JPS6313373A - 自己消弧形サイリスタ - Google Patents
自己消弧形サイリスタInfo
- Publication number
- JPS6313373A JPS6313373A JP15738186A JP15738186A JPS6313373A JP S6313373 A JPS6313373 A JP S6313373A JP 15738186 A JP15738186 A JP 15738186A JP 15738186 A JP15738186 A JP 15738186A JP S6313373 A JPS6313373 A JP S6313373A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- small
- wire
- gate
- gage
- wires
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、ゲートターンオフサイリスタや静電誘導サイ
リスタ等の自己消弧能力を有する自己消弧形サイリスク
に関する。
リスタ等の自己消弧能力を有する自己消弧形サイリスク
に関する。
自己消弧形サイリスクのスイッチング時の波形は公知の
ように第3図に示す通りで、図中V□はアノード・カソ
ード間電圧+ IAはアノード電流。 I4 はゲート電流、W、1はターンオン波形、W、、
。 はターンオフ波形である。このような波形において、サ
イリスタの損失は、ターンオンする場合に時点T、、T
□の期j″4(”f’ 1 Tdで、さらにターンオ
フする場合に時点T 3. T aの期間(T3−T、
)で生じるものが殆どであることが注視されるところで
ある。また、ゲート電流Icが小さがったりその上昇率
(d I @/ dt)が小さいと、ターンオン時に期
間(T + −T t)が、ターンオフ時には期間(T
3−74)間が広くなり、スイッチング性能の低下およ
びスイッチング損失の増大をきたす、そのうえ、このよ
うにスイッチング時間が長くなると、繰返、し周波数も
減少し、チョッパやインバータ装置等の装置の動作周波
数が制限されることになる。このようにして、サイリス
タにおいてはゲート電流のili流性能がスイッチング
特性を大きく左右するものとなる。さらにまた、自己消
弧能力に対してターンオフ時の(d I A /di)
耐量を大きなものとするため、オンゲート電流に対する
(d I G/dt)を太き(する必要がある。 自己消弧形サイリスタは、特に優れたスイlチング特性
を有して自己消弧能力をもつことから、通常形の三端子
サイリスクに代わるものとして多く採用されるようにな
ってきたが、その適用においては前記したように、通常
形サイリスタに比べれば著しく大きく、かつその上昇率
(d I s / dt)の高いゲート電流を得ること
が不可欠である。しかし、実用回路において自己消弧形
サイリスタとゲート回路を安易に接続した場合、ゲート
・カソード間にステップ状の電圧を印加してもゲート電
流の立ち上がりが抑制されたものとなってしまう。 その原因のうち、最も大きいのはサイリスタのリード線
がもつインダクタンス分であるといえる。 すなわち、リード線のインダクタンスにより上昇率(d
1 c / dt)が高くならず、これが高速パルス
状のゲート駆動電流を流す際に大きな障害となっている
。一方、そのリード線の長さは、一般にサイリスタを冷
却フィンに配設するなどの使用面の条件から、少なくと
も20〜30a11を必要としている。 このように、サイリスタはその適用上リード線がもつイ
ンダクタンスおよび表皮効果による影響により、上昇率
(dI G /dt)が高くならない問題点を有してい
た。 この対策として、実公昭59−166451号にて複数
の絶縁電線を互いに編み込んだリード線をゲートリード
線として用いることが公知となっている。 しかしこのようなリード線は編み込むための手数を要し
、また、リー゛ド線のインダクタンスLが一定になりに
くり、ゲート回路特性が定まらないという問題がある。
ように第3図に示す通りで、図中V□はアノード・カソ
ード間電圧+ IAはアノード電流。 I4 はゲート電流、W、1はターンオン波形、W、、
。 はターンオフ波形である。このような波形において、サ
イリスタの損失は、ターンオンする場合に時点T、、T
□の期j″4(”f’ 1 Tdで、さらにターンオ
フする場合に時点T 3. T aの期間(T3−T、
)で生じるものが殆どであることが注視されるところで
ある。また、ゲート電流Icが小さがったりその上昇率
(d I @/ dt)が小さいと、ターンオン時に期
間(T + −T t)が、ターンオフ時には期間(T
3−74)間が広くなり、スイッチング性能の低下およ
びスイッチング損失の増大をきたす、そのうえ、このよ
うにスイッチング時間が長くなると、繰返、し周波数も
減少し、チョッパやインバータ装置等の装置の動作周波
数が制限されることになる。このようにして、サイリス
タにおいてはゲート電流のili流性能がスイッチング
特性を大きく左右するものとなる。さらにまた、自己消
弧能力に対してターンオフ時の(d I A /di)
耐量を大きなものとするため、オンゲート電流に対する
(d I G/dt)を太き(する必要がある。 自己消弧形サイリスタは、特に優れたスイlチング特性
を有して自己消弧能力をもつことから、通常形の三端子
サイリスクに代わるものとして多く採用されるようにな
ってきたが、その適用においては前記したように、通常
形サイリスタに比べれば著しく大きく、かつその上昇率
(d I s / dt)の高いゲート電流を得ること
が不可欠である。しかし、実用回路において自己消弧形
サイリスタとゲート回路を安易に接続した場合、ゲート
・カソード間にステップ状の電圧を印加してもゲート電
流の立ち上がりが抑制されたものとなってしまう。 その原因のうち、最も大きいのはサイリスタのリード線
がもつインダクタンス分であるといえる。 すなわち、リード線のインダクタンスにより上昇率(d
1 c / dt)が高くならず、これが高速パルス
状のゲート駆動電流を流す際に大きな障害となっている
。一方、そのリード線の長さは、一般にサイリスタを冷
却フィンに配設するなどの使用面の条件から、少なくと
も20〜30a11を必要としている。 このように、サイリスタはその適用上リード線がもつイ
ンダクタンスおよび表皮効果による影響により、上昇率
(dI G /dt)が高くならない問題点を有してい
た。 この対策として、実公昭59−166451号にて複数
の絶縁電線を互いに編み込んだリード線をゲートリード
線として用いることが公知となっている。 しかしこのようなリード線は編み込むための手数を要し
、また、リー゛ド線のインダクタンスLが一定になりに
くり、ゲート回路特性が定まらないという問題がある。
本発明は、上述の問題を解決し、ゲートリード線が常に
一定の小さいインダクタンス値を有し、ターンオフ時の
ゲート電流上昇率を高くすることができて、消弧時のス
イッチング特性の向上した自己消弧形サイリスタを提供
することを目的とする。
一定の小さいインダクタンス値を有し、ターンオフ時の
ゲート電流上昇率を高くすることができて、消弧時のス
イッチング特性の向上した自己消弧形サイリスタを提供
することを目的とする。
本発明は、自己消弧形サイリスタのゲート端子とカソー
ド端子を外部ゲート回路の端子とを結ぶリード線が多数
の細線よりなり、ゲート端子に接続される細線の単線と
カソード端子に接続される細線の車線とがその長さの大
部分において互いに絶縁して平行に配置されて一対の?
31線をなし、各複線がさらに平行に結束されているも
ので、これによりリード線は一定の小さいインダクタン
スを有するので上記の目的が達成される。
ド端子を外部ゲート回路の端子とを結ぶリード線が多数
の細線よりなり、ゲート端子に接続される細線の単線と
カソード端子に接続される細線の車線とがその長さの大
部分において互いに絶縁して平行に配置されて一対の?
31線をなし、各複線がさらに平行に結束されているも
ので、これによりリード線は一定の小さいインダクタン
スを有するので上記の目的が達成される。
第1図は本発明の一実施例におけるゲートリード線の断
面図を示し、ゲート用細線11とカソード用細線12を
1本ずつまとめて共通の絶縁外被13により被覆してi
線平行絶縁電線1が形成されている。この絶uTa線が
結束外被2によってまとめられている。第2図はゲート
リード線の全長を示し、結束外被2の外側ではゲート用
細線とカソード用細線とは絶縁外被13を2分して分け
られてそれぞれ別個のゲート用絶縁細線31.カソード
用絶縁細線32とされており、ゲート用絶縁細線、カソ
ード用yA録細線毎にもとめてケース接続用端子41.
42゜外部回路接続用端子5に結合されている。 このように往復導線をなす一対の平行細線で形成された
複線をさらに平行に束ねることにより、リード線長にお
けるインダクタンス成分が効果的に削減できる。このよ
うな多数の細線よりなるリード線を用いて自己消弧形サ
イリスタのゲートおよびカソードをゲート回路と接続す
ると、ゲート駆動電流が流れる際の表皮効果の影響を少
なくすることができ、ゲート電流の上昇率(dlG/d
t)を高めることができるので、スイッチング特性が向
上する。
面図を示し、ゲート用細線11とカソード用細線12を
1本ずつまとめて共通の絶縁外被13により被覆してi
線平行絶縁電線1が形成されている。この絶uTa線が
結束外被2によってまとめられている。第2図はゲート
リード線の全長を示し、結束外被2の外側ではゲート用
細線とカソード用細線とは絶縁外被13を2分して分け
られてそれぞれ別個のゲート用絶縁細線31.カソード
用絶縁細線32とされており、ゲート用絶縁細線、カソ
ード用yA録細線毎にもとめてケース接続用端子41.
42゜外部回路接続用端子5に結合されている。 このように往復導線をなす一対の平行細線で形成された
複線をさらに平行に束ねることにより、リード線長にお
けるインダクタンス成分が効果的に削減できる。このよ
うな多数の細線よりなるリード線を用いて自己消弧形サ
イリスタのゲートおよびカソードをゲート回路と接続す
ると、ゲート駆動電流が流れる際の表皮効果の影響を少
なくすることができ、ゲート電流の上昇率(dlG/d
t)を高めることができるので、スイッチング特性が向
上する。
本発明によれば、ゲート端子およびカソード端子に接続
゛される細線が対をなす平行絶縁電線をさらに平行に結
束したリード線がゲート回路との接続に用いられること
により、ゲートリード線のインダクタンスが常に一定の
小さい値になり、ゲート駆動時に格別にゲート電流の上
昇率(d I G /dt)を高くできるので、ゲート
駆動能力の低下が回避され、自己消弧形サイリスクを有
効に作動させることができる。さらに、ゲートリード線
を構成する細線の本数を増すことによってより以上に効
果を増大し得ることは言うまでもない。
゛される細線が対をなす平行絶縁電線をさらに平行に結
束したリード線がゲート回路との接続に用いられること
により、ゲートリード線のインダクタンスが常に一定の
小さい値になり、ゲート駆動時に格別にゲート電流の上
昇率(d I G /dt)を高くできるので、ゲート
駆動能力の低下が回避され、自己消弧形サイリスクを有
効に作動させることができる。さらに、ゲートリード線
を構成する細線の本数を増すことによってより以上に効
果を増大し得ることは言うまでもない。
第1図は本発明の一実施例に用いられるゲートリード線
の横断面図、第2図は同じく側面図、第3図は自己消弧
形サイリスタのターンオン、ターンオフ波形図である。 1:細線平行絶縁電線、11:ゲート用細線、12;カ
ソード用細線、13:絶縁外被、2:結束外被、31:
ゲート用絶縁細線、32:カソード用絶縁細線。 第1図 第2図
の横断面図、第2図は同じく側面図、第3図は自己消弧
形サイリスタのターンオン、ターンオフ波形図である。 1:細線平行絶縁電線、11:ゲート用細線、12;カ
ソード用細線、13:絶縁外被、2:結束外被、31:
ゲート用絶縁細線、32:カソード用絶縁細線。 第1図 第2図
Claims (1)
- 1)ゲート端子とカソード端子と外部ゲート回路の端子
とを結ぶリード線が多数の細線よりなり、ゲート端子に
接続される細線の単線とカソード端子に接続される細線
の単線とがその長さの大部分において互いに絶縁して平
行に配置されて一対の複線をなし、各複線がさらに平行
に結束されたことを特徴とする自己消弧形サイリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15738186A JPS6313373A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 自己消弧形サイリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15738186A JPS6313373A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 自己消弧形サイリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6313373A true JPS6313373A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15648404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15738186A Pending JPS6313373A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 自己消弧形サイリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6313373A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0348248U (ja) * | 1989-09-14 | 1991-05-08 | ||
WO1997021248A1 (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Gate turn-off thyristor and power converter device using the same |
CN111324155A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 安徽伟创电力科技有限公司 | 一种消弧柜控制器 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54119684A (en) * | 1978-03-09 | 1979-09-17 | Hitachi Cable Ltd | Split conductor for power cable |
JPS59129563A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-25 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 配線方法 |
JPS6129010A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-08 | 株式会社フジクラ | 電力ケ−ブル導体 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP15738186A patent/JPS6313373A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54119684A (en) * | 1978-03-09 | 1979-09-17 | Hitachi Cable Ltd | Split conductor for power cable |
JPS59129563A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-25 | Toyo Electric Mfg Co Ltd | 配線方法 |
JPS6129010A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-02-08 | 株式会社フジクラ | 電力ケ−ブル導体 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0348248U (ja) * | 1989-09-14 | 1991-05-08 | ||
WO1997021248A1 (en) * | 1995-12-06 | 1997-06-12 | Hitachi, Ltd. | Gate turn-off thyristor and power converter device using the same |
CN111324155A (zh) * | 2018-12-17 | 2020-06-23 | 安徽伟创电力科技有限公司 | 一种消弧柜控制器 |
CN111324155B (zh) * | 2018-12-17 | 2021-08-13 | 安徽伟创电力科技有限公司 | 一种消弧柜控制器 |
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