JPS63144242A - キヤリブレ−シヨン用基板 - Google Patents
キヤリブレ−シヨン用基板Info
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- JPS63144242A JPS63144242A JP29222286A JP29222286A JPS63144242A JP S63144242 A JPS63144242 A JP S63144242A JP 29222286 A JP29222286 A JP 29222286A JP 29222286 A JP29222286 A JP 29222286A JP S63144242 A JPS63144242 A JP S63144242A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/93—Detection standards; Calibrating baseline adjustment, drift correction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Or Calibration Of Command Recording Devices (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は基板表面に付着したサブミクロン領域の大きさ
の塵埃を検査するための表面検査装置の検出性能の評価
或いは調整等に用いるキャリブレーション用基板に関す
る。
の塵埃を検査するための表面検査装置の検出性能の評価
或いは調整等に用いるキャリブレーション用基板に関す
る。
（従来の技術）
従来はポリスチレンやポリビニルトルエン等で作られた
サブミクロン領域の大きさの標準粒子（真球ビーズ）を
人為的な手段により一個づつ基板表面上にのせたり、ま
たは前記標準粒子を分散させた液体を基板表面上にコー
ティングし、その後、前記液体を蒸発させる等の手段に
より基板表面上に前記標準粒子を付着させ、この標準粒
子を基準にして上記表面検査装置の検出性能の評価また
は調整などが行われていた。
サブミクロン領域の大きさの標準粒子（真球ビーズ）を
人為的な手段により一個づつ基板表面上にのせたり、ま
たは前記標準粒子を分散させた液体を基板表面上にコー
ティングし、その後、前記液体を蒸発させる等の手段に
より基板表面上に前記標準粒子を付着させ、この標準粒
子を基準にして上記表面検査装置の検出性能の評価また
は調整などが行われていた。
（発明が解決しようとする問題点）
サブミクロン領域の標準粒子を人為的な手段により一個
づつ基板表面上にのせる手段によれば、作業者の熟練お
よび多大な作業時間を必要とすること、また、標準粒子
を分散させた液体を基板表面上にコーティングし、その
後、前記液体を蒸発させる手段によれば、基板表面にＩ
す着した標準粒子の数が明確でないため正確に表面検査
装置の検出性能の評価または調整などが行えないという
問題点がある。
づつ基板表面上にのせる手段によれば、作業者の熟練お
よび多大な作業時間を必要とすること、また、標準粒子
を分散させた液体を基板表面上にコーティングし、その
後、前記液体を蒸発させる手段によれば、基板表面にＩ
す着した標準粒子の数が明確でないため正確に表面検査
装置の検出性能の評価または調整などが行えないという
問題点がある。
さらに、上記の何れの手段によっても、基板上に付着さ
せた標準粒子は水洗等の比較的間車な洗浄によって洗い
流されてしまうため作業性が悪いという問題点もある。
せた標準粒子は水洗等の比較的間車な洗浄によって洗い
流されてしまうため作業性が悪いという問題点もある。
そこで本発明は表面検査装置の検出性能の評価または調
整などを行なうために、基板上の所定の位置に、耐洗浄
性を有し、上記標準粒子に代わる突起物の形成された基
板を堤供することを目的とする。
整などを行なうために、基板上の所定の位置に、耐洗浄
性を有し、上記標準粒子に代わる突起物の形成された基
板を堤供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、基板表面の所定の位置に所定の形状と大きさ
を有し、カーボンとガリウムを主成分とする突起物を形
成することにより上記の問題点を解決したものである。
を有し、カーボンとガリウムを主成分とする突起物を形
成することにより上記の問題点を解決したものである。
（作用）
本発明によれば、カーボンとガリウムを主成分とする突
起物が基板表面に形成されているため、該突起物は物理
的および化学的に強固であり、また、基板表面上の所定
の位置に対して所定の形状と大きさを存する突起物が形
成される。
起物が基板表面に形成されているため、該突起物は物理
的および化学的に強固であり、また、基板表面上の所定
の位置に対して所定の形状と大きさを存する突起物が形
成される。
（実施例）
本発明を図示する実施例に基づいてさらに詳しく説明す
る。
る。
第１図は本発明のキャリブレーション用基板の一例を示
す平面図、また第２図（ａｌは第１図の１−１矢視断面
図、第２図［ｂｌは第１図の■−■矢視断面図である。
す平面図、また第２図（ａｌは第１図の１−１矢視断面
図、第２図［ｂｌは第１図の■−■矢視断面図である。
第１図および第２図ｆａｔ ｆｂｌにおいて、■は突起
物を形成するための石英基板、２はカーボンとガリウム
を主成分とする突起物である。
物を形成するための石英基板、２はカーボンとガリウム
を主成分とする突起物である。
しかして、本実施例のキャリブレーション用基板は、集
積イオンビーム装置を用いたフォトマスク等の欠陥を修
正するためのデポジション法により石英基板１の表面に
突起物２を形成したものである。
積イオンビーム装置を用いたフォトマスク等の欠陥を修
正するためのデポジション法により石英基板１の表面に
突起物２を形成したものである。
ここで上記のデポジション法の原理について説明する。
集積イオンビーム装置に石英基板１をセントし、有機系
ガスを前記装置のガスインジェクタより石英１５＋Ｉｉ
ｌの所定の領域の近傍に吹き付け、そこに加速されたガ
リウムイオンビームを所定の形状に照射することにより
前記ガスが分解または重合され、前記所定の形状に選択
的にカーボンとガリウムを主成分とする物質がデポジッ
トされて突起物が形成される。なお、前記突起物の高さ
は前記イオンビームの照射時間または照射回数により制
御される。
ガスを前記装置のガスインジェクタより石英１５＋Ｉｉ
ｌの所定の領域の近傍に吹き付け、そこに加速されたガ
リウムイオンビームを所定の形状に照射することにより
前記ガスが分解または重合され、前記所定の形状に選択
的にカーボンとガリウムを主成分とする物質がデポジッ
トされて突起物が形成される。なお、前記突起物の高さ
は前記イオンビームの照射時間または照射回数により制
御される。
このように集積イオンビーム装置を用いて突起物を石英
基板ｌの表面に形成するため、突起物は集積イオンビー
ム装置の解像力、すなわち、サブミクロン領域の大きさ
の突起物が精度良く形成されるのである。
基板ｌの表面に形成するため、突起物は集積イオンビー
ム装置の解像力、すなわち、サブミクロン領域の大きさ
の突起物が精度良く形成されるのである。
次に上記の原理に基づいて作成したキャリブレーション
用基板について説明する。
用基板について説明する。
当該キャリブレーション用基板は第１図および第２図（
ａｌ （ｂｌに示されるように石英基板１のＸ方向に対
して、突起物２の高さが一定で底面の大きさのみを順番
に変化させ、またＹ方向に対して、突起物２の底面の大
きさが一定で高さのみを順番に変化させるように構成し
たものである。
ａｌ （ｂｌに示されるように石英基板１のＸ方向に対
して、突起物２の高さが一定で底面の大きさのみを順番
に変化させ、またＹ方向に対して、突起物２の底面の大
きさが一定で高さのみを順番に変化させるように構成し
たものである。
さらに、当該キャリブレーション用基板の一例を示すと
、石英基板１は５インチ口であり、該石英基板ｌのＸ方
向に対しては突起物２の底面の大きさを、０．５ミクロ
ン口より３ミクロンマで０．５ミクロン口のステップで
６段階に、また、Ｙ方向に対しては突起物２の高さを０
．１ミクロンより０．６ミクロンまで０．１ミクロンの
ステップで６段階にそれぞれ順番に変化させ、合計３６
種類の大きさの突起物を配列したものである。
、石英基板１は５インチ口であり、該石英基板ｌのＸ方
向に対しては突起物２の底面の大きさを、０．５ミクロ
ン口より３ミクロンマで０．５ミクロン口のステップで
６段階に、また、Ｙ方向に対しては突起物２の高さを０
．１ミクロンより０．６ミクロンまで０．１ミクロンの
ステップで６段階にそれぞれ順番に変化させ、合計３６
種類の大きさの突起物を配列したものである。
次に、当該キャリブレーション用基板の耐洗浄性試験結
果の一例を示す。
果の一例を示す。
２０００ＰＳＩ （重量ポンド毎平方インチ）の高圧
水の吹き掛けによる洗浄を１０分間、ガーゼを用いたス
クラブ洗浄を１０００回、８０℃の９８％硫酸への浸漬
を５時間、アセトンヘの浸ン貞を１０時間、５０℃の１
０％ＮａＯＨへの浸漬を５時間施した結果、上記の突起
物には何等の変化も見らなかった。
水の吹き掛けによる洗浄を１０分間、ガーゼを用いたス
クラブ洗浄を１０００回、８０℃の９８％硫酸への浸漬
を５時間、アセトンヘの浸ン貞を１０時間、５０℃の１
０％ＮａＯＨへの浸漬を５時間施した結果、上記の突起
物には何等の変化も見らなかった。
そして、上記耐洗浄性試験の施されたキャリブレーショ
ン用基板を用いて表面検査装置の検出性能の感度設定試
験を行った結果、サブミクロン領域での感度設定が容易
に行えた。さらに、上記の耐洗浄性試験および感度設定
試験を繰り返し行っても当初の感度設定の精度が維持さ
れることを確認した。
ン用基板を用いて表面検査装置の検出性能の感度設定試
験を行った結果、サブミクロン領域での感度設定が容易
に行えた。さらに、上記の耐洗浄性試験および感度設定
試験を繰り返し行っても当初の感度設定の精度が維持さ
れることを確認した。
なお、本実施例において示した突起物２の形状は四角柱
に限られるものではなく例えば円柱、多角柱など何れの
形状でもよい。
に限られるものではなく例えば円柱、多角柱など何れの
形状でもよい。
さらに、突起物２を多角柱のような平面的、空間的に方
向性を有する形状とすることにより、前記表面検査装置
の方向性に対する検出性能の評価または調整なども行な
える。
向性を有する形状とすることにより、前記表面検査装置
の方向性に対する検出性能の評価または調整なども行な
える。
本発明のキャリブレーション用基板によれば、基板表面
上の所定の位置に所定の形状と大きさを有するキャリブ
レーション用の突起物が形成されているため、表面検査
装置の検出性能の評価または調整などを能率良く行なえ
、さらに、本発明のキャリブレーション用基板は耐洗浄
性を有するため、洗浄によって不要な塵埃を除去し、繰
り返して使用できるものであり、上記表面検査装置の日
々の管理を容易に且つ精度良く行なえると言う効果を奏
する。
上の所定の位置に所定の形状と大きさを有するキャリブ
レーション用の突起物が形成されているため、表面検査
装置の検出性能の評価または調整などを能率良く行なえ
、さらに、本発明のキャリブレーション用基板は耐洗浄
性を有するため、洗浄によって不要な塵埃を除去し、繰
り返して使用できるものであり、上記表面検査装置の日
々の管理を容易に且つ精度良く行なえると言う効果を奏
する。
第１図は本発明のキャリブレーション用基板の一実施例
を示す平面図、また第２図（ａｌは第１［ｆｆｌのＴ、
−１矢視断面図、第２図ｆｂ）は第１図の■−■矢視断
面図である。 １・・・石英基板 ２・・・突起物
を示す平面図、また第２図（ａｌは第１［ｆｆｌのＴ、
−１矢視断面図、第２図ｆｂ）は第１図の■−■矢視断
面図である。 １・・・石英基板 ２・・・突起物
Claims (2)
- （１）基板表面に付着したサブミクロン領域の大きさの
塵埃を検査するための表面検査装置の検出性能の評価ま
たは調整などに用いる標準粒子に代わるものであって、
基板表面の所定の位置に所定の形状と大きさを有し、カ
ーボンとガリウムを主成分とする突起物が形成されてい
ることを特徴とするキャリブレーション用基板。 - （２）上記した突起物が複数個配列されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のキャリブレーショ
ン用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29222286A JPS63144242A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | キヤリブレ−シヨン用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29222286A JPS63144242A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | キヤリブレ−シヨン用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63144242A true JPS63144242A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17779085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29222286A Pending JPS63144242A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | キヤリブレ−シヨン用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63144242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714124A3 (de) * | 1994-11-17 | 1998-05-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Befestigung eines ersten Substrates auf einem zweiten Substrat und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung |
| EP1746653A1 (fr) * | 2005-07-22 | 2007-01-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'étalons de bruit de fond diffus comportant de nano-structures sur une couche mince isolante |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP29222286A patent/JPS63144242A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0714124A3 (de) * | 1994-11-17 | 1998-05-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Befestigung eines ersten Substrates auf einem zweiten Substrat und Verwendung des Verfahrens zur Herstellung einer dreidimensionalen Schaltungsanordnung |
| EP1746653A1 (fr) * | 2005-07-22 | 2007-01-24 | Commissariat A L'energie Atomique | Procédé de réalisation d'étalons de bruit de fond diffus comportant de nano-structures sur une couche mince isolante |
| FR2888833A1 (fr) * | 2005-07-22 | 2007-01-26 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'etalons de bruit de fond diffus comportant des nano-structures sur une couche mince isolante |
| JP2007114183A (ja) * | 2005-07-22 | 2007-05-10 | Commiss Energ Atom | 絶縁薄膜上にナノ構造体を含むヘイズノイズ標準の製造方法 |
| US7692782B2 (en) | 2005-07-22 | 2010-04-06 | Commissariat A L'energie Atomique | Method for fabricating haze noise standards comprising nano-structures on an insulating thin layer |
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