61300115A JPS63153847A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | マイクロ波集積回路基板のア−ス接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153847A true JPS63153847A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17880900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61300115A Pending JPS63153847A (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | マイクロ波集積回路基板のア−ス接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153847A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03161433A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Lion Corp | 貼付剤 |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61300115A patent/JPS63153847A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03161433A (ja) * | 1989-11-20 | 1991-07-11 | Lion Corp | 貼付剤 |
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