JPS63136520A - X線マスクの製造方法 - Google Patents
X線マスクの製造方法Info
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- JPS63136520A JPS63136520A JP61280879A JP28087986A JPS63136520A JP S63136520 A JPS63136520 A JP S63136520A JP 61280879 A JP61280879 A JP 61280879A JP 28087986 A JP28087986 A JP 28087986A JP S63136520 A JPS63136520 A JP S63136520A
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、X線マスクの製造方法に係り、特に、X線マ
スクにおけるX線吸収体パターンの製造方法に関するも
のである。
スクにおけるX線吸収体パターンの製造方法に関するも
のである。
(従来の技術)
波長の短いX線が露光に使用されるようになってきてい
る。この原理は波長数人のX線によりX線レジストを露
光、現像するものであり、その特徴としては、回折、干
渉がなく、微細パターン形成に優れている。
る。この原理は波長数人のX線によりX線レジストを露
光、現像するものであり、その特徴としては、回折、干
渉がなく、微細パターン形成に優れている。
従来、この分野の技術としては、例えば、月刊セミコン
ダクターワールド、19B6.1 vol、5.No
、IP、74〜81が挙げられる。
ダクターワールド、19B6.1 vol、5.No
、IP、74〜81が挙げられる。
以下、この文献に示されるX線用マスクの製造方法を第
3図乃至第5図を用いて説明する。
3図乃至第5図を用いて説明する。
(1)メッキ法
まず、第3図(a)に示されるように、X線マスク支持
膜1上に導電層として金(^U)薄膜2を形成し、その
上にレジスト3を塗布する。次に、第3図(b)に示さ
れるように、露光を行い、次いで、第3図(C)に示さ
れるように、レジストの現像を行い、レジストパターン
3′を形成する。次に、第3図(d)に示されるように
、へUメンキ4を行った後、第3図(e)に示されるよ
うに、レジストパターン3′を除去し、更に、第3図(
f)に示されるように、Auff1膜2をエツチングし
て、X線吸収体としてのAuパターン5を形成する。
膜1上に導電層として金(^U)薄膜2を形成し、その
上にレジスト3を塗布する。次に、第3図(b)に示さ
れるように、露光を行い、次いで、第3図(C)に示さ
れるように、レジストの現像を行い、レジストパターン
3′を形成する。次に、第3図(d)に示されるように
、へUメンキ4を行った後、第3図(e)に示されるよ
うに、レジストパターン3′を除去し、更に、第3図(
f)に示されるように、Auff1膜2をエツチングし
て、X線吸収体としてのAuパターン5を形成する。
(2)リフトオフ法
まず、第4図(a)に示されるように、X線マスク支持
体膜ll上にレジス目2を塗布する。次に、第4図(b
)に示されるように、露光し、次いで、第4図(c)に
示されるように、レジストを現像し、レジストパターン
12′を形成する。次に、第4図(d)に示されるよう
に、Auを蒸着した後、第4図(e)に示されるように
、レジストパターン12′をその上に付着した不用なA
uと共に除去し、X線吸収体としての篩パターン13を
形成する。
体膜ll上にレジス目2を塗布する。次に、第4図(b
)に示されるように、露光し、次いで、第4図(c)に
示されるように、レジストを現像し、レジストパターン
12′を形成する。次に、第4図(d)に示されるよう
に、Auを蒸着した後、第4図(e)に示されるように
、レジストパターン12′をその上に付着した不用なA
uと共に除去し、X線吸収体としての篩パターン13を
形成する。
(3)エツチング法
まず、第5図(a)に示されるように、シリコンウェハ
21裏面周辺に窒化加工を行い、次に、第5図(b)に
示されるように、ノリコンウェハ21表面にpcvoに
よるジポランとN2とCz It bからなるBNC膜
22を形成する。次に、第5図(c)に示されるように
、プラズマ重合高分子膜中にAu微粒子を分散させたA
u分散プラズマ重合11Q23を形成し、次に、第5図
(d)に示されるように、耐CO□RIE性があるプラ
ズマ重合膜24を形成し、次いで、第5図(e)に示さ
れるように、プラズマ重合電子ビームレジスト25を塗
布する。次に、第5図(f)に示されるように、電子ビ
ーム描画を行い、第5図(g)に示されるように、11
□によりレジスト25の現像を行う。
21裏面周辺に窒化加工を行い、次に、第5図(b)に
示されるように、ノリコンウェハ21表面にpcvoに
よるジポランとN2とCz It bからなるBNC膜
22を形成する。次に、第5図(c)に示されるように
、プラズマ重合高分子膜中にAu微粒子を分散させたA
u分散プラズマ重合11Q23を形成し、次に、第5図
(d)に示されるように、耐CO□RIE性があるプラ
ズマ重合膜24を形成し、次いで、第5図(e)に示さ
れるように、プラズマ重合電子ビームレジスト25を塗
布する。次に、第5図(f)に示されるように、電子ビ
ーム描画を行い、第5図(g)に示されるように、11
□によりレジスト25の現像を行う。
次に、第5図0+)に示されるように、CC1aによる
耐CO□IIIE性があるプラズマ重合膜24の反応性
イオンエツチングを行う。次に、第5図(i)に示され
るように、CO7によるAu分散プラズマ重合膜23の
バターニングを行う。その後、第5図(j)に示される
ヨウに、シリコンウェハ21裏面のパックエツチングを
行い、X線マスクを得る。
耐CO□IIIE性があるプラズマ重合膜24の反応性
イオンエツチングを行う。次に、第5図(i)に示され
るように、CO7によるAu分散プラズマ重合膜23の
バターニングを行う。その後、第5図(j)に示される
ヨウに、シリコンウェハ21裏面のパックエツチングを
行い、X線マスクを得る。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、以上述べたいずれの方法であっても、以
下のような問題点がある。
下のような問題点がある。
(1)欠陥の発生
メ・、キ法の場合、メノキヘースの表面が均一でない等
の理由によりメッキされない部分が発生する。リフトオ
フ法の場合、ゴミが付着し、欠陥が発生し、不良マスク
が発生し易い。
の理由によりメッキされない部分が発生する。リフトオ
フ法の場合、ゴミが付着し、欠陥が発生し、不良マスク
が発生し易い。
(2) XvA吸収体の膜厚の不均一
メ・7キ法の場合、第6図に示されるように、大パター
ン26の膜厚11 と小パターン27の膜厚β2とでは
パターン膜厚が異なる。一般に4!、 >1゜の関係に
ある。また、ウェハの中心部とウェハの周辺部では同一
パターンであってもパターン膜厚が異なる傾向がある。
ン26の膜厚11 と小パターン27の膜厚β2とでは
パターン膜厚が異なる。一般に4!、 >1゜の関係に
ある。また、ウェハの中心部とウェハの周辺部では同一
パターンであってもパターン膜厚が異なる傾向がある。
(3)パターン形状の不良及び製造原価の激増エツチン
グ法の場合、通常のtllE装置を用いると真空精度が
悪いため、第7図に示されるように、パターン28の断
面形状が台形となってしまう。また、高真空RIE装置
を用いて前述した問題を解決したとしても、エツチング
で飛散したAuがR+gH置に付着し、精度の低下を招
き、良好なパターンを形成できなくなってしまう。また
、このようなRIEi置は一般のウェハプロセスと兼用
できず、X″It3It3マスクる製造原価が非常に高
価になってしまうといった問題があった。
グ法の場合、通常のtllE装置を用いると真空精度が
悪いため、第7図に示されるように、パターン28の断
面形状が台形となってしまう。また、高真空RIE装置
を用いて前述した問題を解決したとしても、エツチング
で飛散したAuがR+gH置に付着し、精度の低下を招
き、良好なパターンを形成できなくなってしまう。また
、このようなRIEi置は一般のウェハプロセスと兼用
できず、X″It3It3マスクる製造原価が非常に高
価になってしまうといった問題があった。
本発明は、上記問題点を除去し、欠陥が少なく、X線吸
収体の膜1gが均一化され、パターン形状に優れ、より
広いX線波長に対応でき、しかも比較的安価な製造装置
で容易に製造できるX線マスクの製造方法を提供するも
のである。
収体の膜1gが均一化され、パターン形状に優れ、より
広いX線波長に対応でき、しかも比較的安価な製造装置
で容易に製造できるX線マスクの製造方法を提供するも
のである。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、上記問題点を解決するために、X線吸収体パ
ターンを形成する際に、支持体表面にレジストパターン
を形成し、その後、重金属分散プラズマ重合膜をレジス
トパターンが埋没するまで成膜し、更にその上層に前記
重金属分散プラズマ重合膜とエツチングレートの略等し
いレジスト膜を形成し、平坦化させ、その後、エッチハ
ックによりレジストパターン上の重金属分散プラズマ重
合膜をレジスト膜と同時に除去することにより、レジス
トパターンのない部分に重金属分散プラズマ重合膜によ
るX線吸収体パターンを形成するようにしたものである
。
ターンを形成する際に、支持体表面にレジストパターン
を形成し、その後、重金属分散プラズマ重合膜をレジス
トパターンが埋没するまで成膜し、更にその上層に前記
重金属分散プラズマ重合膜とエツチングレートの略等し
いレジスト膜を形成し、平坦化させ、その後、エッチハ
ックによりレジストパターン上の重金属分散プラズマ重
合膜をレジスト膜と同時に除去することにより、レジス
トパターンのない部分に重金属分散プラズマ重合膜によ
るX線吸収体パターンを形成するようにしたものである
。
(作用)
本発明によれば、上記のように構成したので、メッキ法
、リフトオフ法に比べて欠陥の発生を抑制でき、また、
Au分散プラズマ重合膜のエツチング法に比べて装置利
用上の利点があり、しかもその製造は容易である。更に
、高温のプロセスを伴わないので、エツチング法(Mo
、 Ta、 W 、 Auなどを使用)に比べてパター
ンの歪みの問題を低減することができる。
、リフトオフ法に比べて欠陥の発生を抑制でき、また、
Au分散プラズマ重合膜のエツチング法に比べて装置利
用上の利点があり、しかもその製造は容易である。更に
、高温のプロセスを伴わないので、エツチング法(Mo
、 Ta、 W 、 Auなどを使用)に比べてパター
ンの歪みの問題を低減することができる。
(実施例)
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明に係るX線マスクの製造方法を示す製造
工程断面図である。
工程断面図である。
まず、第1図(a)に示されるように、窒化ホウ素(B
N) 、 Si:+N4等からなるX線マスクブランク
ス31上にノボラック系ホトレジスト32を1.2μm
yJ、i=布し、200℃でハードベークを行う。
N) 、 Si:+N4等からなるX線マスクブランク
ス31上にノボラック系ホトレジスト32を1.2μm
yJ、i=布し、200℃でハードベークを行う。
次に、厚さ500人のα−Si (アモルフブスシリコ
ン)33をスパッタ革着し、最後に、厚さ3000人の
EB (電子ビーム)レジスト34を塗布する。
ン)33をスパッタ革着し、最後に、厚さ3000人の
EB (電子ビーム)レジスト34を塗布する。
次に、第1図(b) :こ示されるように、EBレジス
ト34をCB露光、現像し、EBレジスト・パターン3
4′を形成する。
ト34をCB露光、現像し、EBレジスト・パターン3
4′を形成する。
次に、第1図(c)に示されるように、EBレジストパ
ターン34′をマスクにしてα−5i33をCFaガス
を用いた反応性イオンエツチングでパターニングする。
ターン34′をマスクにしてα−5i33をCFaガス
を用いた反応性イオンエツチングでパターニングする。
次に、第1図(d)に示されるように、α−5iパター
ン33′をマスクにして、ノボラック系ホトレジスト3
2をOtガスを用いた反応性イオンエツチングでパター
ニングし、そのノボラック系ホトレジストのパターン3
2′を得る。
ン33′をマスクにして、ノボラック系ホトレジスト3
2をOtガスを用いた反応性イオンエツチングでパター
ニングし、そのノボラック系ホトレジストのパターン3
2′を得る。
次に、第1図(e)に示されるように、その上にAu分
11にプラズマ重合11!35を2μmyJ、で成膜す
る。
11にプラズマ重合11!35を2μmyJ、で成膜す
る。
なお、この場合、Au分散プラズマ重合膜35は、第2
図に示されるように、カソード41がAu42で覆われ
ているRFスパッタ装置4oでメチルメタアクリレート
スチレン、 Arの混合気体を用いて高周波放電を起こ
すことで成膜する。なお、43は試料台にセットされる
試料である。
図に示されるように、カソード41がAu42で覆われ
ているRFスパッタ装置4oでメチルメタアクリレート
スチレン、 Arの混合気体を用いて高周波放電を起こ
すことで成膜する。なお、43は試料台にセットされる
試料である。
次に、第1図(f)に示されるように、Au分散プラズ
マ重合膜35を形成した試料の上にP?IMA (ポリ
メチルメタアクリレート)36を2μmg塗布し平坦化
を行う。
マ重合膜35を形成した試料の上にP?IMA (ポリ
メチルメタアクリレート)36を2μmg塗布し平坦化
を行う。
次に、第1図(g)に示されるように、CF、と0□混
合ガスを用い、反応性イオンエツチングによりエノ千バ
ックを行う。その場合、α−5iパターン33′の除去
も行う。なお、^U分散プラズマ重合膜とPMMAはエ
ツチングレートが略等しいため、均一なエツチングが可
能である。
合ガスを用い、反応性イオンエツチングによりエノ千バ
ックを行う。その場合、α−5iパターン33′の除去
も行う。なお、^U分散プラズマ重合膜とPMMAはエ
ツチングレートが略等しいため、均一なエツチングが可
能である。
すると、X線吸収体パターンとしてのAu分散プラズマ
重合膜パターン35′が形成される。
重合膜パターン35′が形成される。
最後に、第1図(h)に示されるように、保護層として
のポリイミド膜37を1.5μm塗布する。
のポリイミド膜37を1.5μm塗布する。
なお、本発明は上記実施ダIIに限定されるものではな
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
く、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、
これらを本発明の範囲から排除するものではない。
(発明の効果)
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、次のよ
うな効果を奏することができる。
うな効果を奏することができる。
(1)レジストパターン断面形状通りのX線吸収体パタ
ーンが形成できるので、Auのエツチング法に比べて良
好なX線吸収体の形状を得ることができ、し力1もその
製造は容易である。
ーンが形成できるので、Auのエツチング法に比べて良
好なX線吸収体の形状を得ることができ、し力1もその
製造は容易である。
(2)重金属分散プラズマ重合膜を成膜するので、メッ
キ法、リフトオフ法に比べて欠陥の発生を抑制できる。
キ法、リフトオフ法に比べて欠陥の発生を抑制できる。
(3)高温のプロセスを伴わないので、エツチング法(
Mo、 Ta、 W 、八Uなどを使用)に比べて、パ
ターンの歪みの問題を低減することができる。
Mo、 Ta、 W 、八Uなどを使用)に比べて、パ
ターンの歪みの問題を低減することができる。
(4)重金属分散プラズマ重合膜をX線吸収体として使
用しており、重金属としてAuを用いれば、Mo。
用しており、重金属としてAuを用いれば、Mo。
W 、 Ta等をX線吸収体とするX線マスクを用いる
場合のように使用X線源の制限を受けることがない。
場合のように使用X線源の制限を受けることがない。
(5)重金属分散プラズマ重合膜をX線吸収体として使
用するので、Au、 Ta、 ’yt 、 Mo等の金
属をX線吸収体として使用するX45マスクに比べて応
力制御の問題が少ない。
用するので、Au、 Ta、 ’yt 、 Mo等の金
属をX線吸収体として使用するX45マスクに比べて応
力制御の問題が少ない。
(6)重金属分散プラズマ重合膜上に、それと同等なエ
ツチングレートのレジスト膜を形成して平坦化させ、R
IEを行うようにしたため、高積度1?IE装置を使用
しないで済み、X線マスクの製造原価の低減に大きく貢
献することができる。
ツチングレートのレジスト膜を形成して平坦化させ、R
IEを行うようにしたため、高積度1?IE装置を使用
しないで済み、X線マスクの製造原価の低減に大きく貢
献することができる。
第1図は本発明に係るX線マスクの製造方法を示す製造
工程断面図、第2図は本発明の重金属分散プラズマ重合
膜の製造装置の概略構成図、第3図は従来のX線マスク
のメッキ法による製造工程断面図、第4図は従来のX線
マスクのりフトオフ法による製造工程断面図、第5図は
従来のX線マスクのエツチング法による製造工程断面図
、第6図は従来技術の問題点説明図、第7図は従来技術
の他の問題点説明図である。 31・・・X線マスクブランクス、32・・・ノボラッ
ク系ホトレジスト、32′−・・・ノボラック系ホトレ
ジストパターン、33・・・α−3t、33’・・・α
−5iパターン、34・・・EBレジスト、34′・・
・EBレジストパターン、35・・・^U分散プラズマ
重合膜、35′・・−Au分散プラズマ重合膜パターン
、36・・・PMMA、37・・・ポリイミドlI々、
40・・・RFスパック装置、41・・・カソード、4
2・・・Au。
工程断面図、第2図は本発明の重金属分散プラズマ重合
膜の製造装置の概略構成図、第3図は従来のX線マスク
のメッキ法による製造工程断面図、第4図は従来のX線
マスクのりフトオフ法による製造工程断面図、第5図は
従来のX線マスクのエツチング法による製造工程断面図
、第6図は従来技術の問題点説明図、第7図は従来技術
の他の問題点説明図である。 31・・・X線マスクブランクス、32・・・ノボラッ
ク系ホトレジスト、32′−・・・ノボラック系ホトレ
ジストパターン、33・・・α−3t、33’・・・α
−5iパターン、34・・・EBレジスト、34′・・
・EBレジストパターン、35・・・^U分散プラズマ
重合膜、35′・・−Au分散プラズマ重合膜パターン
、36・・・PMMA、37・・・ポリイミドlI々、
40・・・RFスパック装置、41・・・カソード、4
2・・・Au。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (a)X線マスクブランクス上にX線吸収体の母型とし
て使用するレジストパターンを形成する工程と、 (b)その上に重金属分散プラズマ重合膜を成膜する工
程と、 (c)更にその上層に前記重金属分散プラズマ重合膜と
エッチングレートの略等しいレジスト膜を形成し、平坦
化させる工程と、 (d)前記レジストパターンの凸部上の前記重金属分散
プラズマ重合膜をエッチングにより除去することにより
前記重金属分散プラズマ重合膜によるX線吸収体を形成
する工程とを施すようにしたことを特徴とするX線マス
クの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61280879A JPS63136520A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | X線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61280879A JPS63136520A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | X線マスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63136520A true JPS63136520A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17631221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61280879A Pending JPS63136520A (ja) | 1986-11-27 | 1986-11-27 | X線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63136520A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9080009B2 (en) | 2005-04-22 | 2015-07-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Biomass-resource-derived polyester and production process thereof |
-
1986
- 1986-11-27 JP JP61280879A patent/JPS63136520A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US9080009B2 (en) | 2005-04-22 | 2015-07-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | Biomass-resource-derived polyester and production process thereof |
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