JPH06223433A - 光磁気信号の検出方法および装置 - Google Patents
光磁気信号の検出方法および装置Info
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- JPH06223433A JPH06223433A JP5013467A JP1346793A JPH06223433A JP H06223433 A JPH06223433 A JP H06223433A JP 5013467 A JP5013467 A JP 5013467A JP 1346793 A JP1346793 A JP 1346793A JP H06223433 A JPH06223433 A JP H06223433A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体に記録されている信号をショ
ットノイズ限界の高Ｓ／Ｎで検出する方法および装置を
提供する。 【構成】 直線偏光されかつコヒーレントな光を磁性膜
上の微小区域に照射して反射光または透過光を得、得ら
れた反射光または透過光を直線偏光されかつコヒーレン
トな光によりホモダイン検波することにより、磁性膜に
光磁気信号として記録されている信号を高Ｓ／Ｎで検出
する。
ットノイズ限界の高Ｓ／Ｎで検出する方法および装置を
提供する。 【構成】 直線偏光されかつコヒーレントな光を磁性膜
上の微小区域に照射して反射光または透過光を得、得ら
れた反射光または透過光を直線偏光されかつコヒーレン
トな光によりホモダイン検波することにより、磁性膜に
光磁気信号として記録されている信号を高Ｓ／Ｎで検出
する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク装置など
の光磁気記録再生装置や磁区観察装置に使用される光磁
気信号の検出方法および装置に関するものである。
の光磁気記録再生装置や磁区観察装置に使用される光磁
気信号の検出方法および装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気信号の検出方法は、必ずし
もコヒーレントでない光を用い、この光を情報信号を記
録した磁性薄膜（以下では厚膜等を含め磁性膜という）
に反射または透過（反射の場合はカー効果、透過の場合
はファラデー効果）させ、得られた反射光または透過光
を光検出器により検出することにより磁性膜に光磁気信
号として記録されている信号を検出するようにしてい
る。この場合、光検出器への到達光量が少ない状態では
原理的に本来検出可能なショットノイズ限界よりはるか
に低レベルのいわば機器限界とも言えるＳ／Ｎの低い状
態でしか検出し得なかった。
もコヒーレントでない光を用い、この光を情報信号を記
録した磁性薄膜（以下では厚膜等を含め磁性膜という）
に反射または透過（反射の場合はカー効果、透過の場合
はファラデー効果）させ、得られた反射光または透過光
を光検出器により検出することにより磁性膜に光磁気信
号として記録されている信号を検出するようにしてい
る。この場合、光検出器への到達光量が少ない状態では
原理的に本来検出可能なショットノイズ限界よりはるか
に低レベルのいわば機器限界とも言えるＳ／Ｎの低い状
態でしか検出し得なかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】光検出の分野では、
「光波が連続ではなく個々の光子からなり、それらが光
検出器の出力端子に電子の不連続的な流れを発生する」
という事実に由来するＳ／Ｎの絶対限界、すなわちショ
ットノイズ限界が存在する。したがって、本発明の課題
である光磁気信号の検出においても、このショットノイ
ズ限界を実現すれば、高Ｓ／Ｎな信号読み出しが達成さ
れることになる。
「光波が連続ではなく個々の光子からなり、それらが光
検出器の出力端子に電子の不連続的な流れを発生する」
という事実に由来するＳ／Ｎの絶対限界、すなわちショ
ットノイズ限界が存在する。したがって、本発明の課題
である光磁気信号の検出においても、このショットノイ
ズ限界を実現すれば、高Ｓ／Ｎな信号読み出しが達成さ
れることになる。
【０００４】ところで、光磁気記録では高Ｓ／Ｎな信号
読み出しを目的として「カー効果の強調」が一般的に行
われている。これは、光磁気記録用磁性膜を誘電体薄膜
や金属反射膜で挟む等の膜構成を行い、磁性膜で多重透
過、多重反射を起こし、カー効果を増大させるものであ
る。
読み出しを目的として「カー効果の強調」が一般的に行
われている。これは、光磁気記録用磁性膜を誘電体薄膜
や金属反射膜で挟む等の膜構成を行い、磁性膜で多重透
過、多重反射を起こし、カー効果を増大させるものであ
る。
【０００５】しかし、上記「カー効果の強調」を行うと
検出光が磁性膜を多重透過、多重反射するため反射光が
低下することになる。反射光が低下すると、ショットノ
イズ限界の検出が行えないのみならず、反射光を使用し
た光スポットのフォーカスサーボ、トラッキングサーボ
にも支障をきたすため、光磁気記録では、極端な「カー
効果の強調」を行うのは得策でない。
検出光が磁性膜を多重透過、多重反射するため反射光が
低下することになる。反射光が低下すると、ショットノ
イズ限界の検出が行えないのみならず、反射光を使用し
た光スポットのフォーカスサーボ、トラッキングサーボ
にも支障をきたすため、光磁気記録では、極端な「カー
効果の強調」を行うのは得策でない。
【０００６】本発明の目的は、このような「カー効果の
強調」を可能な範囲で十分に行って得た微弱な信号光に
対し、ショットノイズ限界の光磁気信号の検出を行い、
磁性膜の性能を十分に引き出し得る高Ｓ／Ｎな信号読み
出しを可能にする光磁気信号の検出方法および装置を提
供するにある。
強調」を可能な範囲で十分に行って得た微弱な信号光に
対し、ショットノイズ限界の光磁気信号の検出を行い、
磁性膜の性能を十分に引き出し得る高Ｓ／Ｎな信号読み
出しを可能にする光磁気信号の検出方法および装置を提
供するにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明光磁気信号の検出方法は、直線偏光されかつコ
ヒーレントな光を磁性膜上の微小区域に照射して反射光
または透過光を得、該得られた反射光または透過光を前
記直線偏光されかつコヒーレントな光によりホモダイン
検波することにより、前記磁性膜に光磁気信号として記
録されている信号を検出するようにしたことを特徴とす
るものである。
に本発明光磁気信号の検出方法は、直線偏光されかつコ
ヒーレントな光を磁性膜上の微小区域に照射して反射光
または透過光を得、該得られた反射光または透過光を前
記直線偏光されかつコヒーレントな光によりホモダイン
検波することにより、前記磁性膜に光磁気信号として記
録されている信号を検出するようにしたことを特徴とす
るものである。
【０００８】また本発明光磁気信号の検出装置は、直線
偏向されかつコヒーレントな光を出力する光源と、前記
光源からの光が磁性膜上の微小区域に照射され、該微小
区域からの反射光または透過光を導く第１の光路と、前
記光源からの光を導く第２の光路と、前記第１の光路と
前記第２の光路の各出力を合波する合波器と、該合波器
からの出力光を検出する光検出器とを少なくとも備えた
ことを特徴とするものであり、また直線偏向されかつコ
ヒーレントな光を出力する光源と、磁性膜の信号記録面
の直近に該記録面と所定の間隔を保つように配置され、
前記光源からの光の一部を反射し他を透過する半反射膜
と、該半反射膜を透過した透過光により磁性膜上の微小
区域を照射することにより得られた該微小区域からの反
射光または透過光と前記半反射膜からの反射光とを重畳
して導く光路と、該光路中に挿入される１／２波長板と
前記光路からの出力光を検出する光検出器とを少なくと
も備えたことを特徴とするものである。
偏向されかつコヒーレントな光を出力する光源と、前記
光源からの光が磁性膜上の微小区域に照射され、該微小
区域からの反射光または透過光を導く第１の光路と、前
記光源からの光を導く第２の光路と、前記第１の光路と
前記第２の光路の各出力を合波する合波器と、該合波器
からの出力光を検出する光検出器とを少なくとも備えた
ことを特徴とするものであり、また直線偏向されかつコ
ヒーレントな光を出力する光源と、磁性膜の信号記録面
の直近に該記録面と所定の間隔を保つように配置され、
前記光源からの光の一部を反射し他を透過する半反射膜
と、該半反射膜を透過した透過光により磁性膜上の微小
区域を照射することにより得られた該微小区域からの反
射光または透過光と前記半反射膜からの反射光とを重畳
して導く光路と、該光路中に挿入される１／２波長板と
前記光路からの出力光を検出する光検出器とを少なくと
も備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
【実施例】以下に添付図面を参照し実施例により本発明
を詳細に説明する。図１は本発明による光磁気信号検出
装置の第１の実施例を示すブロック線図である。コリメ
ート光源１は、例えば半導体レーザとコリメートレンズ
を組み合わせた構成としコヒーレントな直線偏光の光を
出射する。このコリメート光源１からの光がビーム ス
プリッター２、ビーム スプリッター３を通過し光磁気
記録媒体４に照射する。光磁気記録媒体４において照射
された部分の磁化状態に応じて偏向面にカー回転を受け
た光はビーム スプリッター３で反射しビーム スプリ
ッター５に入射する。一方、ビーム スプリッター２に
おいて反射した光源１からの光は、その偏光面を回転さ
せるための１／２波長板６を介してさらに反射鏡７で進
行方向が変えられ、図示のようにビーム スプリッター
５に入射する。ここで磁化状態に応じてカー回転を受け
た光と偏向面一定の光がそれぞれ入射するビーム スプ
リッター５は両光を合波する合波器であり、その出力光
を光電変換を行う光検出器８に導き、出力端子９から光
磁気記録媒体に記録されている情報信号を再生する。
を詳細に説明する。図１は本発明による光磁気信号検出
装置の第１の実施例を示すブロック線図である。コリメ
ート光源１は、例えば半導体レーザとコリメートレンズ
を組み合わせた構成としコヒーレントな直線偏光の光を
出射する。このコリメート光源１からの光がビーム ス
プリッター２、ビーム スプリッター３を通過し光磁気
記録媒体４に照射する。光磁気記録媒体４において照射
された部分の磁化状態に応じて偏向面にカー回転を受け
た光はビーム スプリッター３で反射しビーム スプリ
ッター５に入射する。一方、ビーム スプリッター２に
おいて反射した光源１からの光は、その偏光面を回転さ
せるための１／２波長板６を介してさらに反射鏡７で進
行方向が変えられ、図示のようにビーム スプリッター
５に入射する。ここで磁化状態に応じてカー回転を受け
た光と偏向面一定の光がそれぞれ入射するビーム スプ
リッター５は両光を合波する合波器であり、その出力光
を光電変換を行う光検出器８に導き、出力端子９から光
磁気記録媒体に記録されている情報信号を再生する。
【００１０】次に動作につき説明する。光源１が出射す
る光は直線偏向であり、偏光面の方向に依存して直交座
標系のＸ軸方向にのみ電界成分ＥX があるものとする
と、電界Ｅは次の（１）式で表すことができ、このとき
の電界の振動方向を図２（ａ）に示す。
る光は直線偏向であり、偏光面の方向に依存して直交座
標系のＸ軸方向にのみ電界成分ＥX があるものとする
と、電界Ｅは次の（１）式で表すことができ、このとき
の電界の振動方向を図２（ａ）に示す。
【数１】 （１）式において、τは光の位相を示す。
【００１１】一方、カー回転を受けビーム スプリッタ
ー５に入射した光の電界ＥS は（２）式のようになり、
電界の振動方向を図２（ｂ）に示す。
ー５に入射した光の電界ＥS は（２）式のようになり、
電界の振動方向を図２（ｂ）に示す。
【数２】 （２）式においてψはカー回転角を示し、またＥSYの±
０，πはＸ，Ｙ両軸の電界成分中Ｙ軸成分のみについ
て、光磁気記録媒体４の磁化状態によって位相が０と−
πの変動を受けることを示している。
０，πはＸ，Ｙ両軸の電界成分中Ｙ軸成分のみについ
て、光磁気記録媒体４の磁化状態によって位相が０と−
πの変動を受けることを示している。
【００１２】（１）式で表される光源１からの光の電界
Ｅは、１／２波長板６によりその振動軸を図２（ｃ）に
示すようにＸ軸方向からＹ軸方向に９０度回転させる。
この振動軸を変更した光を反射鏡７を介してビーム ス
プリッター５に入射させる。この入射光の電界ＥL は
（３）式で表される。
Ｅは、１／２波長板６によりその振動軸を図２（ｃ）に
示すようにＸ軸方向からＹ軸方向に９０度回転させる。
この振動軸を変更した光を反射鏡７を介してビーム ス
プリッター５に入射させる。この入射光の電界ＥL は
（３）式で表される。
【数３】 （３）式において、δは光源１から１／２波長板６を経
由してビーム スプリッター５に入射する光と、カー回
転を受けビーム スプリッター５に入射する光との間で
各光路長差ΔＺにより生ずる位相差を示していて、δ＝
２πΔＺ／λ（λは光の波長）の関係にある。
由してビーム スプリッター５に入射する光と、カー回
転を受けビーム スプリッター５に入射する光との間で
各光路長差ΔＺにより生ずる位相差を示していて、δ＝
２πΔＺ／λ（λは光の波長）の関係にある。
【００１３】以上のようにして（２）式と（３）式でそ
れぞれ表される電界ＥS およびＥLがビーム スプリッ
ター５で合波される。図１において、ビーム スプリッ
ター５の出力光はビーム スプリッター３経由の光に対
しては透過光、１／２波長板６経路の光に対しては反射
光として得られるから、これら透過、反射の際のエネル
ギー損失を考慮する必要があり、いまビーム スプリッ
ター５のパワー透過率および反射率をそれぞれε2 およ
び（１−ε2)とすると合波された光の電界ＥSLは（４）
式のようになり、この電界の振動方向を図３に示す。
れぞれ表される電界ＥS およびＥLがビーム スプリッ
ター５で合波される。図１において、ビーム スプリッ
ター５の出力光はビーム スプリッター３経由の光に対
しては透過光、１／２波長板６経路の光に対しては反射
光として得られるから、これら透過、反射の際のエネル
ギー損失を考慮する必要があり、いまビーム スプリッ
ター５のパワー透過率および反射率をそれぞれε2 およ
び（１−ε2)とすると合波された光の電界ＥSLは（４）
式のようになり、この電界の振動方向を図３に示す。
【数４】
【００１４】この（４）式で表されたビーム スプリッ
ター５の出力電界ＥSLから光検出器８により電界ＥSLに
比例した電流Ｉを取り出す。この電流値は、光検出器の
感度がＲであるとし（５）式で表わすことができる。
ター５の出力電界ＥSLから光検出器８により電界ＥSLに
比例した電流Ｉを取り出す。この電流値は、光検出器の
感度がＲであるとし（５）式で表わすことができる。
【数５】 ここで位相差ΔＺをλ／２の整数倍（ΔＺ＝ｎ・λ／
２）（ｎは整数）とすると、δ＝ｎπであるから（５）
式は次の（６）式となり、
２）（ｎは整数）とすると、δ＝ｎπであるから（５）
式は次の（６）式となり、
【数６】 さらにビーム スプリッター５はそれ自体無損失でその
パワー透過率を５０％、パワー反射率を５０％とした場
合、（７）式となる。
パワー透過率を５０％、パワー反射率を５０％とした場
合、（７）式となる。
【数７】
【００１５】（７）式から分かるように、光磁気記録媒
体４によりカー回転を受けた光（E1成分）が微弱であっ
ても光源１からの光（E2成分）の光強度が十分に大きけ
れば、光磁気記録媒体４の磁化情報である±0.5RE1E2SI
N ψの検出がショットノイズ限界で可能となる。また、
本例においては光の電界を90度回転させるための1/2波
長板を光源からの光の光路中に挿入したが、これは、カ
ー回転を受けた光の光路（ビーム スプリッター３とビ
ーム スプリッター５の間）に挿入してもよい。
体４によりカー回転を受けた光（E1成分）が微弱であっ
ても光源１からの光（E2成分）の光強度が十分に大きけ
れば、光磁気記録媒体４の磁化情報である±0.5RE1E2SI
N ψの検出がショットノイズ限界で可能となる。また、
本例においては光の電界を90度回転させるための1/2波
長板を光源からの光の光路中に挿入したが、これは、カ
ー回転を受けた光の光路（ビーム スプリッター３とビ
ーム スプリッター５の間）に挿入してもよい。
【００１６】以上説明した第１の実施例では、光源１に
光出力変動が存在する場合、（７）式において直流成分
0.25R(E2 2+E1 2)と磁化情報である交流成分±0.5RE1E2SI
N ψの関係が一般的に直流成分>>交流成分であるため、
直流成分のわずかな変動によりこれが交流成分にノイズ
となって現れ、光磁気記録媒体から高Ｓ／Ｎな信号読み
出しが困難となる場合もあり、この点について改善した
のが次に説明する第２の実施例である。
光出力変動が存在する場合、（７）式において直流成分
0.25R(E2 2+E1 2)と磁化情報である交流成分±0.5RE1E2SI
N ψの関係が一般的に直流成分>>交流成分であるため、
直流成分のわずかな変動によりこれが交流成分にノイズ
となって現れ、光磁気記録媒体から高Ｓ／Ｎな信号読み
出しが困難となる場合もあり、この点について改善した
のが次に説明する第２の実施例である。
【００１７】図４はこの第２の実施例を示すブロック線
図である。図から分かるように、図１に示す第１の実施
例との違いは、光検出器１１および差動増幅器１２を追
加した点にある。動作としては、光検出器１１にカー回
転を受けた光を反射光とし、光源からの光を透過光とし
て供給し、両光検出器１０（図１における光検出器８相
当），１１の出力を差動増幅器１２の各入力端子に導
き、出力端子１３から直流成分を含まない交流成分（磁
化情報）のみを取り出すようにしている。
図である。図から分かるように、図１に示す第１の実施
例との違いは、光検出器１１および差動増幅器１２を追
加した点にある。動作としては、光検出器１１にカー回
転を受けた光を反射光とし、光源からの光を透過光とし
て供給し、両光検出器１０（図１における光検出器８相
当），１１の出力を差動増幅器１２の各入力端子に導
き、出力端子１３から直流成分を含まない交流成分（磁
化情報）のみを取り出すようにしている。
【００１８】ビーム スプリッター５および光検出器１
１の条件は第１の実施例のときと同じ（光検出器１１の
感度は光検出器８の感度と同じＲ）であるとし、第１の
実施例で求めたのと同様な方法で光検出器１１の出力電
流Ｉ′を求めると（８）式となる。
１の条件は第１の実施例のときと同じ（光検出器１１の
感度は光検出器８の感度と同じＲ）であるとし、第１の
実施例で求めたのと同様な方法で光検出器１１の出力電
流Ｉ′を求めると（８）式となる。
【数８】
【００１９】（７）式および（８）式で表される信号を
差動増幅器１２の各入力端子に導き差演算を行うと、そ
の差演算出力Ｉｓは（９）式のようになる。
差動増幅器１２の各入力端子に導き差演算を行うと、そ
の差演算出力Ｉｓは（９）式のようになる。
【数９】 したがって直流成分がキャンセルされ、これにより光源
の輝度変動などの影響が軽減されかつ検出感度が倍増す
ることになる。
の輝度変動などの影響が軽減されかつ検出感度が倍増す
ることになる。
【００２０】以上説明した第１および第２の実施例によ
る光磁気信号の検出方法によれば、カー回転またはファ
ラデー回転を受けた光を単純に光検出する従来の方法に
比し格段に高Ｓ／Ｎな情報信号の読み出しが可能となる
ことが分かる。しかし、機械的振動などにより光磁気記
録媒体とビーム スプリッター３との間の距離の変化が
生じたとき、これは前述の光路の違いによる位相差δの
時間的変動となり、（５）式から分かるように検出信号
に変動が発生し、正しい信号検出が不可能になるおそれ
がある。そこで、光磁気記録媒体の表面に半反射膜を配
置し、光磁気記録媒体そのものから光源光を得るような
検出系を備えて、この問題を解決した実施例（第３の実
施例）について説明する。
る光磁気信号の検出方法によれば、カー回転またはファ
ラデー回転を受けた光を単純に光検出する従来の方法に
比し格段に高Ｓ／Ｎな情報信号の読み出しが可能となる
ことが分かる。しかし、機械的振動などにより光磁気記
録媒体とビーム スプリッター３との間の距離の変化が
生じたとき、これは前述の光路の違いによる位相差δの
時間的変動となり、（５）式から分かるように検出信号
に変動が発生し、正しい信号検出が不可能になるおそれ
がある。そこで、光磁気記録媒体の表面に半反射膜を配
置し、光磁気記録媒体そのものから光源光を得るような
検出系を備えて、この問題を解決した実施例（第３の実
施例）について説明する。
【００２１】図５は第３の実施例を示すブロック線図で
ある。図５においては、図１，図４との比較から分かる
ように、カー回転を受けた光と光源からの光に対し、半
反射膜１４、ビーム スプリッター３、１／２波長板６
および偏光ビーム スプリッター１５までを共通の光路
とし、半反射膜１４と光磁気記録媒体４の表面との間隔
に時間変動を生じないように半反射膜１４を配置するも
のとする。
ある。図５においては、図１，図４との比較から分かる
ように、カー回転を受けた光と光源からの光に対し、半
反射膜１４、ビーム スプリッター３、１／２波長板６
および偏光ビーム スプリッター１５までを共通の光路
とし、半反射膜１４と光磁気記録媒体４の表面との間隔
に時間変動を生じないように半反射膜１４を配置するも
のとする。
【００２２】したがって、半反射膜１４から偏光ビーム
スプリッター１５までの間でカー回転を受けた光の光
路と光源光の光路は共通の光路となっているためこの部
分での光路長差は生じないし、また半反射膜１４と磁気
記録媒体４との間での光伝搬時間の時間的変動も生じな
いから、全体としてみても位相差δの時間的変動は皆無
となる。
スプリッター１５までの間でカー回転を受けた光の光
路と光源光の光路は共通の光路となっているためこの部
分での光路長差は生じないし、また半反射膜１４と磁気
記録媒体４との間での光伝搬時間の時間的変動も生じな
いから、全体としてみても位相差δの時間的変動は皆無
となる。
【００２３】この場合、半反射膜１４からの反射光（E2
成分) と光磁気記録媒体４からの反射光（E1成分）は、
図６に示すような振動方向の電界となる。また、それら
の位相差δはδ＝ｎπ（ｎは整数）になるように設定す
る。ここで１／２波長板６で両反射光の偏光面を回転さ
せ、偏光ビーム スプリッター１５の透過軸（Ｐ偏光
軸）と反射軸（Ｑ偏光軸）の関係を図７に示すように設
定すると、光検出器１０に到達する電界Ｅｐと光検出器
１１の方に反射される電界Ｅｓはそれぞれ（１０）式で
表される。
成分) と光磁気記録媒体４からの反射光（E1成分）は、
図６に示すような振動方向の電界となる。また、それら
の位相差δはδ＝ｎπ（ｎは整数）になるように設定す
る。ここで１／２波長板６で両反射光の偏光面を回転さ
せ、偏光ビーム スプリッター１５の透過軸（Ｐ偏光
軸）と反射軸（Ｑ偏光軸）の関係を図７に示すように設
定すると、光検出器１０に到達する電界Ｅｐと光検出器
１１の方に反射される電界Ｅｓはそれぞれ（１０）式で
表される。
【数１０】
【００２４】（１０）式において、δは、半反射膜１４
と光磁気記録媒体４間の距離ΔＺによる位相差を表して
いる。したがって、光検出器１０で検出される電流Ｉｐ
と光検出器１１で検出される電流Ｉｑはそれぞれ（１
１）および（１２）式のようになる。
と光磁気記録媒体４間の距離ΔＺによる位相差を表して
いる。したがって、光検出器１０で検出される電流Ｉｐ
と光検出器１１で検出される電流Ｉｑはそれぞれ（１
１）および（１２）式のようになる。
【数１１】
【数１２】
【００２５】これらの出力を差動増幅器１２の各入力端
子から入力すると、その出力電流Ｉｓは（１３）式のよ
うになる。
子から入力すると、その出力電流Ｉｓは（１３）式のよ
うになる。
【数１３】 ここで、E2成分>>E1成分とすると（１３）式は（１４）
式のようになる。
式のようになる。
【数１４】 すなわち、振動の影響を受けない差動出力が得られ、安
定な光磁気信号の検出が可能となる。
定な光磁気信号の検出が可能となる。
【００２６】ところで、以上の第１から第３までの実施
例では、光磁気記録媒体４上にコリメート光源１からの
光束を集光させるようにした構成は示していないが、対
物レンズを使用して集光させても同じ性能を発揮するこ
とは明らかである。また、以上の説明においてほぼ無損
失のビーム スプリッターは誘電体多層膜構成で実現す
ることができる。
例では、光磁気記録媒体４上にコリメート光源１からの
光束を集光させるようにした構成は示していないが、対
物レンズを使用して集光させても同じ性能を発揮するこ
とは明らかである。また、以上の説明においてほぼ無損
失のビーム スプリッターは誘電体多層膜構成で実現す
ることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、直
線偏光されかつコヒーレントな光を磁性膜上の微小区域
に照射して反射光または透過光を得、得られた反射光ま
たは透過光を直線偏光されかつコヒーレントな光により
ホモダイン検波することにより、磁性膜が低反射率ある
いは低透過率であってもショットノイズ限界の磁区情報
の検出を可能とし、磁性膜の性能を限界まで十分に引き
出し得る高Ｓ／Ｎな信号読み出しを可能にする。
線偏光されかつコヒーレントな光を磁性膜上の微小区域
に照射して反射光または透過光を得、得られた反射光ま
たは透過光を直線偏光されかつコヒーレントな光により
ホモダイン検波することにより、磁性膜が低反射率ある
いは低透過率であってもショットノイズ限界の磁区情報
の検出を可能とし、磁性膜の性能を限界まで十分に引き
出し得る高Ｓ／Ｎな信号読み出しを可能にする。
【００２８】また第２の実施例によれば、検出出力中の
直流成分をキャンセルし、磁化情報である交流成分のみ
を取り出すことができるため、光源の輝度変動などの影
響を軽減することができる。またこの第２実施例では検
出感度が倍になる利点もある。さらに第３の実施例によ
れば、半反射膜と光磁気記録媒体との間隔が時間的に変
動しないようにし、しかも半反射膜による反射光を光源
として使用するようにしたため、光源からの光とカー回
転を受けた光との光路差にもとづく位相差δが一定不変
となり、δの変動による誤差を伴うことなく光磁気信号
を検出することができる。
直流成分をキャンセルし、磁化情報である交流成分のみ
を取り出すことができるため、光源の輝度変動などの影
響を軽減することができる。またこの第２実施例では検
出感度が倍になる利点もある。さらに第３の実施例によ
れば、半反射膜と光磁気記録媒体との間隔が時間的に変
動しないようにし、しかも半反射膜による反射光を光源
として使用するようにしたため、光源からの光とカー回
転を受けた光との光路差にもとづく位相差δが一定不変
となり、δの変動による誤差を伴うことなく光磁気信号
を検出することができる。
【図１】図１は、本発明による光磁気信号検出装置の第
１の実施例を示すブロック線図である。
１の実施例を示すブロック線図である。
【図２】図２（ａ）ないし（ｃ）は図１の構成におい
て、それぞれ図２（ａ）は光源から出射した光の電界の
振動方向を示す図、図２（ｂ）はカー回転を受け光合波
用のビーム スプリッターに入射する光の電界の振動方
向を示す図、図２（ｃ）は光源から出射した光が１／２
波長板を経て光合波用のビーム スプリッターに入射す
る光の電界の振動方向を示す図である。
て、それぞれ図２（ａ）は光源から出射した光の電界の
振動方向を示す図、図２（ｂ）はカー回転を受け光合波
用のビーム スプリッターに入射する光の電界の振動方
向を示す図、図２（ｃ）は光源から出射した光が１／２
波長板を経て光合波用のビーム スプリッターに入射す
る光の電界の振動方向を示す図である。
【図３】図３は、図１の構成におけるビーム スプリッ
ターで光合波された出力光の電界の振動方向を示す図で
ある。
ターで光合波された出力光の電界の振動方向を示す図で
ある。
【図４】図４は、本発明による光磁気信号検出装置の第
２の実施例を示すブロック線図である。
２の実施例を示すブロック線図である。
【図５】図５は、本発明による光磁気信号検出装置の第
３の実施例を示すブロック線図である。
３の実施例を示すブロック線図である。
【図６】図６は、図５の構成における半反射膜からの反
射光と光磁気記録媒体からの反射光の各電界の振動方向
を示す図である。
射光と光磁気記録媒体からの反射光の各電界の振動方向
を示す図である。
【図７】図７は、図６に示す電界の振動軸の方向を回転
させ、Ｐ偏光軸とＱ偏光軸への振動方向が第３の実施例
を構成するようにした図である。
させ、Ｐ偏光軸とＱ偏光軸への振動方向が第３の実施例
を構成するようにした図である。
１ コリメート光源 ２，３，５ ビーム スプリッター ４ 光磁気記録媒体 ６ １／２波長板 ７ 反射鏡 ８，１０，１１ 光検出器 ９，１３ 出力端子 １２ 差動増幅器 １４ 半反射膜 １５ 偏光ビーム スプリッター
Claims (7)
- 【請求項１】 直線偏光されかつコヒーレントな光を磁
性膜上の微小区域に照射して反射光または透過光を得、
該得られた反射光または透過光を前記直線偏光されかつ
コヒーレントな光によりホモダイン検波することによ
り、前記磁性膜に光磁気信号として記録されている信号
を検出するようにしたことを特徴とする光磁気信号の検
出方法。 - 【請求項２】 直線偏向されかつコヒーレントな光を出
力する光源と、 前記光源からの光が磁性膜上の微小区域に照射され、該
微小区域からの反射光または透過光を導く第１の光路
と、 前記光源からの光を導く第２の光路と、 前記第１の光路と前記第２の光路の各出力を合波する合
波器と、 該合波器からの出力光を検出する光検出器とを少なくと
も備えたことを特徴とする光磁気信号の検出装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の光磁気信号の検出装置に
おいて、前記第１の光路および前記第２の光路のいずれ
かに偏光面シフト用の１／２波長板が挿入されているこ
とを特徴とする光磁気信号の検出装置。 - 【請求項４】 請求項２または請求項３記載の光磁気信
号の検出装置において、前記合波器をビーム スプリッ
ターで構成したことを特徴とする光磁気信号の検出装
置。 - 【請求項５】 請求項４記載の光磁気信号の検出装置に
おいて、前記ビームスプリッターの２つの出力側にそれ
ぞれ光検出器を配置するとともに、それら各光検出器の
出力相互間の差演算を行う差動増幅器を備えたことを特
徴とする光磁気信号の検出装置。 - 【請求項６】 直線偏向されかつコヒーレントな光を出
力する光源と、 磁性膜の信号記録面の直近に該記録面と所定の間隔を保
つように配置され、前記光源からの光の一部を反射し他
を透過する半反射膜と、 該半反射膜を透過した透過光により磁性膜上の微小区域
を照射することにより得られた該微小区域からの反射光
または透過光と前記半反射膜からの反射光とを重畳して
導く光路と、 該光路中に挿入される１／２波長板と 前記光路からの出力光を検出する光検出器とを少なくと
も備えたことを特徴とする光磁気信号の検出装置。 - 【請求項７】 請求項６記載の光磁気信号の検出装置に
おいて、前記光路にビーム スプリッターを接続し、該
ビーム スプリッターの２つの出力側にそれぞれ光検出
器を配置するとともに、それら各光検出器の出力相互間
の差演算を行う差動増幅器を備えたことを特徴とする光
磁気信号の検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013467A JPH06223433A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 光磁気信号の検出方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5013467A JPH06223433A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 光磁気信号の検出方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06223433A true JPH06223433A (ja) | 1994-08-12 |
Family
ID=11833950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5013467A Pending JPH06223433A (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 光磁気信号の検出方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06223433A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5380606A (en) * | 1992-12-28 | 1995-01-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Secondary battery utilizing a mixed binder |
| EP1860655A2 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-28 | Hitachi, Ltd. | Optical disc apparatus |
| US7750276B2 (en) | 2006-09-11 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | Optical information detecting method, optical head, and optical disc apparatus utilizing plural photodetectors |
| US8023390B2 (en) | 2007-02-23 | 2011-09-20 | Hitachi, Ltd. | Optical head and optical disk device |
| US8094539B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-01-10 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Optical information detection method, optical pickup, and optical information recording and reproducing apparatus |
| US8098548B2 (en) | 2008-04-11 | 2012-01-17 | Hitachi, Ltd. | Optical head and optical disk apparatus |
| US8254236B2 (en) | 2010-07-05 | 2012-08-28 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical information reproducing apparatus |
| WO2013031120A1 (ja) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 変調信号検出装置及び変調信号検出方法 |
| US8659982B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-02-25 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical information recording/reproducing apparatus and optical information reproducing apparatus |
-
1993
- 1993-01-29 JP JP5013467A patent/JPH06223433A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5380606A (en) * | 1992-12-28 | 1995-01-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Secondary battery utilizing a mixed binder |
| US7911889B2 (en) | 2006-05-25 | 2011-03-22 | Hitachi, Ltd. | Optical disc apparatus |
| EP1860655A3 (en) * | 2006-05-25 | 2008-01-23 | Hitachi, Ltd. | Optical disc apparatus |
| KR100841836B1 (ko) * | 2006-05-25 | 2008-06-27 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 광 디스크 장치 |
| US7715287B2 (en) | 2006-05-25 | 2010-05-11 | Hitachi, Ltd. | Optical disk apparatus |
| EP1860655A2 (en) * | 2006-05-25 | 2007-11-28 | Hitachi, Ltd. | Optical disc apparatus |
| US7750276B2 (en) | 2006-09-11 | 2010-07-06 | Hitachi, Ltd. | Optical information detecting method, optical head, and optical disc apparatus utilizing plural photodetectors |
| US8023390B2 (en) | 2007-02-23 | 2011-09-20 | Hitachi, Ltd. | Optical head and optical disk device |
| US8098548B2 (en) | 2008-04-11 | 2012-01-17 | Hitachi, Ltd. | Optical head and optical disk apparatus |
| US8094539B2 (en) | 2008-08-13 | 2012-01-10 | Hitachi Media Electronics Co., Ltd. | Optical information detection method, optical pickup, and optical information recording and reproducing apparatus |
| US8659982B2 (en) | 2009-12-15 | 2014-02-25 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical information recording/reproducing apparatus and optical information reproducing apparatus |
| US8254236B2 (en) | 2010-07-05 | 2012-08-28 | Hitachi Consumer Electronics Co., Ltd. | Optical information reproducing apparatus |
| WO2013031120A1 (ja) | 2011-08-30 | 2013-03-07 | パナソニック株式会社 | 変調信号検出装置及び変調信号検出方法 |
| US9042002B2 (en) | 2011-08-30 | 2015-05-26 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Modulated signal detecting apparatus and modulated signal detecting method |
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