JPS63124662A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63124662A JPS63124662A JP61270760A JP27076086A JPS63124662A JP S63124662 A JPS63124662 A JP S63124662A JP 61270760 A JP61270760 A JP 61270760A JP 27076086 A JP27076086 A JP 27076086A JP S63124662 A JPS63124662 A JP S63124662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- solid
- conversion element
- light
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 28
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 210000003323 beak Anatomy 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮ま素子に関する。
従来、固体撮像素子としては、特開願 −に記載され
、第2図に示されるような構造が知られてい′fc、第
2図において、6のガラス基板とに4の絶縁遮光層が形
成され、さらにそのとに30光電変換素子が形成されて
いる。2は。
、第2図に示されるような構造が知られてい′fc、第
2図において、6のガラス基板とに4の絶縁遮光層が形
成され、さらにそのとに30光電変換素子が形成されて
いる。2は。
3の光電変換素子を保護するための透明ガラスカバーで
、さらにこの中にビームスプリッタ部12が形成されて
いる。原稿1の画像情報を読み取る場合には、10の固
体発光素子で形成された光束が。
、さらにこの中にビームスプリッタ部12が形成されて
いる。原稿1の画像情報を読み取る場合には、10の固
体発光素子で形成された光束が。
ビームスグリツタ部12に図中左方から入射し1図中下
方に方向変換され、光電変換素子3の直下の原稿1に照
射する。原稿1による画家情報を含んだ反射光は、12
のビームスプリッタ部上通過し。
方に方向変換され、光電変換素子3の直下の原稿1に照
射する。原稿1による画家情報を含んだ反射光は、12
のビームスプリッタ部上通過し。
30光電変換素子に入射し、電気信号に変換される。5
は透明樹脂層であり、 11は、固体発光素子を支持す
るための固体発光素子支持部材である。
は透明樹脂層であり、 11は、固体発光素子を支持す
るための固体発光素子支持部材である。
図中矢印は、原稿の読みとフ方向を示している。
しかし、従来の固体撮像素子では、固体発光素子を薄い
透明ガラスカバー側面に設置せねばならず、以下の問題
点を有していた。
透明ガラスカバー側面に設置せねばならず、以下の問題
点を有していた。
1、固体発光素子に超薄型の物を用いねばならず、固体
発光素子形成が困難である。
発光素子形成が困難である。
2、固体発光素子、固体発光素子支持部材、透明ガラス
カバーを同一平面に形成せねばならず、精度管理が回頭
である。
カバーを同一平面に形成せねばならず、精度管理が回頭
である。
以上の理由から、従来の固体撮像素子では、使用する固
体発光素子に特殊品を用いねばならず。
体発光素子に特殊品を用いねばならず。
製造コストが高くなるという大きな問題点も有していた
。
。
そこで1本発明では、汎用の固体発光素子を用いること
ができ、固体発光素子、固体発光素子支持部材、透明ガ
ラスカバーを同一平面に形成する必要がなく、製品コス
トヲさらに低減した固体撮像素子を提供することを目的
としている。
ができ、固体発光素子、固体発光素子支持部材、透明ガ
ラスカバーを同一平面に形成する必要がなく、製品コス
トヲさらに低減した固体撮像素子を提供することを目的
としている。
上記問題点を解決するため、本発明の固体撮像素子では
、基板材料と、前記基板材料上面に形成され九絶縁遮光
層と、前記絶縁遮光層上面に形成された光電変換素子と
、前記光電変換素子上面に形成された光電変換素子保穫
部材と、前記光電変換素子保護部材側方からの光束を前
記光電変換素子とは反対方向に方向変換させ、かつ前記
光電変換素子の反対方向からの光束は前記光電変換素子
中へ導く前記光電変換素子保護部材中に形成された第一
光路変換部材とから成る固体撮像素子において、前記基
板材料側面または裏面に設置された光源からの光束を、
前記光電変換素子保護部材側方からの光束に変換する。
、基板材料と、前記基板材料上面に形成され九絶縁遮光
層と、前記絶縁遮光層上面に形成された光電変換素子と
、前記光電変換素子上面に形成された光電変換素子保穫
部材と、前記光電変換素子保護部材側方からの光束を前
記光電変換素子とは反対方向に方向変換させ、かつ前記
光電変換素子の反対方向からの光束は前記光電変換素子
中へ導く前記光電変換素子保護部材中に形成された第一
光路変換部材とから成る固体撮像素子において、前記基
板材料側面または裏面に設置された光源からの光束を、
前記光電変換素子保護部材側方からの光束に変換する。
前記光電変換素子保護部材中の前記第一光路変換部材側
方に設置された。
方に設置された。
第二光路変換部材を有することを特徴とする。
上記のような本発明の構成によれば、基板材料側面また
は裏面に設置された光源からの光束は、第2光路変換部
材によって光電変換素子保護部材側方からの光束に変換
され、その光束が光電変換素子保護部材中に形成されて
いる第1光路変換部材によって、光電変換素子とは反対
方向に光路が変更され、光電変換素子直上面の原稿に照
射される。さらにその光は、原稿面で反射し、その時に
is情報信号となフ、再び第1光路変換部材を通υ、光
電変換素子に入射し、電気信号に変換される。
は裏面に設置された光源からの光束は、第2光路変換部
材によって光電変換素子保護部材側方からの光束に変換
され、その光束が光電変換素子保護部材中に形成されて
いる第1光路変換部材によって、光電変換素子とは反対
方向に光路が変更され、光電変換素子直上面の原稿に照
射される。さらにその光は、原稿面で反射し、その時に
is情報信号となフ、再び第1光路変換部材を通υ、光
電変換素子に入射し、電気信号に変換される。
以下に、本発明の固体撮像素子を図面に基き、詳細に説
明する。
明する。
第1図は1本発明による固体撮像素子の一実施例を示す
断面図である。ここに%1は読みとるべき原稿であ91
図中の矢印の方向に読みとられる。
断面図である。ここに%1は読みとるべき原稿であ91
図中の矢印の方向に読みとられる。
10は、照明光全発生する固体発光素子である。6のガ
ラス基板上面に4の絶縁遮光層が形成され。
ラス基板上面に4の絶縁遮光層が形成され。
さらにその上面に光電変換素子が形成されている。
4の絶縁遮光Nは、6のガラス基板および3の光電変換
素子側方からの光を遮断しているもので。
素子側方からの光を遮断しているもので。
これはガラス基板6の光電変換素子3とは反対面に形成
しても良い、3の光電変換素子は、一般的に知られてい
るように、α−8(で形成すれば良いが、これはCd8
等でも良く、光電変換作用を持つものであれば何でもか
まわない、5は透明樹脂層であるが、これは、なくとも
かまわないし、4の絶縁遮光層で代用してもか才わない
、2は、透明ガラスカバーであるが、この中に、固体発
光素子l口からの光束を原稿lに導ひき、その反射光上
光電変換素子へ導びくための、全反射構造部15と、ビ
ームスプリッタ部12が形成されている。
しても良い、3の光電変換素子は、一般的に知られてい
るように、α−8(で形成すれば良いが、これはCd8
等でも良く、光電変換作用を持つものであれば何でもか
まわない、5は透明樹脂層であるが、これは、なくとも
かまわないし、4の絶縁遮光層で代用してもか才わない
、2は、透明ガラスカバーであるが、この中に、固体発
光素子l口からの光束を原稿lに導ひき、その反射光上
光電変換素子へ導びくための、全反射構造部15と、ビ
ームスプリッタ部12が形成されている。
本実施ff11における。光〜電気信号変換の様子全第
3図を用いてさらに詳細に説明する。第3図は。
3図を用いてさらに詳細に説明する。第3図は。
第1図の要部拡大断面図である。 10の固体発光素子
で形成された光束の流れ14は、2の透明ガラスカバー
中に図中上方から入射し、15の全反射構造部に入射す
る。この光束は、 16の全反射膜によって、A方向に
反射される。 16の全反射膜は、金属等の蒸着で形成
すれば良く%透明ガラスカバー2に対して45°に光学
研学すれば、15の全叉射嘴の部が直角プリズムとなる
ので、全反射[16’5形成しなくとも良い、光電変換
素子3と45°の角度に。
で形成された光束の流れ14は、2の透明ガラスカバー
中に図中上方から入射し、15の全反射構造部に入射す
る。この光束は、 16の全反射膜によって、A方向に
反射される。 16の全反射膜は、金属等の蒸着で形成
すれば良く%透明ガラスカバー2に対して45°に光学
研学すれば、15の全叉射嘴の部が直角プリズムとなる
ので、全反射[16’5形成しなくとも良い、光電変換
素子3と45°の角度に。
透明ガラスカバー2をカットして形成したビームスプリ
ッタ部12に、A方向から光束が入射する。
ッタ部12に、A方向から光束が入射する。
ビームスプリッタ部12中に形成されている13は。
半透過半反射性膜であるので、A方向から入射した光の
およそ50チはC方向に直進し、残りおよそ50%はB
方向に反射される。Bの半透過半反射性膜は、一般的に
知られているように、金属〜誘電体の薄膜、あるいは誘
電体の薄膜が用いられる。
およそ50チはC方向に直進し、残りおよそ50%はB
方向に反射される。Bの半透過半反射性膜は、一般的に
知られているように、金属〜誘電体の薄膜、あるいは誘
電体の薄膜が用いられる。
B方向に反射された光は、光電変換素子3直下の原稿1
に照射される。原稿1による画像情報を含んだ原稿によ
る反射光8は、B方向から再度、ビームスプリッタ部1
2へ入射する。この反射光は、前記と同様にして、8の
原稿による反射光のおよそ50チがA方向に反射して、
残り50チがC方向へ直進し、3の光電変換素子に入射
し、電気信号に変換される。
に照射される。原稿1による画像情報を含んだ原稿によ
る反射光8は、B方向から再度、ビームスプリッタ部1
2へ入射する。この反射光は、前記と同様にして、8の
原稿による反射光のおよそ50チがA方向に反射して、
残り50チがC方向へ直進し、3の光電変換素子に入射
し、電気信号に変換される。
本実施列では、光源に固体発光素子を用いて説明したが
、螢光灯、白熱灯など照明光であれば何でもかまわない
し、光源からの光は、光ファイバー等によって伝達して
もかまわない。
、螢光灯、白熱灯など照明光であれば何でもかまわない
し、光源からの光は、光ファイバー等によって伝達して
もかまわない。
また1本実施列による構造によって、原稿1と接触する
透明ガラスカバー2のビームスプリッタs12と、全反
射構造部15の汚れ等が問題となる場合には、第4図で
示されるように、透明ガラスカバー2の下面に、さらに
透明ガラス保護材17ヲ重ね合わせる構造を取れば良い
、このような構造を取れば、ビームスプリッタ部12に
よって切断されている透明ガラスカバー2の平面度を正
確Kv理できる。
透明ガラスカバー2のビームスプリッタs12と、全反
射構造部15の汚れ等が問題となる場合には、第4図で
示されるように、透明ガラスカバー2の下面に、さらに
透明ガラス保護材17ヲ重ね合わせる構造を取れば良い
、このような構造を取れば、ビームスプリッタ部12に
よって切断されている透明ガラスカバー2の平面度を正
確Kv理できる。
ビームスプリッタ部12を透明ガラスカバー2中に組み
込まなくとも、ビームスプリッタとして、ハーフミラ−
等を透明ガラスカバー12と、光電変換素子3の間に設
置した構造でも、本実施例と同様の効果がある。
込まなくとも、ビームスプリッタとして、ハーフミラ−
等を透明ガラスカバー12と、光電変換素子3の間に設
置した構造でも、本実施例と同様の効果がある。
以上述べたように、本発明の固体撮像素子では。
光電変換素子上面に設けられた光電変換素子保護部材中
に第2の光路変換部材と設けたので1次の効果を有する
。
に第2の光路変換部材と設けたので1次の効果を有する
。
1、特殊な薄型の固体発光素子を用いる必要がなく、汎
用の固体発光素子、または他の光源を用いることができ
るため、固体撮像素子のトータルコストを低減できる。
用の固体発光素子、または他の光源を用いることができ
るため、固体撮像素子のトータルコストを低減できる。
2、固体発光素子、固体発光素子部材、透明ガラス基板
等、異種部品を同一平面に形成する必要がないため、平
面精度管理が容易になり1歩留まりも向とする。
等、異種部品を同一平面に形成する必要がないため、平
面精度管理が容易になり1歩留まりも向とする。
3、温度変化時も、透明ガラスカバー側方から入射する
光束の光軸は変化しないため、@度変化に対しても固体
撮像素子の特性変化は生じなくなる。
光束の光軸は変化しないため、@度変化に対しても固体
撮像素子の特性変化は生じなくなる。
4、固体発光素子または他の光源が、基板ガラスの側面
又は、光電変換素子とは反対側の面に存在するので%原
稿面側から機械的なショックが加わっても光軸は変化し
ないため、外部からの機械的ショックによりても固体撮
像素子の出力は変化しない。
又は、光電変換素子とは反対側の面に存在するので%原
稿面側から機械的なショックが加わっても光軸は変化し
ないため、外部からの機械的ショックによりても固体撮
像素子の出力は変化しない。
第1図は1本発明による固体撮像素子の断面図であり、
第2図は従来の固体撮像素子の断面図である。第3図は
、第1図における本発明の固体機@素子の要部断面図で
あり、第4図は、本発明による固体撮像素子の断面図で
ある。 工・・・原稿 2・・・透明ガラスカバー 3・・・光電変換素子 4・・・絶縁遮光層 5・・・透明樹脂層 6・・−ガラス基板 8・・・原稿による反射光 IO−・・固体発光素子 11・・・固体発光素子支持部材 1211・・ビームスプリッタ部 13・・・半透過半反射性膜 14・・・光束の流れ 15・拳・全反射構造部 16・・・全反射膜 出願人 セイコーエブンン体式会社、−。 ■− 第り図 第2図 第3図 第斗図
第2図は従来の固体撮像素子の断面図である。第3図は
、第1図における本発明の固体機@素子の要部断面図で
あり、第4図は、本発明による固体撮像素子の断面図で
ある。 工・・・原稿 2・・・透明ガラスカバー 3・・・光電変換素子 4・・・絶縁遮光層 5・・・透明樹脂層 6・・−ガラス基板 8・・・原稿による反射光 IO−・・固体発光素子 11・・・固体発光素子支持部材 1211・・ビームスプリッタ部 13・・・半透過半反射性膜 14・・・光束の流れ 15・拳・全反射構造部 16・・・全反射膜 出願人 セイコーエブンン体式会社、−。 ■− 第り図 第2図 第3図 第斗図
Claims (1)
- 基板材料と、前記基板材料上面に形成された絶縁遮光層
と、前記絶縁遮光層上面に形成された光電変換素子と、
前記光電変換素子上面に形成された光電変換素子保護部
材と、前記光電変換素子保護部材側方からの光束を前記
光電変換素子とは反対方向に方向変換させ、かつ前記光
電変換素子の反対方向からの光束は前記光電変換素子中
へ導く前記光電変換素子保護部材中に形成された第一光
路変換部材とから成る固体撮像素子において、前記基板
材料側面または裏面に設着された光源からの光束を、前
記光電変換素子保護部材側方からの光束に変換する、前
記光電変換素子保護部材中の前記第一光路変換部材側方
に設置された、第二光路変換部材を有することを特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61270760A JPS63124662A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61270760A JPS63124662A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124662A true JPS63124662A (ja) | 1988-05-28 |
Family
ID=17490606
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61270760A Pending JPS63124662A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63124662A (ja) |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP61270760A patent/JPS63124662A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR950000112B1 (ko) | 반도체 발광장치 | |
JPS60191548A (ja) | イメ−ジセンサ | |
JPS63188719A (ja) | 光電測長装置 | |
US5187596A (en) | Contact image sensor | |
JP2009150690A (ja) | 反射型光学センサ | |
JPH09102650A (ja) | 半導体レーザ装置及び光ピックアップ装置 | |
KR970006788B1 (ko) | 밀착형 이미지 센서 | |
GB2349948A (en) | Optical displacement detecting apparatus | |
JPH08237454A (ja) | 画像読取り装置 | |
JPS63124662A (ja) | 固体撮像素子 | |
JP7387801B2 (ja) | 光モジュール及び反射型エンコーダ | |
JP3163605B2 (ja) | 光ピックアップ | |
JPS63113518A (ja) | 光センサ装置および外観検査装置 | |
JPS63122358A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH103691A (ja) | 光ピックアップ装置 | |
JP2003106871A (ja) | 発光ユニット、発光受光ユニットおよび光学式変位検出装置 | |
JPH0530284A (ja) | 裏面照射型密着センサー | |
JPH0445654A (ja) | 高分子導波路アレイ | |
JPS6297370A (ja) | イメ−ジセンサ | |
JPH053946B2 (ja) | ||
JPS60171418A (ja) | エンコ−ダ | |
JPH08221787A (ja) | 光情報処理装置 | |
JP2003106802A (ja) | 接触式デジタル変位測定装置 | |
JPS62225065A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
JPH01503564A (ja) | 閃光に非感知な到達の角度に応答するセンサ |