JPS63151926A - 液晶セルの水平配向膜の製造方法 - Google Patents
液晶セルの水平配向膜の製造方法Info
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- JPS63151926A JPS63151926A JP29864186A JP29864186A JPS63151926A JP S63151926 A JPS63151926 A JP S63151926A JP 29864186 A JP29864186 A JP 29864186A JP 29864186 A JP29864186 A JP 29864186A JP S63151926 A JPS63151926 A JP S63151926A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子を構成する液晶セルの水平配向
膜の製造方法に関するものである。
膜の製造方法に関するものである。
従来、液晶表示素子を構成する液晶セルに水平配向膜を
付与する方法として、第５図に示すような斜め蒸着法が
知られている。この方法によれば、内部を真空にしたペ
ルジャー１の中に、前取って透明導電膜を成膜したガラ
ス基板２を蒸着源、即ち図示しない加熱装置に取り付け
た蒸着用の絶縁膜材料３、例えばＳｉＯ□に対して斜め
になるような方向に取り付は固定して、蒸着分子ビーム
Ｂを射出することにより蒸着を行うものである。こうし
て第６図に示すように、蒸着の際に蒸着源３からの絶縁
膜材料の分子ビームＢが該ガラス基板２の透明導電膜２
ａの表面に図示の如く山及び谷を有する絶縁膜４を成膜
（デポジション）する。このように絶Ｉ！膜４を形成し
たガラス基板２は、液晶と接触させると、その液晶分子
５（プレチルト角０度）が第７図に示すように、前記分
子ビームＢの方向と直角の方向に即ち絶縁膜４の谷に沿
って配列（水平配向）し、従って絶縁膜４は水平配向膜
として作用することになる。
付与する方法として、第５図に示すような斜め蒸着法が
知られている。この方法によれば、内部を真空にしたペ
ルジャー１の中に、前取って透明導電膜を成膜したガラ
ス基板２を蒸着源、即ち図示しない加熱装置に取り付け
た蒸着用の絶縁膜材料３、例えばＳｉＯ□に対して斜め
になるような方向に取り付は固定して、蒸着分子ビーム
Ｂを射出することにより蒸着を行うものである。こうし
て第６図に示すように、蒸着の際に蒸着源３からの絶縁
膜材料の分子ビームＢが該ガラス基板２の透明導電膜２
ａの表面に図示の如く山及び谷を有する絶縁膜４を成膜
（デポジション）する。このように絶Ｉ！膜４を形成し
たガラス基板２は、液晶と接触させると、その液晶分子
５（プレチルト角０度）が第７図に示すように、前記分
子ビームＢの方向と直角の方向に即ち絶縁膜４の谷に沿
って配列（水平配向）し、従って絶縁膜４は水平配向膜
として作用することになる。
しかしながら、このように形成された絶縁膜４は、上記
分子ビームＢが蒸着源３から放射状に拡散するため、分
子ビームＢのガラス基板２に対する入射角が部分的に異
なるので、絶縁膜４の山及び谷の形状が不均一となって
しまい、従って液晶セルの特性が低下するという欠点が
ある。特にガラス基板２の面積が大きい場合には上記特
性の低下が著しくなる。
分子ビームＢが蒸着源３から放射状に拡散するため、分
子ビームＢのガラス基板２に対する入射角が部分的に異
なるので、絶縁膜４の山及び谷の形状が不均一となって
しまい、従って液晶セルの特性が低下するという欠点が
ある。特にガラス基板２の面積が大きい場合には上記特
性の低下が著しくなる。
このため、ガラス基板２と蒸着源３との距離を大きくす
ることが考えられるが、この場合液晶セルの特性低下は
成る程度低減されるものの、蒸着装置全体が大きくなっ
てしまうという問題が生ずる。またこの方法においては
、蒸着の際にガラス基板２を３００℃以上に加熱する必
要があるので、ガラス基板に代え樹脂基板を使用するこ
とは実際上困難である。またカラー表示装置として脚光
を浴びているＲＧＢカラーフィルタの耐熱性は一般的に
は２００℃以下であることから、斜め蒸着法によりこの
ＲＯＢカラーフィルタ付きドツトマトリックス液晶表示
装置角の液晶セルを製造することは不可能であった。
ることが考えられるが、この場合液晶セルの特性低下は
成る程度低減されるものの、蒸着装置全体が大きくなっ
てしまうという問題が生ずる。またこの方法においては
、蒸着の際にガラス基板２を３００℃以上に加熱する必
要があるので、ガラス基板に代え樹脂基板を使用するこ
とは実際上困難である。またカラー表示装置として脚光
を浴びているＲＧＢカラーフィルタの耐熱性は一般的に
は２００℃以下であることから、斜め蒸着法によりこの
ＲＯＢカラーフィルタ付きドツトマトリックス液晶表示
装置角の液晶セルを製造することは不可能であった。
本発明は以上の点に鑑み、面積の大きな液晶セルの場合
でも均一な水平配向膜が得られ、且つ樹脂基板に対して
も水平配向膜が形成可能である、液晶セルの水平配向膜
の製造方法を提供することを目的としている。
でも均一な水平配向膜が得られ、且つ樹脂基板に対して
も水平配向膜が形成可能である、液晶セルの水平配向膜
の製造方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記目的は、
本発明によれば、インラインスパッタ装置を使用して、
液晶セル基板を搬送しながら、その表面に絶縁膜を成膜
し、これによって液晶セル基板の搬送方向とほぼ直角の
方向であってプレチルト角がＧマぼ０度であるような水
平配向膜を形成するようにしたことを特徴とする液晶セ
ルの水平配向膜の製造方法によって達成される。
本発明によれば、インラインスパッタ装置を使用して、
液晶セル基板を搬送しながら、その表面に絶縁膜を成膜
し、これによって液晶セル基板の搬送方向とほぼ直角の
方向であってプレチルト角がＧマぼ０度であるような水
平配向膜を形成するようにしたことを特徴とする液晶セ
ルの水平配向膜の製造方法によって達成される。
この発明によれば、液晶セル基板への絶縁膜の形成が、
インラインスパッタ装置を使用することにより、約１０
０℃の温度で行われ、且つ絶縁膜の表面の山及び谷が絶
縁膜の搬送の最終段階にて、液晶セル基板に斜めに入射
するスパッタ分子ビームにより液晶セル基板の横方向に
対してほぼ平行に形成されるので、この山及び谷を形成
する際のスパッタ分子ビームの入射角が一定となり、か
くして非常に均一な水平配向膜が得られることになる。
インラインスパッタ装置を使用することにより、約１０
０℃の温度で行われ、且つ絶縁膜の表面の山及び谷が絶
縁膜の搬送の最終段階にて、液晶セル基板に斜めに入射
するスパッタ分子ビームにより液晶セル基板の横方向に
対してほぼ平行に形成されるので、この山及び谷を形成
する際のスパッタ分子ビームの入射角が一定となり、か
くして非常に均一な水平配向膜が得られることになる。
さらに、液晶セル基板の温度が約１００℃と従来法に比
し低温度であることにより、液晶セル基板はガラス基板
に限らず樹脂基板であってもまたＲＧＢカラーフィルタ
付きドツトマトリックス液晶表示素子を構成するカラー
フィルタであっても自由に選定使用することが可能であ
り、罹めて有効に水平配向膜が形成され得る。さらに液
晶分子のプレチルト角がほぼ０度であるので、本発明法
はプレチルト角が０度であることが望ましい強誘電性液
晶セルに最適である。
し低温度であることにより、液晶セル基板はガラス基板
に限らず樹脂基板であってもまたＲＧＢカラーフィルタ
付きドツトマトリックス液晶表示素子を構成するカラー
フィルタであっても自由に選定使用することが可能であ
り、罹めて有効に水平配向膜が形成され得る。さらに液
晶分子のプレチルト角がほぼ０度であるので、本発明法
はプレチルト角が０度であることが望ましい強誘電性液
晶セルに最適である。
以下、図面に示した実施例に基づいて本発明をさらに説
明する。
明する。
第１図は本発明による液晶セルの水平配向膜の製造方法
を実施するための装置を示しており、この装置ＩＯは、
基本的にはインラインスパッタ装置であり、スパッタ室
１１内の下部には絶縁膜を成膜すべきガラス基板１２を
図面において左方から右方へ向かって搬送する搬送コン
ベア１３が配設されていて、その上方においてほぼ中央
にはスパッタターゲット１４が配設されている。ガラス
基板１２は、供給室１５のストッカー１５ａから供給コ
ンベア１６により搬送コンベア１３上に載置され、搬送
コンベア１３により右方に搬送されながら、後述するよ
うにスパッタターゲット１４からのスパッタ分子ビーム
Ｂ、により絶縁膜１９の成膜が行われた後、搬出コンベ
ア１７により搬出室１８のストッカー１８ａ に搬送さ
れる。尚ガラス基板１２は、液晶セルの端子となるべき
部分に絶縁膜が形成されないように、図示のように保護
マスク１２ａが取り付けられている。
を実施するための装置を示しており、この装置ＩＯは、
基本的にはインラインスパッタ装置であり、スパッタ室
１１内の下部には絶縁膜を成膜すべきガラス基板１２を
図面において左方から右方へ向かって搬送する搬送コン
ベア１３が配設されていて、その上方においてほぼ中央
にはスパッタターゲット１４が配設されている。ガラス
基板１２は、供給室１５のストッカー１５ａから供給コ
ンベア１６により搬送コンベア１３上に載置され、搬送
コンベア１３により右方に搬送されながら、後述するよ
うにスパッタターゲット１４からのスパッタ分子ビーム
Ｂ、により絶縁膜１９の成膜が行われた後、搬出コンベ
ア１７により搬出室１８のストッカー１８ａ に搬送さ
れる。尚ガラス基板１２は、液晶セルの端子となるべき
部分に絶縁膜が形成されないように、図示のように保護
マスク１２ａが取り付けられている。
以上のように構成されたインラインスパッタ装置によれ
ば、ガラス基板１２が、供給室１５のス） フカ−１５
ａから、供給コンベア１６により、スパッタ室ｌｌ内の
搬送コンベア１３上に移送された後、ここでスパフタ室
１１の入口側シャッタｌｌａ が閉鎖される。続いて該
ガラス基板１２は、スパッタ室１１内で搬送コンベア１
３により所定の速度で右方に搬送される。
ば、ガラス基板１２が、供給室１５のス） フカ−１５
ａから、供給コンベア１６により、スパッタ室ｌｌ内の
搬送コンベア１３上に移送された後、ここでスパフタ室
１１の入口側シャッタｌｌａ が閉鎖される。続いて該
ガラス基板１２は、スパッタ室１１内で搬送コンベア１
３により所定の速度で右方に搬送される。
この搬送の際に、スパッタターゲット１４がら放射され
る絶縁膜材料、例えば、ＳｉＪのスパック分子ビームＢ
、は、最初は、ガラス基板１２を迎えるようにして接近
するガラス基板Ｉ２に入射するが、ほぼ中央では真上か
ら該ガラス基板１２に入射し、最後はガラス基板１２を
追いかけるようにして、離反するガラス基板１２の後方
から入射する。このとき、ガラス基板１２のスパッタ室
１１内における搬送の最初から最終段階の前（図示位置
）までにおいて、ガラス基板１２の表面に絶縁膜１９の
必要な膜厚のほぼ全体く例えば、１００ｎｅ ）が成膜
され、最終段階において、スパッタ分子ビームＢ３がガ
ラス基板１２に対して斜めに入射することにより、絶縁
膜１９のうち所定の山及び谷を有する部分、例えば厚さ
約５ｎｍの膜が成膜されることになる。このとき、横方
向に関しては第２図に示すように分子ビームが、インラ
インスパッタ装置を使用していることによりほぼ平行に
入射する。このように、絶縁膜１９の上記山及び谷は、
はぼ平行に入射するスパッタ分子ビームＢ、により形成
されるので、均一に形成された水平配向膜が得られる。
る絶縁膜材料、例えば、ＳｉＪのスパック分子ビームＢ
、は、最初は、ガラス基板１２を迎えるようにして接近
するガラス基板Ｉ２に入射するが、ほぼ中央では真上か
ら該ガラス基板１２に入射し、最後はガラス基板１２を
追いかけるようにして、離反するガラス基板１２の後方
から入射する。このとき、ガラス基板１２のスパッタ室
１１内における搬送の最初から最終段階の前（図示位置
）までにおいて、ガラス基板１２の表面に絶縁膜１９の
必要な膜厚のほぼ全体く例えば、１００ｎｅ ）が成膜
され、最終段階において、スパッタ分子ビームＢ３がガ
ラス基板１２に対して斜めに入射することにより、絶縁
膜１９のうち所定の山及び谷を有する部分、例えば厚さ
約５ｎｍの膜が成膜されることになる。このとき、横方
向に関しては第２図に示すように分子ビームが、インラ
インスパッタ装置を使用していることによりほぼ平行に
入射する。このように、絶縁膜１９の上記山及び谷は、
はぼ平行に入射するスパッタ分子ビームＢ、により形成
されるので、均一に形成された水平配向膜が得られる。
次いで、搬送コンベア１３により、その最終端に到達し
たガラス基板１２は、スパッタ室１１の出ロシャソタｌ
ｌｂの開放の後、搬出コンベア１７に移送されて搬出室
１８のストッカー１８ａ内に搬出される。
たガラス基板１２は、スパッタ室１１の出ロシャソタｌ
ｌｂの開放の後、搬出コンベア１７に移送されて搬出室
１８のストッカー１８ａ内に搬出される。
スパッタ分子ビームＢ、のガラス基板１２への入射が、
必要以上に大きい入射角の場合には、形成される絶縁膜
１９の山及び谷の均一性が充分とならなくなることがあ
るため、好ましくはガラス基板１２の搬送コンベア１３
による搬送の最終段階付近に第３図に示した制御マスク
２０を固定配置するか、または第４図に示した制御ルー
パー２１を配設することにより、必要以上に大きな入射
角でスパッタ分子ビームＢ、がガラス基板１２に入射す
ることが阻止される。
必要以上に大きい入射角の場合には、形成される絶縁膜
１９の山及び谷の均一性が充分とならなくなることがあ
るため、好ましくはガラス基板１２の搬送コンベア１３
による搬送の最終段階付近に第３図に示した制御マスク
２０を固定配置するか、または第４図に示した制御ルー
パー２１を配設することにより、必要以上に大きな入射
角でスパッタ分子ビームＢ、がガラス基板１２に入射す
ることが阻止される。
尚、スパッタ室１１内におけるガラス基板１２の温度は
約１００℃に設定されている。従って、上述したような
ガラス基板１２の代わりに、樹脂基板上に絶縁膜１９を
成膜することも可能であり、また２００℃以下の耐熱性
のカラーフィルタの表面に絶縁膜１９を成膜して、該カ
ラーフィルタ上に直接水平配向膜を形成することも可能
である。
約１００℃に設定されている。従って、上述したような
ガラス基板１２の代わりに、樹脂基板上に絶縁膜１９を
成膜することも可能であり、また２００℃以下の耐熱性
のカラーフィルタの表面に絶縁膜１９を成膜して、該カ
ラーフィルタ上に直接水平配向膜を形成することも可能
である。
以上述べたように、本発明によれば、インラインスパッ
タ装置を使用して、液晶セル基板を搬送しながら、その
表面に絶縁膜を成膜し、これによって液晶セル基板の搬
送方向とほぼ直角の方向であってプレチルト角がほぼ０
度である水平配向膜を形成するように液晶セルの水平配
向膜の製造方法を構成したから、液晶セル基板への絶縁
膜の形成が、インラインスパッタ装置を使用することに
より、約１００℃の比較的低温度で行われ、且つ絶縁膜
の表面の山及び谷が絶縁膜の搬送の最終段階にて液晶セ
ル基板に斜めに入射するスパッタ分子ビームにより液晶
セル基板の横方向に対してほぼ平行に形成されるので、
この山及び谷を形成する際のスパッタ分子ビームの入射
角が一定となり、かくして非常に均一な水平配向膜が得
られることになる。
タ装置を使用して、液晶セル基板を搬送しながら、その
表面に絶縁膜を成膜し、これによって液晶セル基板の搬
送方向とほぼ直角の方向であってプレチルト角がほぼ０
度である水平配向膜を形成するように液晶セルの水平配
向膜の製造方法を構成したから、液晶セル基板への絶縁
膜の形成が、インラインスパッタ装置を使用することに
より、約１００℃の比較的低温度で行われ、且つ絶縁膜
の表面の山及び谷が絶縁膜の搬送の最終段階にて液晶セ
ル基板に斜めに入射するスパッタ分子ビームにより液晶
セル基板の横方向に対してほぼ平行に形成されるので、
この山及び谷を形成する際のスパッタ分子ビームの入射
角が一定となり、かくして非常に均一な水平配向膜が得
られることになる。
さらに、液晶セル基板の必要加熱温度が約１００℃と従
来法に比し低温度で済むことにより、液晶セル基板はガ
ラス基板に限らず、樹脂基板であってもまたＲＧＢカラ
ーフィルタ付きドントマトリソクス液晶表示素子を構成
するカラーフィルタであっても、橿めて有効に水平配向
膜が形成され得る。
来法に比し低温度で済むことにより、液晶セル基板はガ
ラス基板に限らず、樹脂基板であってもまたＲＧＢカラ
ーフィルタ付きドントマトリソクス液晶表示素子を構成
するカラーフィルタであっても、橿めて有効に水平配向
膜が形成され得る。
かくして本発明によれば、均一な特性を有する大面積の
樹脂製液晶セルやＲＧＢカラーフィルタ付きの液晶表示
装置が実現可能となる。
樹脂製液晶セルやＲＧＢカラーフィルタ付きの液晶表示
装置が実現可能となる。
さらに本発明では、液晶分子のプレチルト角がほぼ０度
であるので、プレチルト角が０度であることが望ましい
強誘電性液晶セルに最適であり、かくして応答速度が速
（且つ高コントラスト比が得られる等の優れた特性を有
することにより理想的なフラットパネルディスプレイと
して注目されている強誘電性液晶表示装置の大面積化が
可能となる等、本発明は液晶セルの製造において極めて
高い効果ををする。
であるので、プレチルト角が０度であることが望ましい
強誘電性液晶セルに最適であり、かくして応答速度が速
（且つ高コントラスト比が得られる等の優れた特性を有
することにより理想的なフラットパネルディスプレイと
して注目されている強誘電性液晶表示装置の大面積化が
可能となる等、本発明は液晶セルの製造において極めて
高い効果ををする。
第１ｑは本発明による方法を実施するためのインライン
スパッタ装置を示す概略断面図、第２図は第１図のＸ方
向にみた部分平面図、第３図及び第４図はスパッタ分子
ビームを制御するようにした変形例を示す図である。 第５図は従来の斜め蒸着法を示す図であり、（Ａ）は正
面図、（Ｂ） は側面図を示す、第６図は第５図の方法
におけるガラス基板の表面の絶縁膜成膜状態を示す断面
図、第７図は第５図の方法により製造された水平配向膜
の液晶分子との接触状態を示し、（Ａ） は平面図、（
Ｂ） は断面図である。 １０−・・・・インラインスパッタ装置；１１・−・・
スパフタ室；１２−ｉラス基４Ｎ；１３・・・・−搬送
コンベア：１４−・・・スパックターゲット：１５−・
・・スト７カー供給室：１６・・−・供給コンベア；１
７−・・・〜搬出コンベア； １８−・ストッカー搬出
室；１９・−・・−絶縁膜、 ２０−・−制御マスク；
２１・・・・−制御ルーバー。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代 理 人：弁理士 平 山 −車 間 −弁理士 海 津 保 三 第７図（Ａ） 第７図（８）
スパッタ装置を示す概略断面図、第２図は第１図のＸ方
向にみた部分平面図、第３図及び第４図はスパッタ分子
ビームを制御するようにした変形例を示す図である。 第５図は従来の斜め蒸着法を示す図であり、（Ａ）は正
面図、（Ｂ） は側面図を示す、第６図は第５図の方法
におけるガラス基板の表面の絶縁膜成膜状態を示す断面
図、第７図は第５図の方法により製造された水平配向膜
の液晶分子との接触状態を示し、（Ａ） は平面図、（
Ｂ） は断面図である。 １０−・・・・インラインスパッタ装置；１１・−・・
スパフタ室；１２−ｉラス基４Ｎ；１３・・・・−搬送
コンベア：１４−・・・スパックターゲット：１５−・
・・スト７カー供給室：１６・・−・供給コンベア；１
７−・・・〜搬出コンベア； １８−・ストッカー搬出
室；１９・−・・−絶縁膜、 ２０−・−制御マスク；
２１・・・・−制御ルーバー。 特許出願人：スタンレー電気株式会社 代 理 人：弁理士 平 山 −車 間 −弁理士 海 津 保 三 第７図（Ａ） 第７図（８）
Claims (1)
- インラインスパッタ装置を使用して、液晶セル基板を搬
送しながらその表面に絶縁膜を成膜し、これによって液
晶セル基板の搬送方向とほぼ直角の方向であってプレチ
ルト角がほぼ０度である水平配向膜を形成するようにし
たことを特徴とする液晶セルの水平配向膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298641A JP2505435B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 液晶セルの水平配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298641A JP2505435B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 液晶セルの水平配向膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151926A true JPS63151926A (ja) | 1988-06-24 |
| JP2505435B2 JP2505435B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=17862362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298641A Expired - Lifetime JP2505435B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 液晶セルの水平配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505435B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02259721A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 液晶基板の製造装置 |
| JPH02259719A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Teru Yamanashi Kk | 液晶基板の製造装置 |
| JPH05188376A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-07-30 | Hughes Aircraft Co | 液晶に傾斜した垂直整列を導入する方法 |
| US6151090A (en) * | 1995-05-31 | 2000-11-21 | Casio Computer Co., Ltd. | LCD using liquid crystal of ferroelectric and/or antiferroelectric phase having pretilt angle of 1 degree or less |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
| JPS5433749A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming parallelllike coating |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298641A patent/JP2505435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
| JPS5433749A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming parallelllike coating |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02259721A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 液晶基板の製造装置 |
| JPH02259719A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Teru Yamanashi Kk | 液晶基板の製造装置 |
| JPH05188376A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-07-30 | Hughes Aircraft Co | 液晶に傾斜した垂直整列を導入する方法 |
| US6151090A (en) * | 1995-05-31 | 2000-11-21 | Casio Computer Co., Ltd. | LCD using liquid crystal of ferroelectric and/or antiferroelectric phase having pretilt angle of 1 degree or less |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505435B2 (ja) | 1996-06-12 |
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