JPS63128593A - エレクトロルミネツセンスパネル - Google Patents
エレクトロルミネツセンスパネルInfo
- Publication number
- JPS63128593A JPS63128593A JP61274817A JP27481786A JPS63128593A JP S63128593 A JPS63128593 A JP S63128593A JP 61274817 A JP61274817 A JP 61274817A JP 27481786 A JP27481786 A JP 27481786A JP S63128593 A JPS63128593 A JP S63128593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- emitting layer
- light
- light emitting
- panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 19
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 5
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010028980 Neoplasm Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DSSYDPGRYHVFLK-UHFFFAOYSA-N [S--].[S--].[Zn++].[Zn++] Chemical compound [S--].[S--].[Zn++].[Zn++] DSSYDPGRYHVFLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 201000011510 cancer Diseases 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 210000004243 sweat Anatomy 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は、発光特性の劣化原因となるNa+等の不純物
イオンの影響をな(すために、発光層内部に不純物イオ
ンを捕獲する固定層を設けてエージングすることにより
、発光層中の不純物イオンを前記固定層に固定化して特
性劣化を防止したエレクトロルミネッセンスパネルであ
る。
イオンの影響をな(すために、発光層内部に不純物イオ
ンを捕獲する固定層を設けてエージングすることにより
、発光層中の不純物イオンを前記固定層に固定化して特
性劣化を防止したエレクトロルミネッセンスパネルであ
る。
本発明は発光特性の変動を抑制したエレクトロルミネッ
センスパネルの構成に関する。
センスパネルの構成に関する。
エレクトロルミネッセンス(以下、ELと略す)パネル
は発光層が非常に薄く、またXYのマトリックス構造を
とる電極膜の寸法精度が良いため、表示の切れが良く、
表示品質が優れており、また薄形化と軽量4gとが達成
できるなどの特徴をもち、電算機の端末に使用してグラ
フィック表示が行われている。
は発光層が非常に薄く、またXYのマトリックス構造を
とる電極膜の寸法精度が良いため、表示の切れが良く、
表示品質が優れており、また薄形化と軽量4gとが達成
できるなどの特徴をもち、電算機の端末に使用してグラ
フィック表示が行われている。
また、同様な目的に使用されているプラズマディスプレ
イパネルと較べても、画像ににじみがなくて視野が広く
、消費電力が少ない等の特徴を有している。
イパネルと較べても、画像ににじみがなくて視野が広く
、消費電力が少ない等の特徴を有している。
第2図は従来のELパネルの断面構造を示す図である。
図において、ガラス基板1の上に酸化インジウム(In
203)と酸化錫(SnO2)との固溶体(略称ITO
)からなる透明電極2がストライプ状にパターン形成さ
れている。
203)と酸化錫(SnO2)との固溶体(略称ITO
)からなる透明電極2がストライプ状にパターン形成さ
れている。
この透明電極2は後に形成されるストライプ状の背面電
極と組み合わせてX方向とY方向に配列したマトリック
ス電極を形成している。
極と組み合わせてX方向とY方向に配列したマトリック
ス電極を形成している。
次に、透明電極2の上には酸窒化珪素(SioXNy、
以下5iONと略す)などの透明材料からなる第1絶縁
層3があり、この上に発光中心となる不純物を含んだ発
光体、例えばマンガン(Mn)を含んだ硫化亜鉛(Z
n S)からなる発光層4がある。
以下5iONと略す)などの透明材料からなる第1絶縁
層3があり、この上に発光中心となる不純物を含んだ発
光体、例えばマンガン(Mn)を含んだ硫化亜鉛(Z
n S)からなる発光層4がある。
さらに、この上には第1絶縁層3と同じ材料からなる第
2絶縁層5があり、この上にアルミニウム(/lりなど
の金属からなる背面電極6が前述のようにストライプ状
に形成されている。
2絶縁層5があり、この上にアルミニウム(/lりなど
の金属からなる背面電極6が前述のようにストライプ状
に形成されている。
すなわち、第3図に示すELパネルは発光層4の両側を
第1絶縁層3と第2絶縁層5とでサンドイッチするとと
もに、この上下にマトリックス状に直交して配列する透
明電極2と背面電極6を備えて構成されており、情報に
応じてX、Y電極群の任意の一対を選択して交番電界を
印加することにより、その部分の発光層が発光するよう
になっている。
第1絶縁層3と第2絶縁層5とでサンドイッチするとと
もに、この上下にマトリックス状に直交して配列する透
明電極2と背面電極6を備えて構成されており、情報に
応じてX、Y電極群の任意の一対を選択して交番電界を
印加することにより、その部分の発光層が発光するよう
になっている。
しかし、このようなパネルを構成する材料には不要な不
純物が含まれており、また製造プロセスを通じて不純物
イオンが侵入して来るが、この不純物イオンが駆動パル
スの電界により、発光層4と第1絶縁層3および第2絶
縁層5との界面に移動して界面状態を変化させて特性の
劣化を生じさせていた。
純物が含まれており、また製造プロセスを通じて不純物
イオンが侵入して来るが、この不純物イオンが駆動パル
スの電界により、発光層4と第1絶縁層3および第2絶
縁層5との界面に移動して界面状態を変化させて特性の
劣化を生じさせていた。
すなわち、使用状態では透明電極2と背面電極6との間
に約200■の駆動パルスが印加されており、これによ
り発光層に約1.5X106V/cmの電界がかかり、
不純物イオンの移動が生ずる。
に約200■の駆動パルスが印加されており、これによ
り発光層に約1.5X106V/cmの電界がかかり、
不純物イオンの移動が生ずる。
そして、EL表示に際して印加する駆動パルスの波高値
としては1fL(フートランバート)になる電圧に約3
0Vを加えた値がとられているが、不純物イオンの移動
による界面への蓄積によって輝度が低下するとともに、
1fLの輝度を生ずる電圧が低下するという問題があり
、安定な発光特性を得ることができなかった。
としては1fL(フートランバート)になる電圧に約3
0Vを加えた値がとられているが、不純物イオンの移動
による界面への蓄積によって輝度が低下するとともに、
1fLの輝度を生ずる電圧が低下するという問題があり
、安定な発光特性を得ることができなかった。
本発明はこのような従来の欠点にがんがみなされたもの
で、第1図に示すように、発光層の両側に駆動用電極1
2.18を配設してなるエレクトロルミネッセンスパネ
ルにおいて、前記発光層は2層以上からなり、該発光層
14と16の間に不純物イオン固定層15を設けたこと
を特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルを提供す
ることにより解決される。
で、第1図に示すように、発光層の両側に駆動用電極1
2.18を配設してなるエレクトロルミネッセンスパネ
ルにおいて、前記発光層は2層以上からなり、該発光層
14と16の間に不純物イオン固定層15を設けたこと
を特徴とするエレクトロルミネッセンスパネルを提供す
ることにより解決される。
電界により移動し、発光特性を劣化させる主な不純物は
ナトリウムイオン(以下、Na ”とする)であり、こ
れはELパルスを構成する各構成材料中に微量ながら含
まれており、また製造プロセス中に作業者の汗などから
も侵入し易いことが知られている。
ナトリウムイオン(以下、Na ”とする)であり、こ
れはELパルスを構成する各構成材料中に微量ながら含
まれており、また製造プロセス中に作業者の汗などから
も侵入し易いことが知られている。
この不純物として含有されているNaイオンの影響につ
いては半導体素子を形成するMOSデバイスにおいて研
究が進んでおり、五酸化燐(P2O3)がNa+を捕獲
する(ゲッタリングする)作用があり、具体的には燐珪
酸ガラス(略称PSC)層を設ければよいことが知られ
ている(例えば、徳山説 著rMOsデバイス」エレク
トロニクス技術全書No、 3 、 p59〜64参
照)。
いては半導体素子を形成するMOSデバイスにおいて研
究が進んでおり、五酸化燐(P2O3)がNa+を捕獲
する(ゲッタリングする)作用があり、具体的には燐珪
酸ガラス(略称PSC)層を設ければよいことが知られ
ている(例えば、徳山説 著rMOsデバイス」エレク
トロニクス技術全書No、 3 、 p59〜64参
照)。
本発明はこの技術をELパルスに適用したものであり、
エージングにより予め不純物イオンを固定層に固定化し
てしまうことにより、発光特性の安定化を図ったもので
ある。
エージングにより予め不純物イオンを固定層に固定化し
てしまうことにより、発光特性の安定化を図ったもので
ある。
第1図は本発明の実施例を示す構造断面図である。
図において、11はガラス基板、12は0.15μm厚
さのITOからなる透明電極、13は0.4 μm厚さ
の酸化インドリウム(Y2O3)からなる第1絶縁層、
14はMnを不純物として添加した0、3μm厚さのZ
nSからなる第1発光層、15はo、i〜0.2μm厚
さのPSGからなる固定層、16は第1発光層と同材料
で0.3μm厚さの第2発光層、17は第1絶縁層と同
材料で0.4μm厚さの第2絶縁層、1Bは0.5μm
厚さのAIからなる背面電極、19はパネル駆動用電源
をそれぞれ示す。
さのITOからなる透明電極、13は0.4 μm厚さ
の酸化インドリウム(Y2O3)からなる第1絶縁層、
14はMnを不純物として添加した0、3μm厚さのZ
nSからなる第1発光層、15はo、i〜0.2μm厚
さのPSGからなる固定層、16は第1発光層と同材料
で0.3μm厚さの第2発光層、17は第1絶縁層と同
材料で0.4μm厚さの第2絶縁層、1Bは0.5μm
厚さのAIからなる背面電極、19はパネル駆動用電源
をそれぞれ示す。
図示したように、第1発光層14と第2発光層16との
間に不純物イオン固定層15としてPSG膜を形成して
いる。このPSG膜の形成には蒸着法やスパッタ法を用
いればよい。
間に不純物イオン固定層15としてPSG膜を形成して
いる。このPSG膜の形成には蒸着法やスパッタ法を用
いればよい。
このようなパネルの透明電極12と背面電極18間に1
0 KHzのACパルスを3時間印加してエージングす
ることにより、PSGからなる固定層15にNaイオン
を固定した。
0 KHzのACパルスを3時間印加してエージングす
ることにより、PSGからなる固定層15にNaイオン
を固定した。
その後、通常の60Hzの駆動電圧で発光させたところ
、従来のような輝度の低下は観測されなかった。
、従来のような輝度の低下は観測されなかった。
なお、上記実施例では発光層を2層構成としたが、3層
またはそれ以上とし、これら発光層間に固定層を設けて
もよい。
またはそれ以上とし、これら発光層間に固定層を設けて
もよい。
また、本発明をAC駆動型ELパネルについて説明した
が、第1絶縁層や第2絶縁層を持たないDC駆動型のパ
ネルにおいても本発明が適用できることはいうまでもな
い。
が、第1絶縁層や第2絶縁層を持たないDC駆動型のパ
ネルにおいても本発明が適用できることはいうまでもな
い。
本発明は発光層内にNaイオンなどの不純物イオンを捕
獲する固定層を設け、エージングすることにより前記固
定層に不純物イオンを固定するようにしたので、発光特
性に変動のない高品質のELパネルを得ることができる
。
獲する固定層を設け、エージングすることにより前記固
定層に不純物イオンを固定するようにしたので、発光特
性に変動のない高品質のELパネルを得ることができる
。
第1図は本発明のELパネルの断面構造を示す図、
第2図は従来のELパネルの断面構造を示す図である。
図において、
11はガラス基板、
12は透明電極、
13は第1絶縁層、
14は第1発光層、
15は不純物イオン固定層、
16は第2発光層、
17は第2絶縁層、
18は背面電極、
19はパネル駆動用電源をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 発光層の両側に駆動用電極(12,18)を配設して
なるエレクトロルミネツセンスパネルにおいて、前記発
光層は2層以上からなり、該発光層(14,16)間に
不純物イオン固定層(15)を設けたことを特徴とする
エレクトロルミネツセンスパネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61274817A JPS63128593A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | エレクトロルミネツセンスパネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61274817A JPS63128593A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | エレクトロルミネツセンスパネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63128593A true JPS63128593A (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=17546978
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61274817A Pending JPS63128593A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | エレクトロルミネツセンスパネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63128593A (ja) |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61274817A patent/JPS63128593A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS61284092A (ja) | 薄膜el表示素子 | |
JPS63128593A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
JPS5827506B2 (ja) | 黒化電極構造 | |
JPS63128592A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
JPS63128596A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
JPS62222597A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
JPS59157996A (ja) | El発光素子 | |
JPS631439Y2 (ja) | ||
JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
JPS59154793A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPS5991697A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPS5835360B2 (ja) | 薄膜elパネル | |
JPH03283385A (ja) | 薄膜エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JPS6124192A (ja) | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 | |
JPS6159388A (ja) | 表示装置 | |
JPH01109695A (ja) | 自己発光型表示装置 | |
JPS59175593A (ja) | エレクトロルミネセンス表示装置 | |
JPS6089098A (ja) | 薄膜el素子の電極構造 | |
JPS5820468B2 (ja) | 黒化電極構造 | |
JPS61267297A (ja) | 両面発光体 | |
JPS58137882A (ja) | El表示装置 | |
JPH01146290A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH0272594A (ja) | 薄膜elパネル | |
JPS63143794A (ja) | エレクトロルミネツセンスパネル | |
JPS63224192A (ja) | 薄膜elパネル |