JP2505435B2 - 液晶セルの水平配向膜の製造方法 - Google Patents
液晶セルの水平配向膜の製造方法Info
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- JP2505435B2 JP2505435B2 JP61298641A JP29864186A JP2505435B2 JP 2505435 B2 JP2505435 B2 JP 2505435B2 JP 61298641 A JP61298641 A JP 61298641A JP 29864186 A JP29864186 A JP 29864186A JP 2505435 B2 JP2505435 B2 JP 2505435B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、液晶表示素子を構成する液晶セルの水平配
向膜の製造方法に関するものである。
向膜の製造方法に関するものである。
従来、液晶表示素子を構成する液晶セルに水平配向膜
を付与する方法として、第５図に示すような斜め蒸着法
が知られている。この方法によれば、内部を真空にした
ベルジャー１の中に、前以って透明導電膜を成膜したガ
ラス基板２を蒸着源、即ち図示しない加熱装置に取り付
けた蒸着用の絶縁膜材料３、例えばSiO2に対して斜めに
なるような方法に取り付け固定して、蒸着分子ビームＢ
を射出することにより蒸着を行うものである。こうして
第６図に示すように、蒸着の際に蒸着源３からの絶縁膜
材料の分子ビームＢが該ガラス基板２の透明導電膜2aの
表面に図示の如く山及び谷を有する絶縁膜４を成膜（デ
ポジション）する。このように絶縁膜４を形成したガラ
ス基板２は、液晶と接触させると、その液晶分子５（プ
レチルト角０度）が第７図に示すように、前記分子ビー
ムＢの方向と直角の方向に即ち絶縁膜４の谷に沿って配
列（水平配向）し、従って絶縁膜４は水平配向膜として
作用することになる。
を付与する方法として、第５図に示すような斜め蒸着法
が知られている。この方法によれば、内部を真空にした
ベルジャー１の中に、前以って透明導電膜を成膜したガ
ラス基板２を蒸着源、即ち図示しない加熱装置に取り付
けた蒸着用の絶縁膜材料３、例えばSiO2に対して斜めに
なるような方法に取り付け固定して、蒸着分子ビームＢ
を射出することにより蒸着を行うものである。こうして
第６図に示すように、蒸着の際に蒸着源３からの絶縁膜
材料の分子ビームＢが該ガラス基板２の透明導電膜2aの
表面に図示の如く山及び谷を有する絶縁膜４を成膜（デ
ポジション）する。このように絶縁膜４を形成したガラ
ス基板２は、液晶と接触させると、その液晶分子５（プ
レチルト角０度）が第７図に示すように、前記分子ビー
ムＢの方向と直角の方向に即ち絶縁膜４の谷に沿って配
列（水平配向）し、従って絶縁膜４は水平配向膜として
作用することになる。
しかしながら、このように形成された絶縁膜４は、上
記分子ビームＢが蒸着源３から放射状に拡散するため、
分子ブームＢのガラス基板２に対する入射角が部分的に
異なるので、絶縁膜４の山及び谷の形状が不均一となっ
てしまい。従って液晶セルの特性が低下するという欠点
がある。特にガラス基板２の面積が大きい場合には上記
特性の低下が著しくなる。
記分子ビームＢが蒸着源３から放射状に拡散するため、
分子ブームＢのガラス基板２に対する入射角が部分的に
異なるので、絶縁膜４の山及び谷の形状が不均一となっ
てしまい。従って液晶セルの特性が低下するという欠点
がある。特にガラス基板２の面積が大きい場合には上記
特性の低下が著しくなる。
このため、ガラス基板２と蒸着源３との距離を大きく
することが考えられるが、この場合液晶セルの特性低下
は或る程度低減されるものの、蒸着装置全体が大きくな
ってしまうという問題が生ずる。またこの方法において
は、蒸着の際にガラス基板２を300℃以上に加熱する必
要があるので、ガラス基板に代え樹脂基板を使用するこ
とは実際上困難である。またカラー表示装置として脚光
を浴びているRGBカラーフィルタの耐熱性は一般的には2
00℃以下であることから、斜め蒸着法によりこのRGBカ
ラーフィルタ付きドットマトリックス液晶表示装置用の
液晶セルを製造することは不可能であった。
することが考えられるが、この場合液晶セルの特性低下
は或る程度低減されるものの、蒸着装置全体が大きくな
ってしまうという問題が生ずる。またこの方法において
は、蒸着の際にガラス基板２を300℃以上に加熱する必
要があるので、ガラス基板に代え樹脂基板を使用するこ
とは実際上困難である。またカラー表示装置として脚光
を浴びているRGBカラーフィルタの耐熱性は一般的には2
00℃以下であることから、斜め蒸着法によりこのRGBカ
ラーフィルタ付きドットマトリックス液晶表示装置用の
液晶セルを製造することは不可能であった。
（発明の目的） 本発明は以下の点に鑑み、面積の大きな液晶セルの場
合でも均一な水平配向膜が得られ、且つ樹脂基板に対し
ても水平配向膜が形成可能である、液晶セルの水平配向
膜の製造方法を提供することを目的としている。
合でも均一な水平配向膜が得られ、且つ樹脂基板に対し
ても水平配向膜が形成可能である、液晶セルの水平配向
膜の製造方法を提供することを目的としている。
上記目的は、本発明によれば、液晶セル基板の搬送方
向に対する横方向に関してほぼ平行にスパッタ分子ビー
ムを入射させるスパッタターゲットを備えたインライン
スパッタ装置を使用して、液晶セル基板を搬送しながら
その表面に絶縁膜を成膜し、これによって液晶セル基板
の搬送方向とほぼ直角の方向性を有する水平配向膜を形
成するようにしたことを特徴とする液晶セルの水平配向
膜の製造方法によって達成される。
向に対する横方向に関してほぼ平行にスパッタ分子ビー
ムを入射させるスパッタターゲットを備えたインライン
スパッタ装置を使用して、液晶セル基板を搬送しながら
その表面に絶縁膜を成膜し、これによって液晶セル基板
の搬送方向とほぼ直角の方向性を有する水平配向膜を形
成するようにしたことを特徴とする液晶セルの水平配向
膜の製造方法によって達成される。
この発明によれば、液晶セル基板への絶縁膜の形成
が、液晶セル基板の搬送方向に対する横方向に関してほ
ぼ平行にスパッタ分子ビームを入射させるスパッタター
ゲットを備えたインラインスパッタ装置を使用すること
により、約100℃の温度で行われ、且つ絶縁膜の表面の
山及び谷が絶縁膜の搬送の最終段階にて、液晶セル基板
に斜めに入射するスパッタ分子ビームにより液晶セル基
板の横方向に対してほぼ平行に形成されるので、この山
及び谷を形成する際のスパッタ分子ビームの入射角が一
定となり、かくして非常に均一な水平配向膜が得られる
ことになる。さらに、液晶セル基板の温度が約100℃と
従来法に比し低温度であることにより、液晶セル基板は
ガラス基板に限らず樹脂基板であってもまたRGBカラー
フィルタ付きドットマトリックス液晶表示素子を構成す
るカラーフィルタであっても自由に選定使用することが
可能であり、極めて有効に水平配向膜が形成され得る。
が、液晶セル基板の搬送方向に対する横方向に関してほ
ぼ平行にスパッタ分子ビームを入射させるスパッタター
ゲットを備えたインラインスパッタ装置を使用すること
により、約100℃の温度で行われ、且つ絶縁膜の表面の
山及び谷が絶縁膜の搬送の最終段階にて、液晶セル基板
に斜めに入射するスパッタ分子ビームにより液晶セル基
板の横方向に対してほぼ平行に形成されるので、この山
及び谷を形成する際のスパッタ分子ビームの入射角が一
定となり、かくして非常に均一な水平配向膜が得られる
ことになる。さらに、液晶セル基板の温度が約100℃と
従来法に比し低温度であることにより、液晶セル基板は
ガラス基板に限らず樹脂基板であってもまたRGBカラー
フィルタ付きドットマトリックス液晶表示素子を構成す
るカラーフィルタであっても自由に選定使用することが
可能であり、極めて有効に水平配向膜が形成され得る。
以下、図面に示した実施例に基づいて本発明をさらに
説明する。
説明する。
第１図は本発明による液晶セルの水平配向膜の製造方
法を実施するための装置を示しており、この装置10は、
基本的にはインラインスパッタ装置であり、スパッタ室
11内の下部には絶縁膜を成膜すべきガラス基板12を図面
において左方から右方へ向かって搬送する搬送コンベア
13が配設されていて、その上方においてほぼ中央にはス
パッタターゲット14が配設されている。ガラス基板12
は、供給室15のストッカー15aから供給コンベア16によ
り搬送コンベア13上に載置され、搬送コンベア13により
右方に搬送されながら、後述するようにスパッタターゲ
ット14からのスパッタ分子ビームBsにより絶縁膜19の成
膜が行われた後、搬出コンベア17により搬出室18のスト
ッカー18aに搬送される。尚ガラス基板12は、液晶セル
の端子となるべき部分に絶縁膜が形成されないように、
図示のようの保護マスク12aが取り付けられている。
法を実施するための装置を示しており、この装置10は、
基本的にはインラインスパッタ装置であり、スパッタ室
11内の下部には絶縁膜を成膜すべきガラス基板12を図面
において左方から右方へ向かって搬送する搬送コンベア
13が配設されていて、その上方においてほぼ中央にはス
パッタターゲット14が配設されている。ガラス基板12
は、供給室15のストッカー15aから供給コンベア16によ
り搬送コンベア13上に載置され、搬送コンベア13により
右方に搬送されながら、後述するようにスパッタターゲ
ット14からのスパッタ分子ビームBsにより絶縁膜19の成
膜が行われた後、搬出コンベア17により搬出室18のスト
ッカー18aに搬送される。尚ガラス基板12は、液晶セル
の端子となるべき部分に絶縁膜が形成されないように、
図示のようの保護マスク12aが取り付けられている。
以上のように構成されたインラインスパッタ装置によ
れば、ガラス基板12が、供給室15のストッカー15aか
ら、供給コンベア16により、スパッタ室11内の搬送コン
ベア13上に移送された後、ここでスパッタ室11の入口側
シャッタ11aが閉鎖される。続いて該ガラス基板12は、
スパッタ室11内で搬送コンベア13により所定の速度で右
方に搬送される。
れば、ガラス基板12が、供給室15のストッカー15aか
ら、供給コンベア16により、スパッタ室11内の搬送コン
ベア13上に移送された後、ここでスパッタ室11の入口側
シャッタ11aが閉鎖される。続いて該ガラス基板12は、
スパッタ室11内で搬送コンベア13により所定の速度で右
方に搬送される。
この搬送の際に、スパッタターゲット14から反射され
る絶縁膜材料、例えば、SiO2のスパッタ分子ビームB
sは、最初は、ガラス基板12を迎えるようにして接近す
るガラス基板12に入射するが、ほぼ中央では真上から該
ガラス基板12に入射し、最後はガラス基板12を追いかけ
るようにして、離反するガラス基板12の後方から入射す
る。このとき、ガラス基板12のスパッタ室11内における
搬送の最初から最終段階の前（図示位置）までにおい
て、ガラス基板12の表面に絶縁膜19の必要な膜厚のほぼ
全体（例えば、100nm）が成膜され、最終段階におい
て、スパッタ分子ビームBsがガラス基板12に対して斜め
に入射することにより、絶縁膜19のうち所定の山及び谷
を有する部分、例えば厚さ約5nmの膜が成膜されること
になる。このとき、横方向に関しては第２図に示すよう
に分子ビームが、ほぼ平行に入射する。このように、絶
縁膜19の上記山及び谷は、ほぼ平行に入射するスパッタ
分子ビームBsにより形成されるので、均一に形成された
水平配向膜が得られる。
る絶縁膜材料、例えば、SiO2のスパッタ分子ビームB
sは、最初は、ガラス基板12を迎えるようにして接近す
るガラス基板12に入射するが、ほぼ中央では真上から該
ガラス基板12に入射し、最後はガラス基板12を追いかけ
るようにして、離反するガラス基板12の後方から入射す
る。このとき、ガラス基板12のスパッタ室11内における
搬送の最初から最終段階の前（図示位置）までにおい
て、ガラス基板12の表面に絶縁膜19の必要な膜厚のほぼ
全体（例えば、100nm）が成膜され、最終段階におい
て、スパッタ分子ビームBsがガラス基板12に対して斜め
に入射することにより、絶縁膜19のうち所定の山及び谷
を有する部分、例えば厚さ約5nmの膜が成膜されること
になる。このとき、横方向に関しては第２図に示すよう
に分子ビームが、ほぼ平行に入射する。このように、絶
縁膜19の上記山及び谷は、ほぼ平行に入射するスパッタ
分子ビームBsにより形成されるので、均一に形成された
水平配向膜が得られる。
次いで、搬送コンベア13により、その最終端に到達し
たガラス基板12は、スパッタ室11の出口シャッタ11bの
開放の後、搬出コンベア17に移送されて搬出室18のスト
ッカー18a内に搬出される。
たガラス基板12は、スパッタ室11の出口シャッタ11bの
開放の後、搬出コンベア17に移送されて搬出室18のスト
ッカー18a内に搬出される。
スパッタ分子ビームBsのガラス基板12への入射が、必
要以上に大きい入射角の場合には、形成される絶縁膜19
の山及び谷の均一性が充分とならなくなることがあるた
め、好ましくはガラス基板12の搬送コンベア13による搬
送の最終段階付近に第３図に示した制御マスク20を固定
配置するか、または第４図に示した制御ルーバー21を配
設することにより、必要以上に大きな入射角でスパッタ
分子ビームBsがガラス基板12に入射することが阻止され
る。
要以上に大きい入射角の場合には、形成される絶縁膜19
の山及び谷の均一性が充分とならなくなることがあるた
め、好ましくはガラス基板12の搬送コンベア13による搬
送の最終段階付近に第３図に示した制御マスク20を固定
配置するか、または第４図に示した制御ルーバー21を配
設することにより、必要以上に大きな入射角でスパッタ
分子ビームBsがガラス基板12に入射することが阻止され
る。
尚、スパッタ室11内におけるガラス基板12の温度は、
約100℃に設定されている。従って、上述したようなガ
ラス基板12の代わりに、樹脂基板上に絶縁膜19を成膜す
ることも可能であり、また、200℃以下の耐熱性のカラ
ーフィルタの表面に絶縁膜19を成膜して、該カラーフィ
ルタ上に直接水平配向膜を形成することも可能である。
約100℃に設定されている。従って、上述したようなガ
ラス基板12の代わりに、樹脂基板上に絶縁膜19を成膜す
ることも可能であり、また、200℃以下の耐熱性のカラ
ーフィルタの表面に絶縁膜19を成膜して、該カラーフィ
ルタ上に直接水平配向膜を形成することも可能である。
以上述べたように、本発明によれば、液晶セル基板へ
の絶縁膜の形成が、液晶セル基板の搬送方向に対する横
方向に関してほぼ平行にスパッタ分子ビームを入射させ
るスパッタターゲットを備えたインラインスパッタ装置
を使用することにより、約100℃の比較的低温度で行わ
れ、且つ絶縁膜の表面の山及び谷が絶縁膜の搬送の最終
段階にて液晶セル基板に斜めに入射するスパッタ分子ビ
ームにより液晶セル基板の横方向に対してほぼ平行に形
成されるので、この山及び谷を形成する際のスパッタ分
子ビームの入射角が一定となり、かくして非常に均一な
水平配向膜が得られることになる。
の絶縁膜の形成が、液晶セル基板の搬送方向に対する横
方向に関してほぼ平行にスパッタ分子ビームを入射させ
るスパッタターゲットを備えたインラインスパッタ装置
を使用することにより、約100℃の比較的低温度で行わ
れ、且つ絶縁膜の表面の山及び谷が絶縁膜の搬送の最終
段階にて液晶セル基板に斜めに入射するスパッタ分子ビ
ームにより液晶セル基板の横方向に対してほぼ平行に形
成されるので、この山及び谷を形成する際のスパッタ分
子ビームの入射角が一定となり、かくして非常に均一な
水平配向膜が得られることになる。
さらに、液晶セル基板の必要加熱温度が約100℃と従
来法に比し低温度で済むことにより、液晶セル基板はガ
ラス基板に限らず、樹脂基板であってもまたRGBカラー
フィルタ付きドットマトリックス液晶表示素子を構成す
るカラーフィルタであっても、極めて有効に水平配向膜
が形成され得る。
来法に比し低温度で済むことにより、液晶セル基板はガ
ラス基板に限らず、樹脂基板であってもまたRGBカラー
フィルタ付きドットマトリックス液晶表示素子を構成す
るカラーフィルタであっても、極めて有効に水平配向膜
が形成され得る。
かくし本発明によれば、均一な特性を有する大面積の
樹脂製液晶セルやRGBカラーフィルタ付きの液晶表示装
置が実現可能となる。
樹脂製液晶セルやRGBカラーフィルタ付きの液晶表示装
置が実現可能となる。
第１図は本発明による方法を実施するためのインライン
スパッタ装置を示す概略断面図、第２図は第１図のＸ方
向にみた部分平面図、第３図及び第４図はスパッタ分子
ビームを制御するようにした変形例を示す図である。 第５図は従来の斜め蒸着法を示す図であり、（Ａ）は正
面図、（Ｂ）は側面図を示す。第６図は第５図の方法に
おけるガラス基板の表面の絶縁膜成膜状態を示す断面
図、第７図は第５図の方法により製造された水平配向膜
の液晶分子との接触状態を示し、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は断面図である。 10……インラインスパッタ装置;11……スパッタ室;12…
…ガラス基板;13……搬送コンベア;14……スパッタター
ゲット;15……ストッカー供給室;16……供給コンベア;1
7……搬出コンベア;18……ストッカー搬出室;19……絶
縁膜;20……制御マスク;21……制御ルーバー。
スパッタ装置を示す概略断面図、第２図は第１図のＸ方
向にみた部分平面図、第３図及び第４図はスパッタ分子
ビームを制御するようにした変形例を示す図である。 第５図は従来の斜め蒸着法を示す図であり、（Ａ）は正
面図、（Ｂ）は側面図を示す。第６図は第５図の方法に
おけるガラス基板の表面の絶縁膜成膜状態を示す断面
図、第７図は第５図の方法により製造された水平配向膜
の液晶分子との接触状態を示し、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は断面図である。 10……インラインスパッタ装置;11……スパッタ室;12…
…ガラス基板;13……搬送コンベア;14……スパッタター
ゲット;15……ストッカー供給室;16……供給コンベア;1
7……搬出コンベア;18……ストッカー搬出室;19……絶
縁膜;20……制御マスク;21……制御ルーバー。
Claims (1)
- 【請求項１】液晶セル基板の搬送方向に対する横方向に
関してほぼ平行にスパッタ分子ビームを入射させるスパ
ッタターゲットを備えたインラインスパッタ装置を使用
して、液晶セル基板を搬送しながらその表面に絶縁膜を
成膜し、これによって液晶セル基板の搬送方向とほぼ直
角の方向性を有する水平配向膜を形成するようにしたこ
とを特徴とする液晶セルの水平配向膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298641A JP2505435B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 液晶セルの水平配向膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61298641A JP2505435B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 液晶セルの水平配向膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63151926A JPS63151926A (ja) | 1988-06-24 |
| JP2505435B2 true JP2505435B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=17862362
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61298641A Expired - Lifetime JP2505435B2 (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | 液晶セルの水平配向膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505435B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2622525B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1997-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 液晶基板の製造装置 |
| JPH02259721A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 液晶基板の製造装置 |
| DE69232747T2 (de) * | 1991-06-14 | 2003-01-02 | Hughes Aircraft Co., Los Angeles | Verfahren zum vertikalen Ausrichten von Flüssigkristallen |
| US6151090A (en) * | 1995-05-31 | 2000-11-21 | Casio Computer Co., Ltd. | LCD using liquid crystal of ferroelectric and/or antiferroelectric phase having pretilt angle of 1 degree or less |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5333640A (en) * | 1976-09-10 | 1978-03-29 | Hitachi Ltd | Formation of orientation control film for liquid crystal display element |
| JPS5433749A (en) * | 1977-08-19 | 1979-03-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method of forming parallelllike coating |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP61298641A patent/JP2505435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63151926A (ja) | 1988-06-24 |
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