JPS63127450A - 光磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、テルビウムと鉄とコバルトを主成分とし、膜
面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金Ｆｌ膜
から成る磁性膜を僅えた光磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

近年、磁気記録媒体と同様に、情報を繰り返し消去再書
込み可能な記録媒体として、膜面と垂直な方向に磁化容
易方向を有し、所望のパターンで反転磁区を作ることに
より情報の記録を行い、磁気カー効果などの磁気光学効
果を利用して情報の読み出しを行う光磁気配＠媒体が実
用化されようとしている。かかる光磁気記録媒体として
は、従来より種々のものが提案されているが、任意の基
体上に作製可能であるところから、例えばＴｂＣ０１Ｔ
　ｂ　Ｆ　ｅ　、　Ｇ　ｄ　Ｃｏ　、　Ｔ　ｂ　Ｄ　ｙ
　Ｆ　ｅ　、　Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　ｅ　、　Ｔ　ｂ　
Ｆ　ｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＧｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、　
ＴｂＤｙＦｅｃ。

など、非晶質金属薄膜が有望視されている。

ところで、光磁気記録媒体には、記録特性と再生特性の
両方が優れていることのほか、情報の保存安定性を保証
するために耐食性に優れていることが要求される。記録
特性を向上するためにはキュリ一点が低く保磁力の大き
い材料を用いる必要があり、また、再生特性を向上する
ためにはカー回転角の大きな材料を用いることが必要で
ある。

さらに、耐食性を向上するためには化学的安定性に優れ
た材料を用いる必要がある。

しかしながら、光磁気配０媒体は、同じ元素の組合せで
あっても各成分の組成（含有率）によってそれぞれ特有
の特性を発揮するので、記録と再生と耐食性という相反
する条件を全て満足する光磁気記録媒体を単一層にて作
製することはできない、このため、特定の組成の単−暦
から成る光磁気記録媒体では、記録特性と再生特性と耐
食性とをそれぞれある程度犠牲にし、許容できる範囲内
で全ての特性を一応満足するという平均的、中性的な特
性を有する光磁気記録媒体しか得ることができない。

一方１例えばＴｂＦｅ／ＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ／ＧｄＦｅ
Ｃｏなどのように、再生感度が良好な元素の組合せから
成る光磁気記録媒体と、記録感度が良好な他の元素の組
合せから成る光磁気配＠媒体を多層に１１１層し、記録
特性及び再生特性双方の向上を図った光磁気記録媒体も
提案されている（ＮＩＫＫＥＩＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ５
Ｌ９８５．３．２５　１７６頁）。しかしながら、かか
る多層構造の光磁気記録媒体は、各膜の構成元素及び組
成が全く異なるため、各膜の界面においてレーザ光が散
乱し易く、また、保磁力や最小ドメイン径等の磁気的性
質の相違が大きいため記録ビットに適した垂直磁区がで
きにくく、記録、再生特性が低下するという問題がある
。さらに、成膜時に熱ｔｅｒＡｓ＄の差によって各膜の
間に応力差が生じるため媒体の表面が荒れ易く、この点
からもレーザ光が敗乱し易くなって記録、再生特性が低
下するという問題がある。

上記した従来の光磁気記録媒体の欠点を解消するため、
構成元素が同一な単一膜内で情報読み出し側の面では読
み出し特性の優、ｔｔた組成になり、他の側の面では記
録特性の偏れた組成になるように膜厚方向に組成勾配を
もたせたものが提案されている（特開昭５８−７３０３
０）。

この光磁気記録媒体は、構成元素が同一な膜内において
記録特性に優れた組成の領域と読み出し特性に優れた領
域とを分離し、それぞ九の特性を必要に応じて適宜調整
できろようにしたので、レーザ光の散乱や熱応力差に起
因する媒体表面の荒れといった欠点もなく、記録特性及
び再生特性のいずれにも優れた光磁気記録媒体とするこ
とができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

然るに、組成勾配をもたせた上記の光磁気記録媒体は、
もう１つの重要なファクタである耐食性については何ら
考慮されておらず、このままでは到底実用に供すること
ができない。

本願発明者は、研究の結果、テルビウムと鉄とコバルト
を主成分とする三元合金系の光磁気記録媒体は５多酸分
の組成を変えることによって、記録特性に優れた光磁気
記録媒体、再生特性に優れた光磁気記録媒体、耐食性に
優れた光磁気記録媒体をそれぞ九作製可能であるという
知見を得た。

また、これに併せて、第８図に示すように、テルビウム
１５〜３０原Ｉ−％、鉄５０〜７３原子％。

コバルト１２〜２２原子％の組成（第８図のＡ領域）に
すると再生感度が良好な光磁気記録媒体が得られること
、また、テルビウム２０〜３２原子％、コバルト１０原
子％以下（残部は鉄）の組成（第８図のＢ領域）にする
と記録特性が良好な光磁気２録媒体が得ら、ｂること、
さらには、テルビウム３０原子％以下、コバルト１５原
子％以上（残部は鉄）の組成（第８図のＣ領域）にする
と耐食性に優れた光磁気記録媒体が得られるという事″
Ａを知得した。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであって
、テルビウムと鉄とコバルトを主成分とし、膜面に垂直
な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から成る磁
性膜を備えた光磁気記録媒体において、上記磁性膜の膜
厚方向に、情報読み出し側より、再生感度及び耐食性に
優れた組成の領域、記録感度にｙＩＩ″Ｌだ組成の領域
、耐食性に優れた組成の領域を順次形成したことを特徴
とするものである。

また、真空槽内にテルビウム製ターゲシ［・、鉄製ター
ゲット、及び少なくともコバルｌ−を含む合金製ターゲ
ラ１−を内装し、これら各ターゲットに接続された高周
波電源からの投入電力を適宜調整しながら、基板側より
、再生感度及び耐食性に優れた組成の磁性膜、記録感度
に優れた組成の磁性膜、及び耐食性に優れた組成の磁性
膜を順次形成するようにしたことを製造上の特徴とする
ものである。

（作用〕 テルビウムと鉄とコバルトを主成分とする合金の組成（
含有率）を適宜調整すると、記録特性に優れた光磁気記
録媒体、再生特性に優れた光磁気記録媒体、耐食性に優
れた光磁気配０媒体をそれぞれ作製することができる。

従って、単一の磁性膜内に上記各特性を発揮する組成の
領域を所望の配列で形成することによって、記録特性及
び再生特性、それに耐食性の全てに優れた光磁気配＠媒
体を作製することができる。また、このようにして作製
さ九た磁性膜は、膜厚方向に合金の組成が変化するだけ
で同一元素の粗合せからなるので、種類の異なる元素の
組合せからなる多層構造の光磁気記録媒体と異なり、各
領域の界面においてレーザ光が散乱したり垂直磁区が乱
れるということが少なく、記録、再生特性に優れろ。

また、１つの真空槽内にテルビウム製ターゲット、鉄製
ターゲット、及び少なくともコバルトを含む合金製ター
ゲットを同時に内装し、これら各ターゲットに接続され
た高周波電源からの投入電力及び投入時間を適宜調整す
ることによって所望の組成の各領域を成膜するようにし
たので、組成を変更する毎にターゲットを変更したりあ
るいは真空槽内を移動したりする必要がなく、磁性膜を
高効率で成膜することができる。

〔実施例〕

第１図は本発明にかかる光磁気記録媒体の１１！［成を
模式的に示す断面図であって、１は基板、２はエンハン
ス膜、３は磁性膜、４は保Ｗ１膜、５は転写層を示して
いる２ 基板１は、例えばガラス、ポリメチルメタクリレート（
ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、エポキシなど
の透明物質をもって構成されており、その片面にプリグ
ループやプリピット等の信号パターン（図示せず）が転
写された転写層５が形成さ九ている、 エンハンスｇＩ２は、見掛は上のカー回転角を大きくす
るためのものであって１例えばＳｉ３Ｎ４などの誘電体
をもって上記基板１の転写層５上に約８００人〜９００
人の厚さに形成される。

磁性膜３は、例えばＴ　ｅ　Ｆ　ｅ　Ｃｏあるいはこれ
にニオブ、白金、クロム、それにチタン等を少量添加し
たものなど、テルビウムと鉄とコバルトを主成分とし、
膜面に垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜
から成り、上記エンハンスｆｉ２−ヒに形成さｈる。こ
の磁性膜３は、情報読み出し側（例えば、ｊ＆４′Ｐｉ
１側）より、再生感度及び耐食性に優れた組成の領域３
ａと、記録感度に優れた組成の領域３ｂと、耐食性に優
れた組成の領域３Ｃとかノう成る。

上記３つの領域のうち再生感度及び耐食性に優Ｊした組
成の領域３ｄは、テルビウム１５〜３０原子％、鉄５０
〜７３に＜子％、コバ用１−１２〜２２原子％の組成（
第８図のへ領域及びＣ領域参照）に調整される。また、
記録感度に優れた組成の領ｊ或３ｂは、テルビウム２０
〜３２原子％、コバルト１０原子％以下（残部は鉄）の
組成（第８図のＢ領域参照）に調整される。さらに、耐
食性に優れた組成の領域３Ｃは、テルビウム３０原子％
以下、コバルト１５原子％以上（残部は鉄）の組成（第
８図のＣ領域参照）に調整される。

これら３つの領域３ａ、３ｂ、３ｃは、第２図に示すよ
うに、基板１側から保５ｇ３４側まで主成分であるテル
ビウムと鉄とコバルトの組成（含有率）が連続的に変化
するように組成勾配をもたせても良いし、また、第３図
に示すように、各領域毎に主成分であるテルビウムと鉄
とコバルトの組成を均一にｉ’４ｍｌ、、各領域の界面
でこれらの組成が段階的に変るようにしても良い。

上記３つの領域３ａ、３ｂ、３ｃの厚さは、再生用レー
ザ光の到達深度及び記録用レーザ光照射時の膜厚方向の
温度分布を考慮して形成されろ。

即ち、コストや重量それに設置体積等の観点から再生用
レーザとし′Ｃは出力が１〜２　ｍＷ程度のものが実用
的であると考えられるが、このレーザをＴ　ｂ　Ｆ　ｅ
　Ｃｏ磁性膜に照射した場合の到達深度は約２００〜４
００スであるので、再生感度及び耐食性に優れた組成の
領域３ａは約２００〜４００人の厚さに形成される。ま
た、同じく実用上の問題から記録用レーザとしては出力
が６〜１０　ｍ　Ｗ程度のものが実用的であると考えら
れるが、このレーザを照射した場合、ＴｂＦｅＣｏ磁性
膜がキュリ一温度（約１６０〜２２０°Ｃ）以上となる
厚さ方向の範囲は基板表面から約７００人であるので。

記録感度に優れた組成の領域３ｂは５００〜７００人の
Ｊグさに形成される。尚、耐食性に優れた組成の領域３
Ｃのｊブさは、耐食性の観点からは厚いほど好ましいが
、あまり厚くすると熱伝導率が低下する等の不几合を生
じろため、３００〜７００人内度とすることが好ましい
。

保護１１’２４は１例えば５ｉＯｚなど、空気中の水分
などを透過しない材料をもって上記磁性膜３上に形成さ
れる。

」上記のように構成された光磁気記録媒体に記録用レー
ぜ光を照射すると、磁性膜３の当該レーザ光照射部分の
温度が上昇し、主として再生感度及び耐食性に優れた組
成の領域３ａ及び記録感度に優れた組成の領域３ｈの保
磁力が低下する。このため、領域３ａ、３ｂのレーザ光
照射部分の磁区が外部磁界の方向に磁化反転し、情報ｆ
ａ号の記録が行われる。この場合、領域３ａは再生感度
及び耐食性を優先した組成になっているためキュリ一温
度が比較的高い（約２５０℃〜３００℃）が。

レーザ照射時の温度が最も高くなる範囲、即ち基板１の
表面から２００〜４００人の範囲に形成されているため
、レーザ照射時の温度がキュリ一温度に到遠し、この領
域にも情報が書き込まれる９こｈらの領域３ａ、３ｂに
記録された情報は。

交換相互作用によって、耐食性に優れた組成の領域３ｃ
に転写され保存されろ。

上記のようにして情ｆＦ１が記録された光磁気記録媒体
から情報を読み出す場合は、再生用Ｌ／−ザ光を照射し
、磁性膜３からの反射光のカー回転角を検知することに
よって行う。

以下、上記光磁気記録媒体の製造装置及び震造方法の一
例について！（ト明する。

第９図は、上記基板１上にエンハンスｇＸ２）磁性膜３
．保護膜・１を成膜する真空成膜装にの一例を示す断面
図であって、３つの作業用真空ｊ’！　１１　。

１２．１３と５搬入口１４ａを有するＵｐ入用真空槽１
４と、搬出口１５ａを有する搬出用真空槽１５と、上記
作業用真空槽１１と搬入用真空槽１４の間に設けられた
バルブ１６と、上記作業用真空槽１３と搬出用真空（Ω
１５の間に設けら九たバルブ１７ど、上記作業用真空槽
１１及び１２との間に設けられたバルブ１８と、上記作
業用真空槽１２及び１３との間に設けられたバルブ１９
とをｔ３えている。

上記作業用真空４’ｌＬｌ内には、上記エンハンス膜２
のもどにｆ、ＨろＳｉ３Ｎ４製ターゲット２０と対向ｆ
！！極２１とが内装されている。また、上記作業用真空
４ｆ？＋　２内には、上記磁性膜３のもとになうこ；つ
のターゲラ１−１即ちテルビウム爬ターゲット２２ａと
鉄製ターゲラｌ”　２２　ｂと少なくともコバルトを含
む合金爬ターゲツｌ”　２２　Ｃと対向電極２３とが内
装さ九ている。さらに、上記作業用真空槽１３内には、
上記保護膜４のもとになる５ｉＯｒ層ターゲット２４と
対向ｆｉｔ極２５とが内装されている。上記各ターゲッ
ト２０＊２２ａ＋２２ｂ　１２２　ＣＨ２４には高周波
電源２６が接続され。

また、上記対向電極２１，２３．２５には必要に応じて
バイアス電１１Ｊ２７が接続されている。

上記真空成膜装置を用いて各膜の成膜を行うに先立ち、
まず、基板１の片面に信号パターンの転写ＦｔＪ５を形
成する。この転写層５の形成手段としては、基板材料に
応じて任意の手段を採ることが可能であるが、例えば、
基板１がガラス製である場合には所謂２Ｐ法（感光性樹
脂プロセス）が適する。また、基板１がＰＭＭＡやＰＣ
等の熱可塑性樹脂である場合には、射出成形法が適する
。さらに、基板１がエポキシ等の熱硬化性樹脂である場
合には、注型法や２Ｐ法が適する。

次いで、上記真空成膜装置の搬入口１４ａを開いて、上
記のようにして転写層５が形成された基板１を搬入用真
空槽１４内に所要枚数搬入する。

次いで、上記搬入口１４ａを閉じて上記搬入用真空槽１
４を真空引きする。この搬入用真空槽１４内が所定の真
空度に達したら、バルブ１６を開いて搬入用真空槽１４
内の基板１を第１の作業用真空槽ｌｌ内に搬入し、対向
型１！ｉ２１に取り付けて回転する。この状態で当該作
業用真空槽１１内が所定の真空度に達したら、スパッタ
ガスを導入し、ターゲット２０に所定の電力を投入して
所定時間スパッタリングを行い、基板１上に膜厚が８０
０〜９００人のエンハンス膜２を成膜する。

このときのスパッタ条件は１作業用真空槽１１内の真空
度を２　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ、スパッタガスをアルゴ
ンガス、スパッタガス圧を約７　、５　ｍ　Ｔｏｒｒ、
投入電力密度を８　Ｗ／ｃ＋Ｊ、スパッタ時間を基板１
枚当り３分とする。

次いで１作業用真空槽１１内を再度排気したのち、バル
ブ１８を開いてエンハンス膜２が成膜された基板１を作
業用真空槽１２内に搬送し、対向Ｔ！！極２３に取り付
けて回転する。この状態で当該作業用真空槽１２内が所
定の真空度に達したら、スパッタガスを導入し、ターゲ
ット２２ａ、２２ｂ、２２ｃに投入する電力を時間とと
もに調整しながら所定時間スパッタリングを行い５エン
ハンス膜２上に膜厚が約１０００人の磁性膜３を成膜す
る。

このときのスパッタ条件は１作業用真空槽１２内の真空
度をＩ　Ｘ　１０−６Ｔｏｒｒ、スパッタガスをアルゴ
ンガス、スパッタガス圧を約７　、５　ｍ　Ｔｏｒｒと
し、投入電力密度及びスパッタ時間を第１表のように調
整する。尚、第１表中の時間（スパッタ時間）は基板１
枚当りの時間を示し、真空槽中に基板を複数枚収納した
場合には、これに比例してスパッタ時間も長くなる。ま
た、第１表の第３実施例は、上記コバルト製ターゲット
２２ｃにクローム、白金、チタン等の第４元素を添加し
た場合について示している。

次いで１作業用真空槽１２内を再度排気したのち、バル
ブ１９を開いて磁性膜３が成膜された基板１を作業用真
空槽１３内に搬送し、対向１１１極２５に取り付けて回
転する。この状態で当該作業用真空槽１３内が所定の真
空度に達したら、スパッタガスを導入し、ターゲット２
４に所定の電力を投入して所定時間スパッタリングを行
い、磁性［１３上に膜厚が１５００人の保護膜４を成膜
する。

このときのスパッタ条件は１作業用真空槽１３内の真空
度を２　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ、スパッタガスをアル
ゴンガス、スパッタガス圧を約７　、５　ｍ　Ｔｏｒｒ
。

投入電力密度を８　Ｗ／ｃｒ１．スパッタ時間を基板１
枚当り５分とする。

これによって、転写層５上にエンハンス［２と磁性＠３
と保護膜４が積層された光磁気記録媒体が作製される。

最後に、搬入用真空槽１４内の基板１が全て搬出用真空
槽１５内に搬送されたのち、バルブ１７を閉じ、搬出口
１５ａを開いて、ｍ品である光磁気配＠媒体を搬出する
。

以下、具体的な実施例を三個掲げ、本発明の効果に言及
する。

第２表及び第９．！ｉｆｆ乃至第６図に三実施例の組成
及び厚さを示す、但し、製造条件は上記第１表に示した
通りであり１表中の数値は原子％を示す。

上記第１実施例乃至第３実施例の磁性膜について、実効
カー回転角とキュリ一温度を測定したところ、第３表の
結果を得た。尚、比較例として、ＴｂｚａＦｅ７・Ｃｏ
　５を掲げ、上記実施例の効果を明らかにする。

第３表 第３表から明らかなように、上記第１実施例乃至第３実
施例の磁性膜は、キューリ一温度が５％乃至１０％低下
すると共に、カー回転角が１４％乃至２９％も向上して
おり、記録感度及び再生感度の双方を向上するに効果が
あることが判る。特に、クロムまたは白金またはチタン
を少量添加した第３実施例の磁性膜は、記録感度及び再
生感度の向上に顕著な効果があることが判る。

第７図に上記第１実施例乃至第３実施例の磁性ｌｌＩを
２規定の塩化ナトリウム水溶液に浸したときの光透過率
の経時変化を示し、ＴｂｚｓＦｅ’７゜Ｃ０５単一層の
磁性膜と比較する。この図に示すように。

第１実施例、第２実施例、第３実施例の磁性膜はいずれ
も比較例に比べて光透過率の経時変化が小さく、耐食性
に優れていることが判る。特に、クロムまたは白金また
はチタンを少量添加した第３実施例の磁性膜は、耐食性
の改善にｇ著な効果があることが判る。

さらに、第４表に、上記第１実施例乃至第３実施例の磁
性膜を有する第１図の膜構造の光磁気記録媒体を作製し
て計測したＣ７Ｎ比を示し、ＴｂオＦ　ｅ　７ｇｒ　Ｃ
ｏ　ｓ単一層から成る磁性膜を有する光磁気：８＠媒体
と比較する。但し、表中の数値の単位はデシベル（ｄ　
Ｂ）である 第４表 第４表から明らかなように、上記第１実施例乃至第３実
施例の磁性膜を備えた光磁気記録媒体は、いずれも比較
例に比べてＣ／Ｎ比が改谷される。

特に、書込みパワーを５ｍＷに調整した場合に著効が認
められる。

尚、上記実施例においては光磁気記録ディスクを例に採
って説明したが１本発明の要旨はこＪＬに限定されるも
のではなく１例えば光カードなど、他の任意の光磁気記
録々−町体にも応用することができることは勿論である
。

また、上記実施例において示した数値は実施の一例を示
すものであって１本発明の製造方法がこれに限定される
ものではない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の光は低記録媒体は、テル
ビウムと鉄どコバルトを主成分とする単一の磁性膜中に
、再生特性及び耐食性に優れた組成の領１或と、記録特
性に偏れた組成の領域と、ｉＪ理性に破れた組成の領域
を作製したので、光磁気記録媒体の磁性膜に要求される
特性を全て独立に調整することができ、記録感度、再生
感度及び耐食性に優れた光磁気記録媒体を提供すること
ができる。

また１本発明の光磁気配０媒体の製造方法は。

１つの真空槽中に所要数のターゲットを内装し。

各ターゲットに投入される電力を時間の経過とともに適
宜ｒｌ！４！！ｉ！することによって膜厚方向に組成勾
配を有する磁性膜を成膜するようにしたので、成膜効率
が高く、光磁気記録媒体の生産性に優れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光磁気記録媒体を模式的に示す断
面図、第２図は磁性膜のｌ膜構成の一例を示すグラフ、
第３図は磁性膜の膜構成の他の例を示すグラフ、第４図
は本発明の第１実施例に係る磁性膜の組成勾配を示すグ
ラフ、第５図は本発明の第２実施例に係る磁性膜の組成
勾配を示すグラフ、第６図は本発明の第３実施例に係る
磁性膜の組成勾配を示すグラフ、第７図は耐食性の経時
変化を示すグラフ、第８図はＴ　ｅ　Ｆ　ｅ　Ｃｏ三元
合金系の組成と特性の関係を示す三角グラフ、第９図は
本発明の光磁気配＠媒体の製造に適用される真空成膜装
置の一例を示す断面図である。 ■＝基板、２：エンハンス膜、３：磁性膜、４：保護暎
、５：ｆｒｔ号パターン、１１，１２．１３：作業用真
空槽、２０　＋　　２２　Ｆａ　１　２２　ｈ　１２２
　Ｃ１２・１：！Ｊ−ゲット　２１．２３．２５：対向
ｆ！極第１図 １・実温 ２：エソハソ７月焚 ３・胎洋履 ４：ｆ呆１萱梗 ５・軒写、１ 第２図 第３図 厚叛劉う゛弁膜享 第４図 第５図 ；引ｊ２；トフ３とイ石ｊ１υ゛５ｄ〕月更ノ！−第６
図 第７図 時開　（ｍｉｎ）

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）テルビウムと鉄とコバルトを主成分とし、膜面に
   垂直な方向に磁化容易軸を有する非晶質合金薄膜から成
   る磁性膜を備えた光磁気記録媒体において、上記磁性膜
   の膜厚方向に、情報読み出し側より、再生感度及び耐食
   性に優れた組成の領域、記録感度に優れた組成の領域、
   耐食性に優れた組成の領域を順次形成したことを特徴と
   する光磁気記録媒体。
2. （２）特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体にお
   いて、再生感度及び耐食性に優れた組成の領域、記録感
   度に優れた組成の領域、耐食性に優れた組成の領域にお
   けるテルビウム及びコバルトの濃度を順次変化せしめた
   ことを特徴とする光磁気記録媒体。
3. （３）特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体にお
   いて、再生感度及び耐食性に優れた組成の領域、記録感
   度に優れた組成の領域、耐食性に優れた組成の領域にお
   けるテルビウム及びコバルトの濃度を段階的に変化せし
   めたことを特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の光磁気記
   録媒体において、再生感度及び耐食性に優れた組成の領
   域におけるコバルトの濃度を１２〜２２原子％、記録感
   度に優れた組成の領域におけるコバルトの濃度を１０原
   子％以下、耐食性に優れた組成の領域におけるコバルト
   の濃度を１５原子％以上に調整したことを特徴とする光
   磁気記録媒体。
5. （５）特許請求の範囲第１項乃至第４項記載の光磁気記
   録媒体において、再生感度及び耐食性に優れた組成の膜
   厚を２００〜４００Å、記録感度に優れた組成の膜厚を
   ５００〜７００Å、耐食性に優れた組成の膜厚を３００
   〜７００Åに形成したことを特徴とする光磁気記録媒体
   。
6. （６）真空槽内にテルビウム製ターゲット、鉄製ターゲ
   ット、及び少なくともコバルトを含む合金製ターゲット
   を内装し、これら各ターゲットに接続された高周波電源
   からの投入電力及び投入時間を適宜調整しながら、基板
   側より、再生感度及び耐食性に優れた組成の磁性膜、記
   録感度に優れた組成の磁性膜、及び耐食性に優れた組成
   の磁性膜を順次形成するようにしたことを特徴とする光
   磁気記録媒体の製造方法。