JPS63152178A - 電子写真用感光体及びその製造方法 - Google Patents
電子写真用感光体及びその製造方法Info
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- JPS63152178A JPS63152178A JP61298814A JP29881486A JPS63152178A JP S63152178 A JPS63152178 A JP S63152178A JP 61298814 A JP61298814 A JP 61298814A JP 29881486 A JP29881486 A JP 29881486A JP S63152178 A JPS63152178 A JP S63152178A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、光導重性感光体及びその製造方法に関するも
ので、より詳細にはホウ素等の不純物でドーピングされ
た水素化非晶質炭素膜を光導電層として備えた電子写真
用感光体及びその製造方法に関するものである。
ので、より詳細にはホウ素等の不純物でドーピングされ
た水素化非晶質炭素膜を光導電層として備えた電子写真
用感光体及びその製造方法に関するものである。
(従来の技術及び発明が解決しようとする問題点)
ドーピングされた水素化非晶質炭素は、太陽電池、光起
電力装置、光検出器等の用途に用いることが知られてい
る。また、この水素化非晶質炭素膜は、直流又は高周波
グロー放電法、イオンビーム法、或いは高周波スパッタ
リング法等で形成し得ることが知られている。これらめ
膜は、硬度、高電気抵抗、大きいエネルギー・ギャップ
、光学的透明性及び化学的不活性などの特異な物性を有
している。更にまた、水素化非晶質炭素膜の4電性ホウ
素CB)及びリン(P)不純物によるドーピングで数オ
ーダーの大きさで調節され、この水素化非晶質炭素膜は
電子、化学及び機域の用途に望ましいものであることも
報告されている。
電力装置、光検出器等の用途に用いることが知られてい
る。また、この水素化非晶質炭素膜は、直流又は高周波
グロー放電法、イオンビーム法、或いは高周波スパッタ
リング法等で形成し得ることが知られている。これらめ
膜は、硬度、高電気抵抗、大きいエネルギー・ギャップ
、光学的透明性及び化学的不活性などの特異な物性を有
している。更にまた、水素化非晶質炭素膜の4電性ホウ
素CB)及びリン(P)不純物によるドーピングで数オ
ーダーの大きさで調節され、この水素化非晶質炭素膜は
電子、化学及び機域の用途に望ましいものであることも
報告されている。
しかしながら、本発明者等の知る限り、水素化非晶質炭
素膜の電子写真分野への応用は来た知られていない。
素膜の電子写真分野への応用は来た知られていない。
本発明者等は、アセチレンガスとドーピング剤とから電
子ビーム分解で形成させたドーピング水素化非晶質炭素
膜は、電子写真感光体の光導電層として優れた特性を有
することを見出した。
子ビーム分解で形成させたドーピング水素化非晶質炭素
膜は、電子写真感光体の光導電層として優れた特性を有
することを見出した。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、導電性基体と不純物でドーピングされ
た水素化非晶質炭素膜の光導電層とから成ることを特徴
とする光導電性感光体が提供される。
た水素化非晶質炭素膜の光導電層とから成ることを特徴
とする光導電性感光体が提供される。
本発明によればまた、導電性基板を装入した化学蒸着装
置内を高真空に維持し、該装置内にドーピング剤を含有
するアセチレンガスを導入し、該基板上に付着するアセ
チレン及びドーピング剤分子に電子衝撃を与えて、基板
上にドーピングされた水素化非晶質炭素膜の光導電層を
形成させることを特徴とする光導電性感光体の製造方法
が提供される。
置内を高真空に維持し、該装置内にドーピング剤を含有
するアセチレンガスを導入し、該基板上に付着するアセ
チレン及びドーピング剤分子に電子衝撃を与えて、基板
上にドーピングされた水素化非晶質炭素膜の光導電層を
形成させることを特徴とする光導電性感光体の製造方法
が提供される。
(作 用)
本発明を製造方法及び次いで得られる感光体について説
明する。
明する。
製造方法
本発明方法に用いる薄膜形成装置を示す第1図において
、この化学蒸着(CVD)装置1は、網状電極2で電子
乃至プラズマ発生域3と電子ビーム加速器4とから成っ
ている。電子ビーム加速器4には、導電性基板5を支持
する基板支持体6が電気的に絶縁された状態で収容され
ている。電子ビーム加速器4には、ガス供給限7が弁8
を介して接続される。また基板5を所定の温度に加熱す
るための加熱機構9が設けられる。この具体例では、加
熱機構9は、ハロゲンランプ10、反射器11及び石英
ガラス窓12の組合せから成っているが、これに限定さ
れず任意の加熱機構を用いることができる。ガス供給限
7は、アセチレン(C2H2)ガス源7aとドーピング
剤ガスで原7bとから成っており、アセチレンガスとド
ーピング剤ガスとが所定の量比で混合されて電子ビーム
加速器4に送られるようになっている。
、この化学蒸着(CVD)装置1は、網状電極2で電子
乃至プラズマ発生域3と電子ビーム加速器4とから成っ
ている。電子ビーム加速器4には、導電性基板5を支持
する基板支持体6が電気的に絶縁された状態で収容され
ている。電子ビーム加速器4には、ガス供給限7が弁8
を介して接続される。また基板5を所定の温度に加熱す
るための加熱機構9が設けられる。この具体例では、加
熱機構9は、ハロゲンランプ10、反射器11及び石英
ガラス窓12の組合せから成っているが、これに限定さ
れず任意の加熱機構を用いることができる。ガス供給限
7は、アセチレン(C2H2)ガス源7aとドーピング
剤ガスで原7bとから成っており、アセチレンガスとド
ーピング剤ガスとが所定の量比で混合されて電子ビーム
加速器4に送られるようになっている。
電子乃至プラズマ発生域3には、電子乃至プラズマ発生
機構13が設けられる。この発生機構13は、例えばタ
ングステンフィラメント等の熱電子放出機構であっても
よいし、高周波電極のように高周波プラズマ発生装置で
あってもよい。というのは、後者で発生する電子が電子
ビーム分解に有効に利用されるからである。
機構13が設けられる。この発生機構13は、例えばタ
ングステンフィラメント等の熱電子放出機構であっても
よいし、高周波電極のように高周波プラズマ発生装置で
あってもよい。というのは、後者で発生する電子が電子
ビーム分解に有効に利用されるからである。
電子乃至プラズマ発生域3の下方には真空系14が位置
し、真空ポンプ(図示せず)により装置内を高真空に維
持する。電子ビームを加速するために、直流電源15が
設けられ、網状電極2がプラス側出力端子に、また発生
域3内の電極16がマイナス側端子に夫々接続される。
し、真空ポンプ(図示せず)により装置内を高真空に維
持する。電子ビームを加速するために、直流電源15が
設けられ、網状電極2がプラス側出力端子に、また発生
域3内の電極16がマイナス側端子に夫々接続される。
先ず、装置1内に導電性基体5を装入し、装置を密閉し
た後、高真空に維持する。4電性基体5としては、アル
ミニウム、銅、錫等の金属箔や板を、シート或いはドラ
ム状にしたものか使用され、またこれらの金属を二軸延
伸ポリエステルフィルム等のフィルム基体やガラス等に
真空蒸着、スパッタリング、無電解メッキ等の手段で施
したものや、ITO等が使用される。
た後、高真空に維持する。4電性基体5としては、アル
ミニウム、銅、錫等の金属箔や板を、シート或いはドラ
ム状にしたものか使用され、またこれらの金属を二軸延
伸ポリエステルフィルム等のフィルム基体やガラス等に
真空蒸着、スパッタリング、無電解メッキ等の手段で施
したものや、ITO等が使用される。
本発明方法を実施するに際して、系中の残留酸素による
悪影晋が大きいことに留意する必要がある。この影晋を
避けるため、装置を加熱して空焼きすると共に、装置内
の圧力が2 x 10−6Torr以下となるように脱
気する。
悪影晋が大きいことに留意する必要がある。この影晋を
避けるため、装置を加熱して空焼きすると共に、装置内
の圧力が2 x 10−6Torr以下となるように脱
気する。
炭素源としては、アセチレンガスを使用することが重要
である。非晶質炭素膜の形成には通常メタンガスが使用
されており、一般に水素で数%の濃度に稀釈して使用さ
れている。アセチレンは他の炭化水素と異なり、S p
3の混成軌道を有している。一方、本発明が対象とする
水素化非晶質炭素膜も末端水素を有する5 p 3結合
炭素から成っている。かくして、アセチレンを炭素源ガ
スとして用いることにより、非常に能率よく、しかも性
能のよい蒸着膜を形成することができる。尚、アセチレ
ンガスは無稀釈の状態(即ち100%C2H2)で使用
し得るが、水素等の稀釈用ガスで稀釈して使用し得るの
は勿論である。
である。非晶質炭素膜の形成には通常メタンガスが使用
されており、一般に水素で数%の濃度に稀釈して使用さ
れている。アセチレンは他の炭化水素と異なり、S p
3の混成軌道を有している。一方、本発明が対象とする
水素化非晶質炭素膜も末端水素を有する5 p 3結合
炭素から成っている。かくして、アセチレンを炭素源ガ
スとして用いることにより、非常に能率よく、しかも性
能のよい蒸着膜を形成することができる。尚、アセチレ
ンガスは無稀釈の状態(即ち100%C2H2)で使用
し得るが、水素等の稀釈用ガスで稀釈して使用し得るの
は勿論である。
ドーピング剤としては、それ自体公知の任意のドーピン
グ剤、一般に周期律表第1II族乃至第V族元素の水素
化物等のガス化可能な化合物が使用される。−例として
、P型光導電層の形成には、B2H8等の水素化ホウ素
類、N型光導電層の形成には、ホスフィン頚、アルシン
類等が好適に使用されるが、勿論使用できるドーピング
剤は、これらに限定されない。このドーピング剤は水素
で稀釈した形で使用することが望ましい。
グ剤、一般に周期律表第1II族乃至第V族元素の水素
化物等のガス化可能な化合物が使用される。−例として
、P型光導電層の形成には、B2H8等の水素化ホウ素
類、N型光導電層の形成には、ホスフィン頚、アルシン
類等が好適に使用されるが、勿論使用できるドーピング
剤は、これらに限定されない。このドーピング剤は水素
で稀釈した形で使用することが望ましい。
アセチレンに対するドーピング剤の混入比も広範囲に変
化させ得る。一般にアセチレンに対するドーピング剤の
混入比率は、ドーピング剤の種類や要求される特性にも
依存するが、モル比で5乃至200ppm、特に10乃
至1100ppの範囲とすることが適当である。
化させ得る。一般にアセチレンに対するドーピング剤の
混入比率は、ドーピング剤の種類や要求される特性にも
依存するが、モル比で5乃至200ppm、特に10乃
至1100ppの範囲とすることが適当である。
アセチレンガスに上述したドーピング剤を混合し、装置
内に導入する。装置内における原料ガスの圧力は、広範
囲に変化させ得るが、一般に10−3乃至I Torr
、特に10−2乃至0.5Torrの範囲が適当である
。
内に導入する。装置内における原料ガスの圧力は、広範
囲に変化させ得るが、一般に10−3乃至I Torr
、特に10−2乃至0.5Torrの範囲が適当である
。
一般に、水素化非晶質炭素膜の形成に際して、導電性基
板を加熱することが望ましい。この温度は50乃至28
0℃の範囲が適当である。この温度が上記範囲よりも低
いときには、造膜速度が遅くなり、実用的でない。また
上記範囲よりも高いとグラファイト膜が生成する傾向が
ある。
板を加熱することが望ましい。この温度は50乃至28
0℃の範囲が適当である。この温度が上記範囲よりも低
いときには、造膜速度が遅くなり、実用的でない。また
上記範囲よりも高いとグラファイト膜が生成する傾向が
ある。
本発明においては、基板上にアセチレン分子及びドーピ
ング剤分子を付着させ、電子ビームによる衝撃でこれら
を分解し、基体上にドーピングされた水素化非晶質炭素
膜を形成することが重要であり、膜と離れた域で分解等
の反応が生じないようにする注意が必要である。電子ビ
ーム用の電子は、前述した電子乃至プラズマ発生域3で
形成され、網状電極2との間に形成される重解の作用に
より、電子ビーム加速器4に引出され且つ加速される。
ング剤分子を付着させ、電子ビームによる衝撃でこれら
を分解し、基体上にドーピングされた水素化非晶質炭素
膜を形成することが重要であり、膜と離れた域で分解等
の反応が生じないようにする注意が必要である。電子ビ
ーム用の電子は、前述した電子乃至プラズマ発生域3で
形成され、網状電極2との間に形成される重解の作用に
より、電子ビーム加速器4に引出され且つ加速される。
分解反応に必要な電子エネルギーは、−例として160
乃至200 eVのオーダーである。このために、電子
ビーム加速用電極に150乃至200■程度の電圧を印
加する。
乃至200 eVのオーダーである。このために、電子
ビーム加速用電極に150乃至200■程度の電圧を印
加する。
膜形成に際しては、基板を固定した状態で膜形成を行う
こともできるし、ドラム状基板の場合には該基板を回転
させながら全面にわたって均一な膜形成を行うことがで
きる。また、フィルム状基板の場合には、一方のロール
から巻きほぐし、他方のロールで巻き取りながら膜形成
を行うこともできる。
こともできるし、ドラム状基板の場合には該基板を回転
させながら全面にわたって均一な膜形成を行うことがで
きる。また、フィルム状基板の場合には、一方のロール
から巻きほぐし、他方のロールで巻き取りながら膜形成
を行うこともできる。
感光体
本発明の光導電性感光体の一例を示す第2図において、
本発明の感光体30は、導電性基板31とドーピングさ
れた水素化非晶質炭素膜の光導電層32とから成ってい
る。導電性基板31は既に述べたものから成っており、
光導電層32がドーピングされた水素化非晶質炭素膜か
ら成ることが顕著な特徴である。
本発明の感光体30は、導電性基板31とドーピングさ
れた水素化非晶質炭素膜の光導電層32とから成ってい
る。導電性基板31は既に述べたものから成っており、
光導電層32がドーピングされた水素化非晶質炭素膜か
ら成ることが顕著な特徴である。
なお、後述する実施例では図に示されているようにガラ
ス基体40上にITO薄膜層41を形成し、導電性基体
とした。この水素化非晶質炭素膜の厚みは、特に制限は
ないが、一般に1乃至60μm、特に5乃至40μmの
範囲内にあることが望ましい。
ス基体40上にITO薄膜層41を形成し、導電性基体
とした。この水素化非晶質炭素膜の厚みは、特に制限は
ないが、一般に1乃至60μm、特に5乃至40μmの
範囲内にあることが望ましい。
本発明により形成される水素化非晶質炭素膜の構造は、
これに限定されるものではないが、次のようなものと考
えられる。即ち、250℃の温度で析出した膜を、赤外
線吸収スペクトル法による分析に付すると、吸収帯域2
850cm−’及び2915cm−’に2つの重なるピ
ークが認められる。2850cm−’及び2915cm
−’の吸収は、夫々Sp’C−H及び5p3C−H,伸
縮振動による吸収と思われる。C−H2結合に比してC
−H結合がむしろ優勢であり、Sp3結合に関連する吸
収は認められなかった。以上の結果から、本発明による
水素化非晶質炭素膜の構造はダイヤモンドのそれに似た
ものと思われる。
これに限定されるものではないが、次のようなものと考
えられる。即ち、250℃の温度で析出した膜を、赤外
線吸収スペクトル法による分析に付すると、吸収帯域2
850cm−’及び2915cm−’に2つの重なるピ
ークが認められる。2850cm−’及び2915cm
−’の吸収は、夫々Sp’C−H及び5p3C−H,伸
縮振動による吸収と思われる。C−H2結合に比してC
−H結合がむしろ優勢であり、Sp3結合に関連する吸
収は認められなかった。以上の結果から、本発明による
水素化非晶質炭素膜の構造はダイヤモンドのそれに似た
ものと思われる。
本発明による光導電層は、開時導電率
(a photo)と暗時導電率(a dark)との
比、(σ photo/σdark)で表わされる光電
利得が一般に200以上、特に300以上の範囲内にあ
る。添付図面第3図はB2H8/C2H2から形成した
水素化非晶質炭素膜の開時と暗時の4電率を示している
。この結果によるとドーピング剤は開時の導電率を向上
させると共に、暗時の導電率を低下させるという効果を
有することがわかる。
比、(σ photo/σdark)で表わされる光電
利得が一般に200以上、特に300以上の範囲内にあ
る。添付図面第3図はB2H8/C2H2から形成した
水素化非晶質炭素膜の開時と暗時の4電率を示している
。この結果によるとドーピング剤は開時の導電率を向上
させると共に、暗時の導電率を低下させるという効果を
有することがわかる。
本発明による感光体は、優れた電子写真学的特性に加え
て、光導電層自体が優れた硬度や化学的不活性等の性質
を有することから、各種電子写真用感光体としての用途
に有利に用いることができる。
て、光導電層自体が優れた硬度や化学的不活性等の性質
を有することから、各種電子写真用感光体としての用途
に有利に用いることができる。
(実施例)
本発明を次の実施例で説明する。
実施例
第1図に示す装置を用い、CVD法により種々のa−c
:H薄膜を作成し、諸物性を調べた。
:H薄膜を作成し、諸物性を調べた。
成膜に当っては、基体としてI T O(Indinm
−tin −oxicle )蒸着ガラス基体を使用
し、この基体をハロゲンランプにて加熱して行った。
−tin −oxicle )蒸着ガラス基体を使用
し、この基体をハロゲンランプにて加熱して行った。
成膜に使用したガスは、a−c:H堆積用として純度1
00%のC2H2ガスを、またドーパントガスとしては
B2H6(1%)と82(99%)の比率の混合ガスを
使用した。
00%のC2H2ガスを、またドーパントガスとしては
B2H6(1%)と82(99%)の比率の混合ガスを
使用した。
また、成膜は、装置の系全体をあらかじめ2×10−6
torr以下となるようターボ分子ポンプで排気し、成
膜ガスを0.ITorrの圧力で系内に導入し、200
Vの電圧並びに約6.5mA/cm2の電子流密度で行
った。この時成膜速度は約40 nm/minとなるよ
うにした。
torr以下となるようターボ分子ポンプで排気し、成
膜ガスを0.ITorrの圧力で系内に導入し、200
Vの電圧並びに約6.5mA/cm2の電子流密度で行
った。この時成膜速度は約40 nm/minとなるよ
うにした。
くノンドープ薄膜の外観物性〉
堆積時の基体温度(T、)が250℃以下と低い場合に
は可視光全体に亘って透光性を有する非常に硬質の薄膜
が得られた。
は可視光全体に亘って透光性を有する非常に硬質の薄膜
が得られた。
一方、T、が250℃よりも高くするに従って得られる
薄膜は軟質の暗色をおびた薄膜となった。
薄膜は軟質の暗色をおびた薄膜となった。
く薄膜の体積抵抗〉
T、が250℃よりも低い場合には1012Ωcm以上
の体積抵抗を示したが、300℃以上では250℃より
も低い温度で得られたものに比して3桁低い109ΩC
mの体積抵抗を示した。
の体積抵抗を示したが、300℃以上では250℃より
も低い温度で得られたものに比して3桁低い109ΩC
mの体積抵抗を示した。
く薄膜の電子線回折〉
T5が250℃で得られた薄膜はアモルファスであるこ
とを示したが、300℃で得られたものはグラファイト
状のものであった。
とを示したが、300℃で得られたものはグラファイト
状のものであった。
これらの実験結果から、絶縁性アモルファス薄膜を得る
には250℃以下について堆積させる必要があることが
わかった。なお、これらの薄膜の光学的電子ギャップは
約19eVであった。
には250℃以下について堆積させる必要があることが
わかった。なお、これらの薄膜の光学的電子ギャップは
約19eVであった。
〈電子伝導度の温度依存性〉
T5が250℃で得られた薄膜に関する電子伝導度の温
度依存性を第4図に示す。この図には、135に以上の
温度範囲について種々の測定値をプロットした。第2図
に示すグラフ曲線の傾から活性化エネルギーが0.08
eVであることがわかった。
度依存性を第4図に示す。この図には、135に以上の
温度範囲について種々の測定値をプロットした。第2図
に示すグラフ曲線の傾から活性化エネルギーが0.08
eVであることがわかった。
この値は、ホッピング電導であることを示している。
また、135に以下の範囲においては、種々の領域で近
フェルミ準位を通過する電子の移動が詔められた。
フェルミ準位を通過する電子の移動が詔められた。
〈赤外吸収スペクトル〉
250℃のT5にて得られた薄膜の赤外吸収スペクトル
を第5図に示す。図より2850cm−’に二つの重な
った吸収バンドが存在することがわかる。この2850
cm−’と2915cm−’との吸収バンドは夫々5p
3C−H及び5p3C−H2伸縮振動を意味している。
を第5図に示す。図より2850cm−’に二つの重な
った吸収バンドが存在することがわかる。この2850
cm−’と2915cm−’との吸収バンドは夫々5p
3C−H及び5p3C−H2伸縮振動を意味している。
そして二つの振動のうち、5p3C−Hの方が511’
C−)12よりもみしろ優位であると言える。またS
p2結合に関する吸収は肥められなかったので、薄膜の
構造はどちらかと言えばダイヤモンドの構造に似ている
と言える。
C−)12よりもみしろ優位であると言える。またS
p2結合に関する吸収は肥められなかったので、薄膜の
構造はどちらかと言えばダイヤモンドの構造に似ている
と言える。
くホウ素ドーヒ゛ングによる景三響〉
原料ガス比(BJa/ C21(2)を1100pp以
下にて約40 nm/minの成膜速度にてホウ素ドー
プa −C:Hを作成した。
下にて約40 nm/minの成膜速度にてホウ素ドー
プa −C:Hを作成した。
これらのa−c:H(B) についての原料ガス比と導
電率との関係を第6図に示す。
電率との関係を第6図に示す。
この図からも明らかなようにa−c:H(B)の暗中で
の導電率はノンドープのa−c:Hの1.6xto−1
3Ω−1c m−1よりも低くなる傾向を示した。そし
て原料ガス比(B2H6/ C2H2)が50ppmの
とき最小の値を示した。
の導電率はノンドープのa−c:Hの1.6xto−1
3Ω−1c m−1よりも低くなる傾向を示した。そし
て原料ガス比(B2H6/ C2H2)が50ppmの
とき最小の値を示した。
このようなドーピングの影響は、ホウ素をトープするこ
とにより再結合中心を減じ、キャリヤ補償を行っている
ことに起因していると考えられる。
とにより再結合中心を減じ、キャリヤ補償を行っている
ことに起因していると考えられる。
光電利得(σphoto/σdark)て定着される光
感度特性についてのガス混合比との関係を第3図に示す
。この図より、B2)+8/C2H2の比が50 pp
mの時に最高の値が得られることがわかった。この測定
において明暗の導電率(σphoto)測定は、IT○
/ガラス基板側より100にルックスの光を照射して行
った。
感度特性についてのガス混合比との関係を第3図に示す
。この図より、B2)+8/C2H2の比が50 pp
mの時に最高の値が得られることがわかった。この測定
において明暗の導電率(σphoto)測定は、IT○
/ガラス基板側より100にルックスの光を照射して行
った。
また、ホウ素をドーピングした場合であっても光学的エ
ネルギーギャップは変化しなかった。
ネルギーギャップは変化しなかった。
次に原料ガス比(B2)16/ C2H2) 50 p
Ilm 、成膜速度4 Or+m/minで膜厚20μ
mのa−c:H(B)感光膜を作成した。
Ilm 、成膜速度4 Or+m/minで膜厚20μ
mのa−c:H(B)感光膜を作成した。
この感光膜をコロナ放電器で正に帯電させ、次いで画像
露光を行い静電潜像を形成させた後マグネットの先端に
二成分系現像剤を磁気的に保持させた磁気ブラシにて手
現像させたところ、原稿に忠実なトナー画像が得られた
。
露光を行い静電潜像を形成させた後マグネットの先端に
二成分系現像剤を磁気的に保持させた磁気ブラシにて手
現像させたところ、原稿に忠実なトナー画像が得られた
。
(発明の作用効果)
本発明によれば、ドーピングされた水素化非晶質炭素膜
を導電性基体上に形成することにより、優れた光導電性
が得られ、電子写真用の感光体として有用であることが
わかった。
を導電性基体上に形成することにより、優れた光導電性
が得られ、電子写真用の感光体として有用であることが
わかった。
第1図は本発明方法に用いる薄膜形成装置を示す図、
第2図は本発明の感光体の層構成の一例を示す図、
第3図は、混合ガス比(B2H6/ C2H2)と光感
度(明暗と暗時の導電率の比による光電利得)との関係
を示すグラフ図、 第4図は、基板温度250℃で得られたa−c:Hの電
子伝導度の温度依存性を示すグラフ図、第5図は、基板
温度250℃で得られたa−c:Hの赤外吸収スペクト
ルを示すチャート図、第6図はa−c:H(B)の原料
ガス比(B2)16/C2)12)と導電率との関係を
示すグラフ図、を夫々示す。 図中引照数字は以下の内容を示す。 2・・・・・・網状電極 5・・・・・・導電性基板 7・・・・・・ガス供給源 9・・・・・・加熱機構 31・・・・・・導電性基板 32・・・・・・光導電層
度(明暗と暗時の導電率の比による光電利得)との関係
を示すグラフ図、 第4図は、基板温度250℃で得られたa−c:Hの電
子伝導度の温度依存性を示すグラフ図、第5図は、基板
温度250℃で得られたa−c:Hの赤外吸収スペクト
ルを示すチャート図、第6図はa−c:H(B)の原料
ガス比(B2)16/C2)12)と導電率との関係を
示すグラフ図、を夫々示す。 図中引照数字は以下の内容を示す。 2・・・・・・網状電極 5・・・・・・導電性基板 7・・・・・・ガス供給源 9・・・・・・加熱機構 31・・・・・・導電性基板 32・・・・・・光導電層
Claims (2)
- (1)導電性基体と不純物でドーピングされた水素化非
晶質炭素膜の光導電層とから成ることを特徴とする光導
電性感光体。 - (2)導電性基板を装入した化学蒸着装置内を高真空に
維持し、 該装置内にドーピング剤を含有するアセチレンガスを導
入し、 該基板上に付着するアセチレン及びドーピング剤分子に
電子衝撃を与えて、基板上にドーピングされた水素化非
晶質炭素膜の光導電層を形成させることを特徴とする光
導電性感光体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61298814A JPH07120812B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61298814A JPH07120812B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63152178A true JPS63152178A (ja) | 1988-06-24 |
JPH07120812B2 JPH07120812B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=17864564
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61298814A Expired - Lifetime JPH07120812B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 電子写真用感光体及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07120812B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5039358A (en) * | 1989-02-01 | 1991-08-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Amorphous, hydrogenated carbon electroactive passivation layer |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6316675A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線検出器 |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298814A patent/JPH07120812B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6316675A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 放射線検出器 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5039358A (en) * | 1989-02-01 | 1991-08-13 | Siemens Aktiengesellschaft | Amorphous, hydrogenated carbon electroactive passivation layer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07120812B2 (ja) | 1995-12-20 |
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