JPS63117657A - 半導体素子の駆動回路 - Google Patents

半導体素子の駆動回路

Info

Publication number
JPS63117657A
JPS63117657A JP26302986A JP26302986A JPS63117657A JP S63117657 A JPS63117657 A JP S63117657A JP 26302986 A JP26302986 A JP 26302986A JP 26302986 A JP26302986 A JP 26302986A JP S63117657 A JPS63117657 A JP S63117657A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
drive circuit
gate
common mode
same direction
mode noise
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26302986A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Saotome
英夫 早乙女
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Priority to JP26302986A priority Critical patent/JPS63117657A/ja
Publication of JPS63117657A publication Critical patent/JPS63117657A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電力変換装置などでスイッチング素子として
用いられるGTO(ゲートターンオフ)サイリスタ等の
半導体素子の駆動回路で、特にノイズの侵入防止を行う
ものに関する。
〔従来の技術〕
かかる半導体素子としてGTOサイリスクでは第3図に
示すようにそのゲート駆動回路3では、その出力線3b
、3b’はGTOサイリスタ4のゲート端子およびカソ
ード端子へ接続され、人力線3a、3a’は、通常、絶
縁変圧器2の2次側(高圧側)へ接続される。なお、ゲ
ート駆動回路3の入力電源としては、オンゲート電源お
よびオフゲート電源の2系統が必要である。GTOサイ
リスタ4のオン・オフ指令信号は上記電源とは別に例え
ば図示されていないホトカブラ等により絶縁されて与え
られる。また、絶縁変圧器201次側(低圧側)には、
高圧側のゲート駆動回路3へ電力を供給する交流電源1
が接続される。
そして、絶縁変圧器2の1次側にはシールドがあり、ア
ース電位となっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記第3図に示したようなゲート駆動回路では、GTO
サイリスクのゲート又はカソードの対地電位は、そのス
イッチング動作により急しゅんに変動するので、ゲート
駆動回路3には絶縁変圧器2の1次側シールドと2次側
巻線間の静電容量を通して、この電位変動による変位電
流(コモンモードノイズ電流)が流れる。このコモンモ
ードノイズ電流は、ゲート駆動回路3を誤動作させ、場
合によっては、それによりGTOサイリスタ4を破損し
てしまうおそれがある。
本発明の目的は前記従来例の不都合を解消し、ゲート駆
動回路を誤動作させる、高圧側GTOサイリスクからの
コモンモードノイズ電流を抑制できる半導体素子の駆動
回路を提供することにある〔問題点を解決するための手
段〕 本発明は前記目的を達成するため、半導体素子の駆動回
路における2線からなる入力線同士又は出力線同士を、
磁性材料によって作られたコアに同方向に巻いたことを
要旨とするものである。
〔作用〕
本発明によれば、磁性材料によってつくられたコアに、
2線からなる半導体素子の駆動回路の入力線同士又は出
力線同士を同方向に巻(ことによって、コモンモードノ
イズ電流の流れる径路のインピーダンスを増加させてコ
モンモードノイズ電流を抑制できる。
〔実施例〕
以下、凹面について本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明の半導体素子の駆動回路の実施例を示す
回路図で、前記従来例を示す第3図と同一構成要素には
同一参照符号を付したものである。
本発明は第3図に示す従来回路に加えて、ゲート駆動回
路3の2本の出力線3b、3b’は磁性材料によって作
られたコアであるトロイダルコア5に同方向に巻いた後
、GTOサイリスク4のゲート端子およびカソード端子
へ接続した。
このようにすることによりGTOサイリスタ4のゲート
又はカソードの対地電位がそのスイッチング動作により
変動しても、前記コモンモードノイズ電流は、トロイダ
ルコア5によって生じるインダクタンスのために抑制さ
れる。
また、出力線(ゲートリード線)3b、3b’がトロイ
ダルコア5に同方向に巻かれているため、各出力線3b
、3b’に流れる電流によって生ぜしめられる磁束は相
殺されるので、トロイダルコア5はGTOサイリスタ4
へのゲート電流に対してはインダクタンスとなることは
ない。
第2図は本発明の第2実施例を示す回路図で、ゲート駆
動回路3の2系統の入力線3a、3a’をそれぞれを別
々なトロイダルコア6および7に巻くようにした。これ
らそれぞれの入力線3a。
33′の2線は前記第1図の第1実施例と同様に相互に
同方向に巻かれる。
本実施例では、トロイダルコア6.7により生じるイン
ダクタンスでコモンモードノイズ電流を抑制することは
前記第1実施例と同様であるが、GTOサイリスタ4の
ゲートリード線の配線インダクタンスIgを極力抑えた
い場合、すなわちゲートリード配線長をできるだけ短く
したい場合に有益である。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明の半導体素子の駆動回路は、該
駆動回路の2線からなる入力線同士、又は出力線同士を
、トロイダルコア等の磁性材料によってつくられたコア
に同方向に巻く構成としたので、コアに生じるインダク
タンスでこの半導体素子のスイッチングによって生ずる
半導体素子の駆動回路へのコモンモードノイズ電流を抑
制でき、この駆動回路の誤動作を防止することができる
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の半導体素子の駆動回路の第1実施例を
示す回路図、第2図は同上第2実施例を示す回路図、第
3図は従来例を示す回路図である。 ■・・・交流電源    2・・・絶縁変圧器3・・・
ゲート駆動回路 3a、3a’・・・入力線3b、3b
’・・・出力線4・・・GTOサイリスク5〜7・・・
トロイダルコア

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体素子の駆動回路における2線からなる入力線同士
    又は出力線同士を、磁性材料によって作られたコアに同
    方向に巻いたことを特徴とする半導体素子の駆動回路。
JP26302986A 1986-11-05 1986-11-05 半導体素子の駆動回路 Pending JPS63117657A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26302986A JPS63117657A (ja) 1986-11-05 1986-11-05 半導体素子の駆動回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26302986A JPS63117657A (ja) 1986-11-05 1986-11-05 半導体素子の駆動回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63117657A true JPS63117657A (ja) 1988-05-21

Family

ID=17383894

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26302986A Pending JPS63117657A (ja) 1986-11-05 1986-11-05 半導体素子の駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63117657A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03215163A (ja) * 1990-01-19 1991-09-20 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置の駆動回路
WO1998042068A1 (fr) * 1997-03-18 1998-09-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Convertisseur de courant
JP2018181920A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 富士電機株式会社 トランス部品および駆動装置
WO2024152894A1 (zh) * 2023-01-16 2024-07-25 青岛海信日立空调系统有限公司 空调器

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03215163A (ja) * 1990-01-19 1991-09-20 Fuji Electric Co Ltd 電力変換装置の駆動回路
WO1998042068A1 (fr) * 1997-03-18 1998-09-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Convertisseur de courant
GB2328565A (en) * 1997-03-18 1999-02-24 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power converter
US6049475A (en) * 1997-03-18 2000-04-11 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power converting apparatus with drive signal path impedance increasing circuitry
GB2328565B (en) * 1997-03-18 2001-08-29 Mitsubishi Electric Corp Power converting apparatus
JP3695662B2 (ja) * 1997-03-18 2005-09-14 三菱電機株式会社 電力交換装置
JP2018181920A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 富士電機株式会社 トランス部品および駆動装置
WO2024152894A1 (zh) * 2023-01-16 2024-07-25 青岛海信日立空调系统有限公司 空调器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5077651A (en) Snubber circuit of power converter
US20160329889A1 (en) Gate drive circuit to reduce parasitic coupling
US5166541A (en) Switching apparatus with transient voltage cancellation
JP2835340B2 (ja) 電圧発生器
JPS63117657A (ja) 半導体素子の駆動回路
US4617621A (en) Inverters with reduced distributed inductance
US11374485B2 (en) Filter unit and frequency inverter
Anurag et al. A gate driver design for medium voltage silicon carbide power devices with high dv/dt
US20190096863A1 (en) Semiconductor integrated circuit
JPS6146174A (ja) 貫流型変換器を使用した電源回路装置
JPH03215140A (ja) 交流電源の絶縁方法、スイッチング電源装置及びスイッチング電源装置における絶縁方法
JP3315303B2 (ja) 電動機制御装置
US3155847A (en) Circuit for protecting a load circuit from initial power supply voltage transients
JP2001250665A (ja) 半導体式高周波電源装置
JPS59153476A (ja) インバ−タ装置
JP2003299343A (ja) 直列接続された電圧駆動型半導体素子の制御装置
JPS6115523A (ja) 突入電流抑制回路
US2899625A (en) Converter system having load energy
SU95428A1 (ru) Трехсердечниковый сериесный трансформатор
JPS6218748A (ja) 半導体集積回路装置
JPH01303056A (ja) Dc/dcコンバータ
JPH0965653A (ja) Dc−dcコンバータ
SU845249A1 (ru) Полумостовой инвертор
SU807469A1 (ru) Инвертор
JPH06276725A (ja) 電力変換器