JPS63138878A - 画像読取方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　　要〕 本発明はＣ０Ｄ（電荷結合素子）列を用いた画像読取装
置において、ＡＫ稿の予め指定された画素密度の少なく
とも２倍以上の密度で読取るＣＣＤ等を具え、この出力
密度を再度間引いて元の密度に戻すことによシ、解像度
の向上を図ったものである。

〔産業上の利用分野〕

本発明はＣＣＤを用いた画像読取装置における画像読取
部の解！ｊｆ：の改善に関するものである。

〔従来の技術〕

一般に、画像Ｗｌ取装置、たとえばＧ３形式の７アクシ
ξり装置では、用紙サイズＢ４の原稿１［２１６■に対
して２０４８ドツトの画素が割当てられている。

Ｇ３形式のファクシミリ装置が開発された歯切は、光電
変換を行なうＣＣＬ）の画素数が２０４８ドツト機度の
素子が普及していたが、それ以上の画素数のものは少な
かった。

最近、半導体集積回路技術の向上によシ、画素数の大き
なＣＣＤが市販されるようになシ価格も低下したため４
０９６ドツトの素子が用いられ、その中央部分を使って
Ａ３原稿も送信可能な装置が実用されている。

第４図（→〜（６）は従来例の説明図でちる。

同図（α）は従来例の光学系の１例を示すもので６４）
、ＪｊＫ稿１が挿入されると、光源（螢光灯）２からの
光がＩＩＫ稿面に照射され、反射光がレンズ３を通して
ＣＣＤ４で検出される。ＣＣＤ４は同図（６）に示すよ
うに１前述のように、ｎ　＝　４０９６ドツトの画素数
を有する。

同図（ｃ）はＢ４原稿を検出する場合のＣＣＤ４の使用
トン）［囲を示し、従来の技術ではＧ５規格の読取＃）
密度（８ドント／露）に基づき、ＢＪに対し２０４８ド
ツトとなるように光学系が設計されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記の方法では、とくに鮮明度が要求される文字９図形
等には十分な解像度が得られない。すなわち、ＣＣＤ受
光面において、隣接する素子間の電荷もれ、レンズの収
差等の影響によシ、白と黒の細かい繰返しパターンや新
聞等の細かい文字がかすれたシつぶれたりする現象が現
われ画質の低下を招いていた。

このような画質の低下を改善するため、注目画素とその
周囲の画素の明るさを電気的に演算し、輪郭を強調する
手法が用いられる。しかし、この方法は注目画素と周囲
のｖＢ素の間で演算を行なうために１ラインメモリや演
算回路な必要とするため回路が複雑となり、また輪郭を
強調するため１目的とする文字や画板外にわら半紙等の
目の粗い紙では、下地の凹凸や汚れまでも同時に強調さ
れ、ノイズの多い画像となるという欠点があった。

本発明者はたとえばＢＪの場合４０９６ドツトのＣＣＤ
ではその画素数の半分しか使用し【いないことに着目し
て使用する画累数ケ増やすことによ＃）解仕度の向上を
図ることを考えた。

本発明の目的はＣＣＤの検出幅を拡げて解像度を向上し
た画像読取方式を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

前記目的を達成するため、本発明においては、ＣＣＤを
用いた画像拭取装置において、予め指定された画像密度
の少なくとも２倍以上の密度を検出するＣＣＤ等を具え
るとともに、該ＣＣＤ等から検出され２値化された画像
密度な間引くことによ〕、前記予め指定された画像密度
に変換する手段とを具えたものでおる。

〔作　用〕

第１図（α）〜（ｄ）の原理説明図に示すように、同図
（α）の光学系で原稿１をレンズ６を介しＣＣＣＤ４で
通常の８ドツト／Ｗの倍の１６ドツト／闘の密度で読取
る場合、同図（６）　Ｋ示すような１ドツトの大きさが
６２．５μｍのパターンは、８ドツト／、、では、同図
（０）に示すよりにＣＣＤ　４の１つの画素に白と黒の
２ドツトのパターンが検出されるために、白の出力レベ
ルが低下するのに対し、１６ドツト／■では同図（カの
ように１つの画素に１ドツトのパターンが対応するので
白の出力レベル低下は発生しない。

前記８ドツト／１ｍの密度で出力レベルの低下した白１
ｄ号は、２値化の際スライスレベルによっては黒と判定
され、パターンがｒＢ、　ＢＪとなってしま＾パ　ＩＡ
ｋ”ツに／−ハネ血でＬ中出力１ノベルのイ千Ｔが発生
しないのでこれを間引くことによ、り、ｒＢ。

Ｗ」のパターンが得られる。このため隣接する画素間の
影響のない鮮明な画像が得られる。

〔実施例〕

第２図は本発明の実施例の構成説明図であり、第３図■
〜■は実施例の動作を示す波形図である。

以下第２図に従い、第５図を引用しつつ説明する。

第２因において、ＣＣＤ４とＡＭＰ　５と２値化回路６
は＠４図（ｃ）の通フとし、この後段に本発明の要部で
ある密度変換回路１１を接続して出力される。

このうちＣＣＤ　４はＣＣＤ駆動回路７を介し、ＡＭＰ
５と密度変換回路１１は直接に制御信号発生回路８によ
多制御される。

ＣＣＤ　４は第１図で説明したように、必要画素数２０
４８ドツトの２倍の４０９６ドツトの検出範囲なり４原
桶に対し検出されるように光学系がセットされている。

そして、ＣＣＤ［動画ｗＩ７によυ、第２図■〜■に示
すように、転送ゲートを開く信号ｙＴＧ＞　ｃｃｎの斜
送りロック〆１．り２が４Ａられて、画イ４号ＰイがＡ
ＭＰ　５に送られる。

ＡＭＰ　５では、制御信号発生口、路８から第２図■に
示す画信号の有効期間を示す信号Ａによシ、ＣＣＤ４の
４０９６ドツトの区間が選択され、その出力Ｐ（ムが２
値化回路６に送られて所定の閾値が設定され、第２図■
に示すＰｉ　Ｘ　１信号が４０９６ドツトで検出（１，
２，３，・・・＊　ｎ　２　ｍ　ｎ−１＊　’　）され
、密度変換回路１１に送られ、ここで第２図■に示す信
号Ｂによシ１画素おきに間引きサンプル（１，３，５，
・・・ｎ−２＊　ｎ　）され、２０４８ドツトに戻され
、＃ｇ２図■のｐｉ　Ｘ　２信号・として出力される。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、ＣＣＤ列を用い
た画像読取装置にお込て、予め指定された面木密度の少
なくとも２倍以上のｖｉ度で読取るＣＣＤ等を具え、こ
の密度を再度間引いて元の！ｙＲに戻すようにしたもの
である。これによシ、ｔ！ｇ１図（ｄＪに示すように１
検出画素が微小となることくよシ、画像のキメが細かく
なり鮮明度が増すことになル画像品質の改善に役立つと
ころが大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）〜（４は本発明の原理説明図、第２図は本
発明の実施例の柳成説明図、第３図は実施例の動作を示
す波形図、第４図（Ｑ）〜（Ｃ）は従来例の説明図テｔ
）シ、図中、１　ｋｔ−ＭＸ　ｆ４　ｓ　５　ハＶ　ン
Ｘ、４ハＣＣＤ、　５　ハＡＭｐ、　６　ハ２値化回路
、７　ハＣＣＤ駆動回路、８は制御信号発生回路、１１
は密度ＪＲ換回路を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 原稿の画像を光電センサ列（以下ＣＣＤ等という）で検
   出する光学系を有し、該検出信号を２値化回路に入れ２
   値画像として読取る画像読取装置において、 前記光学系が予め指定された画像密度を超える密度で検
   出するＣＣＤ等を具えるとともに、該ＣＣＤ等から検出
   され２値化された画像密度を間引くことにより前記予め
   指定された画像密度に変換する手段と、を具えたことを
   特徴とする画像読取方式。