JPS63124501A - サ−マルヘツド用厚膜抵抗体材料,サ−マルヘツド用厚膜抵抗体,並びにサ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツド用厚膜抵抗体材料,サ−マルヘツド用厚膜抵抗体,並びにサ−マルヘツドInfo
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- JPS63124501A JPS63124501A JP61269687A JP26968786A JPS63124501A JP S63124501 A JPS63124501 A JP S63124501A JP 61269687 A JP61269687 A JP 61269687A JP 26968786 A JP26968786 A JP 26968786A JP S63124501 A JPS63124501 A JP S63124501A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
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- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06533—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of oxides
- H01C17/0654—Oxides of the platinum group
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はサーマルヘッド用厚膜抵抗体材料、これを焼成
したサーマルヘッド用抵抗体、並びにこの抵抗体材料を
基板上に塗布・焼成して得たサーマルヘッドに係り、特
に、高画質対応の感熱記録に好適なサーマルヘッド用厚
膜抵抗体材料、サーマルヘッド用厚膜抵抗体、並びにサ
ーマルヘッドに関する。
したサーマルヘッド用抵抗体、並びにこの抵抗体材料を
基板上に塗布・焼成して得たサーマルヘッドに係り、特
に、高画質対応の感熱記録に好適なサーマルヘッド用厚
膜抵抗体材料、サーマルヘッド用厚膜抵抗体、並びにサ
ーマルヘッドに関する。
従来の厚膜感熱記録ヘッドを構成する厚膜抵抗体材料は
、例えば、特公昭56−13629号公報に記載のよう
に、厚膜抵抗体の含有成分やその含有率を規定して耐電
力特性の向上と稼動中での抵抗値の安定性を図った。ま
た、特開昭50−67486号公報に記載のように、抵
抗体ペーストを高温で熱処理し、抵抗値の選択性の向上
を図っている。
、例えば、特公昭56−13629号公報に記載のよう
に、厚膜抵抗体の含有成分やその含有率を規定して耐電
力特性の向上と稼動中での抵抗値の安定性を図った。ま
た、特開昭50−67486号公報に記載のように、抵
抗体ペーストを高温で熱処理し、抵抗値の選択性の向上
を図っている。
いうなれば、従来より厚膜感熱ヘッドは低価格化および
抵抗体の信頼性という点のみに着目しており、高画質化
に対応できる低抵抗値ばらつきの実現ということには着
目していなかった。
抵抗体の信頼性という点のみに着目しており、高画質化
に対応できる低抵抗値ばらつきの実現ということには着
目していなかった。
上記従来技術は、厚膜感熱ヘッドの抵抗値のばらつきを
低減し、出力画像を高品質にするという点での配慮がな
されておらず、通常、最大最小幅±20%程度、分散値
で7%程度の抵抗値ばらつきを有しており、これが原因
で発色ムラが生ずるので画像対象としては不適当であっ
た。
低減し、出力画像を高品質にするという点での配慮がな
されておらず、通常、最大最小幅±20%程度、分散値
で7%程度の抵抗値ばらつきを有しており、これが原因
で発色ムラが生ずるので画像対象としては不適当であっ
た。
本発明の目的は、抵抗値のばらつきを低減し感熱記録に
際しての高画質化に寄与し得るサーマルヘッド用厚膜抵
抗体材料、サーマルヘッド用厚膜抵抗体、並びにサーマ
ルヘッドを提供するにある。
際しての高画質化に寄与し得るサーマルヘッド用厚膜抵
抗体材料、サーマルヘッド用厚膜抵抗体、並びにサーマ
ルヘッドを提供するにある。
上記目的は、従来材料に対して成分配合比を特に変える
ことを要せず、抵抗値制御に深く関与する酸化ルテニウ
ム微粒子のガラスフリット中への均一分散に際して該微
粒子の粒径をより細かくして大きさのばらつきを抑える
ことにより達成される。
ことを要せず、抵抗値制御に深く関与する酸化ルテニウ
ム微粒子のガラスフリット中への均一分散に際して該微
粒子の粒径をより細かくして大きさのばらつきを抑える
ことにより達成される。
すなわち本発明のサーマルヘッド用厚膜抵抗体材料は、
少なくとも酸化ルテニウム微粒子、ガラス微粒子、並び
にこれらを分散し焼成にて消失する如き分散材の混合組
成物であって、いわゆるペースト状を呈する。そしてこ
こに配合される酸化ルテニウムの粒子に本発明の特徴が
あり、その粒子は比表面積にして10rrf/g以上4
0m2/g以下であり、粒度分布の上限は1μmである
。
少なくとも酸化ルテニウム微粒子、ガラス微粒子、並び
にこれらを分散し焼成にて消失する如き分散材の混合組
成物であって、いわゆるペースト状を呈する。そしてこ
こに配合される酸化ルテニウムの粒子に本発明の特徴が
あり、その粒子は比表面積にして10rrf/g以上4
0m2/g以下であり、粒度分布の上限は1μmである
。
尚、上記酸化ルテニウムに加え他の導電性微粉体の添加
や酸化物充填物の添加は差し支えない。
や酸化物充填物の添加は差し支えない。
酸化物充填物の例としては酸化ジルコニウム、酸化チタ
ン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ナトリウム、酸
化カルシウム等が挙げられる。また他の導電性物質とし
ては白金族元素の単体または酸化物等が挙げられる。こ
れらは主に耐電力特性向上の為の添加剤で、添加量は極
く微量で良く。
ン、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ナトリウム、酸
化カルシウム等が挙げられる。また他の導電性物質とし
ては白金族元素の単体または酸化物等が挙げられる。こ
れらは主に耐電力特性向上の為の添加剤で、添加量は極
く微量で良く。
粒径は1μm程度が好ましい。
本発明は均一分散系を達成するならばサーマルヘッドの
仕様により種々の抵抗膜組成を選択できるから、特に成
分配合量については限定されない。
仕様により種々の抵抗膜組成を選択できるから、特に成
分配合量については限定されない。
但し酸化ルテニウムに関しては10〜30重量%が好ま
しい。
しい。
ペースト作成に当たり使用する分散材(分散媒)はレジ
ン、溶剤等で1例えばエチルセルロースやブチルカルピ
トールアセテートであり、添加量は10〜30重量%が
望ましい。
ン、溶剤等で1例えばエチルセルロースやブチルカルピ
トールアセテートであり、添加量は10〜30重量%が
望ましい。
本発明に使用するガラスはガラスフリットとして高融点
のものであれば特に限定されないが、特に挙げれば硼珪
酸系ガラス、硼珪酸鉛系ガラス。
のものであれば特に限定されないが、特に挙げれば硼珪
酸系ガラス、硼珪酸鉛系ガラス。
珪酸−鉛系ガラス或いは結晶化ガラス等である。
ガラス微粉の粒径は1μm程度が好ましい、ガラスは酸
化ルテニウム粒子のネットワーク構成のベースとなる。
化ルテニウム粒子のネットワーク構成のベースとなる。
上記ペーストを焼成したものが本発明に係るサーマルヘ
ッド用厚膜抵抗体である。従って上記溶剤等は消失して
いることになる。また酸化ルテニウム微粒子は粒子同士
が結合して成長し、グレインを形成するものもあるがガ
ラス中には酸化ルテニウムのほぼ均一なネットワークを
形成することになる。
ッド用厚膜抵抗体である。従って上記溶剤等は消失して
いることになる。また酸化ルテニウム微粒子は粒子同士
が結合して成長し、グレインを形成するものもあるがガ
ラス中には酸化ルテニウムのほぼ均一なネットワークを
形成することになる。
またこのペーストを厚膜印刷技術(例えばスクリーン印
刷)によって絶縁性基板上に塗布し、抵抗層を形成し、
この抵抗体に導体を接続して配設し、必要に応じて被覆
ガラスを施し焼成したものが本発明のサーマルヘッドで
ある1本発明に係るサーマルヘッドの最適構成は、基板
上にグレーズを施し、電極を配設し、該電極を覆うよう
に上記抵抗ペーストを塗布積層しその上に保護膜を設け
たものである。基板はアルミナ、グレーズ及び保護膜は
ガラス、電極は金が好ましい。
刷)によって絶縁性基板上に塗布し、抵抗層を形成し、
この抵抗体に導体を接続して配設し、必要に応じて被覆
ガラスを施し焼成したものが本発明のサーマルヘッドで
ある1本発明に係るサーマルヘッドの最適構成は、基板
上にグレーズを施し、電極を配設し、該電極を覆うよう
に上記抵抗ペーストを塗布積層しその上に保護膜を設け
たものである。基板はアルミナ、グレーズ及び保護膜は
ガラス、電極は金が好ましい。
サーマルヘッド用厚膜抵抗体材料は上述のように酸化ル
テニウム微粒子、ガラス微粒子及び溶剤やレジンの混合
物であり、これを焼成すると、溶剤等分散媒成分が蒸発
消失して酸化ルテニウム粒子のネットワークが溶融ガラ
ス内に形成される。
テニウム微粒子、ガラス微粒子及び溶剤やレジンの混合
物であり、これを焼成すると、溶剤等分散媒成分が蒸発
消失して酸化ルテニウム粒子のネットワークが溶融ガラ
ス内に形成される。
この際、酸化ルテニウム微粒子の粒度、比表面積が微細
に揃えられていればガラスフリット内での酸化ルテニウ
ム粒子間の相互距離や分布状態等の均一化も図れ、即ち
上記ネットワークの均一化が図れて抵抗値のばらつきも
抑えられることが本発明者によって初めて見出されたの
である。酸化ルテニウムはガラスフリット内におけるネ
ットワーク↓こより、その導電性によって電流のパスを
形成することになる。
に揃えられていればガラスフリット内での酸化ルテニウ
ム粒子間の相互距離や分布状態等の均一化も図れ、即ち
上記ネットワークの均一化が図れて抵抗値のばらつきも
抑えられることが本発明者によって初めて見出されたの
である。酸化ルテニウムはガラスフリット内におけるネ
ットワーク↓こより、その導電性によって電流のパスを
形成することになる。
尚1本発明の目的達成の為の酸化リテニウムの粒度、比
表面積の条件は以上の通りであるが、これらは以下の定
義に従う。
表面積の条件は以上の通りであるが、これらは以下の定
義に従う。
粒度;光透過方式(ストークスの沈降速度式とランバー
ト・ベールの法則を利用した方法)で測定し求めた粒度
分布の50%累積重量%における粒度のこと、平均では
なく、上限値である。尚以下の実施例にて用いた装置は
ミクロン・フォート・サイザー<5KN−1000>に
よる。
ト・ベールの法則を利用した方法)で測定し求めた粒度
分布の50%累積重量%における粒度のこと、平均では
なく、上限値である。尚以下の実施例にて用いた装置は
ミクロン・フォート・サイザー<5KN−1000>に
よる。
比表面積;粉体にガスを吸着させ単分子層を形成させて
、そのガス量より求めた比表面積のこと。
、そのガス量より求めた比表面積のこと。
B、E、T理論に基づくもので、微粉体1g当たりの面
積を意味する。
積を意味する。
尚、粒度と比表面積との間には次の関係がある。
粒度(μm)=6/(比表面積(イ/ g ) X粒子
密度(gloe))従ってこの要係式によれば酸化ルテ
ニウム微粒子に関する限り理論的には1粒度1μmの粒
体のみの比表面積は1.2m2/gであり、0.1μm
のみであるなら12ryr/gとなる。そして一般的に
は粒径が小さくなると表面積が大きくなる。
密度(gloe))従ってこの要係式によれば酸化ルテ
ニウム微粒子に関する限り理論的には1粒度1μmの粒
体のみの比表面積は1.2m2/gであり、0.1μm
のみであるなら12ryr/gとなる。そして一般的に
は粒径が小さくなると表面積が大きくなる。
以下1本発明の実施例につき図面に従って説明する。
第1図は本発明の実施例に係るサーマルヘッドの断面図
であり第2図は同じサーマルヘッドの平面図である。
であり第2図は同じサーマルヘッドの平面図である。
本実施例においてはアルミナ基板1上にグレープ層3が
施され、その上に電極2がコモン側(+側)から3本、
ドライバー側(−側)から2本が交互に延びて配置され
ている。@極2は全装であり、クレーズ層3はガラス製
である。サーマルヘッド用厚膜抵抗体1は電極2の中央
部を第2図に示すように帯状に覆う如くグレーズM3上
に積層されている。この帯状領域が発熱領域6となり単
位画素を構成する。更にこのサーマルヘッド用厚膜抵抗
体1の表面をガラスによる保護膜5が覆っている。従っ
てサーマルヘッド用厚膜抵抗体1や電極2は第2図に示
す通り、ガラスによる保護膜5を透して見える。
施され、その上に電極2がコモン側(+側)から3本、
ドライバー側(−側)から2本が交互に延びて配置され
ている。@極2は全装であり、クレーズ層3はガラス製
である。サーマルヘッド用厚膜抵抗体1は電極2の中央
部を第2図に示すように帯状に覆う如くグレーズM3上
に積層されている。この帯状領域が発熱領域6となり単
位画素を構成する。更にこのサーマルヘッド用厚膜抵抗
体1の表面をガラスによる保護膜5が覆っている。従っ
てサーマルヘッド用厚膜抵抗体1や電極2は第2図に示
す通り、ガラスによる保護膜5を透して見える。
本実施例におけるグレーズ層3の厚さは80μmであり
、電極2の厚さは0.6〜3μmであり、電極2の幅は
20μmである。更にサーマルヘッド用厚膜抵抗体1の
厚さは5μm、ピッチは82.5μm9幅は300μm
であり、画素数は512である。また保護膜5の厚さは
7.5μmである。
、電極2の厚さは0.6〜3μmであり、電極2の幅は
20μmである。更にサーマルヘッド用厚膜抵抗体1の
厚さは5μm、ピッチは82.5μm9幅は300μm
であり、画素数は512である。また保護膜5の厚さは
7.5μmである。
このサーマルヘッド用厚膜抵抗体1を形成する為の焼成
前のペーストは、導電粒子である酸化ルテニウム微粒子
とガラス微粒子を溶剤及びレジンに混ぜて作っており、
基板印刷後(焼成前)はおよそ第3図に示すような断面
構造となっている。
前のペーストは、導電粒子である酸化ルテニウム微粒子
とガラス微粒子を溶剤及びレジンに混ぜて作っており、
基板印刷後(焼成前)はおよそ第3図に示すような断面
構造となっている。
これを高温で焼成することにより、溶剤成分が蒸発して
第4図に示すような酸化ルテニウム微粒子のネットワー
クが溶融ガラス内に形成されることになりこれにて所定
の抵抗値が与えられることになる。
第4図に示すような酸化ルテニウム微粒子のネットワー
クが溶融ガラス内に形成されることになりこれにて所定
の抵抗値が与えられることになる。
この抵抗値は酸化ルテニウム微粒子が一定条件を満たす
粒径である場合に比較的均一なネットワークが溶融ガラ
ス内に形成されることになる。その結果抵抗値のバラツ
キがほとんど無くなることから発色濃度ムラも抑制され
ることになる。尚このことは本発明者の究明したもので
あり、抵抗値と微視的な発色濃度の関係を第5図に示す
。
粒径である場合に比較的均一なネットワークが溶融ガラ
ス内に形成されることになる。その結果抵抗値のバラツ
キがほとんど無くなることから発色濃度ムラも抑制され
ることになる。尚このことは本発明者の究明したもので
あり、抵抗値と微視的な発色濃度の関係を第5図に示す
。
第2図中縦軸のDは発色濃度を示し、Rは抵抗値を示し
、横軸は抵抗体の試料番号を示す、フルカラーのプリン
タは通常定電圧駆動である為1発熱量(V”/R)は抵
抗値Rの値によって変化する。
、横軸は抵抗体の試料番号を示す、フルカラーのプリン
タは通常定電圧駆動である為1発熱量(V”/R)は抵
抗値Rの値によって変化する。
具体的にはRが大きいところで発熱量が下がり、発色濃
度が下がるので、その結果発色状態に濃淡のムラができ
ることになるのである。
度が下がるので、その結果発色状態に濃淡のムラができ
ることになるのである。
第6図に、従来より厚膜サーマルヘッドに用いられてい
る抵抗材料の酸化ルテニウム微粒子の粒度分布の一例を
示す、この分布図から明らかなように、酸化ルテニウム
微粒子の粒度は0.1μmから10μmにわたって広範
囲に分布している。
る抵抗材料の酸化ルテニウム微粒子の粒度分布の一例を
示す、この分布図から明らかなように、酸化ルテニウム
微粒子の粒度は0.1μmから10μmにわたって広範
囲に分布している。
更に微視的な観察を行うと、比較的粒度のそろっている
0、1μm前後の超微粒子と1μm以上の大型の粒子が
混在することが明らとなっており、この傾向は第6図か
らもうかがえる。すなわち。
0、1μm前後の超微粒子と1μm以上の大型の粒子が
混在することが明らとなっており、この傾向は第6図か
らもうかがえる。すなわち。
酸化ルテニウム微粒子の累積重量割合は1μmを前後し
て、急激に変化しており、酸化ルテニウム微粒子の1μ
m以上のものを除去すると大部分の粗大粒子が除去でき
ることがわかる。
て、急激に変化しており、酸化ルテニウム微粒子の1μ
m以上のものを除去すると大部分の粗大粒子が除去でき
ることがわかる。
上記の事項の実現には酸化ルテニウム微粒子の分級が課
題となる1分級は遠心分離機等と原理を同じくする遠心
法や、液中での沈降速度の差によって分級する沈降法な
どが考えられる。このようにして分級した例を第7図に
示す、(b)は分級前の分布であり、(a)は1μm以
上を除去した分級例であり、(C)は逆に微細粒子を除
去した分配側である。(b)のものは結局1μm以上の
ものも含んでいる混在型であり、(a)は本発明用の分
級クラスである0図によれば1μm以上除去後に重量比
率が上がっているが、これは粒径分布の測定誤差による
。尚、(c)の“除去”はいわゆる完全除去とまでは言
えず90%程度でありその範囲で誤差がある。
題となる1分級は遠心分離機等と原理を同じくする遠心
法や、液中での沈降速度の差によって分級する沈降法な
どが考えられる。このようにして分級した例を第7図に
示す、(b)は分級前の分布であり、(a)は1μm以
上を除去した分級例であり、(C)は逆に微細粒子を除
去した分配側である。(b)のものは結局1μm以上の
ものも含んでいる混在型であり、(a)は本発明用の分
級クラスである0図によれば1μm以上除去後に重量比
率が上がっているが、これは粒径分布の測定誤差による
。尚、(c)の“除去”はいわゆる完全除去とまでは言
えず90%程度でありその範囲で誤差がある。
一般に分級選択した酸化ルテニウム微粒子を用いると、
従来に比べ、同じ重量比では抵抗値が低下する。これは
細かい酸化ルテニウム微粒子を用いると酸化ルテニウム
のガラス中でのネットワークが密になり抵抗値が下がる
からである。この為、所定の抵抗値におさめる為に、重
量比を小さくすることが望ましい、一方、ガラスフリッ
トは分級したものの方が分散し易い為、有利であるが、
焼成によって溶融するから影響度合は顕著ではない。
従来に比べ、同じ重量比では抵抗値が低下する。これは
細かい酸化ルテニウム微粒子を用いると酸化ルテニウム
のガラス中でのネットワークが密になり抵抗値が下がる
からである。この為、所定の抵抗値におさめる為に、重
量比を小さくすることが望ましい、一方、ガラスフリッ
トは分級したものの方が分散し易い為、有利であるが、
焼成によって溶融するから影響度合は顕著ではない。
但し、抵抗値の調整や抵抗温度係数(T、C,R,)の
設定には影響を有するので、適性に合せて選択すること
が望ましい。
設定には影響を有するので、適性に合せて選択すること
が望ましい。
これらの分級選択した酸化ルテニウム微粒子を用いて試
作した抵抗体ペーストを焼成した後の抵抗値ばらつきの
傾向を第8図に示す、焼成条件は粒径別、同一条件とし
て焼成温度は850℃である。また第8図の縦軸は、5
00ドツトの抵抗値の分散を示している。抵抗値のばら
つきとは、全ドツトの最大値と最小値との和を平均値で
割った値である0本図から、1μm以下の領域を(I)
。
作した抵抗体ペーストを焼成した後の抵抗値ばらつきの
傾向を第8図に示す、焼成条件は粒径別、同一条件とし
て焼成温度は850℃である。また第8図の縦軸は、5
00ドツトの抵抗値の分散を示している。抵抗値のばら
つきとは、全ドツトの最大値と最小値との和を平均値で
割った値である0本図から、1μm以下の領域を(I)
。
1〜3μm分級領域を(u)、3〜10μm分級領域を
(m)、10μm以上の領域を(■)とすると、(1)
より(It)へ移行する領域での抵抗値のばらつきが急
増していることがわかる。こうして本発明者は1μm以
上の粗大粒子を除外することで、抵抗値ばらつきを極め
て小さくすることができることを究明した。
(m)、10μm以上の領域を(■)とすると、(1)
より(It)へ移行する領域での抵抗値のばらつきが急
増していることがわかる。こうして本発明者は1μm以
上の粗大粒子を除外することで、抵抗値ばらつきを極め
て小さくすることができることを究明した。
また1本発明者はサーマルヘッド用厚膜抵抗体において
重要な特性の一つである耐電力特性についても、酸化ル
テニウム微粒子の比表面積が10rd/g〜40m2/
gの範囲では従来の抵抗体材料を用いた場合よりも優れ
ていることを見出した。
重要な特性の一つである耐電力特性についても、酸化ル
テニウム微粒子の比表面積が10rd/g〜40m2/
gの範囲では従来の抵抗体材料を用いた場合よりも優れ
ていることを見出した。
ここでより具体的な実施例について述べる。
0.05μm程度の粒子径をもち、比表面積200rd
/gの一次粒子をもつ酸化ルテニウムを用い、300℃
、400℃、500℃、600℃、700℃。
/gの一次粒子をもつ酸化ルテニウムを用い、300℃
、400℃、500℃、600℃、700℃。
800℃で熱処理後1μm以上を除去する分級を行い、
比表面積が4,7.10,20,40゜100m2/g
の6点の酸化ルテニウム微粒子を準備した。この各々の
酸化ルテニウム微粒子を用い、抵抗体ペーストを試作し
、実ヘッド基板にスクリーン印刷し、120℃、10分
乾燥後、870℃で焼成した。第9図に試作したサーマ
ルヘッドの抵抗値ばらつきの結果を示す、上記のように
、1μm以上を除去した酸化ルテニウム微粒子を用いた
ことにより、従来品よりも抵抗値ばらつきが比表面積に
よらず小さくなっていることがわかる。
比表面積が4,7.10,20,40゜100m2/g
の6点の酸化ルテニウム微粒子を準備した。この各々の
酸化ルテニウム微粒子を用い、抵抗体ペーストを試作し
、実ヘッド基板にスクリーン印刷し、120℃、10分
乾燥後、870℃で焼成した。第9図に試作したサーマ
ルヘッドの抵抗値ばらつきの結果を示す、上記のように
、1μm以上を除去した酸化ルテニウム微粒子を用いた
ことにより、従来品よりも抵抗値ばらつきが比表面積に
よらず小さくなっていることがわかる。
尚、図中の破線は分級していない酸化ルテニウムを用い
たもの即ち従来品レベルを示す。
たもの即ち従来品レベルを示す。
第10図には、同様にステップ・ストレス・テスト(S
ST)における耐破断電力を調べた結果を示す、SST
とは、抵抗体にステップ状に高電圧を加えて、その都度
抵抗値の変化を測定する試験のことで、第10図の試験
においては抵抗値変化がある上限を越えたところで破壊
したものと判断している。第10図は縦軸に耐破断電力
比をとっており、これは従来の抵抗体ペーストの耐破断
電力を1としそれに比べてどれ描面上しているかを示し
ている。酸化ルテニウム微粒子の比表面積が10〜40
m2/gであれば耐破断電力比15%を越えることにな
り相当効果がある。
ST)における耐破断電力を調べた結果を示す、SST
とは、抵抗体にステップ状に高電圧を加えて、その都度
抵抗値の変化を測定する試験のことで、第10図の試験
においては抵抗値変化がある上限を越えたところで破壊
したものと判断している。第10図は縦軸に耐破断電力
比をとっており、これは従来の抵抗体ペーストの耐破断
電力を1としそれに比べてどれ描面上しているかを示し
ている。酸化ルテニウム微粒子の比表面積が10〜40
m2/gであれば耐破断電力比15%を越えることにな
り相当効果がある。
すなわち、比表面積が大きいところ、換言すれば微細な
粒子下では一般に抵抗値が下るため、所定の値に確保す
る為に粒子の量を減らす必要がある。その結果、導電ネ
ットワークのパスが細くなり、S、ST特性が下がる。
粒子下では一般に抵抗値が下るため、所定の値に確保す
る為に粒子の量を減らす必要がある。その結果、導電ネ
ットワークのパスが細くなり、S、ST特性が下がる。
また比表面積が小さくなり、すなわち粗くなると、導電
ネットワークの均一性が損なわれる為、SST特性が同
様に劣化する傾向にある。尚、図中の破線は第7図と同
様従来レベルである。
ネットワークの均一性が損なわれる為、SST特性が同
様に劣化する傾向にある。尚、図中の破線は第7図と同
様従来レベルである。
更に本実施例品によるサーマルヘッドの信頼性をSST
特性に着目して従来品と比較すれば第11図の通りであ
る0曲線(a)は従来の厚膜抵抗体材料のSST特性で
あり、曲線(b)は本実施例品の場合である。この場合
、SST中での抵抗値変動は非常に少なく、更に破断電
力値も上昇している。これらの特性が薄膜ヘッドの場合
よりも優れていることは言うまでもない。
特性に着目して従来品と比較すれば第11図の通りであ
る0曲線(a)は従来の厚膜抵抗体材料のSST特性で
あり、曲線(b)は本実施例品の場合である。この場合
、SST中での抵抗値変動は非常に少なく、更に破断電
力値も上昇している。これらの特性が薄膜ヘッドの場合
よりも優れていることは言うまでもない。
また本実施例品によればサーマルヘッドの熱効率向上の
為の間接的な役割をになうことができる。
為の間接的な役割をになうことができる。
第12図は抵抗体膜厚と熱効率に関する特性図である。
抵抗体の膜厚が増加すると1発熱に関与しない抵抗体中
の無効部分の割合が増加し、熱効率上好ましくない、従
って、抵抗体膜厚は電極の薄層化とともに薄くなりつつ
あるので最近の傾向である。このような場合、従来の1
μm以上の粒径を有する粗大な酸化ルテニウム微粒子を
含む抵抗体では、膜厚との関係から、偏在が起り易く、
抵抗値のばらつきの原因となっていた。この点1μm以
上の粒径の酸化ルテニウム粒子を除去し作成した厚膜抵
抗体では、ばらつきを小さくおさえるとともに、抵抗体
の薄層化にも対応でき、その結果として、高熱効率化を
実現できる。
の無効部分の割合が増加し、熱効率上好ましくない、従
って、抵抗体膜厚は電極の薄層化とともに薄くなりつつ
あるので最近の傾向である。このような場合、従来の1
μm以上の粒径を有する粗大な酸化ルテニウム微粒子を
含む抵抗体では、膜厚との関係から、偏在が起り易く、
抵抗値のばらつきの原因となっていた。この点1μm以
上の粒径の酸化ルテニウム粒子を除去し作成した厚膜抵
抗体では、ばらつきを小さくおさえるとともに、抵抗体
の薄層化にも対応でき、その結果として、高熱効率化を
実現できる。
以上説明した通り本発明によれば、サーマルヘッド用厚
膜抵抗体の抵抗値ばらつきの減少によって、サーマルヘ
ッドによる感熱転写の際に発色ムラを抑制可能であるの
で、高画質品を得ることができるという効果がある。従
って特に最近盛んに着目されているハードコピーのカラ
ー化に対応することが可能である。
膜抵抗体の抵抗値ばらつきの減少によって、サーマルヘ
ッドによる感熱転写の際に発色ムラを抑制可能であるの
で、高画質品を得ることができるという効果がある。従
って特に最近盛んに着目されているハードコピーのカラ
ー化に対応することが可能である。
第1図は本発明のサーマルヘッドの実施例断面図、第2
図は同実施例の平面図、第3図は基板に印刷した後の抵
抗体ペースト断面模式図、第4図は抵抗体ペーストを焼
成した熱の断面模式図、第5図は抵抗値のばらつきと濃
度ムラとの関係を示す特性図、第6図は分級前の酸化ル
テニウムの粒子径分布図、第7図は分級後の酸化ルテニ
ウムの粒度分布図、第8図は分級レベルによる抵抗値ば
らつきを示す特性図、第9図は分級した酸化ルテニウム
微粒子の比表面積と抵抗値ばらつきとの関係を示す特性
図、第10図は分級した酸化ルテニウム微粒子の比表面
積と耐電力との関係を示す特性図、第11図はステップ
・ストレス・テストの結果を示す特性図、第12図は抵
抗体膜厚変化に伴う発熱領域変化を説明する特性図であ
る。 1・・・サーマルヘッド用厚膜抵抗体、2・・・電極、
3・・・グレーズ層、4・・・アルミナ基板、5・・・
保護膜、6・・・発熱領域、7・・・酸化ルテニウム微
粒子、8・・・ガラス微粒子、9・・・溶剤層、10・
・・ガラスフリッ躬 3 図 3グL−ス漫 Z全尋領ヘ り滲斧j贋第
4 凹 溺 5 凹 葛ψし本番号 N 」ら 乙 図 第 7 図 酸化ルテニウへ指久絞子2子 (P□ンM 8
図 躬 9I!l (号p 葛/θ図 酸イヒルテニウム蜘(醍チνこ表面# (4)易 //
凹 第 72 図
図は同実施例の平面図、第3図は基板に印刷した後の抵
抗体ペースト断面模式図、第4図は抵抗体ペーストを焼
成した熱の断面模式図、第5図は抵抗値のばらつきと濃
度ムラとの関係を示す特性図、第6図は分級前の酸化ル
テニウムの粒子径分布図、第7図は分級後の酸化ルテニ
ウムの粒度分布図、第8図は分級レベルによる抵抗値ば
らつきを示す特性図、第9図は分級した酸化ルテニウム
微粒子の比表面積と抵抗値ばらつきとの関係を示す特性
図、第10図は分級した酸化ルテニウム微粒子の比表面
積と耐電力との関係を示す特性図、第11図はステップ
・ストレス・テストの結果を示す特性図、第12図は抵
抗体膜厚変化に伴う発熱領域変化を説明する特性図であ
る。 1・・・サーマルヘッド用厚膜抵抗体、2・・・電極、
3・・・グレーズ層、4・・・アルミナ基板、5・・・
保護膜、6・・・発熱領域、7・・・酸化ルテニウム微
粒子、8・・・ガラス微粒子、9・・・溶剤層、10・
・・ガラスフリッ躬 3 図 3グL−ス漫 Z全尋領ヘ り滲斧j贋第
4 凹 溺 5 凹 葛ψし本番号 N 」ら 乙 図 第 7 図 酸化ルテニウへ指久絞子2子 (P□ンM 8
図 躬 9I!l (号p 葛/θ図 酸イヒルテニウム蜘(醍チνこ表面# (4)易 //
凹 第 72 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも酸化ルテニウム微粒子、ガラス微粒子、
並びにこれらを分散し焼成にて消失する分散材を混合し
てなるサーマルヘッド用厚膜抵抗体材料において、前記
酸化ルテニウム粒子は比表面積の範囲を10乃至40m
^2/gとしかつその粒度分布の上限を1μmとしたこ
とを特徴とするサーマルヘッド用厚膜抵抗体材料。 2、特許請求の範囲第1項記載において、前記酸化ルテ
ニウムの他に酸化物充填物を混合したことを特徴とする
サーマルヘッド用厚膜抵抗体材料。 3、特許請求の範囲第2項記載において、前記酸化物充
填物が酸化ジルコニウムであることを特徴とするサーマ
ルヘッド用厚膜抵抗体材料。 4、特許請求の範囲第1項記載において、前記分散材が
レジン、溶剤から選ばれることを特徴とするサーマルヘ
ッド用厚膜抵抗体材料。 5、ガラス中に少なくとも酸化ルテニウムが分散されて
いるサーマルヘッド用厚膜抵抗体において、前記酸化ル
テニウムとして比表面積が10乃至40m^2/g、粒
度は1μm以下の粒子を用いたことを特徴とするサーマ
ルヘッド用厚膜抵抗体。 6、基板上にグレーズ層、電極、抵抗層、保護層を順次
積層して成るサーマルヘッドにおいて。 前記抵抗層は少なくとも酸化ルテニウム微粒子、ガラス
微粒子並びにこれらの分散材の混合焼成物であつて、該
酸化ルテニウム微粒子は比表面積の範囲が10乃至40
m^2/g、粒度分布上限が1μmであることを特徴と
するサーマルヘッド。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269687A JPH0812802B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | サ−マルヘツド用厚膜抵抗体材料,サ−マルヘツド用厚膜抵抗体,並びにサ−マルヘツド |
US07/425,442 US5021194A (en) | 1986-11-14 | 1989-10-23 | Thick film resistor material and thermal head obtained therefrom |
US07/664,302 US5109238A (en) | 1986-11-14 | 1991-03-04 | Thick film resistor material and thermal head obtained therefrom |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61269687A JPH0812802B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | サ−マルヘツド用厚膜抵抗体材料,サ−マルヘツド用厚膜抵抗体,並びにサ−マルヘツド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124501A true JPS63124501A (ja) | 1988-05-28 |
JPH0812802B2 JPH0812802B2 (ja) | 1996-02-07 |
Family
ID=17475789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61269687A Expired - Lifetime JPH0812802B2 (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | サ−マルヘツド用厚膜抵抗体材料,サ−マルヘツド用厚膜抵抗体,並びにサ−マルヘツド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5021194A (ja) |
JP (1) | JPH0812802B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6453401A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film resistor and manufacture thereof |
JPH0233901A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
JP2019172555A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5250958A (en) * | 1987-12-10 | 1993-10-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thermal head and manufacturing method thereof |
DE3941283C1 (ja) * | 1989-12-14 | 1991-01-31 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau, De | |
US5179046A (en) * | 1991-10-07 | 1993-01-12 | Corning Incorporated | Sealing material and method |
US5514524A (en) * | 1993-11-22 | 1996-05-07 | Rohm Co., Ltd. | Method of making thermal printhead |
JPH09293465A (ja) * | 1995-11-28 | 1997-11-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 陰極線管用抵抗体の製造方法 |
JP2000207938A (ja) * | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Murata Mfg Co Ltd | 絶縁性ガラスペ―スト及び厚膜回路部品 |
EP1096512B1 (en) * | 1999-10-28 | 2005-08-10 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Thick-film resistor and ceramic circuit board |
US7253076B1 (en) * | 2000-06-08 | 2007-08-07 | Micron Technologies, Inc. | Methods for forming and integrated circuit structures containing ruthenium and tungsten containing layers |
US9159551B2 (en) | 2009-07-02 | 2015-10-13 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming capacitors |
CN112010558B (zh) * | 2020-09-03 | 2022-09-27 | 山东华菱电子股份有限公司 | 无铅硅酸盐玻璃釉原料组成物、无铅硅酸盐玻璃釉及其应用 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3304199A (en) * | 1963-11-12 | 1967-02-14 | Cts Corp | Electrical resistance element |
NL137152C (ja) * | 1966-10-24 | |||
US4051074A (en) * | 1975-10-29 | 1977-09-27 | Shoei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Resistor composition and method for its manufacture |
JPS604793B2 (ja) * | 1977-05-31 | 1985-02-06 | 日本電気株式会社 | 厚膜型サ−マルヘツドの製造方法 |
JPS5837963B2 (ja) * | 1977-07-09 | 1983-08-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 抵抗体用ペ−ストの製造方法 |
US4203025A (en) * | 1977-08-19 | 1980-05-13 | Hitachi, Ltd. | Thick-film thermal printing head |
US4415624A (en) * | 1981-07-06 | 1983-11-15 | Rca Corporation | Air-fireable thick film inks |
US4362656A (en) * | 1981-07-24 | 1982-12-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor compositions |
CA1191022A (en) * | 1981-12-29 | 1985-07-30 | Eiichi Asada | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
US4476039A (en) * | 1983-01-21 | 1984-10-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Stain-resistant ruthenium oxide-based resistors |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP61269687A patent/JPH0812802B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-10-23 US US07/425,442 patent/US5021194A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-04 US US07/664,302 patent/US5109238A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6453401A (en) * | 1987-08-24 | 1989-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film resistor and manufacture thereof |
JPH0233901A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーマルヘッドの製造方法 |
JP2019172555A (ja) * | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5109238A (en) | 1992-04-28 |
US5021194A (en) | 1991-06-04 |
JPH0812802B2 (ja) | 1996-02-07 |
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