JPS63126117A - 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性温度補償用誘電体磁器組成物Info
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- JPS63126117A JPS63126117A JP61272659A JP27265986A JPS63126117A JP S63126117 A JPS63126117 A JP S63126117A JP 61272659 A JP61272659 A JP 61272659A JP 27265986 A JP27265986 A JP 27265986A JP S63126117 A JPS63126117 A JP S63126117A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は非還元性温度補償用誘電体磁器組成物に関し
、特に積層コンデンサの誘電体磁器として用いられる、
非還元性温度補償用誘電体磁器組成物に関する。
、特に積層コンデンサの誘電体磁器として用いられる、
非還元性温度補償用誘電体磁器組成物に関する。
(従来技術)
従来より用いられている温度補償用誘電体磁器組成物は
酸化チタンを主成分としていた。このうち小型、大容量
の温度補償用磁器コンデンサを作成する場合は次のよう
にして行っていた。
酸化チタンを主成分としていた。このうち小型、大容量
の温度補償用磁器コンデンサを作成する場合は次のよう
にして行っていた。
すなわち、グリーンシートの上に電極を印刷し、電極が
端面に交互に露出し、かつ互いに対向するようにグリー
ンシートを重ね合わせて積層体とした。そして、この積
層体を熱圧着して空気中で1.200〜1.400℃で
焼成して積層コンデンサを得ていた。このとき電極材料
としては、1゜200〜1,400℃の高温で空気中で
焼成しても誘電体磁器材料と反応せず、また酸化しない
金属として白金、白金−パラジウム合金が従来より用い
られていた。しかしながら、これらの電極材料が製品価
格に占める割合は30〜50%にもなり、そのため積層
コンデンサを低価格にするために大きな障害となってい
た。
端面に交互に露出し、かつ互いに対向するようにグリー
ンシートを重ね合わせて積層体とした。そして、この積
層体を熱圧着して空気中で1.200〜1.400℃で
焼成して積層コンデンサを得ていた。このとき電極材料
としては、1゜200〜1,400℃の高温で空気中で
焼成しても誘電体磁器材料と反応せず、また酸化しない
金属として白金、白金−パラジウム合金が従来より用い
られていた。しかしながら、これらの電極材料が製品価
格に占める割合は30〜50%にもなり、そのため積層
コンデンサを低価格にするために大きな障害となってい
た。
これらの高価な電極材料に代わるものとして、卑金属で
低度なニッケルなどを使用する方法が知られているが、
空気中で焼成すると酸化するため還元性雰囲気中で焼成
する必要があった。
低度なニッケルなどを使用する方法が知られているが、
空気中で焼成すると酸化するため還元性雰囲気中で焼成
する必要があった。
しかしながら、従来の誘電体磁器材料では還元性雰囲気
中で焼成すると、酸化チタン(TiO□)、希土類元素
などが還元されてしまい、絶縁抵抗、誘電体損失などの
電気的特性が著しく劣化し、コンデンサとして使用でき
なくなるという問題があった。
中で焼成すると、酸化チタン(TiO□)、希土類元素
などが還元されてしまい、絶縁抵抗、誘電体損失などの
電気的特性が著しく劣化し、コンデンサとして使用でき
なくなるという問題があった。
この問題を解決したものとして、特開昭60=1317
08号公報に開示されたものがある。この公報に示され
たものは、ジルコン酸カルシウムを主体としており、中
性または還元性雰囲気で焼成しても電気的特性はあまり
劣化しない。
08号公報に開示されたものがある。この公報に示され
たものは、ジルコン酸カルシウムを主体としており、中
性または還元性雰囲気で焼成しても電気的特性はあまり
劣化しない。
(発明が解決しようとする問題点)
しかしながら、従来の非還元性温度補償用誘電体磁器組
成物を用いてコンデンサを作成する場合、その焼結可能
温度が1,300℃以上と高いために、電極用の卑金属
材料としては、実質上ニッケルしか用いることができな
い。ところが、電極材料としてニッケルを用いた場合、
ニッケルの磁性に起因する高周波域における表皮効果の
ため、等価直列抵抗が大きくなるという欠点があった。
成物を用いてコンデンサを作成する場合、その焼結可能
温度が1,300℃以上と高いために、電極用の卑金属
材料としては、実質上ニッケルしか用いることができな
い。ところが、電極材料としてニッケルを用いた場合、
ニッケルの磁性に起因する高周波域における表皮効果の
ため、等価直列抵抗が大きくなるという欠点があった。
この表皮効果の影響を防ぐために、ニッケルに銅を30
原子%以上添加することによって、室温以上の温度域に
おいて電極材料の磁性をなくすことができる。このよう
なニッケルー銅系の合金を電極材料として用いることに
よって、等価直列抵抗を小さくすることができる。とこ
ろが、ニッケルに銅を30原子%以上添加すると、その
融点が1.330℃以下となる。しかし、従来の誘電体
磁器材料では、焼成温度が1,300℃以上と高いため
、この合金を電極材料として用いることができない。
原子%以上添加することによって、室温以上の温度域に
おいて電極材料の磁性をなくすことができる。このよう
なニッケルー銅系の合金を電極材料として用いることに
よって、等価直列抵抗を小さくすることができる。とこ
ろが、ニッケルに銅を30原子%以上添加すると、その
融点が1.330℃以下となる。しかし、従来の誘電体
磁器材料では、焼成温度が1,300℃以上と高いため
、この合金を電極材料として用いることができない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、中性または還元
性雰囲気中で焼成しても、絶縁抵抗や誘電体損失の劣化
が少なく、しかも一般に温度補償用磁器コンデンサに必
要とされる温度特性を任意に得ることができ、かつ1.
300℃未満で焼成が可能で、等価直列抵抗の低いニッ
ケルー銅系の合金を電極材料として用いることのできる
、非還元性温度補償用誘電体磁器組成物を提供すること
である。
性雰囲気中で焼成しても、絶縁抵抗や誘電体損失の劣化
が少なく、しかも一般に温度補償用磁器コンデンサに必
要とされる温度特性を任意に得ることができ、かつ1.
300℃未満で焼成が可能で、等価直列抵抗の低いニッ
ケルー銅系の合金を電極材料として用いることのできる
、非還元性温度補償用誘電体磁器組成物を提供すること
である。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、主成分を一般式(Ca 、 −xSrつ)
。(Zrl−yTty )O:Iと表したとき、x、y
およびmの値が、O≦x<Q、5.0≦y<Q、6.0
.85<m<1.30 (ただし、x、yがともに0
となる場合を除く)の範囲内に含まれ、かつ、主成分1
00重量部に対して、MnO2を0.5〜8重量部およ
びLizOを2〜45モル%、ROを5〜40モル%(
ただし、RはBa、 Br、 Ca、 Mgのうち少な
くとも1種)、(Ti、 5i)O□を30〜70モル
%(ただし、(Ti、 5t)O□のうちSiO□成分
が15モル%以上)、八β203を0〜20モル%の組
成よりなるガラス成分0.5〜8重量部を含む、非還元
性温度補償用誘電体磁器組成物である。
。(Zrl−yTty )O:Iと表したとき、x、y
およびmの値が、O≦x<Q、5.0≦y<Q、6.0
.85<m<1.30 (ただし、x、yがともに0
となる場合を除く)の範囲内に含まれ、かつ、主成分1
00重量部に対して、MnO2を0.5〜8重量部およ
びLizOを2〜45モル%、ROを5〜40モル%(
ただし、RはBa、 Br、 Ca、 Mgのうち少な
くとも1種)、(Ti、 5i)O□を30〜70モル
%(ただし、(Ti、 5t)O□のうちSiO□成分
が15モル%以上)、八β203を0〜20モル%の組
成よりなるガラス成分0.5〜8重量部を含む、非還元
性温度補償用誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明による非還元性温度補償用誘電体磁器組成物で
は、中性または還元性雰囲気中で焼成しても、比抵抗が
1012Ω■以上、Q値が1,500以上、誘電率が2
2以上、その温度特性が+1、 500 ppm/’C
から−1,OOOppm/’Cまでの広い範囲のものを
得ることができる。
は、中性または還元性雰囲気中で焼成しても、比抵抗が
1012Ω■以上、Q値が1,500以上、誘電率が2
2以上、その温度特性が+1、 500 ppm/’C
から−1,OOOppm/’Cまでの広い範囲のものを
得ることができる。
さらに、この発明によれば、この誘電体磁器組成物を用
いて積層コンデンサを作成するとき、1.300℃未満
で焼成可能なため、電極材料としてニッケルー銅系の合
金を用いることができる。
いて積層コンデンサを作成するとき、1.300℃未満
で焼成可能なため、電極材料としてニッケルー銅系の合
金を用いることができる。
そのため、等価直列抵抗の小さい温度補償用磁器コンデ
ンサを得ることができる。
ンサを得ることができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
(実施例)
実施例■
予め、炭酸カルシウム(CaCO3)、炭酸ストロンチ
ウム(SrCOi) 、二酸化チタン(TiO□)、酸
化ジルコニウム(ZrO□)、酸化マンガン(MnO□
)および二酸化珪素(SiOz)などの鉱化剤0.5〜
5.0重量部を用意し、表1に示す組成比率の磁器組成
物が得られるように調合した。この調合原料を16時間
湿式混合した後乾燥した。これを空気中150 ’C/
時間の割合で昇温し、1.000〜1,200℃に2時
間保持して仮焼した。この仮焼済み粉末にバインダとし
て酢酸ビニルを5重量%加え、さらに仮焼済み粉末と同
重量の純水と、表1に示すガラス粉末とを加えて16時
間湿式混合した。これを脱水、乾燥し、60メツシユの
網目を通過する程度に造粒した。この材料に750kg
/calの圧力を加えて、直径14.0m、厚さ1.2
鶴の大きさになるように加圧成形した。このようにして
得られた成形体を150℃/時間の割合で昇温し、50
0°Cで2時間保持してバインダを燃焼させた。
ウム(SrCOi) 、二酸化チタン(TiO□)、酸
化ジルコニウム(ZrO□)、酸化マンガン(MnO□
)および二酸化珪素(SiOz)などの鉱化剤0.5〜
5.0重量部を用意し、表1に示す組成比率の磁器組成
物が得られるように調合した。この調合原料を16時間
湿式混合した後乾燥した。これを空気中150 ’C/
時間の割合で昇温し、1.000〜1,200℃に2時
間保持して仮焼した。この仮焼済み粉末にバインダとし
て酢酸ビニルを5重量%加え、さらに仮焼済み粉末と同
重量の純水と、表1に示すガラス粉末とを加えて16時
間湿式混合した。これを脱水、乾燥し、60メツシユの
網目を通過する程度に造粒した。この材料に750kg
/calの圧力を加えて、直径14.0m、厚さ1.2
鶴の大きさになるように加圧成形した。このようにして
得られた成形体を150℃/時間の割合で昇温し、50
0°Cで2時間保持してバインダを燃焼させた。
その後、中性(たとえば窒素)または還元性(たとえば
窒素−水素(0,1〜5容量%)、窒素−一酸化炭素(
0,1〜5容量%))雰囲気中で、150℃/時間の割
合で昇温しで1,350℃で2時間保持した。その後、
自然冷却して300℃以下になると投入ガスを止め、磁
器素体を取り出した。
窒素−水素(0,1〜5容量%)、窒素−一酸化炭素(
0,1〜5容量%))雰囲気中で、150℃/時間の割
合で昇温しで1,350℃で2時間保持した。その後、
自然冷却して300℃以下になると投入ガスを止め、磁
器素体を取り出した。
このようにして得られた磁器素体両面に20〜30重量
%の鉛、アルカリを含まない低融点ガラスフリフトを含
み、かつニッケル65原子%、銅35原子%を含む合金
系のペーストを塗布し、中性または還元性雰囲気中80
′0〜1.000℃で焼き付けて電極とした。このよう
にして得られたコンデンサユニットの電気的特性を自動
ブリッジおよび高絶縁計で測定し、その結果を表1に合
わせて示した。
%の鉛、アルカリを含まない低融点ガラスフリフトを含
み、かつニッケル65原子%、銅35原子%を含む合金
系のペーストを塗布し、中性または還元性雰囲気中80
′0〜1.000℃で焼き付けて電極とした。このよう
にして得られたコンデンサユニットの電気的特性を自動
ブリッジおよび高絶縁計で測定し、その結果を表1に合
わせて示した。
表1の誘電率の温度特性およびQ値はlVrms/ I
M Hzでの値、比抵抗は500 V/mmD C電
圧、充電時間2分後の測定値をそれぞれ示した。
M Hzでの値、比抵抗は500 V/mmD C電
圧、充電時間2分後の測定値をそれぞれ示した。
なお、誘電率の温度特性は次式より求めた。
(ppm/’C)
Cis:85℃における誘電率
C2S:25°Cにおける誘電率
なお、表中*印のものはこの発明範囲外のものであり、
それ以外はすべて発明範囲内のものである。
それ以外はすべて発明範囲内のものである。
次に、誘電体磁器の組成範囲を限定した理由を説明する
。
。
(1)xとyの少な(とも一方が0.6以上になると、
温度特性が−1、OOOppm/”c以下となり、かつ
Q値が1.500以下となる。
温度特性が−1、OOOppm/”c以下となり、かつ
Q値が1.500以下となる。
(2)mが0.85以下ではQ値が著しく低下し、1.
30以上では1.300°C未満で十分に焼結しない。
30以上では1.300°C未満で十分に焼結しない。
(3)MnOzが(Cat−、Br、 ) 1I(Zr
+−yTiy )O3100重量部に対して0.5重量
部以下ではQ値が低下し、8重量部以上では比抵抗が1
0′。Ωcm以下となる。
+−yTiy )O3100重量部に対して0.5重量
部以下ではQ値が低下し、8重量部以上では比抵抗が1
0′。Ωcm以下となる。
また、ガラス成分の組成範囲を限定した理由は次の通り
である。
である。
(1)LiiOが2モル%未満では焼成温度が1,30
0℃を超えてしまい、この発明の目的が達成できなくな
る。
0℃を超えてしまい、この発明の目的が達成できなくな
る。
(2)LizOが45モル%を超えると、ガラス成分そ
のものの溶融温度が800℃未満となる。そのため、ガ
ラス成分を誘電体材料に配合して成形体とし、焼成プロ
セスにもたらされる場合、焼結が完了する前に成形体が
軟化変形する。
のものの溶融温度が800℃未満となる。そのため、ガ
ラス成分を誘電体材料に配合して成形体とし、焼成プロ
セスにもたらされる場合、焼結が完了する前に成形体が
軟化変形する。
(3)ROが5モル%未満となり、40モル%を超えて
も焼成温度が1,300″Cを超える。
も焼成温度が1,300″Cを超える。
(4) (Ti 、 5i)O□が30モル%未満とな
り、70モル%を超えると、焼成温度が1,300℃を
超えてしまい、この発明の目的が達成できなくなる。
り、70モル%を超えると、焼成温度が1,300℃を
超えてしまい、この発明の目的が達成できなくなる。
(5) (Ti 、 5t)O□のうち、Singが1
5モル%未満となり、TiO□が含有されない場合、焼
成温度が1.300℃を超える。
5モル%未満となり、TiO□が含有されない場合、焼
成温度が1.300℃を超える。
(6) A a 203が20モル%を越えると、焼
成温度が1,300℃を超える。
成温度が1,300℃を超える。
(7) (Cat−xSrx ) −(Zr+−yTi
y )Oz 100重量部に対してガラス成分が0.5
重量部未満では、焼成温度が1,300℃を超えてしま
い、8重量部を超えるとQ値が低下する。
y )Oz 100重量部に対してガラス成分が0.5
重量部未満では、焼成温度が1,300℃を超えてしま
い、8重量部を超えるとQ値が低下する。
この実施例かられかるように、この発明によれば、+
1. 300 ppm/ ”Cから−1,000ppm
/”cの間で任意の温度特性を得ることができる。
1. 300 ppm/ ”Cから−1,000ppm
/”cの間で任意の温度特性を得ることができる。
また、絶縁抵抗や誘電体損失の劣化をもたらすことなく
、1,300℃以下の中性または還元性雰囲気で焼成す
ることが可能となる。
、1,300℃以下の中性または還元性雰囲気で焼成す
ることが可能となる。
実施例■
表1の試料番号27と同一の磁器組成物が得られるよう
に、実施例■と同様にして原料を調合して仮焼した。こ
の仮焼済み粉末にバインダとして酢酸ビニル、分散剤、
消泡剤よりなる混合水溶液15重量%、水50重量%お
よび表1に示す組成と重量のガラス粉末を加えて16時
時間式混合した。混合後のスラリーをドクタブレード法
により、厚さ50μmのグリーンシートに成形した。こ
のグリーンシート上にニッケル65原子%−銅35原子
%を含むペースト、または純ニツケルペーストを印刷し
、乾燥後圧いに対向電極となるように積み重ね、熱圧着
により一体化した。この積層ブロックから、個々のコン
デンサユニットをブレードで切り出した。このようにし
て得られた化ユニットを50℃/時間の割合で昇温し、
500℃で5時間保持してバインダを燃焼させた。その
後、還元性(窒素−一酸化炭素(0,1〜5重量%))
雰囲気中で、150℃/時間の割合で昇温しで1.20
0℃で2時間保持した。その後、自然冷却して300℃
以下になると投入ガスを止め、積層ユニットを取り出し
た。
に、実施例■と同様にして原料を調合して仮焼した。こ
の仮焼済み粉末にバインダとして酢酸ビニル、分散剤、
消泡剤よりなる混合水溶液15重量%、水50重量%お
よび表1に示す組成と重量のガラス粉末を加えて16時
時間式混合した。混合後のスラリーをドクタブレード法
により、厚さ50μmのグリーンシートに成形した。こ
のグリーンシート上にニッケル65原子%−銅35原子
%を含むペースト、または純ニツケルペーストを印刷し
、乾燥後圧いに対向電極となるように積み重ね、熱圧着
により一体化した。この積層ブロックから、個々のコン
デンサユニットをブレードで切り出した。このようにし
て得られた化ユニットを50℃/時間の割合で昇温し、
500℃で5時間保持してバインダを燃焼させた。その
後、還元性(窒素−一酸化炭素(0,1〜5重量%))
雰囲気中で、150℃/時間の割合で昇温しで1.20
0℃で2時間保持した。その後、自然冷却して300℃
以下になると投入ガスを止め、積層ユニットを取り出し
た。
このようにして得られた積層ユニットの表面に銀ペース
トを塗布し、中性(窒素)雰囲気中800℃で焼き付け
し、外部電極を形成した。この実施例で作成した積層コ
ンデンサは有効誘電体層数10層である。そして、自動
ブリッジで1kHz、IVで測定した25℃における積
層コンデンサの容量は、200pFであった。
トを塗布し、中性(窒素)雰囲気中800℃で焼き付け
し、外部電極を形成した。この実施例で作成した積層コ
ンデンサは有効誘電体層数10層である。そして、自動
ブリッジで1kHz、IVで測定した25℃における積
層コンデンサの容量は、200pFであった。
表2は、インピーダンスメータで測定した25℃におけ
る等個直列抵抗である。
る等個直列抵抗である。
この実施例から明らかなように、この発明による磁器組
成物は、1,300℃未満で焼成可能なため、内部電極
としてニッケルー銅合金を用いた積層コンデンサとして
供することができ、このため、等個直列抵抗を小さくす
ることができる。
成物は、1,300℃未満で焼成可能なため、内部電極
としてニッケルー銅合金を用いた積層コンデンサとして
供することができ、このため、等個直列抵抗を小さくす
ることができる。
なお、この磁器組成物に含まれるガラス成分は、予め調
合した原料を熱処理して溶融し、その後ガラス化して粉
砕したガラス粉末として用いるだけでなり、調合した原
料を溶融温度以下の温度で熱処理した粉末として用いて
もよい。さらに、電極材料としては、1,300℃で溶
融しない金属であればよい。たとえば、ニッケルー銅の
合金に少量のパラジウム、白金およびタングステンなど
を添加したものなどでもよく、この発明が電極材料によ
り規定されるものではない。
合した原料を熱処理して溶融し、その後ガラス化して粉
砕したガラス粉末として用いるだけでなり、調合した原
料を溶融温度以下の温度で熱処理した粉末として用いて
もよい。さらに、電極材料としては、1,300℃で溶
融しない金属であればよい。たとえば、ニッケルー銅の
合金に少量のパラジウム、白金およびタングステンなど
を添加したものなどでもよく、この発明が電極材料によ
り規定されるものではない。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
(ほか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 主成分を一般式(Ca_1_−_xSr_x)_m(
Zr_1_−_yTi_y)O_3と表したとき、x、
yおよびmの値が 0≦x<0.6 0≦y<0.6 0.85<m<1.30 (ただし、x、yがともに0となる場合を除く)の範囲
内に含まれ、かつ、前記主成分100重量部に対して、
MnO_20.5〜8重量部およびLi_2O2〜45
モル% RO5〜40モル% (ただし、RはBa、Br、Ca、Mgのうち少なくと
も1種) (Ti、Si)O_230〜70モル% (ただし、(Ti、Si)O_2のうちSiO_2成分
が15モル%以上) Al_2O_30〜20モル% の組成よりなるガラス成分0.5〜8重量部を含む、非
還元性温度補償用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61272659A JPH0831284B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61272659A JPH0831284B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63126117A true JPS63126117A (ja) | 1988-05-30 |
JPH0831284B2 JPH0831284B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17517001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61272659A Expired - Lifetime JPH0831284B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 非還元性温度補償用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0831284B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1986
- 1986-11-14 JP JP61272659A patent/JPH0831284B2/ja not_active Expired - Lifetime
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GB2361002B (en) * | 2000-04-07 | 2002-04-03 | Murata Manufacturing Co | Non-reducing dielectric ceramic,monolithic ceramic capacitor using the same,and method for making non-dielectric ceramic |
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---|---|
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |