JPS63122225A - ３元以上の酸化珪素膜の成長方法 - Google Patents
３元以上の酸化珪素膜の成長方法Info
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- JPS63122225A JPS63122225A JP26901186A JP26901186A JPS63122225A JP S63122225 A JPS63122225 A JP S63122225A JP 26901186 A JP26901186 A JP 26901186A JP 26901186 A JP26901186 A JP 26901186A JP S63122225 A JPS63122225 A JP S63122225A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000017166 Bambusa arundinacea Nutrition 0.000 description 1
- 235000017491 Bambusa tulda Nutrition 0.000 description 1
- 241001330002 Bambuseae Species 0.000 description 1
- 208000033999 Device damage Diseases 0.000 description 1
- 235000015334 Phyllostachys viridis Nutrition 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011425 bamboo Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
燐珪酸ガラス（ＰＳＧ） 、硼珪酸ガラス（ＢＳＧ）
、硼燐珪酸ガラス（ＢＰＳＧ）等の３元以上の酸化珪素
膜の成膜は、従来、常圧、または減圧の化学気相成長（
ＣＶＤ）法により、またＣＶＤ法はプラズマを利用する
場合と、単に原料ガスの熱分解による成長方法があるが
、いずれも成長温度が高く、成長された膜のストレスが
大きいため、サブミクロンのプロセス技術においてデバ
イス損傷の点が問題であった。このため、電子サイクロ
トロン共鳴（ＯＣＲ）によるプラズマを用いて低圧低温
成長を行う、均一膜厚、低ストレス成膜の方法を提起す
る。
、硼燐珪酸ガラス（ＢＰＳＧ）等の３元以上の酸化珪素
膜の成膜は、従来、常圧、または減圧の化学気相成長（
ＣＶＤ）法により、またＣＶＤ法はプラズマを利用する
場合と、単に原料ガスの熱分解による成長方法があるが
、いずれも成長温度が高く、成長された膜のストレスが
大きいため、サブミクロンのプロセス技術においてデバ
イス損傷の点が問題であった。このため、電子サイクロ
トロン共鳴（ＯＣＲ）によるプラズマを用いて低圧低温
成長を行う、均一膜厚、低ストレス成膜の方法を提起す
る。
本発明はｐｓｃ等の３元以上の酸化珪素膜の成長方法に
関する。
関する。
３元以上の酸化珪素膜の内、ＢＳＧ膜は集積回路の製造
工程において、層間絶縁膜や、カバー絶縁膜に広く用い
られている。
工程において、層間絶縁膜や、カバー絶縁膜に広く用い
られている。
その理由はつぎのとおりである。すなわちＢＳＧ膜は、
集積回路の配線に通常用いられるアルミニウム（ＡＩ）
と密着性がよく、緻密な膜が得られやすく、またリフロ
ーによる段差被覆の改善等多くの長所をもっているから
である。
集積回路の配線に通常用いられるアルミニウム（ＡＩ）
と密着性がよく、緻密な膜が得られやすく、またリフロ
ーによる段差被覆の改善等多くの長所をもっているから
である。
従って、以後ＰＳＧ膜を例にとって説明する。
従来の各ＣＶＤ法によるｐｓｃ成長の成長温度とストレ
スσはつぎのとおりである。
スσはつぎのとおりである。
成長温度 ストレスσ
（’Ｃ） （ｄｙｎｅ／ｃｍ２）１）熱ＣＶＤ
常圧ＣＶＤ ４５０〜６００ 〜１０”
（σｃ）減圧ＣｖＤ３５０〜４５０〜１Ｏ１０（σＣ）
２）プラズマＣＶＤ ２００ Ｋ１１ｚ ３５０〜４００ （５
〜８）１０’（σＣ）１３．５６ Ｍｌｌｚ
３５０〜４００ （５〜８）１０’（ａ ｔ）ここ
で、σＣは圧縮応力、σｔは引張応力をあられす。
（σｃ）減圧ＣｖＤ３５０〜４５０〜１Ｏ１０（σＣ）
２）プラズマＣＶＤ ２００ Ｋ１１ｚ ３５０〜４００ （５
〜８）１０’（σＣ）１３．５６ Ｍｌｌｚ
３５０〜４００ （５〜８）１０’（ａ ｔ）ここ
で、σＣは圧縮応力、σｔは引張応力をあられす。
また、減圧熱ＣＶＤは〜ｌＯＴｏｒｒ ｓ−または〜Ｉ
Ｔｏｒｒｓプラズマｃｖｎは〜Ｉ Ｔｏｒｒの圧力で行
う。
Ｔｏｒｒｓプラズマｃｖｎは〜Ｉ Ｔｏｒｒの圧力で行
う。
原料ガスとして、
モノシラン（Ｓｉｌｌｓ）十酸素（０，）＋窒素（Ｎ２
）＋フォスヒン（ＰＨｆｆ）を用いる。
）＋フォスヒン（ＰＨｆｆ）を用いる。
サブミクロンデバイスでは、ＰＳＧ膜に上記のような大
きなストレスがあると、例えばＡＩの陥没、ストレスマ
イグレーション等が起こることがあり、デバイスの信頼
性が著しく損なわれる。
きなストレスがあると、例えばＡＩの陥没、ストレスマ
イグレーション等が起こることがあり、デバイスの信頼
性が著しく損なわれる。
従来のＣＶＤ法によるＰＳＧ成長は、いずれも■ 成長
温度が高く、成長された膜のストレスが大きいため、サ
ブミクロンのプロセス技術において＾ｌ配線を損傷する
。
温度が高く、成長された膜のストレスが大きいため、サ
ブミクロンのプロセス技術において＾ｌ配線を損傷する
。
■ 成長速度律速により原料ガスの圧力は〜ＩＴｏｒｒ
程度以上にする必要があり、そのため膜厚分布はわるく
、段差被覆も十分でなかった。
程度以上にする必要があり、そのため膜厚分布はわるく
、段差被覆も十分でなかった。
上記問題点の解決は、減圧された反応室内に被成長基板
を置き、該反応室に電子サイクロトロン共鳴により生成
した酸素プラズマと、珪素と添加元素を含む原料ガスと
を導入して、該被成長基板上にＰＳＧ膜等の珪素と酸素
と少なくとも１種類の添加元素を含む膜を成長する本発
明による３元以上の酸化珪素膜の成長方法。
を置き、該反応室に電子サイクロトロン共鳴により生成
した酸素プラズマと、珪素と添加元素を含む原料ガスと
を導入して、該被成長基板上にＰＳＧ膜等の珪素と酸素
と少なくとも１種類の添加元素を含む膜を成長する本発
明による３元以上の酸化珪素膜の成長方法。
ＥＣＲＣＶＤ法は低温成長のために二酸化珪素（ＳｉＯ
ｚ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の成膜に各所で試みられ
ているが、本発明はＰＳＧ膜の成長に発散磁場型ＥＣＲ
によるプラズマＣＶＤを用いることにより、反応室内に
低ガス圧で反応性の大きいイオンを形成でき、従って基
板を加熱しないで、高速に、損傷のない成膜が可能とな
ることを利用したものである。
ｚ）、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の成膜に各所で試みられ
ているが、本発明はＰＳＧ膜の成長に発散磁場型ＥＣＲ
によるプラズマＣＶＤを用いることにより、反応室内に
低ガス圧で反応性の大きいイオンを形成でき、従って基
板を加熱しないで、高速に、損傷のない成膜が可能とな
ることを利用したものである。
この場合、ガス圧は７．０Ｘ１０−’ Ｔｏｒｒ以下の
拡散域に、約ｔ、ｏｘｔｏ−３Ｔｏｒｒにする。
拡散域に、約ｔ、ｏｘｔｏ−３Ｔｏｒｒにする。
拡散域においては、ガス流は均一で、自由な分子運動が
行われるため、流速や輸送律速等原料供給系の反応論を
考慮しなくとも、ｒ！、厚分布の向上が期待できる。
行われるため、流速や輸送律速等原料供給系の反応論を
考慮しなくとも、ｒ！、厚分布の向上が期待できる。
さらに、基板に高周波バイアス（２００ＫＨ２〜１３．
５６ＭＨｚ、〜１ｏｏｋ）を印加することにより、段差
被覆が一層改善される。
５６ＭＨｚ、〜１ｏｏｋ）を印加することにより、段差
被覆が一層改善される。
第１図は本発明を説明する発散磁場型ＥＣＲによるプラ
ズマＣＶＤ装置の断面図である。
ズマＣＶＤ装置の断面図である。
図において、反応室１内に被成長基板４を保持したサセ
プタ５が予備室３を経由して挿入され、プラズマ生成室
２に対向して配置される。
プタ５が予備室３を経由して挿入され、プラズマ生成室
２に対向して配置される。
反応室１と予備室３はそれぞれ独立に排気口６．７より
排気される。
排気される。
反応室１に接続するプラズマ生成室２の外側周囲にマグ
ネットコイル８が設けられ、プラズマ生成室２内に発散
磁場を形成する。
ネットコイル８が設けられ、プラズマ生成室２内に発散
磁場を形成する。
マイクロ波電力発生装置（マグネトロン）９により発生
したマイクロ波電力は導波管１０を経由して、マイクロ
波導入窓１１よりプラズマ生成室２に導入される。
したマイクロ波電力は導波管１０を経由して、マイクロ
波導入窓１１よりプラズマ生成室２に導入される。
Ｏｌは０．ガス導入口１２よりプラズマ生成室２に、Ｓ
ｉＨ４＋ＰＨｓは原料ガス導入口１３より反応室１に導
入される。
ｉＨ４＋ＰＨｓは原料ガス導入口１３より反応室１に導
入される。
プラズマ生成室２内では、０□は、２．４５ Ｇ１１ｚ
のマイクロ波とマグネットコイル８による８７５ Ｇａ
ｕｓｓの発散磁場により起こる電子のサイクロトロン運
動によりＥＣＲプラズマを発生し、これをプラズマシャ
ッタ１４を開いて反応室１内に導入し、原料ガスを分解
して、被成長基板４上にＰＳＧ膜を成長する。
のマイクロ波とマグネットコイル８による８７５ Ｇａ
ｕｓｓの発散磁場により起こる電子のサイクロトロン運
動によりＥＣＲプラズマを発生し、これをプラズマシャ
ッタ１４を開いて反応室１内に導入し、原料ガスを分解
して、被成長基板４上にＰＳＧ膜を成長する。
反応室１、プラズマ生成室２、予備室３はいずれもＡＩ
で作製される。
で作製される。
マイクロ波導入窓１１は、本発明者がさきに提起した透
光性アルミナを用いる。
光性アルミナを用いる。
この理由は、通常使用される石英ガラスを用いた場合は
セルフクリーニングができないし、また単なるアルミナ
を用いた場合は部分的なマイクロ波吸収により局部的に
温度が上昇して破壊し、危険であるからである。
セルフクリーニングができないし、また単なるアルミナ
を用いた場合は部分的なマイクロ波吸収により局部的に
温度が上昇して破壊し、危険であるからである。
実施例の成長条件はつぎのとおりである。
成長圧力 ｔ、ｏｘｉｏ−’ Ｔｏｒｒ 。
基板温度 室温。
使用ガス ５ｉ１１．、０２．円１３゜成長された
ＰＳＧ膜のストレスσは、 σｃ ＝ ２Ｘ１０” ｄｙｎｅ／ｃｍ”と改善された
。
ＰＳＧ膜のストレスσは、 σｃ ＝ ２Ｘ１０” ｄｙｎｅ／ｃｍ”と改善された
。
また、低圧成長のため膜厚分布はよく、従来±ｌθ％以
上であったが、±３％となった。
上であったが、±３％となった。
つぎに、本発明のＥＣＲプラズマ法、減圧熱ＣＶＤ法お
よび常圧熱ＣＶＯ法による場合に対するＰＳＧ膜をつぎ
の第２〜４図により説明する。
よび常圧熱ＣＶＯ法による場合に対するＰＳＧ膜をつぎ
の第２〜４図により説明する。
第２図はＡＩ配線を覆って基板上に成長された１’ＳＧ
膜を説明する断面図である。
膜を説明する断面図である。
図で、間隔して形成された＾ｌ配線２２を覆って基板２
１上にＰＳＧ膜２３を成長した場合に、ＰＳＧ膜２３の
ＡＩ配線２２上における厚さをＡ、オーバハングを含め
た側面における厚さをＣＳ基板上における厚さをＢとす
る。
１上にＰＳＧ膜２３を成長した場合に、ＰＳＧ膜２３の
ＡＩ配線２２上における厚さをＡ、オーバハングを含め
た側面における厚さをＣＳ基板上における厚さをＢとす
る。
第３図は各成長法に対する配線間隔りとＢ／Ａの関係を
示す図である。
示す図である。
この図は下地の凹部に対する凸部の膜厚比を示し、これ
より、εＣＲプラズマ法が下地の凹凸にかかわらず一番
均一な厚さに成膜されることが分かる。
より、εＣＲプラズマ法が下地の凹凸にかかわらず一番
均一な厚さに成膜されることが分かる。
第４図は各成長法に対する配線間隔りとＣ／Ａの関係を
示す図である。
示す図である。
この図は下地の凹部に対する凸部側面の膜厚比を示し、
ＥＣＲプラズマ法が一番小さく、オーバーハングが少な
く、段差被覆の改善が期待できる。
ＥＣＲプラズマ法が一番小さく、オーバーハングが少な
く、段差被覆の改善が期待できる。
以上詳細に説明したように本発明によるｒ’ｓＧ成長は
、 ■ 成長温度が低く、成長された膜のストレスが小さく
ＡＩ配線を損傷することはない。
、 ■ 成長温度が低く、成長された膜のストレスが小さく
ＡＩ配線を損傷することはない。
■ 低圧成長のため膜厚分布はよく、段差被覆も改善さ
れた。
れた。
第１図は本発明を説明する発散磁場型ＥＣＲによるプラ
ズマＣＶＤ装置の断面図、 第２図はＡＩ配線を覆って基板上に成長されたｐｓｃ膜
を説明する断面図、 第３図は各成長法に対する配線間隔りと１３／Ａの関係
を示す図、 第４図は各成長法に対する配線間隔りとＣ／Ａの関係を
示す図である。 図において、 ■は反応室、 ２はプラズマ生成室、 ３は予備室、 ４は被成長基板、 ５はサセプタ、 ６．７は排気口、 ８はマグネットコイル、 ９はマイクロ波電力発生装置、 １０は導波管、 １１はマイクロ波導入窓、 １２は０□ガス導入口、 １３は原料ガス導入口、 １４はプラズマシャッタ である。 賽 １ 口 Ａノ／ｒｓ ｑ燵ρ断酌霞 峯 ２ 図 Ｌ−Ｅ３／、、’ｌ関係、口 浄 ３ い Ｌ（μｍ） Ｌ −Ｃ／Ａ 戸娼Ａイ糸 ｑ 峯４ 口
ズマＣＶＤ装置の断面図、 第２図はＡＩ配線を覆って基板上に成長されたｐｓｃ膜
を説明する断面図、 第３図は各成長法に対する配線間隔りと１３／Ａの関係
を示す図、 第４図は各成長法に対する配線間隔りとＣ／Ａの関係を
示す図である。 図において、 ■は反応室、 ２はプラズマ生成室、 ３は予備室、 ４は被成長基板、 ５はサセプタ、 ６．７は排気口、 ８はマグネットコイル、 ９はマイクロ波電力発生装置、 １０は導波管、 １１はマイクロ波導入窓、 １２は０□ガス導入口、 １３は原料ガス導入口、 １４はプラズマシャッタ である。 賽 １ 口 Ａノ／ｒｓ ｑ燵ρ断酌霞 峯 ２ 図 Ｌ−Ｅ３／、、’ｌ関係、口 浄 ３ い Ｌ（μｍ） Ｌ −Ｃ／Ａ 戸娼Ａイ糸 ｑ 峯４ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 減圧された反応室内に被成長基板を置き、該反応室に
電子サイクロトロン共鳴により生成した酸素プラズマと
、珪素と添加元素を含む原料ガスとを導入して、 該被成長基板上に珪素と酸素と少なくとも１種類の添加
元素を含む膜を成長することを特徴とする３元以上の酸
化珪素膜の成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26901186A JPS63122225A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | ３元以上の酸化珪素膜の成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26901186A JPS63122225A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | ３元以上の酸化珪素膜の成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122225A true JPS63122225A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17466424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26901186A Pending JPS63122225A (ja) | 1986-11-12 | 1986-11-12 | ３元以上の酸化珪素膜の成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122225A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0276231A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置とその製造方法 |
| JPH02138750A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-12 JP JP26901186A patent/JPS63122225A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02138750A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0276231A (ja) * | 1988-09-13 | 1990-03-15 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置とその製造方法 |
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