JPS6313021A - 表示方法 - Google Patents
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は高分子ゲルの相転移現象を利用した表示方法に
関するものである。
関するものである。
高分子ゲルが温度、溶媒組成、声、イオン強度、電場等
の影響によシ相転移現象をひき起こすことは従来知られ
ており、たとえば、「日経サイエンス」第３巻８０頁（
１９８１年発行）、「化学」第４０巻４９４頁（１９８
５年発行）、「８ｃｉｅｎｃｅＪ第２１８巻４６７頁（
１９８２年発行）、「固体物理」第２０巻２１７頁（１
９８５年発行）、ｌ’−Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ
Ｊ第１５巻７８２負（１８２年発行） 、 「Ｍａｃ
ｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ Ｊ第１６巻８８７頁（１９８
３年発行） 、 「ｐｈｙｃｌｃａｌｒｅｖｉｅｗ １
ｓｔｔｅｒｓＪ第１１巻１６３６頁（１９８０年発行）
等に詳しく記載されている。
の影響によシ相転移現象をひき起こすことは従来知られ
ており、たとえば、「日経サイエンス」第３巻８０頁（
１９８１年発行）、「化学」第４０巻４９４頁（１９８
５年発行）、「８ｃｉｅｎｃｅＪ第２１８巻４６７頁（
１９８２年発行）、「固体物理」第２０巻２１７頁（１
９８５年発行）、ｌ’−Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ
Ｊ第１５巻７８２負（１８２年発行） 、 「Ｍａｃ
ｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ Ｊ第１６巻８８７頁（１９８
３年発行） 、 「ｐｈｙｃｌｃａｌｒｅｖｉｅｗ １
ｓｔｔｅｒｓＪ第１１巻１６３６頁（１９８０年発行）
等に詳しく記載されている。
また、この現象がセンサー、スイッチ、ディスプレイ、
メモリー、アクチュエーター、人工筋肉、選択的溶媒吸
収尋に応用できそうだという指摘は、上記の文献の他に
も［ＴｒｉｇｇｅｒＪ第８５〜４巻３０頁（１９８５年
発行）でも紹介されている。しかしながら、高分子ゲル
の相転移現象を表示方法に応用する具体的な技術思想は
従来全く存在していなかった。
メモリー、アクチュエーター、人工筋肉、選択的溶媒吸
収尋に応用できそうだという指摘は、上記の文献の他に
も［ＴｒｉｇｇｅｒＪ第８５〜４巻３０頁（１９８５年
発行）でも紹介されている。しかしながら、高分子ゲル
の相転移現象を表示方法に応用する具体的な技術思想は
従来全く存在していなかった。
本発明は従来公知の高分子ゲルの新しい用途開発を目的
としたものである。
としたものである。
本発明者等は高分子ゲルの新しい用途として相転移を利
用した表示方法を開発し本発明を達成した。
用した表示方法を開発し本発明を達成した。
すなわち、本発明の表示方法は、七ツマー１架橋剤、溶
媒および必要に応じ増感剤からなる系をドラトノ（ター
ン状に光重合させてなる相転移可能な高分子ゲルに、こ
のゲルの相転移をもたらすような条件を印加して任意の
パターン状の相転移を誘起せしめ、もって任意のパター
ン状の表示を行うことを特徴とするものである。
媒および必要に応じ増感剤からなる系をドラトノ（ター
ン状に光重合させてなる相転移可能な高分子ゲルに、こ
のゲルの相転移をもたらすような条件を印加して任意の
パターン状の相転移を誘起せしめ、もって任意のパター
ン状の表示を行うことを特徴とするものである。
本発明でいう高分子ゲルとは、前記各文献に記載されて
いるような既知のものであシ、基本的には、モノマー、
架橋剤および溶媒からなる系を光重合させて得られる。
いるような既知のものであシ、基本的には、モノマー、
架橋剤および溶媒からなる系を光重合させて得られる。
本発明で用いられる七ツマ−としては、下記第１表に記
載の光重合性の基をもつ光重合可能な七ツマ−またはオ
リゴマーが挙げられ、その具体例は第２表に記載されて
いる。
載の光重合性の基をもつ光重合可能な七ツマ−またはオ
リゴマーが挙げられ、その具体例は第２表に記載されて
いる。
第 １ 表
光重合性の基
名称 構造
アクリロイル基 ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−メ
タクリロイル基 ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ５）−
０００−アクリルアミド基 ＣＨ２＝ＣＨ−Ｃ
０ｋｌＨ−マレイン酸ジエステル −００００
Ｈ＝ＯＨ−ＣＯＯ−アリル基 ｃａ２＝ｃａ−Ｃ
Ｈ２−ビニルエーテル基 ＣＨ２＝ＣＨ−０−
ビニルチオエーテル基 ＣＨ２＝ＣＨ−８−ビ
ニルアミノ基 ＣＨ２＝ＣＨ−ＮＨ−アセチレン
性不飽和ａ −Ｃ目ト第 ２ 表 化合物名 構造式 ％式％ メタクリル酸 ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＯＯＯＥ
Ｉメチルアクリラート（ＭＡ） ＣＨ２＝ＣＨＣ０
○ＣＦｉ５メチルメタクリラート（ＭＭＡ） ＣＨ２
＝Ｃ（ＣＦＩ５）ＣＯＯＣＴ１５ブチルアクリラート
ＣＨ２＝ＣＨＣｏ０Ｃ４ＦＩ９シクロヘキシノげク
リラード ＣＨ２＝ＣＨＣｏＯ−Ｃ＞ベンジルｙり１，
１５−） ｃＨ２＝ｃＨｃｏｏｃＨ２（３カル
ピトールアクリラート ＣＨεＣＨＣＯＯＣ２Ｈ４０
Ｃ２Ｈ４０Ｃ２Ｈ５ラウリルメタクリラート ＣＨ
２＝Ｃ（ＣＨ３）ｃｏｏ（Ｃａ２）１１ｃＨ３アクリル
アミド ０Ｈ２＝（１！ＨＯＯＮＨ２メタクリル
アミド ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＮＨ２ス チ
し ン （Ｈ２＝Ｃ，ＨＣ６Ｈ５ア
クリロニトリル Ｃ！Ｈ２＝ＣＨＣＮビニルアセタ
ート ＣＨ２＝ＣＨＯＯＯＯＨ５本発明で使用され
る架橋剤としては、Ｎ、Ｎ’−メチレンビスアクリルア
ミドを代表に、第３表および第４表に記載した多官能性
モノマーまたはオリゴマーが使用される。
タクリロイル基 ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ５）−
０００−アクリルアミド基 ＣＨ２＝ＣＨ−Ｃ
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ビニルチオエーテル基 ＣＨ２＝ＣＨ−８−ビ
ニルアミノ基 ＣＨ２＝ＣＨ−ＮＨ−アセチレン
性不飽和ａ −Ｃ目ト第 ２ 表 化合物名 構造式 ％式％ メタクリル酸 ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＯＯＯＥ
Ｉメチルアクリラート（ＭＡ） ＣＨ２＝ＣＨＣ０
○ＣＦｉ５メチルメタクリラート（ＭＭＡ） ＣＨ２
＝Ｃ（ＣＦＩ５）ＣＯＯＣＴ１５ブチルアクリラート
ＣＨ２＝ＣＨＣｏ０Ｃ４ＦＩ９シクロヘキシノげク
リラード ＣＨ２＝ＣＨＣｏＯ−Ｃ＞ベンジルｙり１，
１５−） ｃＨ２＝ｃＨｃｏｏｃＨ２（３カル
ピトールアクリラート ＣＨεＣＨＣＯＯＣ２Ｈ４０
Ｃ２Ｈ４０Ｃ２Ｈ５ラウリルメタクリラート ＣＨ
２＝Ｃ（ＣＨ３）ｃｏｏ（Ｃａ２）１１ｃＨ３アクリル
アミド ０Ｈ２＝（１！ＨＯＯＮＨ２メタクリル
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し ン （Ｈ２＝Ｃ，ＨＣ６Ｈ５ア
クリロニトリル Ｃ！Ｈ２＝ＣＨＣＮビニルアセタ
ート ＣＨ２＝ＣＨＯＯＯＯＨ５本発明で使用され
る架橋剤としては、Ｎ、Ｎ’−メチレンビスアクリルア
ミドを代表に、第３表および第４表に記載した多官能性
モノマーまたはオリゴマーが使用される。
第 ３ 表
アリル系の多官能性モノマー
化合物基 構造式
％式％：：２
多官能性アクリル系モノマーおよびオリゴマークリラー
ド ブチｌ／７グリコールジ ＣＨｌＣ（ＣＨ５）０００口
２ ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０ＣＯＣ（ＣＨ３）−１ＤＨ２
メタクリラート ルジメタクリラート １．４−ブタ７ジオー ＣＨ２−ｃＨｏｏｏ（ＣＨ２
）４ｏｃＯ（Ｅ！（−ｃＨ２ルジアクリラート １．６−ヘキサンジオ ＣＨ２戚Ｈｃｏｏ（ＣＨ２）６
ｏｃｏｃ膿ＣＨ２−ルジアクリラート １．６−ヘ＊＋７’、；オａＨ２＝ｃ（ＣＨ５）ＣＣｘ
）＜ＣＨ２）６０ＣＯＣ（四３）−Ｇ！２−ルジメタク
リラート ペンタエリトリトー （ＣＨ２舅疋ｃｏｏｃａ２）２ｃ
（ｃＨ２ｏＨ）２ルジアクリラート 一！ニアｐ工ＩＪ ） ＩＪ ） −（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ
ＣＨ２）５ＣＣＥ２０Ｈルトリ７クリラート トリメチロールプロパ７ （ＯＨ２にＨｃＯＯＣＨ２
）３００２Ｈ５トリアクリラード また、本発明で使用される溶媒としては、水、アセトン
、メタノール、エタノール、ベンゼン、トルエン、ｎ−
ヘキサン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシドおよびこれらの任意の混合体が挙げ
られる。
ド ブチｌ／７グリコールジ ＣＨｌＣ（ＣＨ５）０００口
２ ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２０ＣＯＣ（ＣＨ３）−１ＤＨ２
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、メタノール、エタノール、ベンゼン、トルエン、ｎ−
ヘキサン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、塩化メチレン、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルスルホキシドおよびこれらの任意の混合体が挙げ
られる。
系を重合させるＫあたっては、重合開始剤ないしけ増感
剤として作用する物質を必要に応じて使用することが望
ましい。
剤として作用する物質を必要に応じて使用することが望
ましい。
本発明で使用される重合開始剤ないしは増感剤として作
用する物質としては過硫酸アンモニウムを代表に８５表
に記載したものが挙げられる。
用する物質としては過硫酸アンモニウムを代表に８５表
に記載したものが挙げられる。
第 ５ 表
重合開始剤（増感剤）
酸化還元系 跣■）／過酸（Ｅ７１（素ビン、
シアニン色素類 柵金属化合物 ３００〜４５０ アルキル金塊類金属
カルボニルｆＡ ３６ト４４０ マンガンカルボニ
ル３００〜３８０ 酸化亜鉛 重合系において各成分の配合割合は、モノマー濃度に対
して架橋剤１０−５〜１であシ、モノマーの濃度範囲は
％ １０−”〜１０モル／ｌである。また、必要に応じ
て使用される重合開始剤ないしは増感剤の濃度は１０−
６〜１０−２モル／ｌである。
シアニン色素類 柵金属化合物 ３００〜４５０ アルキル金塊類金属
カルボニルｆＡ ３６ト４４０ マンガンカルボニ
ル３００〜３８０ 酸化亜鉛 重合系において各成分の配合割合は、モノマー濃度に対
して架橋剤１０−５〜１であシ、モノマーの濃度範囲は
％ １０−”〜１０モル／ｌである。また、必要に応じ
て使用される重合開始剤ないしは増感剤の濃度は１０−
６〜１０−２モル／ｌである。
重合溶液を調製した後、適当な方法により溶媒を必要量
だけ蒸発させてから重合を開始する。
だけ蒸発させてから重合を開始する。
重合は既知の光重合法によって行われ、反応後未反応モ
ノマーや開始剤等を洗浄除去することにより、三次元網
目構造の高分子化合物が溶媒を抱き込んだ構造を有する
所期の高分子ゲルが得られる。
ノマーや開始剤等を洗浄除去することにより、三次元網
目構造の高分子化合物が溶媒を抱き込んだ構造を有する
所期の高分子ゲルが得られる。
先に述べたように高分子ゲルは温度、溶媒組成、…、イ
オン強度、電場等の条件を変化させると、ある特定の条
件下において相転移現象をひき起こすが、このような相
転移点では、三次元網目構造の高分子化合物が抱き込ん
でいる溶媒の急激な放出すなわちゲルの収縮と溶媒の急
激な吸収丁なわちゲルの膨潤が可逆的に行われる。ゲル
に相転移をおこさせる条件はゲルの種類等によって各々
異なっており、それぞれ実験によって設定しなければな
らない。
オン強度、電場等の条件を変化させると、ある特定の条
件下において相転移現象をひき起こすが、このような相
転移点では、三次元網目構造の高分子化合物が抱き込ん
でいる溶媒の急激な放出すなわちゲルの収縮と溶媒の急
激な吸収丁なわちゲルの膨潤が可逆的に行われる。ゲル
に相転移をおこさせる条件はゲルの種類等によって各々
異なっており、それぞれ実験によって設定しなければな
らない。
本発明においては高分子ゲルをドツトパターン状に形成
する。この高分子ゲルにおいて、たとえば膨潤状態にあ
るゲルに１任意のパターン状に相転移をもたらすような
条件を印加すると、７３１ パターンに包含されている
ドツトゲルの各々が急激に収縮し変形する。この変形を
適当な表示方法に変換することによシ対応する表示パタ
ーンを得ることができる。
する。この高分子ゲルにおいて、たとえば膨潤状態にあ
るゲルに１任意のパターン状に相転移をもたらすような
条件を印加すると、７３１ パターンに包含されている
ドツトゲルの各々が急激に収縮し変形する。この変形を
適当な表示方法に変換することによシ対応する表示パタ
ーンを得ることができる。
ゲルをドツトパターン状に形成させるには、実施例で詳
維に述べるように１ ドツトパターン状のｉスフな通し
て光重合を行うのが好適である。この場合、各ドツトに
対し独立して相転移条件たとえばパルス状電圧を印加で
きるように、電極を有する基板等との複合体として高分
子ゲルを製造することは好都合である。
維に述べるように１ ドツトパターン状のｉスフな通し
て光重合を行うのが好適である。この場合、各ドツトに
対し独立して相転移条件たとえばパルス状電圧を印加で
きるように、電極を有する基板等との複合体として高分
子ゲルを製造することは好都合である。
表示を読み取勺易くするためにゲルに任意に染料、イン
ク等を加えることもできろ。
ク等を加えることもできろ。
微細加工されてなるドツトはイサ号に対してすばやく正
確に応答するので、表示も迅速かつ正確に行われる。
確に応答するので、表示も迅速かつ正確に行われる。
また、ゲルの膨張と収縮とは可逆的に行われるので、印
加条件を変化させることにより本発明による表示方法は
何度も繰り返して適用することができる。
加条件を変化させることにより本発明による表示方法は
何度も繰り返して適用することができる。
次に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１（第１図参照）
Ａｔ、Ｎｉ、Ｐｔなどからなる電極１を第ｊ−ａ図に示
すようなパターンでガラス基板またはプラスチック基板
上に配置し、この上にアクリルアミド５９．Ｎ、Ｎ’−
メチレンビスアクリルアミドα１３５ｔおよび水１００
−からなる溶液をキャスト法によって塗布した後、４５
μｍ角のドツトパターンを有するマスクを通して低圧水
銀灯１００Ｗ１２５３７Ｘの光を用いて露光し光重合を
行わせる。未反応部を洗浄除去することにより、第１−
ｂ図に示すように各電極上＋ｃ４５μｍ角ドツト状の高
分子ゲル２が形成される。この高分子ゲルをｌ１ｌＨ１
２の１．２％Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン水溶液中に浸漬して、高分子ゲルのアミド基
を充分に加水分解した後、メタノールおよび水の１：１
比の混合溶媒に一昼夜浸漬して洗浄する。このゲル上に
、第１−ｃ図に示すようにガラスまたはプラスチックか
らなる板３を密着させて配置し、残った空間に染料等で
着色したメタノールおよび水の１＝１比の混合溶媒４を
隙間なく充填する。
すようなパターンでガラス基板またはプラスチック基板
上に配置し、この上にアクリルアミド５９．Ｎ、Ｎ’−
メチレンビスアクリルアミドα１３５ｔおよび水１００
−からなる溶液をキャスト法によって塗布した後、４５
μｍ角のドツトパターンを有するマスクを通して低圧水
銀灯１００Ｗ１２５３７Ｘの光を用いて露光し光重合を
行わせる。未反応部を洗浄除去することにより、第１−
ｂ図に示すように各電極上＋ｃ４５μｍ角ドツト状の高
分子ゲル２が形成される。この高分子ゲルをｌ１ｌＨ１
２の１．２％Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチルエチレ
ンジアミン水溶液中に浸漬して、高分子ゲルのアミド基
を充分に加水分解した後、メタノールおよび水の１：１
比の混合溶媒に一昼夜浸漬して洗浄する。このゲル上に
、第１−ｃ図に示すようにガラスまたはプラスチックか
らなる板３を密着させて配置し、残った空間に染料等で
着色したメタノールおよび水の１＝１比の混合溶媒４を
隙間なく充填する。
この系において、第１−ｃ１図のように配置されている
下部溝を線５を通して、第１−ｆ図に示すような電圧を
電極Ａ−Ｂ間に印加すると、ムとＢとが逆相になったと
きのみドツト（Ａ％Ｂ）のゲルに電圧が印加されろこと
となり、高分子ゲルが！場の影響を受けて収縮する。収
縮によりゲルは上部のガラスまたはプラスチックからな
る板３から離れ、その隙間に回りのメタノール・水系の
着色溶液が流れ込み、結果としてゲルは上部ガラスまた
はプラスチック面側からは見えなくなる（第１−ｅ図参
照）。一方、同相の点においては、高分子ゲルの収縮は
起こらないので、上部ガラスまたはプラスチック面側か
らゲルを視認することができる。このよう圧して各Ｎ、
極のパルス状電圧を制゛御することにより、任意のドツ
トパターン表示が可能となる。このプロセスは何回でも
繰返すことができる。
下部溝を線５を通して、第１−ｆ図に示すような電圧を
電極Ａ−Ｂ間に印加すると、ムとＢとが逆相になったと
きのみドツト（Ａ％Ｂ）のゲルに電圧が印加されろこと
となり、高分子ゲルが！場の影響を受けて収縮する。収
縮によりゲルは上部のガラスまたはプラスチックからな
る板３から離れ、その隙間に回りのメタノール・水系の
着色溶液が流れ込み、結果としてゲルは上部ガラスまた
はプラスチック面側からは見えなくなる（第１−ｅ図参
照）。一方、同相の点においては、高分子ゲルの収縮は
起こらないので、上部ガラスまたはプラスチック面側か
らゲルを視認することができる。このよう圧して各Ｎ、
極のパルス状電圧を制゛御することにより、任意のドツ
トパターン表示が可能となる。このプロセスは何回でも
繰返すことができる。
実施例２（第２図参照）
アクリルアミド５ｆ、Ｎ、Ｎ’−メチレンビスアクリル
アミドａ１３５Ｆおよび水１００−からなる溶液を、第
２−ａ図に示すような４５μｍ間隔の線状パターン電極
６を有する凹凸ガラス基板上７にキャスティングした後
、４５μｍ角のドツトパターンを有するマスクを通して
、低圧水銀灯１００Ｗ、 ２５３７Ｘの光を用いて露光
、光重合を行い、未反応部を洗浄除去することによシ、
第２−ｂ図に示すような線状パターン電極６上に４５μ
ｍ角ドットハターン状に形成された高分子ゲル８を得る
。この高分子ゲル８をｐＨ１２の１．２％Ｎ、Ｎ、Ｎ鎌
’−テトラメチルエチレンジアミン水溶液中に浸漬して
該ゲル中のアミド基を充分疋加水分解した後、メタノー
ルおよび水の１：１此の混合溶媒中に一晩浸漬して洗浄
する。このゲル８の上部に第２−ｃ図に示すようして４
５μ口幅の線状パターンＮ、極９を有する工ＴＯガラス
板１０を上部電極９と下部電極６とが互いに直交するよ
うに配置しく第２−ｄ図参照）、ゲルとゲルとの空間に
染料等で着色したメタノールおよび水の１：１比況合液
１１を隙間なく充填する。このようにして得られた高分
子ゲル−着色溶液一基板電極複合体において、任意の組
の電極Ａ％ＢＫついて第２−ｆ図に示すようなパルス状
電圧を印加すると、ＡとＢとが逆相になったときのみ、
ドラ）（ＡＳＢ）のゲル８に電圧が印加されることとな
ってゲル８は収縮しく第２−０図参照）、一方同相の点
では変化を起こさない。このよう圧して、実施例１の場
合と同様な原理で任意のドツトパターン表示が可能とな
る。
アミドａ１３５Ｆおよび水１００−からなる溶液を、第
２−ａ図に示すような４５μｍ間隔の線状パターン電極
６を有する凹凸ガラス基板上７にキャスティングした後
、４５μｍ角のドツトパターンを有するマスクを通して
、低圧水銀灯１００Ｗ、 ２５３７Ｘの光を用いて露光
、光重合を行い、未反応部を洗浄除去することによシ、
第２−ｂ図に示すような線状パターン電極６上に４５μ
ｍ角ドットハターン状に形成された高分子ゲル８を得る
。この高分子ゲル８をｐＨ１２の１．２％Ｎ、Ｎ、Ｎ鎌
’−テトラメチルエチレンジアミン水溶液中に浸漬して
該ゲル中のアミド基を充分疋加水分解した後、メタノー
ルおよび水の１：１此の混合溶媒中に一晩浸漬して洗浄
する。このゲル８の上部に第２−ｃ図に示すようして４
５μ口幅の線状パターンＮ、極９を有する工ＴＯガラス
板１０を上部電極９と下部電極６とが互いに直交するよ
うに配置しく第２−ｄ図参照）、ゲルとゲルとの空間に
染料等で着色したメタノールおよび水の１：１比況合液
１１を隙間なく充填する。このようにして得られた高分
子ゲル−着色溶液一基板電極複合体において、任意の組
の電極Ａ％ＢＫついて第２−ｆ図に示すようなパルス状
電圧を印加すると、ＡとＢとが逆相になったときのみ、
ドラ）（ＡＳＢ）のゲル８に電圧が印加されることとな
ってゲル８は収縮しく第２−０図参照）、一方同相の点
では変化を起こさない。このよう圧して、実施例１の場
合と同様な原理で任意のドツトパターン表示が可能とな
る。
なお、第３図および第４図は、本実施例の実装イメージ
を図示したものである。第４図において、四方の板１３
．１３’、 １３”、 １３”’は液体がもれ出ないよ
うに系を密閉封止する作用を有している。
を図示したものである。第４図において、四方の板１３
．１３’、 １３”、 １３”’は液体がもれ出ないよ
うに系を密閉封止する作用を有している。
実施例３（第５図参照）
下部基板を第５図に示すように配置し、ゲルを電極と電
極との間にはさみ込むような構造とする以外は全く同様
に実施例１を繰り返した。
極との間にはさみ込むような構造とする以外は全く同様
に実施例１を繰り返した。
実施例４
実施例１．２および３において、それぞれ、Ｎ、Ｎ’−
メチレンビスアクリルアミドをｃｌ、２７ｆの量で用い
てゲルを合成した。その他は同様である。得られたゲル
はそれぞれ半透明状であった。
メチレンビスアクリルアミドをｃｌ、２７ｆの量で用い
てゲルを合成した。その他は同様である。得られたゲル
はそれぞれ半透明状であった。
実施例５
実施例１．２および３において、それぞれゲルをメタク
リル酸５．０ ？ 、Ｎ、Ｎ’−メチレンビスアクリル
アミドＱ、０９ｆおよび水３２．５−から合成した。そ
の他は同様である。この場合、テトラメチルエチレンジ
アミンによる加水分解の必要はない。
リル酸５．０ ？ 、Ｎ、Ｎ’−メチレンビスアクリル
アミドＱ、０９ｆおよび水３２．５−から合成した。そ
の他は同様である。この場合、テトラメチルエチレンジ
アミンによる加水分解の必要はない。
実施例 ６
実施例１．２および３シておいて、それぞれアクリルア
ミドに対しα０２相対モル比の量のメタクリル酸ナトリ
ウムを添加した。その他は同様である。この場合、テト
ラメチルエチレンジアミンによる加水分解の必要はない
。
ミドに対しα０２相対モル比の量のメタクリル酸ナトリ
ウムを添加した。その他は同様である。この場合、テト
ラメチルエチレンジアミンによる加水分解の必要はない
。
実施例 ７
実施例１．２および３において、それぞれアクリルアミ
ドに対し０．０５相対モル比の袋のアクリルアミド−２
−メチルプロパンスルホンαを添加した。その他は同様
である。この場合、。
ドに対し０．０５相対モル比の袋のアクリルアミド−２
−メチルプロパンスルホンαを添加した。その他は同様
である。この場合、。
テトラメチルエチレンジアミンによる加水分解の必要は
ない。
ない。
本発明は高分子ゲルを表示プロセスに応用するという新
たな用途を具体的に開発したものであり、かつこの表示
プロセスにおいては、信号に対してすばやい正確に応答
が得られるという利点を有している。
たな用途を具体的に開発したものであり、かつこの表示
プロセスにおいては、信号に対してすばやい正確に応答
が得られるという利点を有している。
第１．２および第５図は本発明の詳細な説明するための
断面図、平面図および／またはパルス印加状態を示す説
明図を包含する図であシ、第３および第４図は実施例２
の実装イメージ図である。 １．６．９．１’・・・Ｘ極、２．８．２’・・・高分
子ゲル、３・・・板、４，１１・・・混合溶媒、５．５
’・・・下部導電線、７・・・基板、１０・・・ＩＴＯ
ガラス板、１２．１２’・・・パルス電圧供給用電線、
１３．１３’、１３”１３ ／／／・・・封止板。 特許出願人 株式会社 リ コ −、感ｉ 外２名 第２七図 第４図
断面図、平面図および／またはパルス印加状態を示す説
明図を包含する図であシ、第３および第４図は実施例２
の実装イメージ図である。 １．６．９．１’・・・Ｘ極、２．８．２’・・・高分
子ゲル、３・・・板、４，１１・・・混合溶媒、５．５
’・・・下部導電線、７・・・基板、１０・・・ＩＴＯ
ガラス板、１２．１２’・・・パルス電圧供給用電線、
１３．１３’、１３”１３ ／／／・・・封止板。 特許出願人 株式会社 リ コ −、感ｉ 外２名 第２七図 第４図
Claims (1)
- モノマー、架橋剤、溶媒および必要に応じ増感剤からな
る糸をドットパターン状に光重合させてなる相転移可能
な高分子ゲルに、このゲルの相転移をもたらすような条
件を印加して任意のパターン状の相転移を誘起せしめ、
もつて任意のパターン状の表示を行うことを特徴とする
表示方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15613986A JPS6313021A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 表示方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15613986A JPS6313021A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 表示方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6313021A true JPS6313021A (ja) | 1988-01-20 |
Family
ID=15621180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15613986A Pending JPS6313021A (ja) | 1986-07-04 | 1986-07-04 | 表示方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6313021A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126673U (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-20 | ||
| JPH0627305A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-02-04 | Univ Nagoya | 高分子ゲルレンズの焦点距離制御方法及びそれを利用 した鮮明な映像の結像方法 |
| JPH09160081A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-06-20 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JP2005003943A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
| JP2005031302A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子 |
| JP2005062279A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-07-04 JP JP15613986A patent/JPS6313021A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03126673U (ja) * | 1990-04-03 | 1991-12-20 | ||
| JPH0627305A (ja) * | 1993-02-19 | 1994-02-04 | Univ Nagoya | 高分子ゲルレンズの焦点距離制御方法及びそれを利用 した鮮明な映像の結像方法 |
| JPH09160081A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-06-20 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| JP2005003943A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
| JP2005031302A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-03 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子 |
| JP2005062279A (ja) * | 2003-08-20 | 2005-03-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 光学素子およびその製造方法 |
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