JPS63128593A - エレクトロルミネツセンスパネル - Google Patents

エレクトロルミネツセンスパネル

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Publication number
JPS63128593A
JPS63128593A JP61274817A JP27481786A JPS63128593A JP S63128593 A JPS63128593 A JP S63128593A JP 61274817 A JP61274817 A JP 61274817A JP 27481786 A JP27481786 A JP 27481786A JP S63128593 A JPS63128593 A JP S63128593A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
emitting layer
light
light emitting
panel
Prior art date
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Pending
Application number
JP61274817A
Other languages
English (en)
Inventor
片山 良志郎
純一 渡部
正 長谷川
雅行 脇谷
佐藤 精威
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 本発明は、発光特性の劣化原因となるNa+等の不純物
イオンの影響をな(すために、発光層内部に不純物イオ
ンを捕獲する固定層を設けてエージングすることにより
、発光層中の不純物イオンを前記固定層に固定化して特
性劣化を防止したエレクトロルミネッセンスパネルであ
る。
〔産業上の利用分野〕
本発明は発光特性の変動を抑制したエレクトロルミネッ
センスパネルの構成に関する。
エレクトロルミネッセンス(以下、ELと略す)パネル
は発光層が非常に薄く、またXYのマトリックス構造を
とる電極膜の寸法精度が良いため、表示の切れが良く、
表示品質が優れており、また薄形化と軽量4gとが達成
できるなどの特徴をもち、電算機の端末に使用してグラ
フィック表示が行われている。
また、同様な目的に使用されているプラズマディスプレ
イパネルと較べても、画像ににじみがなくて視野が広く
、消費電力が少ない等の特徴を有している。
〔従来の技術〕
第2図は従来のELパネルの断面構造を示す図である。
図において、ガラス基板1の上に酸化インジウム(In
203)と酸化錫(SnO2)との固溶体(略称ITO
)からなる透明電極2がストライプ状にパターン形成さ
れている。
この透明電極2は後に形成されるストライプ状の背面電
極と組み合わせてX方向とY方向に配列したマトリック
ス電極を形成している。
次に、透明電極2の上には酸窒化珪素(SioXNy、
以下5iONと略す)などの透明材料からなる第1絶縁
層3があり、この上に発光中心となる不純物を含んだ発
光体、例えばマンガン(Mn)を含んだ硫化亜鉛(Z 
n S)からなる発光層4がある。
さらに、この上には第1絶縁層3と同じ材料からなる第
2絶縁層5があり、この上にアルミニウム(/lりなど
の金属からなる背面電極6が前述のようにストライプ状
に形成されている。
すなわち、第3図に示すELパネルは発光層4の両側を
第1絶縁層3と第2絶縁層5とでサンドイッチするとと
もに、この上下にマトリックス状に直交して配列する透
明電極2と背面電極6を備えて構成されており、情報に
応じてX、Y電極群の任意の一対を選択して交番電界を
印加することにより、その部分の発光層が発光するよう
になっている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかし、このようなパネルを構成する材料には不要な不
純物が含まれており、また製造プロセスを通じて不純物
イオンが侵入して来るが、この不純物イオンが駆動パル
スの電界により、発光層4と第1絶縁層3および第2絶
縁層5との界面に移動して界面状態を変化させて特性の
劣化を生じさせていた。
すなわち、使用状態では透明電極2と背面電極6との間
に約200■の駆動パルスが印加されており、これによ
り発光層に約1.5X106V/cmの電界がかかり、
不純物イオンの移動が生ずる。
そして、EL表示に際して印加する駆動パルスの波高値
としては1fL(フートランバート)になる電圧に約3
0Vを加えた値がとられているが、不純物イオンの移動
による界面への蓄積によって輝度が低下するとともに、
1fLの輝度を生ずる電圧が低下するという問題があり
、安定な発光特性を得ることができなかった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明はこのような従来の欠点にがんがみなされたもの
で、第1図に示すように、発光層の両側に駆動用電極1
2.18を配設してなるエレクトロルミネッセンスパネ
ルにおいて、前記発光層は2層以上からなり、該発光層
14と16の間に不純物イオン固定層15を設けたこと
を特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルを提供す
ることにより解決される。
〔作用〕
電界により移動し、発光特性を劣化させる主な不純物は
ナトリウムイオン(以下、Na ”とする)であり、こ
れはELパルスを構成する各構成材料中に微量ながら含
まれており、また製造プロセス中に作業者の汗などから
も侵入し易いことが知られている。
この不純物として含有されているNaイオンの影響につ
いては半導体素子を形成するMOSデバイスにおいて研
究が進んでおり、五酸化燐(P2O3)がNa+を捕獲
する(ゲッタリングする)作用があり、具体的には燐珪
酸ガラス(略称PSC)層を設ければよいことが知られ
ている(例えば、徳山説 著rMOsデバイス」エレク
トロニクス技術全書No、 3 、  p59〜64参
照)。
本発明はこの技術をELパルスに適用したものであり、
エージングにより予め不純物イオンを固定層に固定化し
てしまうことにより、発光特性の安定化を図ったもので
ある。
〔実施例〕
第1図は本発明の実施例を示す構造断面図である。
図において、11はガラス基板、12は0.15μm厚
さのITOからなる透明電極、13は0.4 μm厚さ
の酸化インドリウム(Y2O3)からなる第1絶縁層、
14はMnを不純物として添加した0、3μm厚さのZ
nSからなる第1発光層、15はo、i〜0.2μm厚
さのPSGからなる固定層、16は第1発光層と同材料
で0.3μm厚さの第2発光層、17は第1絶縁層と同
材料で0.4μm厚さの第2絶縁層、1Bは0.5μm
厚さのAIからなる背面電極、19はパネル駆動用電源
をそれぞれ示す。
図示したように、第1発光層14と第2発光層16との
間に不純物イオン固定層15としてPSG膜を形成して
いる。このPSG膜の形成には蒸着法やスパッタ法を用
いればよい。
このようなパネルの透明電極12と背面電極18間に1
0 KHzのACパルスを3時間印加してエージングす
ることにより、PSGからなる固定層15にNaイオン
を固定した。
その後、通常の60Hzの駆動電圧で発光させたところ
、従来のような輝度の低下は観測されなかった。
なお、上記実施例では発光層を2層構成としたが、3層
またはそれ以上とし、これら発光層間に固定層を設けて
もよい。
また、本発明をAC駆動型ELパネルについて説明した
が、第1絶縁層や第2絶縁層を持たないDC駆動型のパ
ネルにおいても本発明が適用できることはいうまでもな
い。
〔発明の効果〕
本発明は発光層内にNaイオンなどの不純物イオンを捕
獲する固定層を設け、エージングすることにより前記固
定層に不純物イオンを固定するようにしたので、発光特
性に変動のない高品質のELパネルを得ることができる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のELパネルの断面構造を示す図、 第2図は従来のELパネルの断面構造を示す図である。 図において、 11はガラス基板、 12は透明電極、 13は第1絶縁層、 14は第1発光層、 15は不純物イオン固定層、 16は第2発光層、 17は第2絶縁層、 18は背面電極、 19はパネル駆動用電源をそれぞれ示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  発光層の両側に駆動用電極(12,18)を配設して
    なるエレクトロルミネツセンスパネルにおいて、前記発
    光層は2層以上からなり、該発光層(14,16)間に
    不純物イオン固定層(15)を設けたことを特徴とする
    エレクトロルミネツセンスパネル。
JP61274817A 1986-11-17 1986-11-17 エレクトロルミネツセンスパネル Pending JPS63128593A (ja)

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JP61274817A JPS63128593A (ja) 1986-11-17 1986-11-17 エレクトロルミネツセンスパネル

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JP61274817A JPS63128593A (ja) 1986-11-17 1986-11-17 エレクトロルミネツセンスパネル

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JPS63128593A true JPS63128593A (ja) 1988-06-01

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ID=17546978

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JP61274817A Pending JPS63128593A (ja) 1986-11-17 1986-11-17 エレクトロルミネツセンスパネル

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