JPH0445654A - 高分子導波路アレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はファクシミリ、複写機、イメージスキャナ等に
用いられる高分子導波路アレイに関するものである。

従来の技術 近年、ファクシミリ、複写機、イメージスキャナ等に用
いられるリニアイメージセンサは、光学系としてセルフ
ォックレンズアレイを用いた密着型、ミラーおよびレン
ズを用いた縮小光学型、光学系を使用しない完全密着型
等があり、その他にも光ファイバや高分子導波路を光学
系として用いるものも開発されている。

以下図面を参照しながら、上述した従来のイメージセン
サの１例について説明する。

第２図は高分子導波路を光学系に応用したイメージセン
サの断面図を示すものである。第２図において、１は光
電変換素子、２は光電変換素子形成基板、３は高分子導
波路アレイ、４はコア部、５はクラッド部、６は側板６
ａは原稿面照射用切り欠き部、７はＬＥＤアレイ、８は
基台、９は原稿である。第３図は高分子導波路アレイの
斜視図である。

高分子導波路アレイ３はコア部４の外周にクラッド部５
が形成され、両側から側板６により保持されている。

高分子導波路を光学系に応用したイメージセンサは、画
像読み取り時には原稿面９上をＬＥＤ７により照明を行
い、原稿面９の情報は、コア部４を通って光電変換セン
サ１−導かれ、情報読み取りが行われる。

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成の高分子導波路アレイを
応用したイメージセンサは、側板の線膨脹係数が充電変
換素子形成基板の線膨脹係数と興なる場合、温度変化が
あると光電変換素子とコアのピッチが変わることにより
、良好な読み取りができなくなる。

また、側板用材料として光電変換素子形成基板と同一材
料（ガラス）を用いると材料コストが高（なり、原稿照
射用切り欠は部の加工コストも高くなる。

本発明は上記課題に鑑み、温度変化による光電変換素子
とコアのピッチの変化がな（、良好な読み取りを行うこ
とができるイメージセンサを提供するものである。

課題を解決するための手段 本発明は、上記課題を解決するため、高分子導波路アレ
イの２枚の保持用側板の少なくとも一方の線膨級係数が
光電変換素子形成基板の線膨脹係数と等しくしたもので
ある。

作　　　用 本発明は上記した構成によって、外部温度が変化した場
合でも、高分子導波路は光電変換素子形成基板と同一の
線膨脹係数を有する側板によって保持されているため充
電変換素子と導波路のコアのピッチのずれが発生しない
。

実施例 以下本発明のイメージセンサについて、図面を参照しな
がら説明する。

第１図は本発明の第１の実施例における高分子導波路ア
レイの斜視図を示すものである。第１図において１０は
高分子導波路アレイ、１１はコア部、１２はクラッド、
１３は光電変換素子形成基板と同一の線膨脹係数を有す
る側板、１４は光線入射用切欠部１４ａを有する樹脂製
側板、１５は接着シール剤である。コア部１１は１■あ
たり４〜１６本のコア列が配列されている。

以上のように構成された高分子導波路アレイについてそ
の動作を説明する。本高分子導波路アレイは従来例と同
様に光電変換素子形成基板２．ＬＥＤ７等とともに基台
８に組み込み、イメージセンサとして使用するが、一方
の側板１３の線膨脹係数が、光電変換素子形成基板の線
膨脹係数と等としてため、周囲温度が変化しても、高分
子導波路のコアのピッチと充電変換素子のピッチが変わ
ることがない。高分子導波路は側板に接着されているた
め、周囲温度の変化による膨級、収縮は側板とほぼ等し
くなっている。他方の側板１４についても側板１３と等
しい線膨脹係数の基材を用いてもよいが、光線入射のた
めの切欠部１４ａの加工コストが高くなることが考えら
れるため、樹脂製の側板の適用が望ましい。そのとき、
側板１３と同様に一枚の側板とすると、線膨脹係数の違
いにより、アレイにそりが発生する。そのため、側板１
４は、複数に分割された構造とし、側板と側板のあいだ
には比較的、弾性を有する接着シール材１５を充填して
おけば、周囲温度変化によるそりの発生はなくなる。

以上のように本実施例によれば、２枚の保持用側板の少
なくとも一方の線膨級係数が光電変換素子形成基板の線
膨級係数と等しいため周囲温度が変化しても光電変換素
子と導波路のコアのピッチずれの発生がなく、良好な読
み取りを行うことができる。また他方の側板として、分
割された樹脂製の側板を用いることにより、ピッチずれ
がなく、切欠部の加工も低コストで可能となるため、低
コストで良好な読み取りができる導波路アレイを得るこ
とができる。

以下、本発明の′１Ｐｊ２の実施例について図面を参照
しながら説明する。第４図は本発明の第２の実施例を示
す高分子導波路アレイの斜視図である。

第４図において、１６は高分子導波路アレイ、１７はコ
ア部、１８はクラッド部、１９は光電変換素子形成基板
と同一の線膨訣係数を有する側板、２゜は光線遮蔽層で
ある。

本高分子導波路アレイも従来例と同様にイメージセンサ
として使用するが、一方の側板１９の線膨脹係数が光電
変換素子形成基板の線膨脹係数と等しいため、周囲温度
が変化しても、高分子導波路のコアのピッチと光電変換
素子のピッチが変わることはない。他方の光線遮蔽層に
ついては、層の厚みが圧すぎると高分子導波路アレイの
そりが発生する可能性があり薄すぎると充分な遮蔽がで
きなくなるため、適正な厚みに設定する必要があるが、
形成するためのコストは低い。

以上のように本実施例によれば、高分子導波路アレイの
一方の側面に光線遮蔽層を形成することにより、低価格
で高分子導波路アレイを製作することができる。

発明の効果 以上のように本発明は、高分子導波路アレイの２枚の保
持用側板の少な（とも一方の線膨脹係数が光電変換素子
形成基板の線膨脹係数と等しいため、周囲温度の変化が
あっても、良好な読み取りを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における高分子導波路ア
レイの斜視図、第２図は従来の高分子導波路アレイを組
み込んだイメージセンサの断面図、第３図は従来の高分
子導波路アレイの斜視図、第４図は本発明の第２の実施
例における高分子導波路アレイの斜視図である。 １０・・・・・・高分子導波路アレイ、１１・・・・・
・コア部、１２・・・・・・クラッド部、１３・・・・
・・光電変換素子形成基板と同一の線膨脹率を有する側
板、１４・・・・・・樹脂側板、１５・・・・・・接着
シール剤。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　ほか１名Ｉ’−−Ｉ
Ａ９４１Ｊ＃ｖｂ４ ず１・−、コア帥 （１−−フラ・ｌト′静 ＋４・−柑頭劉猥

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）原稿面と光電変換素子面を光学的に結合するため
   の高分子導波路アレイの２枚の保持用側板の少なくとも
   一方の線膨脹係数が光電変換素子形成基板の線膨脹係数
   と等しいことを特徴とする高分子導波路アレイ。
2. （２）原稿面と光電変換素子面を光学的に結合するため
   の高分子導波路アレイの２枚の保持用側板の一方が、複
   数の分割された樹脂により形成されたことを特徴とする
   請求項１記載の高分子導波路アレイ。