JPS63122358A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS63122358A JPS63122358A JP61268949A JP26894986A JPS63122358A JP S63122358 A JPS63122358 A JP S63122358A JP 61268949 A JP61268949 A JP 61268949A JP 26894986 A JP26894986 A JP 26894986A JP S63122358 A JPS63122358 A JP S63122358A
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- Japan
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- photoelectric conversion
- solid
- conversion element
- light
- beam splitter
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 20
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 15
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｃ産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子に関する。
従来の固体撮像素子としては、Ｔ、Ｔａｊ什ｉ、αｔα
！。
！。
、ム Ｈｅｗ Ｌａｎ５ｌｅａａ 工′！ｎｔＬｇｅ
Ｂｅｎ５ｏｒ Ｆｏｒ Ｆａｃｓｉｍｉｌｅ。
Ｂｅｎ５ｏｒ Ｆｏｒ Ｆａｃｓｉｍｉｌｅ。
４ｔｈ ＴｏｐイｅａＪ Ｍｅｅｔｉｎｇ ｏｓ Ｇｒ
ａｄｔｇｎｔ−工ｎｄａｚ ＤｐｔｉｅａｌＩｍａｇｉ
ｎｇ Ｅ３ｙｓｔａｍａ、２３６〜２３９．１９８３．
や、西口泰夫他、シンポジウム６アモルファスシリコン
デバイスはどζまできたか１論文集、を子写真学会（大
阪科学技術センター） ６０，５，２４． ｐ５３
などに示され、嬉２図に示されるような財産の物が知ら
れていた。ζこに、ｉＦｉ読みとるべき原稿、２は透明
ガラスカバー、３は光電変換素子、４は絶縁遮光層％５
は透明樹脂層、６はガラス基板である。
ａｄｔｇｎｔ−工ｎｄａｚ ＤｐｔｉｅａｌＩｍａｇｉ
ｎｇ Ｅ３ｙｓｔａｍａ、２３６〜２３９．１９８３．
や、西口泰夫他、シンポジウム６アモルファスシリコン
デバイスはどζまできたか１論文集、を子写真学会（大
阪科学技術センター） ６０，５，２４． ｐ５３
などに示され、嬉２図に示されるような財産の物が知ら
れていた。ζこに、ｉＦｉ読みとるべき原稿、２は透明
ガラスカバー、３は光電変換素子、４は絶縁遮光層％５
は透明樹脂層、６はガラス基板である。
６のガラス基板背面から入射した７の照明光は。
９の照明窓を通フエの原稿に当たり、１ｉｉｌｉｉ＠情
報を持った８の原稿からの反射光どして、３の光電変換
素子に入射し、電気信号に変換されてｂｆｃ。
報を持った８の原稿からの反射光どして、３の光電変換
素子に入射し、電気信号に変換されてｂｆｃ。
Ｃ発ＢＡが解決しようとする問題点〕
しかし、従来の固体撮像素子では、ガラス基板背面から
照明光が入射するため、原稿面の照度を均一にしたり、
光が直接光電変換素子に入射しないように照明窓や、絶
縁遮光層を高精度に形成する必要がある。そのためよシ
精密なパターニングが要求され、ｆ’！成の工程も増加
するため、製品としての固体撮像素子のトータルコスト
が高くなってしまうという大きな問題点を有していた。
照明光が入射するため、原稿面の照度を均一にしたり、
光が直接光電変換素子に入射しないように照明窓や、絶
縁遮光層を高精度に形成する必要がある。そのためよシ
精密なパターニングが要求され、ｆ’！成の工程も増加
するため、製品としての固体撮像素子のトータルコスト
が高くなってしまうという大きな問題点を有していた。
そこで、本発明では、高精度なパターニングによる照明
窓製造工程をなくシ、絶縁遮光層製作工程を減らし、製
品コストを低減した固体撮像素子を提供することを目的
としている。
窓製造工程をなくシ、絶縁遮光層製作工程を減らし、製
品コストを低減した固体撮像素子を提供することを目的
としている。
上記問題点を解決するため、本発明の固体撮像素子では
、基板材料と、前記基板材料上面に形成された絶縁遮光
層と、前記絶縁遮光層上面に形成された光電変換素子と
、前記光電変換素子上面に形成された光電変換素子３直
下材とから成る固体撮像素子において、前記光電変換素
子保護部材側方に設置された光源からの光束を前記光電
変換素子とは反対方向に方向変換させ、かつ前記光電変
換素子の反対方向からの光束は、前記光流変換素子中へ
導く前記光電変！Ｉ１１素子保素子保護部材数された光
路変換部材とからなることを特徴とする。
、基板材料と、前記基板材料上面に形成された絶縁遮光
層と、前記絶縁遮光層上面に形成された光電変換素子と
、前記光電変換素子上面に形成された光電変換素子３直
下材とから成る固体撮像素子において、前記光電変換素
子保護部材側方に設置された光源からの光束を前記光電
変換素子とは反対方向に方向変換させ、かつ前記光電変
換素子の反対方向からの光束は、前記光流変換素子中へ
導く前記光電変！Ｉ１１素子保素子保護部材数された光
路変換部材とからなることを特徴とする。
本発明の上記構成によれば、光電変換素子保護部材側方
から入射した照明光は、光電変換素子保護部材中の光路
変換部材によって、光路が光電変換素子とは反対方向に
変更され、光電変換素子上面の原稿に照射される。さら
にその光は、原稿面で反射し、その時に画家情報信号と
なフ、再び光路変換部材を通過し、光電変換素子に入射
し、電気信号に変換される。
から入射した照明光は、光電変換素子保護部材中の光路
変換部材によって、光路が光電変換素子とは反対方向に
変更され、光電変換素子上面の原稿に照射される。さら
にその光は、原稿面で反射し、その時に画家情報信号と
なフ、再び光路変換部材を通過し、光電変換素子に入射
し、電気信号に変換される。
以下に、本発明の固体撮像素子を図面に基き。
詳細に説明する。
第１図は１本発明による固体撮像素子の一実施例を示す
断面図である。ここに、ｌは読みとるべき原稿、２は透
明ガラスカバー、３は光電変換素子である。光電変換素
子３は、一般的に知られているように、α−８ｉで形成
すれば良いが、これはＣｄＢ等でも良く、光電変換作用
を持つ素子であれば何でもかまわない、４は、Ｐ線速光
層であシ光電変換素子の裏面及び側面からの光入射を防
止している。５は透明樹脂層％６はガラス基板である。
断面図である。ここに、ｌは読みとるべき原稿、２は透
明ガラスカバー、３は光電変換素子である。光電変換素
子３は、一般的に知られているように、α−８ｉで形成
すれば良いが、これはＣｄＢ等でも良く、光電変換作用
を持つ素子であれば何でもかまわない、４は、Ｐ線速光
層であシ光電変換素子の裏面及び側面からの光入射を防
止している。５は透明樹脂層％６はガラス基板である。
・４の絶縁遮光層は、６のガラス基板の反対面に形成し
ても良いし、５の透明樹脂層はなくてもかまわない、ま
た、５の透明樹脂層の部分″ｆｃ４の絶縁遮光層で代用
してもよい、１０は固体発光素子。
ても良いし、５の透明樹脂層はなくてもかまわない、ま
た、５の透明樹脂層の部分″ｆｃ４の絶縁遮光層で代用
してもよい、１０は固体発光素子。
１１は固体発光素子支持部材である１図中の矢印はは、
原稿の読み取り方向を示している。光路変更部材として
鉱％２の透明ガラスカバー中に形成されたビームスプリ
ッタ部１２を用いている。
原稿の読み取り方向を示している。光路変更部材として
鉱％２の透明ガラスカバー中に形成されたビームスプリ
ッタ部１２を用いている。
本実施例における。光〜電気信号変換の様子を第３図を
用いてさらに詳細に説明する。第３図は第１図の要部拡
大断面図である。ｌ（）の固体発光素子によって形成さ
れた光束は、１５の光束の流れとなって１図中入方向か
ら１２のビームスプリッタ部へ入射する。 １２のビー
ムスプリッタ部は、光束の流れ１５と、光電変換素子３
に対して４５°の角度に透明ガラスカバー２がカットさ
れて形成されている。ビームスプリッタ部化中に形成さ
れている１３は゛′、半透過半反射性瞑であるので、Ａ
方向から入射した光のおよそ５０チはＣ方向に直進し、
残りおよそ５０ｑｌＩはＢ方向に反射される。 １３０
半透過半反射性模は、一般的には、金属〜銹電体の薄膜
、又は銹電体の薄膜が用いられる。Ｂ方向に反射された
光は、光電変換素子３直下の原稿ｌに照射される。Ｉ原
稿ｌによる画像情報を含んだ原稿による反射光８は％Ｂ
力方向ら再度、ビームスグリツタ部１２へ入射する。こ
の反射光は、前記と同様にして８の原稿による反射光の
およそ５０％が入方向に反射して、残５５０％がＣ方向
へ直進し、３の光電変換素子に入射し、電気信号に変換
される。
用いてさらに詳細に説明する。第３図は第１図の要部拡
大断面図である。ｌ（）の固体発光素子によって形成さ
れた光束は、１５の光束の流れとなって１図中入方向か
ら１２のビームスプリッタ部へ入射する。 １２のビー
ムスプリッタ部は、光束の流れ１５と、光電変換素子３
に対して４５°の角度に透明ガラスカバー２がカットさ
れて形成されている。ビームスプリッタ部化中に形成さ
れている１３は゛′、半透過半反射性瞑であるので、Ａ
方向から入射した光のおよそ５０チはＣ方向に直進し、
残りおよそ５０ｑｌＩはＢ方向に反射される。 １３０
半透過半反射性模は、一般的には、金属〜銹電体の薄膜
、又は銹電体の薄膜が用いられる。Ｂ方向に反射された
光は、光電変換素子３直下の原稿ｌに照射される。Ｉ原
稿ｌによる画像情報を含んだ原稿による反射光８は％Ｂ
力方向ら再度、ビームスグリツタ部１２へ入射する。こ
の反射光は、前記と同様にして８の原稿による反射光の
およそ５０％が入方向に反射して、残５５０％がＣ方向
へ直進し、３の光電変換素子に入射し、電気信号に変換
される。
スペースの関係で、第１図に示されるように。
固体発光素子１０ ’ｉ 、透明ガラスカバーの側方に
設置するのが困難な場合は、第４図で示されるように：
、光ファイバー１４によって、照明光源からの照明光を
導入しても良い、このような財産にすれば照明光源とし
ては、固体発光素子に限ることはなく、螢光灯、白熱灯
など何でもかまわなくなる。
設置するのが困難な場合は、第４図で示されるように：
、光ファイバー１４によって、照明光源からの照明光を
導入しても良い、このような財産にすれば照明光源とし
ては、固体発光素子に限ることはなく、螢光灯、白熱灯
など何でもかまわなくなる。
また、光路変更手段としては第１因中の透明ガラス−カ
バー２中に形成したビームスプリッタ部１２を用いなく
とも、ハーフミラ−等のビームスプリッタを単独で用い
てもかまわない。
バー２中に形成したビームスプリッタ部１２を用いなく
とも、ハーフミラ−等のビームスプリッタを単独で用い
てもかまわない。
以上の本実施列による構造では、第３図中の半透過半反
射性＠１３によって、原稿１面側から見ると、２の透明
カバーガラスが結合したような構造になっている。この
結合部が原稿面と接する部分の汚れ等が問題となる場合
は、第５図中１６で示される透明ガラス保護材を、さら
に重ね合わせる構造を取れば良い、このような構造を取
れば、２の透明ガラスカバー、１０の固体発光素子、１
１の固体発光素子支持部材の平面度も正確に管理できる
。
射性＠１３によって、原稿１面側から見ると、２の透明
カバーガラスが結合したような構造になっている。この
結合部が原稿面と接する部分の汚れ等が問題となる場合
は、第５図中１６で示される透明ガラス保護材を、さら
に重ね合わせる構造を取れば良い、このような構造を取
れば、２の透明ガラスカバー、１０の固体発光素子、１
１の固体発光素子支持部材の平面度も正確に管理できる
。
以１述べたように、本発明の固体撮像素子では光電変換
素子上面に設けられた、光電変換菓子保護部材中に光路
変更部材を設けたので、以下のような大きな効果を有す
る。
素子上面に設けられた、光電変換菓子保護部材中に光路
変更部材を設けたので、以下のような大きな効果を有す
る。
１、高精度なバターニングを必要とする照明窓の製作工
程が不要とな５％絶縁遮光層の＃！作工程も簡略化され
るため、より安価な固体撮像素子を提供できる。
程が不要とな５％絶縁遮光層の＃！作工程も簡略化され
るため、より安価な固体撮像素子を提供できる。
２、照明窓のパターン形成が不要であるので、たとえビ
ームスプリッタ部の形成に失敗しても。
ームスプリッタ部の形成に失敗しても。
透明ガラスカバーだけを交換すれば良いので、固体発光
素子本体の歩留まりが向上する。
素子本体の歩留まりが向上する。
３、固体発光素子を透明ガラスカバー中に組み込めるの
で、従来の固体発光素子が必要としていた照明光形成用
のガラス基板の光電変換素子形成面とは逆の面との空間
が不必要となり、超ｖｒｔ型化、軽量化がはかれる。
で、従来の固体発光素子が必要としていた照明光形成用
のガラス基板の光電変換素子形成面とは逆の面との空間
が不必要となり、超ｖｒｔ型化、軽量化がはかれる。
４、従来の固体発光素子が必要としていた。照明光の位
置、方向決めが不必要となるので、さらに、固体撮像素
子を安価に製造することができる。
置、方向決めが不必要となるので、さらに、固体撮像素
子を安価に製造することができる。
第１図は、本発明による固体１１１素子の断面図であり
％第２図は、従来の固体撮像素子の断面図である。第３
因は、第１図における本発明の固体撮像素子の要部断面
図でめフ、第４図、第５図は本発明による固体撮像素子
の断面図である。 ｌｅｅ原稿 ２・・透明ガラスカバー ３・・光電変換素子 ４・・絶縁樹脂層 ５・・透明樹脂層 ６・Ｏガラス基板 ７・・照明光 ８・・原稿からの反射光 ９・・照明窓 ｌＯ・・固体発光素子 １１・・固体発光素子支持部材 １２・・ビームスグリツタ部 １３・・半透過半反射性膜 １４・・光ファイバー １５・・光束の流れ １６・・透明ガラス保護材 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代１人 弁理士最 上 務他１名 第１図 第４図 第Ｓ図
％第２図は、従来の固体撮像素子の断面図である。第３
因は、第１図における本発明の固体撮像素子の要部断面
図でめフ、第４図、第５図は本発明による固体撮像素子
の断面図である。 ｌｅｅ原稿 ２・・透明ガラスカバー ３・・光電変換素子 ４・・絶縁樹脂層 ５・・透明樹脂層 ６・Ｏガラス基板 ７・・照明光 ８・・原稿からの反射光 ９・・照明窓 ｌＯ・・固体発光素子 １１・・固体発光素子支持部材 １２・・ビームスグリツタ部 １３・・半透過半反射性膜 １４・・光ファイバー １５・・光束の流れ １６・・透明ガラス保護材 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代１人 弁理士最 上 務他１名 第１図 第４図 第Ｓ図
Claims (1)
- 基板材料と、前記基板材料上面に形成された絶縁遮光
層と、前記絶縁遮光層上面に形成された光電変換素子と
、前記光電変換素子上面に形成された光電変換素子保護
部材とから成る固体撮像素子において、前記光電変換素
子保護部材側方に設置された光源からの光束を前記光電
変換素子とは反対方向に方向変換させ、かつ前記光電変
換素子の反対方向からの光束は前記光電変換素子中へ導
く前記光電変換素子保護部材中に形成された光路変換部
材を有することを特徴とする固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268949A JPS63122358A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61268949A JPS63122358A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122358A true JPS63122358A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17465529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61268949A Pending JPS63122358A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662669U (ja) * | 1991-05-30 | 1994-09-02 | 日星電気株式会社 | 密着イメージセンサ |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP61268949A patent/JPS63122358A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662669U (ja) * | 1991-05-30 | 1994-09-02 | 日星電気株式会社 | 密着イメージセンサ |
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