JPS63153753A - 磁気媒体上の情報を読みとるための集積化光読み取りヘッド - Google Patents
磁気媒体上の情報を読みとるための集積化光読み取りヘッドInfo
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- JPS63153753A JPS63153753A JP62287593A JP28759387A JPS63153753A JP S63153753 A JPS63153753 A JP S63153753A JP 62287593 A JP62287593 A JP 62287593A JP 28759387 A JP28759387 A JP 28759387A JP S63153753 A JPS63153753 A JP S63153753A
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10595—Control of operating function
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- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
- G11B11/10545—Heads for reproducing using optical beam of radiation interacting directly with the magnetisation on the record carrier
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気下地に書き込まれた情報の読み取りのた
めの、一体化された光回路による読み取りヘッドを対象
とする。
めの、一体化された光回路による読み取りヘッドを対象
とする。
磁気書き込みとは、磁気下地（ディスク、テープ、等）
に磁化が一定の方向を示すゾーンを作り出すことから成
る技術である。第１図（ａ）には磁気層ＩＯが見られる
が、そこにおいて、１２，１４．１６等のドメインの磁
化は、下地の面に平行であるか、方向は右向きであった
り、左向きであったりする。このような場合を平行書き
込みと言う。第１図（ｂ）では同じ磁気層１０が部分１
２，１４．１６を持つが、その磁化は下地の面に垂直で
あり、方向は上向きであったり、下向きであったりする
。このような場合を垂直書き込みと言う。
に磁化が一定の方向を示すゾーンを作り出すことから成
る技術である。第１図（ａ）には磁気層ＩＯが見られる
が、そこにおいて、１２，１４．１６等のドメインの磁
化は、下地の面に平行であるか、方向は右向きであった
り、左向きであったりする。このような場合を平行書き
込みと言う。第１図（ｂ）では同じ磁気層１０が部分１
２，１４．１６を持つが、その磁化は下地の面に垂直で
あり、方向は上向きであったり、下向きであったりする
。このような場合を垂直書き込みと言う。
このそれぞれの場合において、磁化の一つの方向に論理
状態１を、反対の方向に論理状態０を割り当てることが
できる。すると、下地全体は、１と０からなる２進法情
報を含むことになる。
状態１を、反対の方向に論理状態０を割り当てることが
できる。すると、下地全体は、１と０からなる２進法情
報を含むことになる。
情報の密度は垂直書き込みの場合の方が大きい。従って
、今日展開されるのはこの型の書き込みであり、以下で
例にとるのはこの型であるが、しかし、平行書き込みも
本発明の適用から除外される訳ではない。
、今日展開されるのはこの型の書き込みであり、以下で
例にとるのはこの型であるが、しかし、平行書き込みも
本発明の適用から除外される訳ではない。
磁気下地の読み取りは、下地の磁化の方向を検出できる
読み取りヘッドを用いて行われる。このためには、磁化
検出コイルを持つ装置を使うことができる。磁気下地を
この磁化検出コイルの下を通過させると、コイルに電流
が誘導され、この電流の方向が下地の磁化の方向と等し
い。
読み取りヘッドを用いて行われる。このためには、磁化
検出コイルを持つ装置を使うことができる。磁気下地を
この磁化検出コイルの下を通過させると、コイルに電流
が誘導され、この電流の方向が下地の磁化の方向と等し
い。
しかしながら、磁気読み取りヘッドの技術に関する理由
のために、垂直書き込みから与えられる可能性を最大限
に利用することは殆ど不可能である。これが、この種の
下地の光学読み出し機構の実現を試みる理由である。光
学装置はこのような制約を受けないからである。磁気下
地の光学読み出しの原理は既に知られており、第２図及
び第３図に載せられている。
のために、垂直書き込みから与えられる可能性を最大限
に利用することは殆ど不可能である。これが、この種の
下地の光学読み出し機構の実現を試みる理由である。光
学装置はこのような制約を受けないからである。磁気下
地の光学読み出しの原理は既に知られており、第２図及
び第３図に載せられている。
磁気媒質は、線型偏光を持つ光ビームを楕円偏光を持つ
光ビームに変える特性を持つ。反射においては、この現
象をカー（ＫＥＲＲ）効果と呼ぶ。透過の分野では、フ
ァラデー（ＦＡＲＡＤＡＹ ）効果と言う。
光ビームに変える特性を持つ。反射においては、この現
象をカー（ＫＥＲＲ）効果と呼ぶ。透過の分野では、フ
ァラデー（ＦＡＲＡＤＡＹ ）効果と言う。
線型偏光Ｐｉの入射ビームＦｉを磁気下地Ｓに送ると、
反射されたビームＦｒ（第２図）は楕円偏光Ｐｒを示す
が、これは、入射ビームの偏光の方向に垂直な方向の小
さな成分が現れたためである。入射ビームの偏光の成分
Ｐｉと磁場効果に起因する成分＋Ｐｍ或いは−Ｐｍの組
み合わせが、ベクトルＰｒ↑或いはＰｒ↓を生み、これ
らのベクトルがＰｉと作る角度は、光ビームと相互作用
した磁場の方向に応じて、＋ａ或いは−ａである。
反射されたビームＦｒ（第２図）は楕円偏光Ｐｒを示す
が、これは、入射ビームの偏光の方向に垂直な方向の小
さな成分が現れたためである。入射ビームの偏光の成分
Ｐｉと磁場効果に起因する成分＋Ｐｍ或いは−Ｐｍの組
み合わせが、ベクトルＰｒ↑或いはＰｒ↓を生み、これ
らのベクトルがＰｉと作る角度は、光ビームと相互作用
した磁場の方向に応じて、＋ａ或いは−ａである。
回転の方向を検出するためには、その方向が入射ビーム
の偏光Ｐｉの方向には垂直でないが、方向Ｐｒ↑或いは
Ｐｒ↓のどちらか一方に垂直である検光器を使う。これ
が第３図に表されているものであり、第３図の線Ａは検
光器から伝えられる偏光の方向を表す。
の偏光Ｐｉの方向には垂直でないが、方向Ｐｒ↑或いは
Ｐｒ↓のどちらか一方に垂直である検光器を使う。これ
が第３図に表されているものであり、第３図の線Ａは検
光器から伝えられる偏光の方向を表す。
この種の構成では、検光器の後方で、０か或いはＡ ２
ｓｉｎ２２ ａに等しい光度が得られる。第３図の図の
場合、検光器はＰ「↓に垂直に組み込まれているが、こ
れは、この検光器から伝えられるビームの光度が、読み
取られた磁気誘導が、下向き（↓）であれば零に等しく
、読み取られた磁気誘導が上向き（↑）であればＡ２５
ｉｎ２２ａ （ここでＡは振幅である）に等しいこと
を意味する。
ｓｉｎ２２ ａに等しい光度が得られる。第３図の図の
場合、検光器はＰ「↓に垂直に組み込まれているが、こ
れは、この検光器から伝えられるビームの光度が、読み
取られた磁気誘導が、下向き（↓）であれば零に等しく
、読み取られた磁気誘導が上向き（↑）であればＡ２５
ｉｎ２２ａ （ここでＡは振幅である）に等しいこと
を意味する。
この種の技術は幾つかの点では満足がいくが、一体化さ
れた光回路を実現できないという不都合な点がある。こ
れが不可能なことを理解するには、一体化された光回路
で実現される伝送構造が何から構成されるかを簡単に思
い出す必要がある。
れた光回路を実現できないという不都合な点がある。こ
れが不可能なことを理解するには、一体化された光回路
で実現される伝送構造が何から構成されるかを簡単に思
い出す必要がある。
この種の構造は、一般に、屈折率の小さい２つの層の間
に挟まれた屈折率の大きい１つの薄い伝送層を持つ。光
ビームはこの伝送層の中を伝播され、その一部は上下の
層のそれぞれの中で漸消する。ところで、この種の構造
では、２つの伝播モードが可能である、即ち、トランス
バース・エレクトリック（以下、ＴＥと記す）と呼ばれ
るモードでは、電磁波に伴う電界が伝送層と同じ平面に
あり、トランスバース・マグネチック（以下、ＴＭと記
す）と呼ばれるモードでは、伝送層と同じ平面にあるの
は磁場である。この２つのモードに対して傾きのある全
ての電磁波は、必然的に、２つの成分、ＴＥとＴＭに分
解される。
に挟まれた屈折率の大きい１つの薄い伝送層を持つ。光
ビームはこの伝送層の中を伝播され、その一部は上下の
層のそれぞれの中で漸消する。ところで、この種の構造
では、２つの伝播モードが可能である、即ち、トランス
バース・エレクトリック（以下、ＴＥと記す）と呼ばれ
るモードでは、電磁波に伴う電界が伝送層と同じ平面に
あり、トランスバース・マグネチック（以下、ＴＭと記
す）と呼ばれるモードでは、伝送層と同じ平面にあるの
は磁場である。この２つのモードに対して傾きのある全
ての電磁波は、必然的に、２つの成分、ＴＥとＴＭに分
解される。
このような制約があるために、直交しないような（即ち
、偏光の方向が互いに９０’をなさないような）偏光器
と検光器を、一体化された光回路の形で実現するのは不
可能である。従って、第３図に示されているような構成
を、一体化さゎた光回路で実現することはできない。こ
の構成には、交差しない偏光器と検光器を使用するから
である。
、偏光の方向が互いに９０’をなさないような）偏光器
と検光器を、一体化された光回路の形で実現するのは不
可能である。従って、第３図に示されているような構成
を、一体化さゎた光回路で実現することはできない。こ
の構成には、交差しない偏光器と検光器を使用するから
である。
磁気層によって反射されるビームを、Ｐｉに垂直な方向
で検光すると、成分十Ｐ［ＩＩ或いは−Ｐｍが検出され
るであろう。残念ながら、測定される電気信号はどちら
の場合も同じで、Ａ ２ｓｉｎ２２ ａであろう。この
２つの偏光を区別できるのは、位相の測定だけである。
で検光すると、成分十Ｐ［ＩＩ或いは−Ｐｍが検出され
るであろう。残念ながら、測定される電気信号はどちら
の場合も同じで、Ａ ２ｓｉｎ２２ ａであろう。この
２つの偏光を区別できるのは、位相の測定だけである。
従って、磁気下地の読み取りに一体化された光回路を使
用することは、原理的に問題外な訳である。しかし、一
体化された光回路構造には多くの利点く小型、安定性、
製造が容易、等）があるので、このように拒否されるの
は残念である。この種の技術で実現される読み取りヘッ
ドがあれば、非常に有利であろう。
用することは、原理的に問題外な訳である。しかし、一
体化された光回路構造には多くの利点く小型、安定性、
製造が容易、等）があるので、このように拒否されるの
は残念である。この種の技術で実現される読み取りヘッ
ドがあれば、非常に有利であろう。
本発明は、正にこの困難を避けることを目的とする。こ
のために、本発明では、磁場の作用で起きる偏光の成分
の検出に検光器を用いず、この反射された成分の位相を
検出できる干渉計測光回路を用いる。
のために、本発明では、磁場の作用で起きる偏光の成分
の検出に検光器を用いず、この反射された成分の位相を
検出できる干渉計測光回路を用いる。
本発明の第二の特徴では、入射光ビームはＴＥモードで
伝播するが、干渉計測光回路は７Ｍモードで機能する。
伝播するが、干渉計測光回路は７Ｍモードで機能する。
このために、モード変換用の（ＴＥ→ＴＭ）回折格子が
ビームの帰路に置かれ、このビームの、磁気下地で反射
した後も常にＴＥモードである部分が部分的に７Ｍモー
ドに変換されるようになっている。変換ビームは参照ビ
ームとなり、この参照ビームで、光−磁気相互作用で起
きる測定ビームを干渉させる。この参照ビームは、測定
ビームと同じ効果を受けるであろうから、特に有用であ
る。特に、この２本のビームは、ヘッドのクリアランス
（即ち、ピックアップと磁気下地の間の距離）の変化か
ら起きる同じ変動を受けるであろう。
ビームの帰路に置かれ、このビームの、磁気下地で反射
した後も常にＴＥモードである部分が部分的に７Ｍモー
ドに変換されるようになっている。変換ビームは参照ビ
ームとなり、この参照ビームで、光−磁気相互作用で起
きる測定ビームを干渉させる。この参照ビームは、測定
ビームと同じ効果を受けるであろうから、特に有用であ
る。特に、この２本のビームは、ヘッドのクリアランス
（即ち、ピックアップと磁気下地の間の距離）の変化か
ら起きる同じ変動を受けるであろう。
帰りのビームからこの参照ビームを作れるおかげで、干
渉計測によって、磁気下地で反射された７Ｍモードがど
ちらの位相を持つかを知ることができ、また、この位相
の検出にパラサイト効果が全く影習していないことを知
ることができる。
渉計測によって、磁気下地で反射された７Ｍモードがど
ちらの位相を持つかを知ることができ、また、この位相
の検出にパラサイト効果が全く影習していないことを知
ることができる。
最後に、干渉計測光回路は７Ｍモードで機能するので、
万一入射ビームからくるパラサイトビームがあっても、
これはＴＥモードなので、反応しないであろう。
万一入射ビームからくるパラサイトビームがあっても、
これはＴＥモードなので、反応しないであろう。
より詳しく述べると、本発明は、２つの反対の方向のど
ちらか一方の向きの磁化を示す磁気下地に書き込まれた
情報を読み取るための、一体化された光回路による読み
取りヘッドを対象とし、このヘッドは以下を含むことを
特徴とするニービームを放射する光源。
ちらか一方の向きの磁化を示す磁気下地に書き込まれた
情報を読み取るための、一体化された光回路による読み
取りヘッドを対象とし、このヘッドは以下を含むことを
特徴とするニービームを放射する光源。
−このビームの光伝送構造。この構造は、基盤、及び、
第一、第二、第三の透明な層を重ねたものを持ち、第二
の層はそれを上下から挟んでいる第一及び第三の層より
も屈折率が高く、光源から放射された光ビームは、この
構造のこの第二の層の中に浸透する。
第一、第二、第三の透明な層を重ねたものを持ち、第二
の層はそれを上下から挟んでいる第一及び第三の層より
も屈折率が高く、光源から放射された光ビームは、この
構造のこの第二の層の中に浸透する。
−この構造に一体化された、第三の層に蒸着された金属
層から成る偏光器。この偏光器は、トランスバース・マ
グネチックの伝播モードを減衰するので、トランスバー
ス・エレクトリックの伝播モードにとって都合が良くな
る。
層から成る偏光器。この偏光器は、トランスバース・マ
グネチックの伝播モードを減衰するので、トランスバー
ス・エレクトリックの伝播モードにとって都合が良くな
る。
−この機構に一体化され、偏光器の出口に置かれ、ＴＥ
モードの平行な光ビームを送るコリメータの光学機構。
モードの平行な光ビームを送るコリメータの光学機構。
一層の面に垂直な放物面を呈し、層のエツチングによっ
て得られる鏡。この鏡はコリメータの光学機構から来る
平行な光ビームを受け、読み取るべき磁気下地に焦点を
合わされたＴＥモードのビームを送る。このビームはこ
の下地で反射し、これによって、常にＴＥモードの第一
の部分と７Ｍモードの第二の部分を含む帰りのビームが
生まれる。この第二の部分は下地の磁化の方向に依存す
る位相を持つ。この帰りのビームが放物面鏡にあたりに
来て、放物面鏡で反射し、平行な帰りのビームを生む。
て得られる鏡。この鏡はコリメータの光学機構から来る
平行な光ビームを受け、読み取るべき磁気下地に焦点を
合わされたＴＥモードのビームを送る。このビームはこ
の下地で反射し、これによって、常にＴＥモードの第一
の部分と７Ｍモードの第二の部分を含む帰りのビームが
生まれる。この第二の部分は下地の磁化の方向に依存す
る位相を持つ。この帰りのビームが放物面鏡にあたりに
来て、放物面鏡で反射し、平行な帰りのビームを生む。
一平行な帰りのビームの軌跡上に置かれ、この構造に一
体化された、偏光変換回折格子。この回折格子は帰りの
ビームの方向に対して成る傾きを持ち、また、帰りのビ
ームのＴＥモードの部分がＢｒａｇｇ回折により部分的
に７Ｍモードに変換されるような格子定数を持つ。この
同じ帰りのビームの７Ｍモードの部分はこの回折格子を
減衰しないで通過する。
体化された、偏光変換回折格子。この回折格子は帰りの
ビームの方向に対して成る傾きを持ち、また、帰りのビ
ームのＴＥモードの部分がＢｒａｇｇ回折により部分的
に７Ｍモードに変換されるような格子定数を持つ。この
同じ帰りのビームの７Ｍモードの部分はこの回折格子を
減衰しないで通過する。
−ＴＭモードで機能する干渉計測光回路。この回路は回
折格子で回折された７Ｍモードのビームとこの回折格子
を通過した７Ｍモードを干渉させることができる。
折格子で回折された７Ｍモードのビームとこの回折格子
を通過した７Ｍモードを干渉させることができる。
一干渉計測光回路の出口に置かれた光検出器。この光検
出器は電気信号を発信し、その成分は、最終的に、下地
上で読み取られた磁化の方向に依存する。
出器は電気信号を発信し、その成分は、最終的に、下地
上で読み取られた磁化の方向に依存する。
第４図に表されている装置は光源Ｓと伝送構造２０を持
つが、第５図を説明した後の方が、その構成をより良く
理解できるであろう。この構造には、様々な要素が集積
されている、即ち、偏光器Ｐ；コリメータの光学機構、
これは図示された例では放物面を持つ円筒形の鏡ＰＭＩ
から構成されているが、平面鏡とレンズＬ（点線）で構
成することもできるであろう；装置は更に、放物面を持
つ円筒形の鏡ＰＭ２を持ち、この鏡は、それが受ける光
を一点Ｆに焦点を合わせる：偏光変換回折格子ＲＣＰ
；回折格子ＲＣＰにより回折された光の軌跡の上に置か
れた鏡Ｍ；及び、半透明の四分の一波長板ＬＳであり、
この四分の一波長板は、それが反射する一部のビームを
、鏡Ｍから来るビームと再び組み合わせる。装置は、更
に、光検出器りを持つが、これは伝送構造に一体化され
ても、されなくてもよい。
つが、第５図を説明した後の方が、その構成をより良く
理解できるであろう。この構造には、様々な要素が集積
されている、即ち、偏光器Ｐ；コリメータの光学機構、
これは図示された例では放物面を持つ円筒形の鏡ＰＭＩ
から構成されているが、平面鏡とレンズＬ（点線）で構
成することもできるであろう；装置は更に、放物面を持
つ円筒形の鏡ＰＭ２を持ち、この鏡は、それが受ける光
を一点Ｆに焦点を合わせる：偏光変換回折格子ＲＣＰ
；回折格子ＲＣＰにより回折された光の軌跡の上に置か
れた鏡Ｍ；及び、半透明の四分の一波長板ＬＳであり、
この四分の一波長板は、それが反射する一部のビームを
、鏡Ｍから来るビームと再び組み合わせる。装置は、更
に、光検出器りを持つが、これは伝送構造に一体化され
ても、されなくてもよい。
この装置の動作は以下の通りである。偏光器Ｐは光源Ｓ
から送られるビームの中に存在する７Ｍモードを減衰さ
せ、ＴＥモードだけから成るビームを送り出すくこれは
、第６図の説明を読むと一層よく理解できるであろう）
。これは、電界Ｅが図と同一の平面にあることを意味す
る。コリメータの光学機構は、この発散するビームから
、平行なビームを作り、それが放物面鏡ＭＰ２にあたり
に来る。反射されたビームは、読み取りたい磁気下地１
０の近くでＦに集中する。
から送られるビームの中に存在する７Ｍモードを減衰さ
せ、ＴＥモードだけから成るビームを送り出すくこれは
、第６図の説明を読むと一層よく理解できるであろう）
。これは、電界Ｅが図と同一の平面にあることを意味す
る。コリメータの光学機構は、この発散するビームから
、平行なビームを作り、それが放物面鏡ＭＰ２にあたり
に来る。反射されたビームは、読み取りたい磁気下地１
０の近くでＦに集中する。
この下地上で反射した後、伝送構造に戻るビームは、一
部はＴＥモードで（これが最も重要な部分である）、一
部は、下地から引き起こされた光−磁気効果で生まれた
７Ｍモードである。７Ｍモードの部分は、図と同じ平面
に磁場Ｍを持つ（従って、この同じ図の平面に垂直な電
界を持つことになる）。
部はＴＥモードで（これが最も重要な部分である）、一
部は、下地から引き起こされた光−磁気効果で生まれた
７Ｍモードである。７Ｍモードの部分は、図と同じ平面
に磁場Ｍを持つ（従って、この同じ図の平面に垂直な電
界を持つことになる）。
ＴＥモードの光度はＡ２（１−ｓｉｎ２ａ）で、７Ｍモ
ードのそれはＡ ２ｓｉｎ２ａであるが、振幅は、出会
う磁化の方向によってＡ ５ｉｎａ或いは−Ａ ５ｉｎ
ａである。
ードのそれはＡ ２ｓｉｎ２ａであるが、振幅は、出会
う磁化の方向によってＡ ５ｉｎａ或いは−Ａ ５ｉｎ
ａである。
ひとたび放物面ｆｉＭＰ２によって反射された帰りのビ
ームは、回折格子ＲＣＰに出会う。後でもっと良く理解
できるであろうが、ＴＥモードと７Ｍモードは正確には
同じ有効波長を持つ訳ではない。これらのモードを特徴
づける有効屈折率が同じではないからである。入射ビー
ムに対する回折格子の傾き（或いは、回折格子への垂直
方向に対する入射角θと言ってもよい）と回折格子の格
子定数Ｐは、良く知られたブラッグ（Ｂｒａｇｇ ）の
条件、即ち、２ｐ、ｃｏｓθλＴＥｆ！−満たすように
調節される。この条件はＴＥモードについてしか満足さ
れない。
ームは、回折格子ＲＣＰに出会う。後でもっと良く理解
できるであろうが、ＴＥモードと７Ｍモードは正確には
同じ有効波長を持つ訳ではない。これらのモードを特徴
づける有効屈折率が同じではないからである。入射ビー
ムに対する回折格子の傾き（或いは、回折格子への垂直
方向に対する入射角θと言ってもよい）と回折格子の格
子定数Ｐは、良く知られたブラッグ（Ｂｒａｇｇ ）の
条件、即ち、２ｐ、ｃｏｓθλＴＥｆ！−満たすように
調節される。この条件はＴＥモードについてしか満足さ
れない。
ここにおいて、λＴＥはＴＥモードに対応する波長、即
ち、λ０を入射ビームの真空中での波長、ＮｅｆｆＴＥ
をＴＥモードの有効屈折率とした時の、λ０ ／Ｎｅｆ
ｆＴＥである。
ち、λ０を入射ビームの真空中での波長、ＮｅｆｆＴＥ
をＴＥモードの有効屈折率とした時の、λ０ ／Ｎｅｆ
ｆＴＥである。
このような条件のもとで、入射ビームのＴＥモードであ
る部分は、回折によって一部が７Ｍモードに変換される
であろう（約５０９６）。従って、回折されたビームは
７Ｍモードである。他方、７Ｍモードのビームの回折格
子にあたる部分は、その波長λＴＭが上に定義されたブ
ラッグの条件を満たさないために、回折されないであろ
う。
る部分は、回折によって一部が７Ｍモードに変換される
であろう（約５０９６）。従って、回折されたビームは
７Ｍモードである。他方、７Ｍモードのビームの回折格
子にあたる部分は、その波長λＴＭが上に定義されたブ
ラッグの条件を満たさないために、回折されないであろ
う。
′ｍＭは、回折されたビームを、これもまた回折格子で
作ることができる半透明の四分の一波長板ＬＳの方へ反
射する。この四分の一波長板は７Ｍモードの入射ビーム
を部分的に反射する。
作ることができる半透明の四分の一波長板ＬＳの方へ反
射する。この四分の一波長板は７Ｍモードの入射ビーム
を部分的に反射する。
従って、要素Ｒ（：Ｐ、Ｍ及びＬＳが干渉計測光回路を
構成する。勿論、菱形、２本の平行なアームを持つもの
、等、他の型を考えることもできる。
構成する。勿論、菱形、２本の平行なアームを持つもの
、等、他の型を考えることもできる。
ＴＭ千−ドの２本のビームが干渉現象を起こし、干渉の
結果が検出３Ｄにより検出される。
結果が検出３Ｄにより検出される。
回折格子ＲＣＰにより回折されたビームは、ＴＥモード
から来る参照ビームとなり、このビームは、磁気下地で
の反射から生じた７Ｍモードが受けてきた全ての変動を
受けている。
から来る参照ビームとなり、このビームは、磁気下地で
の反射から生じた７Ｍモードが受けてきた全ての変動を
受けている。
参照ビームの振幅を工、測定ビームの振幅を凪とすると
、干渉は以下のような形の光度を出現させるであろう： ｒ２＋ｍ２＋２ｒｍＣＯ５ψ ここで、角度ψは、下地の磁化の方向に応じて、０また
はπに正確に等しい。従って、以下に等しい信号が検出
されるであろう： ｒ２＋ｍ２＋２ｒｍまたはｒ２＋ｍ２−ｍ２−２ｒ＋ｍ
２という量は固定された成分を表す。
、干渉は以下のような形の光度を出現させるであろう： ｒ２＋ｍ２＋２ｒｍＣＯ５ψ ここで、角度ψは、下地の磁化の方向に応じて、０また
はπに正確に等しい。従って、以下に等しい信号が検出
されるであろう： ｒ２＋ｍ２＋２ｒｍまたはｒ２＋ｍ２−ｍ２−２ｒ＋ｍ
２という量は固定された成分を表す。
磁化の方向による信号の差は４ｒｍに等しい。この差は
工に比例する。信号雑音比も同様に「ｍに比例する。参
照ビームの振幅（ｒ）が測定ビームの振幅（ｍ）に比べ
て大きいことは、従って、場合によっては、感度に関し
ても、信号雑音比に関しても有利な因子となる。
工に比例する。信号雑音比も同様に「ｍに比例する。参
照ビームの振幅（ｒ）が測定ビームの振幅（ｍ）に比べ
て大きいことは、従って、場合によっては、感度に関し
ても、信号雑音比に関しても有利な因子となる。
第５図は、伝送構造２０の断面を示す。この種の構造は
、既知のごとく、例えばケイ素でできた基盤２２、例え
ば屈折率１．４５のシリカＳｉＯ□でできた第一の層２
４、例えば屈折率２のＳｉ３Ｎ４でできた第二の層２６
、及び例えば屈折率１．４５の５ｉ０２でできた第三の
層２８を持つ。第一及び第三の層の厚さは、１．５から
３μｍのオーダーである。挿入される層の厚さは、０．
１から０．２μｍである。光波は層２６によって伝送さ
れる、実際には、隣接する層のそれぞれの中にも、潮消
波の形で光波は存在する。しかし、ビームの発散はＴＥ
伝播モードと７Ｍ伝播モードでは同じではない。７Ｍモ
ードの方がＴＥモードよりも発散が大きい。
、既知のごとく、例えばケイ素でできた基盤２２、例え
ば屈折率１．４５のシリカＳｉＯ□でできた第一の層２
４、例えば屈折率２のＳｉ３Ｎ４でできた第二の層２６
、及び例えば屈折率１．４５の５ｉ０２でできた第三の
層２８を持つ。第一及び第三の層の厚さは、１．５から
３μｍのオーダーである。挿入される層の厚さは、０．
１から０．２μｍである。光波は層２６によって伝送さ
れる、実際には、隣接する層のそれぞれの中にも、潮消
波の形で光波は存在する。しかし、ビームの発散はＴＥ
伝播モードと７Ｍ伝播モードでは同じではない。７Ｍモ
ードの方がＴＥモードよりも発散が大きい。
この種の構造の中を伝播される光ビームの有効屈折率は
、通過する層の実際の屈折率ばかりでなく、これらの層
の大きさやモードの種類にも左右される。ＴＥモードと
７Ｍモードの空間的分布は同じではないので、これらは
同じ有効屈折率は持たないだろうと考えられる。使用さ
れる光の真空中での波長をλ０ 、ＴＥモードと７Ｍモ
ードでの有効屈折率をそれぞれＮｅｆｆＴＥとＮｅｆｆ
ＴＭとすると、これらのモードは２つの異なる波長λＴ
ＥとλＴＭを示すであろう： 波長の差Δλは、以下の公式に基づいて、有効屈折率の
差ΔＮｅｆｆに依存する： λ Ｎｅｆｆ 差ΔＮｅｆｆは約０．１ 、Ｎｅｆｆは１，６程度であ
る。
、通過する層の実際の屈折率ばかりでなく、これらの層
の大きさやモードの種類にも左右される。ＴＥモードと
７Ｍモードの空間的分布は同じではないので、これらは
同じ有効屈折率は持たないだろうと考えられる。使用さ
れる光の真空中での波長をλ０ 、ＴＥモードと７Ｍモ
ードでの有効屈折率をそれぞれＮｅｆｆＴＥとＮｅｆｆ
ＴＭとすると、これらのモードは２つの異なる波長λＴ
ＥとλＴＭを示すであろう： 波長の差Δλは、以下の公式に基づいて、有効屈折率の
差ΔＮｅｆｆに依存する： λ Ｎｅｆｆ 差ΔＮｅｆｆは約０．１ 、Ｎｅｆｆは１，６程度であ
る。
従って、差Δλは約５００オングストロームである。
第４図の装置に現れる様々な要素は、このＴＥモードと
７Ｍモードの波長の差に基づいている。
７Ｍモードの波長の差に基づいている。
この差を出来る限り大きくするには、挿入される層２６
を薄く、例えば、０．１から０．２μｍ程度にすればよ
い。
を薄く、例えば、０．１から０．２μｍ程度にすればよ
い。
入射するビームに働きかけるコリメータの光学機構は、
反射屈折の形でも、屈折光学の形でも（即ち、鏡を用い
ても、レンズを用いても）実現できるか、帰りのビーム
に働きかけるコリメータの光学機構に関しては、この機
構は必ず光学屈折の形で実現しなけわばならないことに
注意する必要かある。入射するビームは唯一のモードＴ
Ｅシか含まず、唯一の波長を持つのに対し、帰りのビー
ムは波長の異なるＴＥ及びＴＭの２つのモードを含んで
いるからである。
反射屈折の形でも、屈折光学の形でも（即ち、鏡を用い
ても、レンズを用いても）実現できるか、帰りのビーム
に働きかけるコリメータの光学機構に関しては、この機
構は必ず光学屈折の形で実現しなけわばならないことに
注意する必要かある。入射するビームは唯一のモードＴ
Ｅシか含まず、唯一の波長を持つのに対し、帰りのビー
ムは波長の異なるＴＥ及びＴＭの２つのモードを含んで
いるからである。
今度は、第４図の装置に使われる要素がもっと詳細に説
明される。
明される。
先ず最初に、第６図に表された装置は、第４図の偏光器
Ｐに対応する偏光器である。上側の層２８は部分的にエ
ツチングが施され、エツチングされた部分は金属の層３
０で覆われる。７Ｍモードは、発散が大きいために、こ
の種の層によって強く吸収されるであろうが、ＴＥモー
ドは影習を受けないであろう。従って、この種の装置は
入射ビームに含まれる７Ｍモードの部分を排除し、Ｔ、
Ｅモードだけのビームを送り出す。
Ｐに対応する偏光器である。上側の層２８は部分的にエ
ツチングが施され、エツチングされた部分は金属の層３
０で覆われる。７Ｍモードは、発散が大きいために、こ
の種の層によって強く吸収されるであろうが、ＴＥモー
ドは影習を受けないであろう。従って、この種の装置は
入射ビームに含まれる７Ｍモードの部分を排除し、Ｔ、
Ｅモードだけのビームを送り出す。
第７図は鏡を表す。層２４．２６．２８が基盤２２まで
エツチングされている。金属の層３２がエツチングされ
た層の腹に蒸着されている（但し、この金属の層は不可
欠という訳ではない、層−空気のジオプトリーが、場合
によっては、全反射ジオプトリーになることもある）。
エツチングされている。金属の層３２がエツチングされ
た層の腹に蒸着されている（但し、この金属の層は不可
欠という訳ではない、層−空気のジオプトリーが、場合
によっては、全反射ジオプトリーになることもある）。
第８図は回折格子を表す。上側の層２８は層２６までエ
ツチングされ、エツチングされた場所全体に誘電体３４
が蒸着される。従って、伝送層の中で伝播条件が周期的
に変わるので、これが回折現象につながる（「・屈折の
」と呼ばれる回折格子）。
ツチングされ、エツチングされた場所全体に誘電体３４
が蒸着される。従って、伝送層の中で伝播条件が周期的
に変わるので、これが回折現象につながる（「・屈折の
」と呼ばれる回折格子）。
回折格子ＲＣＰは、Δλ＝１λＴＥ−λＴＭＩだけ隔た
りのある２つの波長を区別できなければならない。先に
挙げた例で、Δλは約５００オングストロームであるこ
とを見た。しかし、回折格子の選択性は、様々なバラサ
イト効果から生じつる波長の変動、特に光源の波長の変
動を上回らなければならない。この曖昧さは約１００オ
ングストロームである。従って、回折格子の波長の選択
性は、大体１００から５００オングストロームの間にな
ければならない。
りのある２つの波長を区別できなければならない。先に
挙げた例で、Δλは約５００オングストロームであるこ
とを見た。しかし、回折格子の選択性は、様々なバラサ
イト効果から生じつる波長の変動、特に光源の波長の変
動を上回らなければならない。この曖昧さは約１００オ
ングストロームである。従って、回折格子の波長の選択
性は、大体１００から５００オングストロームの間にな
ければならない。
第５図の装置は、実のところ、原理図である。
実際には、読み取りヘッドは、第９図に表されるような
、付属部品ではあるが有用な様々な部品によって補足さ
れるであろう。
、付属部品ではあるが有用な様々な部品によって補足さ
れるであろう。
この図において、読み取りヘッドは、第５図に既に表さ
れた要素の他に、第二の検出器Ｄ′と組み合わされた第
二の半透明な四分の一波長板ＬＳ’ 、主検出器りの前
に置かれた補助回折格子Ｒ′、回折格子ＲＣＰにより回
折されたビームの軌跡上に置かれた移相器ＰＤＨ、様々
な減衰器、ＡＴｔ、Ａｒ１．Ａｒ３及び装置の出口の伝
送ガイドＧを持つ。
れた要素の他に、第二の検出器Ｄ′と組み合わされた第
二の半透明な四分の一波長板ＬＳ’ 、主検出器りの前
に置かれた補助回折格子Ｒ′、回折格子ＲＣＰにより回
折されたビームの軌跡上に置かれた移相器ＰＤＨ、様々
な減衰器、ＡＴｔ、Ａｒ１．Ａｒ３及び装置の出口の伝
送ガイドＧを持つ。
検出器Ｄ′で、帰りのビームの光度を検出でき、光源の
自動調節が可能である。
自動調節が可能である。
回折格子Ｒ′は、ＴＭモードを反射し、測定するビーム
にＴＥモードが残っていれば、これを減衰なしに通過さ
せる。つまり、この鏡は干渉計測光回路の選択性を補完
するのに役立つ。
にＴＥモードが残っていれば、これを減衰なしに通過さ
せる。つまり、この鏡は干渉計測光回路の選択性を補完
するのに役立つ。
移相器ＰＤＨは以下の理由で重要である。干渉現象を起
こすビーム、即ち、回折格子ＲＣＰにより回折される参
照ビームとこのビームを横切った測定ビームは、出会う
磁場の方向に応じて、厳密にはπまたは０に等しくない
位相を互いに示す。この位相はくψＭ＋ψ０）に等しく
、ここで、Ｍは０或いはπに等しく、ψＯは２本のビー
ムが辿る光学経路の違いに起因する移相である。この検
出器りは、従って、以下の２つの信号のうちのどちらか
を検出する： ｒ２＋ｍ２＋２ｒｍＣＯ３ψＯ ｒ２＋ｍｍ２−２ｒ ｃｏｓψＯ たまたま具合の悪いことに、構成のためにψ０がπ／２
か、或いはもつと一般的に（２に＋１）π／２に等しい
と、検出される２つの値の差は零になるであろう。この
ような不利な状況を避けるために、移相ψ１を導入する
移相器ＰＤＨを付は加える。従って、検出された信号に
おいて、位相に感じる項はＣＯ８（ψＯ＋ψｌ）の形に
なるであろう。もしψ０が（２に＋１）π／２に近いと
いうようなことになれば、位相全体が（に十に’ ＋２
）πに近づくためには、ψ１に（２に’ ＋ｌ）π／２
に近い値を与えればよく、これが最大感度につながる。
こすビーム、即ち、回折格子ＲＣＰにより回折される参
照ビームとこのビームを横切った測定ビームは、出会う
磁場の方向に応じて、厳密にはπまたは０に等しくない
位相を互いに示す。この位相はくψＭ＋ψ０）に等しく
、ここで、Ｍは０或いはπに等しく、ψＯは２本のビー
ムが辿る光学経路の違いに起因する移相である。この検
出器りは、従って、以下の２つの信号のうちのどちらか
を検出する： ｒ２＋ｍ２＋２ｒｍＣＯ３ψＯ ｒ２＋ｍｍ２−２ｒ ｃｏｓψＯ たまたま具合の悪いことに、構成のためにψ０がπ／２
か、或いはもつと一般的に（２に＋１）π／２に等しい
と、検出される２つの値の差は零になるであろう。この
ような不利な状況を避けるために、移相ψ１を導入する
移相器ＰＤＨを付は加える。従って、検出された信号に
おいて、位相に感じる項はＣＯ８（ψＯ＋ψｌ）の形に
なるであろう。もしψ０が（２に＋１）π／２に近いと
いうようなことになれば、位相全体が（に十に’ ＋２
）πに近づくためには、ψ１に（２に’ ＋ｌ）π／２
に近い値を与えればよく、これが最大感度につながる。
この袖の移相器の可能な実施方法が第１０図に表される
。上側の層２８は部分的にエツチングされ、エツチング
された部分は誘電体３６で覆われる。この誘電体は伝送
層２６の中の伝播定数を変え、誘電体の長さに比例した
移相を導入する。
。上側の層２８は部分的にエツチングされ、エツチング
された部分は誘電体３６で覆われる。この誘電体は伝送
層２６の中の伝播定数を変え、誘電体の長さに比例した
移相を導入する。
出口のガイドＧについては、これがあると、読み取りヘ
ッドの出口の面に置かれる焦点Ｆがなくてすむ。この種
のガイドを使えば、これの人口を焦点Ｆに置き、出口の
面へ向けて伝送ガイドを実現すれば十分である。その上
、このカイトは必ずしも真っ直ぐでなくてもよい。
ッドの出口の面に置かれる焦点Ｆがなくてすむ。この種
のガイドを使えば、これの人口を焦点Ｆに置き、出口の
面へ向けて伝送ガイドを実現すれば十分である。その上
、このカイトは必ずしも真っ直ぐでなくてもよい。
第１１図はこの種のガイドの実施例を示す。上側の層２
８は、幅１μｍ程度の真っ直ぐな、或いは曲がった棒が
１本だけ残るようにエツチングされる。すると、光ビー
ムは伝送層の中で、この上部構造を辿ることがわかる。
８は、幅１μｍ程度の真っ直ぐな、或いは曲がった棒が
１本だけ残るようにエツチングされる。すると、光ビー
ムは伝送層の中で、この上部構造を辿ることがわかる。
その上、平行或いは扇形に配置された数本のこの型の伝
送ガイドを使うこともできる。
送ガイドを使うこともできる。
検出器りはヘッドに一体化することができる。
一体化された光回路の検出器は、本特許の申請者の名で
申請された欧州特許出願０１９８７３５に記述されてい
る。第１２図に表されているように、この検出器は、ケ
イ素の基盤２２の中に形成された参照番号４０の接続Ｐ
Ｎと、伝送層２６の中を伝播されるビームを接続４０の
方へ送り返すことができる回折格子４２を持つ。
申請された欧州特許出願０１９８７３５に記述されてい
る。第１２図に表されているように、この検出器は、ケ
イ素の基盤２２の中に形成された参照番号４０の接続Ｐ
Ｎと、伝送層２６の中を伝播されるビームを接続４０の
方へ送り返すことができる回折格子４２を持つ。
この種の検出器は、本来、伝播モードに対する選択性が
ある。７Ｍモードにしか反応しないように設計すること
ができ、これが、干渉計測光回路ｐ選択性を一層高める
。
ある。７Ｍモードにしか反応しないように設計すること
ができ、これが、干渉計測光回路ｐ選択性を一層高める
。
光源Ｓは光ファイバーで伝送構造に接続できる。しかし
、第１３図に示されるように、光源を伝送構造に一体化
することもできる。この場合、光源Ｓは基盤２２上に固
定され、その能動層４６が伝送層２６と同じ高さになる
ように組み込まれる。
、第１３図に示されるように、光源を伝送構造に一体化
することもできる。この場合、光源Ｓは基盤２２上に固
定され、その能動層４６が伝送層２６と同じ高さになる
ように組み込まれる。
記述された装置で用いられる回折格子は、ホログラフィ
−或いは電子マスクで得ることができる。
−或いは電子マスクで得ることができる。
入射角として６３°４３を選ぶことができる（これはａ
ｒｃ Ｌｇ ２に対応し、電子マスクで容易に得られる
値である）。すると、回折格子の格子定数はΔ０ ／２
Ｎｅｆｆ ｃｏｓθに等しい。
ｒｃ Ｌｇ ２に対応し、電子マスクで容易に得られる
値である）。すると、回折格子の格子定数はΔ０ ／２
Ｎｅｆｆ ｃｏｓθに等しい。
すると、０．８μｍの波長と１．６の屈折率についての
格子定数は０．５６μｍになる。
格子定数は０．５６μｍになる。
回折格子は約１００本捏度の線があればよい。従って、
幅は約４０μｍになるだろう。これは小さい。要素は殆
ど場所をとらない。
幅は約４０μｍになるだろう。これは小さい。要素は殆
ど場所をとらない。
今まで説明してきた読み取りヘッドはｌｍｌｌｌＸ１ｍ
ｍ、或いはそれ以下の板の上に支持することができる。
ｍ、或いはそれ以下の板の上に支持することができる。
このヘッドは古典的なピックアップに組み込むことがで
き、ピックアップは書き込みの磁気ヘッドも含むことが
できる。ヘッドのクリアランスの変動は重要ではない。
き、ピックアップは書き込みの磁気ヘッドも含むことが
できる。ヘッドのクリアランスの変動は重要ではない。
既に見たように、干渉現象を起こす２本のビームは同じ
変動を受けるからである。従って、変動の効果は測定の
最終結果には影響を及ぼさない。
変動を受けるからである。従って、変動の効果は測定の
最終結果には影響を及ぼさない。
第１図は、既に述べた通り、磁気書き込みの原理を示す
、 第２図は、既に述べた通り、磁気下地の光学読み出しの
原理を示す、 第３図は、既に述べた通り、光学読出し技術に関わる様
々な要素を示す、 第４図は、本発明による、一体化された光回路による読
み取りヘッドを上から見たところである、 第５図は、伝送構造の断面図である、 第６図は、偏光器の実施例である、 第７図は、鏡の実施例である、 第８図は、回折格子の実施例である、 第９図は、本発明による読み取りヘッドに様々な付属部
品を付けたところであ°る、 第１Ｏ図は、移相器の実施方法である、第１１図は、出
口の光ガイドの実施方法である、７ｆｉ＋２図は、一体
化された検出器の実施方法である、 第１３図は、光源が伝送構造に一体化されている別法を
示す。 の
、 第２図は、既に述べた通り、磁気下地の光学読み出しの
原理を示す、 第３図は、既に述べた通り、光学読出し技術に関わる様
々な要素を示す、 第４図は、本発明による、一体化された光回路による読
み取りヘッドを上から見たところである、 第５図は、伝送構造の断面図である、 第６図は、偏光器の実施例である、 第７図は、鏡の実施例である、 第８図は、回折格子の実施例である、 第９図は、本発明による読み取りヘッドに様々な付属部
品を付けたところであ°る、 第１Ｏ図は、移相器の実施方法である、第１１図は、出
口の光ガイドの実施方法である、７ｆｉ＋２図は、一体
化された検出器の実施方法である、 第１３図は、光源が伝送構造に一体化されている別法を
示す。 の
Claims (9)
- （１）２つの反対の方向のどちらか一方の向きの磁化を
示す磁気下地（１０）に書き込まれた情報を読み取るた
めのものであり、以下のもの、即ち、 −光ビームを放射する光源（５）、 −ビームの光伝送構造で、この構造は、基盤（２２）、
及び、第一、第二、第三の透明な層（２４、２６、２８
）を重ねたものを持ち、第二の層（２６）はそれを上下
から挟んでいる第一及び第三の層（２４、２８）よりも
屈折率が高く、光源から放射された光ビームは、この構
造のこの第二の層（２６）の中に浸透し、 −この構造に一体化された、第三の層（２８）に蒸着さ
れた金属層（３０）から成る偏光器（Ｐ）で、この偏光
器は、トランスバース・マグネチック（ＴＭ）伝播モー
ドを減衰するので、トランスバース・エレクトリック（
ＴＥ）伝播モードを助成し、 −この機構に一体化され、偏光器の出口に置かれ、（Ｔ
Ｅ）モードの平行な光ビームを送るコリメータの光学機
構（ＭＰ１）、 −層の面に垂直な放物面を呈し、層のエッチングによっ
て得られる鏡（ＭＰ２）でこの鏡はコリメータの光学機
構から来る平行な光ビームを受け、読み取るべき磁気下
地に焦点を合わされた（ＴＥ）モードのビームを送り、
このビームはこの下地で反射し、これによって、常に（
ＴＥ）モードの第一の部分と（ＴＭ）モードの第二の部
分を含む帰りのビームが生まれ、この第二の部分は下地
の磁化の方向に依存する位相を持ち、この帰りのビーム
が放物面鏡（ＭＰ２）にあたりに来て、放物面鏡で反射
し、平行な帰りのビームを生み、 −平行な帰りのビームの軌跡上に置かれ、 この構造に一体化された、偏光変換回折格子（ＲＣＰ）
で、この回折格子（ＲＣＰ）は帰りのビームの方向に対
して傾き（θ）を持ち、また帰りのビームの（ＴＥ）モ
ードの部分がブラッグ回折により部分的に（ＴＭ）モー
ドに変換されるような格子定数を持ち、この同じ帰りの
ビームの（ＴＭ）モードの部分はこの回折格子（ＲＣＰ
）を減衰しないで通過し、 −（ＴＭ）モードで機能する干渉計測光回路Ｍ、ＬＳ）
で、この干渉計測光回路は回折格子で回折された（ＴＭ
）モードのビームとこの回折格子を通過した（ＴＭ）モ
ードのビームを干渉させることができ、 −干渉計測光回路の出口に置かれた光検出器（Ｄ）で、
この光検出器は電気信号を発信し、電気信号の成分は、
最終的に、下地上で読み取られた磁化の方向に依存する ことを特徴とする、一体化された光回路による読み取り
ヘッド。 - （２）干渉計測光回路が、偏光変換回折格子（ＲＣＰ）
により回折されたビームの軌跡上に置かれた反射器（Ｍ
）、及び、この変換回折格子により伝えられる帰りのビ
ームの軌跡上に置かれた四分の一波長板（ＬＳ）を持ち
、 反射器（Ｍ）により平行に反射されたビームと四分の一
波長板（ＬＳ）により平行に反射されたビームは合流し
て干渉現象を起こし、 光検出器（Ｄ）がこの２本のビームの共通の軌跡上に置
かれる ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。 - （３）その他に、偏光変換回折格子（ＲＣＰ）により回
折されたビームの軌跡上に置かれた移相器（ＰＤＨ）を
持つ ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。 - （４）光伝送構造が、その他に、 一方の端が放物面鏡（ＭＰ２）の焦点を合わされた点（
Ｆ）に置かれ、他方の端が、読み取るべき磁気下地（１
０）の近くの、ヘッドの出口の面に通じる光マイクロガ
イド（Ｇ）を持つ ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。 - （５）コリメータの光学機構が、 層の面に垂直な放物面を持ち、この層のエッチングによ
り得られる鏡（ＭＰ１）から構成されることを特徴とす
る、特許請求の範囲第１項に記載の読み取りヘッド。 - （６）光検出器（Ｄ）が、 伝送構造に一体化され、かつ、 基盤（２２）に一体化された接続ＰＮ（４０）、及び、
層を重ねたものに一体化され、第二の層により伝送され
るビームを接続ＰＮの方へ回折できる回折格子（４２）
を持つ ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。 - （７）光源（Ｓ）が、 光ファイバーによって伝送層に結合される ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。 - （８）光源（Ｓ）が、 基盤に一体化されている ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。 - （９）伝送構造が、その他に、 第一の四分の一波長板を通過した光の軌跡上に置かれた
第二の四分の一波長板（ＬＳ′）、及び、この第二の四
分の一波長板（ＬＳ′）により反射されたビームの軌跡
上に置かれた第二の光検出器（Ｄ′）を持つ ことを特徴とする、特許請求の範囲第１項に記載の読み
取りヘッド。
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