JPS63127443A - 2レ−ザ光ヘツド - Google Patents
2レ−ザ光ヘツドInfo
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- JPS63127443A JPS63127443A JP61273295A JP27329586A JPS63127443A JP S63127443 A JPS63127443 A JP S63127443A JP 61273295 A JP61273295 A JP 61273295A JP 27329586 A JP27329586 A JP 27329586A JP S63127443 A JPS63127443 A JP S63127443A
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 235000006481 Colocasia esculenta Nutrition 0.000 description 1
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- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光デイスク装置におけ、る光ヘッドに関し、特
に2個の光源からの光ビームを合成して情報媒体に照射
し、その反射光を分離して取り出す2レーザ光ヘツドに
関する。
に2個の光源からの光ビームを合成して情報媒体に照射
し、その反射光を分離して取り出す2レーザ光ヘツドに
関する。
従来の技術 ゛
近年光源として半導体レーザを用い、前記半導体レーザ
光をφ1μm以下の微小スポット光に絞9、感光材料を
蒸着したディスク状の情報媒体に照射し、ビデオ信号や
デジタル信号を同心円状あるいはスパ′イラル状に記録
再生する光デイスク装置が提案されている。
光をφ1μm以下の微小スポット光に絞9、感光材料を
蒸着したディスク状の情報媒体に照射し、ビデオ信号や
デジタル信号を同心円状あるいはスパ′イラル状に記録
再生する光デイスク装置が提案されている。
この装置の応用例として、ふたつのレーザ光源を持ち、
両レーザビームを同時に絞り、ディスク上に互いを近接
させて照射する装置が考えられる。
両レーザビームを同時に絞り、ディスク上に互いを近接
させて照射する装置が考えられる。
かかる装置の例として、一方の光をトラック方向に長い
長円形に絞り、この絞られた微小スポット光で情報を消
去し、他方の光はディスク上で略円形に絞シ、この略円
形の微小スポット光で情報の記録再生を行なうようにし
た装置や、あるいは一方の光で熱的バイアスを与え、他
方の光で記録再生を行なう装置や、あるいは再光ビーム
がディスフ上で略円形に絞り、一方の光で記録し、同時
に他方の光で前記記録された信号を読み出して記録信号
を瞬時に再生し、正しい記録が行なわれたかどうかをチ
ェックできる装置等が考えられる。
長円形に絞り、この絞られた微小スポット光で情報を消
去し、他方の光はディスク上で略円形に絞シ、この略円
形の微小スポット光で情報の記録再生を行なうようにし
た装置や、あるいは一方の光で熱的バイアスを与え、他
方の光で記録再生を行なう装置や、あるいは再光ビーム
がディスフ上で略円形に絞り、一方の光で記録し、同時
に他方の光で前記記録された信号を読み出して記録信号
を瞬時に再生し、正しい記録が行なわれたかどうかをチ
ェックできる装置等が考えられる。
従来の2レーザ光ヘツドは添付図面第5図に示すような
構成になっていた。まず波長λ1の光ビームに関する光
学系について説明する。1は波長λ1のレーザ光を発す
る第1の半導体レーザで、光ビーム2を出力する。光ビ
ーム2は集光レンズ3で平行光になり、プリズム4でビ
ーム整形される。このとき拡大面5には、偏光ビームス
プリッタ6が形成されており、P偏光で入射する光ビー
ム2はここを透過する。次にプリズム7に入射し、反射
面8で全反射した後、波長選択フィルタ9に入射する。
構成になっていた。まず波長λ1の光ビームに関する光
学系について説明する。1は波長λ1のレーザ光を発す
る第1の半導体レーザで、光ビーム2を出力する。光ビ
ーム2は集光レンズ3で平行光になり、プリズム4でビ
ーム整形される。このとき拡大面5には、偏光ビームス
プリッタ6が形成されており、P偏光で入射する光ビー
ム2はここを透過する。次にプリズム7に入射し、反射
面8で全反射した後、波長選択フィルタ9に入射する。
波長選択フィルタ9は第6図に示すように波長λ1のP
偏光、S偏光いずれについても透過する特性を有するた
め、光ビーム2はこれ全透過し、三角プリズム10,1
74波長板11゜対物レンズ12を経てディスク13上
に第1の光スポット14を形成する。一方、ディスク1
3から反射した反射光15は、対物レンズ12.1/4
波長板11.三角プリズム10.波長選択フィルタ9.
全反射面8を経て、S偏光となり第1の偏光ビームスプ
リッタ6に入射し、反射する。前記反射光16はプリズ
ム16に入射後、プリズム面17で全反射し、プリズム
面18に設けたビームスプリッタ19に入射する。ここ
で反射光16はピームスプ1ルンタ19で反射しフォー
カス検出用光学系に向う検出光15aを、前記ビームス
プリッタ19を透過しトラッキング検出用光学系に向う
検出光16bに振幅分割され、検出光15aは検出レン
ズ20.三角プリズム21を経て、公知の方法でフォー
カス信号を得るための光検出器22に至る。一方、検出
光16bは三角プリズム23を経て、公知の方法でトラ
・ソキング信号を得るための光検出器24に至る。これ
らの信号は、第1の光スポット14がディスク13のト
ラ・ンクに追従するための制御に用いられる。
偏光、S偏光いずれについても透過する特性を有するた
め、光ビーム2はこれ全透過し、三角プリズム10,1
74波長板11゜対物レンズ12を経てディスク13上
に第1の光スポット14を形成する。一方、ディスク1
3から反射した反射光15は、対物レンズ12.1/4
波長板11.三角プリズム10.波長選択フィルタ9.
全反射面8を経て、S偏光となり第1の偏光ビームスプ
リッタ6に入射し、反射する。前記反射光16はプリズ
ム16に入射後、プリズム面17で全反射し、プリズム
面18に設けたビームスプリッタ19に入射する。ここ
で反射光16はピームスプ1ルンタ19で反射しフォー
カス検出用光学系に向う検出光15aを、前記ビームス
プリッタ19を透過しトラッキング検出用光学系に向う
検出光16bに振幅分割され、検出光15aは検出レン
ズ20.三角プリズム21を経て、公知の方法でフォー
カス信号を得るための光検出器22に至る。一方、検出
光16bは三角プリズム23を経て、公知の方法でトラ
・ソキング信号を得るための光検出器24に至る。これ
らの信号は、第1の光スポット14がディスク13のト
ラ・ンクに追従するための制御に用いられる。
次に波長λ2の光学系の構成について説明する0第2の
半導体レーザから出射した波長λ2の光ビーム27は集
光レンズ28にて集光され、平行光となり、プリズム3
1の拡大面32に入射する。
半導体レーザから出射した波長λ2の光ビーム27は集
光レンズ28にて集光され、平行光となり、プリズム3
1の拡大面32に入射する。
拡大面32には、第2の偏光ビームスプリッタ33が形
成されており、P偏光で入射する光ビーム27はこの偏
光ビームスプリッタ33を透過すると同時にビーム整形
される。整形された光ビーム27は全反射面34で反射
し、プリズム31を出射後、前記波長選択フィルタ9に
入射する。波長選択フィルタ9は、波長λ2のP偏光、
S偏光いずれについても反射する特性を有しており、光
ビーム27は反射され、三角プリズム10.1/4波長
板11.対物レンズ12を経て、第2の光スポット36
を形成する。一方ディスク13で反射した反射光37は
、対物レンズ12.1/4波長板11.三角プリズム1
0.波長選択フィルタ9゜全反射面34を経て、S偏光
となって第2の偏光ビームスプリフタに入射し、反射す
る。その後、前記反射光37は三角プリズム38を経て
光検出器39に至シ、公知の方法によって前記第2の光
スポット36のトラックずれを検出する。トラックずれ
が検出されると、動作を停止する等の処置がとられる。
成されており、P偏光で入射する光ビーム27はこの偏
光ビームスプリッタ33を透過すると同時にビーム整形
される。整形された光ビーム27は全反射面34で反射
し、プリズム31を出射後、前記波長選択フィルタ9に
入射する。波長選択フィルタ9は、波長λ2のP偏光、
S偏光いずれについても反射する特性を有しており、光
ビーム27は反射され、三角プリズム10.1/4波長
板11.対物レンズ12を経て、第2の光スポット36
を形成する。一方ディスク13で反射した反射光37は
、対物レンズ12.1/4波長板11.三角プリズム1
0.波長選択フィルタ9゜全反射面34を経て、S偏光
となって第2の偏光ビームスプリフタに入射し、反射す
る。その後、前記反射光37は三角プリズム38を経て
光検出器39に至シ、公知の方法によって前記第2の光
スポット36のトラックずれを検出する。トラックずれ
が検出されると、動作を停止する等の処置がとられる。
発明が解決しようとする問題点
上記のような構成において、以下にその問題点を説明す
る。第6図に示すように、波長選択フィルタ9は、透過
率が最大に倒達する付近ではリップルを持っている。一
般に波長選択フィルタの立上り特性を急峻にすれば、リ
ップルは大きくなり、2レーザ光ヘツドに使用されてい
る波長選択フィルタでは、実用上6〜1oチ程度発生す
る。一方、半導体レーザは温度及び発光パワーによって
波長が若干変化する。−例として屈折率導波型半導体レ
ーザでは、温度10℃に対して約2nm、発光パワー1
0mWに対して約2 nm変化する。また誘電体多層膜
から成る波長選択フィルタ9も温度。
る。第6図に示すように、波長選択フィルタ9は、透過
率が最大に倒達する付近ではリップルを持っている。一
般に波長選択フィルタの立上り特性を急峻にすれば、リ
ップルは大きくなり、2レーザ光ヘツドに使用されてい
る波長選択フィルタでは、実用上6〜1oチ程度発生す
る。一方、半導体レーザは温度及び発光パワーによって
波長が若干変化する。−例として屈折率導波型半導体レ
ーザでは、温度10℃に対して約2nm、発光パワー1
0mWに対して約2 nm変化する。また誘電体多層膜
から成る波長選択フィルタ9も温度。
湿度特性をもっておシ、分光特性が温、湿度でシフトす
る。2レーザ光ヘツドの使用条件下でこれらの変化を合
計すると15 nm程度になり、上記リンプルによって
波長λ1の光ビーム2の透過率が変化するため、ディス
ク13上に照射する第1の光スポット14の光量が変化
する。このため、例えば波長λ1の光ビーム2を記録、
再生用に使用した場合は記録再生特性が劣化し、消去に
用いた場合は消去率が変化するという問題があった。
る。2レーザ光ヘツドの使用条件下でこれらの変化を合
計すると15 nm程度になり、上記リンプルによって
波長λ1の光ビーム2の透過率が変化するため、ディス
ク13上に照射する第1の光スポット14の光量が変化
する。このため、例えば波長λ1の光ビーム2を記録、
再生用に使用した場合は記録再生特性が劣化し、消去に
用いた場合は消去率が変化するという問題があった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記のような問題を解決するため、波長λ1の
光ビームを透過し、波長もの光ビームを反射する特性を
持ち、レーザ光源からの波長λ2の光ビームとディスク
より反射した波長λ2の光ビームが一定の入射角を持っ
て入射するよう配された波長選択フィルタと、波長λ1
で偏光分割特性を持ち、前記波長選択フィルタで反射し
たP偏光の波長λ2の光ビームとS偏光で入射する波長
λ1の光ビームを合成して略同一方向に出射する偏光ビ
ームスプリッタと、ディスクより反射した波長λ1の光
ビームを検出する光検出器を備え、ディスク上に照射さ
れる光ビームが波長選択フィルタを透過しないよう構成
したものである。
光ビームを透過し、波長もの光ビームを反射する特性を
持ち、レーザ光源からの波長λ2の光ビームとディスク
より反射した波長λ2の光ビームが一定の入射角を持っ
て入射するよう配された波長選択フィルタと、波長λ1
で偏光分割特性を持ち、前記波長選択フィルタで反射し
たP偏光の波長λ2の光ビームとS偏光で入射する波長
λ1の光ビームを合成して略同一方向に出射する偏光ビ
ームスプリッタと、ディスクより反射した波長λ1の光
ビームを検出する光検出器を備え、ディスク上に照射さ
れる光ビームが波長選択フィルタを透過しないよう構成
したものである。
作 用
上記の構成によれば、半導体レーザからディスクまでの
光路中に光ビームが波長選択フィルタを透過しないため
、リップル(透過率変動)の影響を受けない。従って半
導体レーザの波長が温度。
光路中に光ビームが波長選択フィルタを透過しないため
、リップル(透過率変動)の影響を受けない。従って半
導体レーザの波長が温度。
発光パワーによって変化しても透過率は一定であり、安
定した光量で光スポットを形成することができ、記録、
再生及び消去特性の信頼性が確保される。
定した光量で光スポットを形成することができ、記録、
再生及び消去特性の信頼性が確保される。
実施例
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示した図で、aはディスク
側から見た平面図、bは正面図である。41は第1の光
源となる第1の半導体ル−ザで、λ1の波長をもつ光ビ
ーム42を発光する。光ビーム42は、たとえばディス
ク上で略円形に絞られ、情報信号の記碌、再生およびフ
ォーカス、トラッキング制御等のサーボ信号検出のため
に用いられる。この光ビーム42は集光レンズ43で平
行光になシ、プリズム44の拡大面45に入射する。
側から見た平面図、bは正面図である。41は第1の光
源となる第1の半導体ル−ザで、λ1の波長をもつ光ビ
ーム42を発光する。光ビーム42は、たとえばディス
ク上で略円形に絞られ、情報信号の記碌、再生およびフ
ォーカス、トラッキング制御等のサーボ信号検出のため
に用いられる。この光ビーム42は集光レンズ43で平
行光になシ、プリズム44の拡大面45に入射する。
このとき、楕円型光強度分布を有する光ビーム42は、
楕円短軸方向の一方向のみビーム径が拡大され、略円形
の光ビームとなるよう整形される。
楕円短軸方向の一方向のみビーム径が拡大され、略円形
の光ビームとなるよう整形される。
略円形となった光ビーム42は、1/2波長板46を経
てP偏光からS偏光に変換され、プリズム47.第1の
偏光ビームスプリッタ48に入射する。第1の偏光ビー
ムスプリッタ48は第2図に示すような波長λ1のP偏
光を透過しS偏光を反射する特性を有するため、光ビー
ム42はここを反射し、三角プリズム49,174波長
板50゜対物レンズ51を経てディスク62上に略円形
の第1の光スポット53を形成する。一方、ディスク5
2からの第1の光スポット53の反射光54は、対物レ
ンズ51,1/4波長板50.三角プリズム49を経て
、1/4波長板60の作用によりP偏光となって第1の
偏光ビームスプリッタに入射し、ここを透過する。その
後、反射光54はプリズム55.波長選択フィルタ66
に入射する。
てP偏光からS偏光に変換され、プリズム47.第1の
偏光ビームスプリッタ48に入射する。第1の偏光ビー
ムスプリッタ48は第2図に示すような波長λ1のP偏
光を透過しS偏光を反射する特性を有するため、光ビー
ム42はここを反射し、三角プリズム49,174波長
板50゜対物レンズ51を経てディスク62上に略円形
の第1の光スポット53を形成する。一方、ディスク5
2からの第1の光スポット53の反射光54は、対物レ
ンズ51,1/4波長板50.三角プリズム49を経て
、1/4波長板60の作用によりP偏光となって第1の
偏光ビームスプリッタに入射し、ここを透過する。その
後、反射光54はプリズム55.波長選択フィルタ66
に入射する。
波長選択フィルタ56は第3図に示すような波長λ1の
光のP偏光、S偏光いずれについても透過する特性を有
するため、反射光64はこれを透過しプリズム57に入
射する。反射光64は、プリズム面57aで全反射し、
プリズム面57bに設けたビームスプリッタ58に入射
する。ビームスプリッタ68は波長λ1の光をある一定
の割合で透過する特性を有しており、前記反射光54は
、ビームスプリッタ58で透過しフォーカス検出用光学
系に向う検出光54aと、ビームスプリッタ58で反射
しトラッキング検出用光学系に向う検出光54bに振幅
分割される。このとき検出光64bは前記プリズム面5
7bで光路が偏向されているため、再び前記プリズム面
57aに入射した際、全反射の条件を満たさずこれを透
過し、三角プリズム59を経て、公知の方法でトラッキ
ング信号を御るだめの光検出器6Qに至る。一方、検出
光54aはビームスプリッタ68を透過後、検出レンズ
61.三角プリズム62を経て、公知の方法でフォーカ
ス信号を得るだめの光検出器63に至る。上記2つの検
出器60.63で得られたトラッキング、フォーカシン
グの制御信号は、対物レンズ51を保持し、かつその光
軸方向と、光軸に直交する方向の2方向に変位制御可能
なアクチユニータロ4にフィードバックされ、上記制御
が行われる。
光のP偏光、S偏光いずれについても透過する特性を有
するため、反射光64はこれを透過しプリズム57に入
射する。反射光64は、プリズム面57aで全反射し、
プリズム面57bに設けたビームスプリッタ58に入射
する。ビームスプリッタ68は波長λ1の光をある一定
の割合で透過する特性を有しており、前記反射光54は
、ビームスプリッタ58で透過しフォーカス検出用光学
系に向う検出光54aと、ビームスプリッタ58で反射
しトラッキング検出用光学系に向う検出光54bに振幅
分割される。このとき検出光64bは前記プリズム面5
7bで光路が偏向されているため、再び前記プリズム面
57aに入射した際、全反射の条件を満たさずこれを透
過し、三角プリズム59を経て、公知の方法でトラッキ
ング信号を御るだめの光検出器6Qに至る。一方、検出
光54aはビームスプリッタ68を透過後、検出レンズ
61.三角プリズム62を経て、公知の方法でフォーカ
ス信号を得るだめの光検出器63に至る。上記2つの検
出器60.63で得られたトラッキング、フォーカシン
グの制御信号は、対物レンズ51を保持し、かつその光
軸方向と、光軸に直交する方向の2方向に変位制御可能
なアクチユニータロ4にフィードバックされ、上記制御
が行われる。
次に第2の光源となる第2の半導体レーザ65より出射
して、λ2の波長をも光ビーム66の光路について述べ
る。この光ビーム66は、たとえばディスク52上のト
ラック方向に細長い長円形に絞られ、情報信号の消去等
に用いられる。
して、λ2の波長をも光ビーム66の光路について述べ
る。この光ビーム66は、たとえばディスク52上のト
ラック方向に細長い長円形に絞られ、情報信号の消去等
に用いられる。
まず第2の半導体レーザ66から出射した光ビーム66
は集光レンズ67に集光され、平行光となり、特願昭5
9−105305号公報、あるいは特願昭60−404
07号公報に示されるような消去用光スポット形成作を
有する光学素子68で消去用の光ビームに形成される。
は集光レンズ67に集光され、平行光となり、特願昭5
9−105305号公報、あるいは特願昭60−404
07号公報に示されるような消去用光スポット形成作を
有する光学素子68で消去用の光ビームに形成される。
次に光ビーム66はプリズム69で反射し、第2の偏光
ビームスプリッタ71に入射する。第2の偏光ビームス
プリッタ71は、第4図に示すような波長λ2のP偏光
を透過し、S偏光を反射するよう構成されており、P偏
光で入射する光ビーム66は、この偏光ビームスプリッ
タ71を透過し、プリズム70を経て、プリズム65の
拡大面55aに入射する。このとき光ビーム66は光ビ
ーム42と同様の理由で楕円型光強度分布を有しており
、拡大面55aで屈折して楕円短軸方向の一方向にのみ
ビームが拡大され、略円形の光ビームとなるよう整形さ
れる。整形された光ビーム66は、プリズム55を経て
、前記波長選択フィルタ56に入射する。波長選択フィ
ルタ56は、波長λ2のP偏光、S偏光いずれについて
も反射する特性を有しており、光ビーム66は反射され
、再度プリズム55を通って、第1の偏光ビームスプリ
ッタ48に入射する。第1の偏光ビームスプリッタ48
は第2図に示すように波長λ2の光はP偏光、S偏光と
も透過するため、光ビーム66はここを透過し、プリズ
ム47.三角プリズム49t1/4波長板50.対物レ
ンズ51を経て、前記ディスクS2上に第2の光スポッ
ト72を形成する。この第2の光スポット了2は、第1
の光スポット64を同一トラック上の近接する位置に配
置され、たとえば記録された信号の消去等に用いられる
。ディスク62で反射した第2の光スポット72の反射
光73は、前記対物レンズ51,1/4波長板50、三
角プリズム49.プリズム47を経て、1/4波長板5
oの作用によりS偏光となって第1の偏光ビームスプリ
ッタ48に入射し、ここを透過する。その後、波長選択
フィルタ66で反射して、プリズム56を出射し、プリ
ズム70を経て、第2の偏光ビームスプリッタ71に入
射する。
ビームスプリッタ71に入射する。第2の偏光ビームス
プリッタ71は、第4図に示すような波長λ2のP偏光
を透過し、S偏光を反射するよう構成されており、P偏
光で入射する光ビーム66は、この偏光ビームスプリッ
タ71を透過し、プリズム70を経て、プリズム65の
拡大面55aに入射する。このとき光ビーム66は光ビ
ーム42と同様の理由で楕円型光強度分布を有しており
、拡大面55aで屈折して楕円短軸方向の一方向にのみ
ビームが拡大され、略円形の光ビームとなるよう整形さ
れる。整形された光ビーム66は、プリズム55を経て
、前記波長選択フィルタ56に入射する。波長選択フィ
ルタ56は、波長λ2のP偏光、S偏光いずれについて
も反射する特性を有しており、光ビーム66は反射され
、再度プリズム55を通って、第1の偏光ビームスプリ
ッタ48に入射する。第1の偏光ビームスプリッタ48
は第2図に示すように波長λ2の光はP偏光、S偏光と
も透過するため、光ビーム66はここを透過し、プリズ
ム47.三角プリズム49t1/4波長板50.対物レ
ンズ51を経て、前記ディスクS2上に第2の光スポッ
ト72を形成する。この第2の光スポット了2は、第1
の光スポット64を同一トラック上の近接する位置に配
置され、たとえば記録された信号の消去等に用いられる
。ディスク62で反射した第2の光スポット72の反射
光73は、前記対物レンズ51,1/4波長板50、三
角プリズム49.プリズム47を経て、1/4波長板5
oの作用によりS偏光となって第1の偏光ビームスプリ
ッタ48に入射し、ここを透過する。その後、波長選択
フィルタ66で反射して、プリズム56を出射し、プリ
ズム70を経て、第2の偏光ビームスプリッタ71に入
射する。
S偏光の反射光は、ここで反射して光検出器74に至り
、公知の方法によって第2の光スポット72のトラック
ずれを検出する。トラックずれが検出されると、たとえ
ば記録、再生、消去を停止する等の処置がとられる。
、公知の方法によって第2の光スポット72のトラック
ずれを検出する。トラックずれが検出されると、たとえ
ば記録、再生、消去を停止する等の処置がとられる。
以上のように構謂することにより、波長λ1の光ビーム
42がディスク52上に到達するまでの光路中に波長選
択フィルタが含まれ・ないため、そのリップルの影響を
無くすことができる。つまり第1の半導体レーザ41に
波長変動があっても光伝達率は一定である。なお第1の
偏光ビームスプリッタ48も波長λ1とλ2のS偏光の
分離フィルタになっているた、め第2図に示すような急
峻な立上り特性を持つが、反射で使用するためリップル
の影響はない。
42がディスク52上に到達するまでの光路中に波長選
択フィルタが含まれ・ないため、そのリップルの影響を
無くすことができる。つまり第1の半導体レーザ41に
波長変動があっても光伝達率は一定である。なお第1の
偏光ビームスプリッタ48も波長λ1とλ2のS偏光の
分離フィルタになっているた、め第2図に示すような急
峻な立上り特性を持つが、反射で使用するためリップル
の影響はない。
一方、波長λ2の光ビーム66は、その光路中にある波
長選択フィルタ5eでは反射するため、同様にリップル
の影響は無いが、第1の偏光ビームス7’ IJフッタ
8と第2の偏光ビームスプリッタ71は透過するため、
リップルの影響を考慮する必要がある。まず第1の偏光
ビームスプリッタ48については、第2図に示すように
、波長λ2のP偏光は立上り波長から離れており、リッ
プルはおさまっている領域で、1チ程度である。また第
2の偏光ビームスプリッタ71については、第4図のご
とく波長λ2だけの偏光ビームスプリッタであるだめ、
立上り特性は緩やかでリップル自身が少なく、一般的に
はこの影響は無視できる。
長選択フィルタ5eでは反射するため、同様にリップル
の影響は無いが、第1の偏光ビームス7’ IJフッタ
8と第2の偏光ビームスプリッタ71は透過するため、
リップルの影響を考慮する必要がある。まず第1の偏光
ビームスプリッタ48については、第2図に示すように
、波長λ2のP偏光は立上り波長から離れており、リッ
プルはおさまっている領域で、1チ程度である。また第
2の偏光ビームスプリッタ71については、第4図のご
とく波長λ2だけの偏光ビームスプリッタであるだめ、
立上り特性は緩やかでリップル自身が少なく、一般的に
はこの影響は無視できる。
従って光ビーム66がディスク52上に到達するまでに
は、波長λ1が変動しても高々1チ程度しか透過率は変
化しない。
は、波長λ1が変動しても高々1チ程度しか透過率は変
化しない。
なおディスク52からの反射光54は波長選択フィルタ
56を透過するためリップルの影響を受けるが、検出光
は10%程度変動しても特性上の問題は起こらない。
56を透過するためリップルの影響を受けるが、検出光
は10%程度変動しても特性上の問題は起こらない。
従って本発明によれば、半導体レーザからディスク捷で
の光伝達率を安定化できる。
の光伝達率を安定化できる。
発明の効果
波長選択フィルタあるいは急峻な立上り特性をもつ偏光
ビームスプリッタ等が含まれる2レーザ光ヘツドでは、
光学多層膜のリップルにより、半導体レーザの波長が変
動すると光伝達率が変rヒしで、記録、消去特性が劣化
するという問題があった。本発明では、波長選択フィル
タなど急峻な立上り特性を持つ光学多層膜を反射で使用
するか、リップルのおさまった領域で使えるようにした
事により、この光伝達率の変動を抑えることができ、記
録、消去特性の変動が抑えられ、性能の安定化が図れる
。
ビームスプリッタ等が含まれる2レーザ光ヘツドでは、
光学多層膜のリップルにより、半導体レーザの波長が変
動すると光伝達率が変rヒしで、記録、消去特性が劣化
するという問題があった。本発明では、波長選択フィル
タなど急峻な立上り特性を持つ光学多層膜を反射で使用
するか、リップルのおさまった領域で使えるようにした
事により、この光伝達率の変動を抑えることができ、記
録、消去特性の変動が抑えられ、性能の安定化が図れる
。
第1図は本発明の一実施における2レーザ光ヘツドの原
理図、第2図、第3図、第4図は本発明の実施例で用い
られる光学多層膜の分光特性図、第5図は従来の2レー
ザ光ヘツドの原理図、第6図は従来例で用いられる光学
多層膜の分光特性図である。 41・・・・・第1の半導体レーザ、43・・・・・・
集光レンズ、48・・・・・・第1の偏光ビームスプリ
ッタ、51・・・・・・対物レンズ、52・・・・・・
ディスク、56・・・・・・波長選択フィルタ、58・
・・・・・ビームスプリッタ、65・・・・・・第2の
半導体レーザ、67・・・・・・集光レンズ、77・・
・・・・第2の偏光ビームスプリッタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第5図 第 6 図 λ2 λI
理図、第2図、第3図、第4図は本発明の実施例で用い
られる光学多層膜の分光特性図、第5図は従来の2レー
ザ光ヘツドの原理図、第6図は従来例で用いられる光学
多層膜の分光特性図である。 41・・・・・第1の半導体レーザ、43・・・・・・
集光レンズ、48・・・・・・第1の偏光ビームスプリ
ッタ、51・・・・・・対物レンズ、52・・・・・・
ディスク、56・・・・・・波長選択フィルタ、58・
・・・・・ビームスプリッタ、65・・・・・・第2の
半導体レーザ、67・・・・・・集光レンズ、77・・
・・・・第2の偏光ビームスプリッタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第5図 第 6 図 λ2 λI
Claims (1)
- それぞれ出射光が略平行な光ビームになるよう構成され
、λ_1、λ_2の波長を持つ2個のレーザ光源と、波
長λ_1の光ビームを透過し、波長λ_2の光ビームを
反射する特性を持ち、レーザ光源からの波長λ_2の光
ビームとディスクより反射した波長λ_1の光ビームが
一定の入射角を持って入射するよう配された波長選択フ
ィルタと、波長λ_1で偏光分割特性を持ち、前記波長
選択フィルタで反射したP偏光の波長λ_2の光ビーム
とS偏光で入射する波長λ_1の光ビームを合成して略
同一方向に出射する偏光ビームスプリッタと、ディスク
より反射した波長λ_1の光ビームを検出する光検出器
とを備えた2レーザ光ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61273295A JPS63127443A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 2レ−ザ光ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61273295A JPS63127443A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 2レ−ザ光ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63127443A true JPS63127443A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17525860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61273295A Pending JPS63127443A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 2レ−ザ光ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63127443A (ja) |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61273295A patent/JPS63127443A/ja active Pending
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