JPS63144535A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に関し、特に同一工程において生
成されるそのパターン幅の仕上り誤差の計測精度を向上
したものに関するものである。

〔従来の技術〕

従来半導体装置の各工程におけるパターン幅の仕上り誤
差の測定は回路中のまたは計測中のパターンの幅を光学
顕微鏡または電子顕微鏡にて計測することによって行わ
れていた。

この場合、計測に用いるパターンの幅の設計値をし、パ
ターンの幅の仕上り誤差をｄとすると、実際のパターン
幅Ｌ＋ｄを計測して（Ｌ＋’ｄ）”−Ｌという式の計算
により誤差を間接的に求める必要があり、高分解能の計
測が必要であった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の方法では高い分解能での計測が必要であり、この
ためこのような計測が可能な装置は高価であり、且つ、
高度の維持技術が必要となるという問題点があった。

本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、パターンの仕上り寸法幅の計測精度を高めるこ
とができる半導体装置を得ることを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明に係る半導体装置は、ある同一工程において、２
本の直線状パターンを、互い違いの位置に、且つ、その
各々のパターンの辺の平行線間隔を計測し得る位置に配
置形成するようにしたものである。

〔作用〕

本発明においては、上記２本の直線状パターンの辺の平
行線間隔を計測することにより、パターン幅の仕上り誤
差を高精度に計測することができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図について説明する。

第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図
において、１，２はある同一工程で形成される直線状パ
ターンで、この２本の直線状パターン１．２は互い違い
の位置に相互に平行に、且つ、各々の辺の平行線間隔を
計測し得、る位置に配置されている。

次に作用効果について説明する。

上記パターン１，２のパターン幅の設計値をり。

パターン１．２の辺の平行線間隔の設計値をＳとし、パ
ターン１．２のパターン幅の仕上り誤差をｄとすると、
パターン１．２の辺はそれぞれ％ｄだけ外側に移動して
いるため、パターン１，２の実際の平行線間隔はＳ−ｄ
となる。。

もし、パターン１．２の平行線間隔の設計値ＳがＯに設
定されているとすると、実際のパターン１．２の平行線
間隔は−ｄとなり、パターンの平行線間隔はパターン幅
の仕上り誤差ｄの正、負の符号を反転したそのものとな
る。従って、パターン幅仕上り誤差の絶対値測定を直線
状パターン１゜２のパターン間隔測定によって直接行う
ことができる。

またパターン間隔の設定値ＳをＯ以外のある値とした場
合に、直線状パターン１，２．のパターン間隔の実測値
が０になったとすると、パターン幅の仕上り誤差ｄはＳ
と等しいことになる。すなわち零位法により、パターン
幅の仕上り誤差を求めることも可能である。

上記の方法は、いずれもパターン幅りに依存しない直接
計測の方法であり、従来の間接計測に比べて計測精度を
容易に高めることができる。

なお上記実施例では、直線状パターンを２本用いた例を
示したが、第２図に示したように、パターン１の辺の延
長線上に直線状の補助パターン３を設けやはりパターン
２との平行線間隔がＳとなるように配置すると、パター
ン１．２の平行線間隔を測定する際の平行基準の設定が
容易になり、計測精度を更に向上できる。

また、上記実施例で示したパターンとして、第３図に示
したように、そのパターン間隔を、Ｓａ〜Ｓｅと変えた
ものを複数個配置することもできる。この場合には、パ
ターン間隔５ａｘＳｅのうち、形成されたパターンの間
隔が０に最も近いパターンの組合せに対応する間隔の設
計値、図の場合Ｓｃがパターン幅の仕上り誤差の概略の
値となる。従って精度のさほど高くない顕微鏡による簡
単な目視検査により、概略の仕上り寸法誤差を、この場
合Ｓｃと判定でき、製造ラインにおける工程管理の効率
化および投資資本の低減に対して大きな効果が得られる
。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、ある同一工程におい
て、２本の平行な直線状パターンを、互い違いの位置に
、かつその各辺の平行線間隔を測定し得る位置に配置形
成するようにしたので、精度のよいパターン幅の仕上り
寸法誤差の計測が可能になるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例による半導体装置における２
本の平行な直線状パターンの配置図、第２図は平行パタ
ーンに補助パターンを付加した本発明の他の実施例の配
置図、第３図は平行な直線状パターンを複数組配置した
本発明のさらに他の実施例の配置図である。 図中１．２は平行な直線状パターン、３は補助パターン
、Ｌはパターン幅の設計値、Ｓはパターンの平行線間隔
である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）ある同一工程において、２本の平行な直線状パタ
   ーンを、互い違いの位置に、かつその相互間の間隔を計
   測し得る位置に、配置形成してなることを特徴とする半
   導体装置。
2. （２）上記２本の直線状パターンの間隔を当該工程の仕
   上り寸法誤差の計測に用いることを特徴とする特許請求
   の範囲第１項記載の半導体装置。
3. （３）上記２本の直線状パターンに加えて１本あるいは
   複数本の補助パターンが設けられていることを特徴とす
   る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
4. （４）上記２本の直線状パターンとして、パターン相互
   間の間隔が異なるものが複数組設けられていることを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。