JPS63119279A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、面発光型半導体発光素子に関し、特にテープ
などの検査用、ＯＡ［器などの表示用または光フアイバ
通信用に最適な半導体発光素子に関するものである。

〔従来の技術・発明が解決しようとする問題点〕半導体
板材（基板）に対して垂直方向に光を放出する半導体発
光素子は、光ファイバとの結合が容易であり、また、面
発光体として一次元或いは二次元のアレイ構造を形成す
ることによりテープなどの検査用、ＯＡ情報機器などの
表示用または光フアイバ通信用として種々の用途が期待
されることから、半導体レーザや発光ダイオードの研究
分野において開発が進められてきている。

しかして本発明者等は上記基板に対して垂直方向に発光
する発光素子として、第１２図、第１３図及び第１５図
に示したような構造の発光素子を提案している。まず第
１２図に示した発光素子は、基板Ｂと、その片面上に設
けた円柱状突起Ｐと、円柱状突起Ｐの側周面及び基板Ｂ
の上面に設けたｐ側電極Ｅ１と、基板Ｂの下面に設けた
ｎ側電極Ｅ２とからなるものである。円柱状突起Ｐ内に
は基板Ｂに対して垂直方向に延在するｐｎ接合ＰＮが、
また基板Ｂの上面と電極Ｅ１との間には５ｉ０２や５ｉ
Ｎａからなる絶縁膜１０が存在している。ここにおいて
ｐｎ接合ＰＮはｐ型不純物としてたとえば亜鉛（Ｚｎ　
）の拡散によって形成されたものである。また第１３図
に示した発光素子は突起Ｐに特徴がある。すなわち、基
板Ｂの片面上に設けた突起Ｐが該面上を横切って延在す
る一条の細長い四角柱状を呈し、しかもこの突起Ｐの長
さは少なくとも１００〜７５，０００／、ｍである。そ
のため突起Ｐ内に延在するｐｎ接合ＰＮも、突起Ｉ〕の
側面に沿って突起Ｐを縦断する方向に存在する。さらに
第１５図に示す発光素子は、基板Ｂに切頭円錐台形状の
貫通孔１−Ｔを形成し、この貫通孔Ｈの内壁面にＺｎを
拡散させて内壁面に沿って延在するｐｎ接合１）Ｎを含
むＺｎ拡散領域を形成したものであり、Ｖ↑通孔１）の
内壁面及び基板Ｂの下面に電極Ｅ１が、基板Ｂの」二面
に環状の電極Ｅ２がそれぞれ設りられている。

これらの発光素子はいずれも電極ＩｉＬ　Ｅ２間に電流
を流すことにより、第１２図及び第１３図に示したもの
では突起［）から、第１５図に示したものでは貫通孔１
）から基板Ｂに対して垂直方向にそれぞれ光をメ攻出す
ることができる。

ところで、第１２図及び第１３図からも明らかであるが
、第１２図に示すものの突起Ｐの径方向における断面、
並びに第１３図に示すものの突起Ｐの横断方向におりる
断面を示した第１４図において、本来この種の発光素子
は基板Ｂに対して垂直方向に発光することを目的とする
ものであり、それがために突起■）の側周面及び側面の
電極Ｅ１からｐｎ接合ＰＮを含む活性領域に電流が効率
良く注入されるように、基板Ｂの上面と電極［！１との
間に絶縁膜１０を介在させている。この絶縁膜１０によ
り、基板Ｂの上面の電極Ｅ１から、基板Ｂの下面の電極
Ｅ２に無駄な電流が流れるのを阻止している。第１５図
のものも同様であり、基板Ｂの下面の電極Ｅ１から上面
の電極Ｅ２に電流が直接流れるのを基板Ｂの下面と電極
Ｅ１との間に介在させた絶縁膜１０によって防いでいる
。

しかしながら、絶縁膜１０は発光による活性領域での発
熱の放散を妨げる作用をし、第１２図及び第１３図のも
のでは基板Ｂの上面の電極Ｅ１からの放熱が、また第１
５図のものでは基板Ｂの下面の電極［！１からの放熱が
悪化し、延いては活性領域だけでなく素子全体がかなり
の高温になる恐れがある。また絶縁膜１０を設けたこと
により、特に第１４図に点線で囲んだ部分及びこれに準
する部分などにおいて短絡して素子が破損することもあ
る。

従って本発明の目的は、テープなどの検査用、ＯＡ機器
などの表示用または光フアイバ通信用に最適で光の集束
性に優れかつ高輝度に発光すると共に、ＳｉＯ□やＳｉ
Ｎ＜などからなる絶縁膜を設けることなく発光による熱
の放散の改善された半導体発光素子を提供することにあ
る。

〔問題点を解決するだめの手段〕

前記［１的は、半導体板材と、該半導体板材に設番」た
ｐ型不純物領域を形成するための部分と、該ｐ型不純物
領域形成部分に半導体板材に対して垂直方向に延在する
ｐｎ接合を含むｐ型不純物領域を有し、ｐ型不純物領域
形成部分を含む部分に設けたＡｕ７．ｎからなるｐ側電
極と、半導体板材の任意の箇所に設けたｎ側電極とから
なる半導体発光素子により達成される。

本発明の半導体発光素子は、基本的には本発明者等が先
に提案している第１２図、第１３図及び第１５図に示し
たもの、すなわちｐ型不純物領域（たとえばｐ型不純物
としてＺｎを拡散すること）によりｐｎ接合を形成し、
ｐｎ接合を含む活性領域に効率良く電流が注入されるよ
うにＳｉＯ□や５ｉＮｎなどからなる絶縁膜を設けたも
のを改良したものである。

それ故、本発明の半導体発光素子において、その特徴と
しては、ｐ側電極［！■の材料に通常使用しているＣｒ
　−ＡｕをＡｕＺｎに変えたことである。これは、突起
Ｐまたは基板Ｂがｎ型ＧａＡｓからなる場合、突起Ｐに
ｐ型不純物として、例えばＺｎを拡散させると拡散領域
はｎ型ＧａＡｓになり、このｐ型不純物領域（ｎ型Ｇａ
Ａｓ）に対してはＺｎをｐ゛　ドーパントにしたＡｕＺ
ｎがあるからであり、しかもこの１）ｕＺｎは、ｐ型不
純物領域とのみオーミックコンタクトを示すので、活性
領域に効率良く電流が注入されると共に、ｎ型ＧａＡｓ
に対してはオーミックコンタクトを示さないので、活性
領域以外の部分には無駄な電流が流れないからである。

これにより、ＳｉＯ□やＳｉＮ＜などからなる絶縁膜は
不要になり、発光による熱の放散も改善されることにな
る。しかしてｐ型不純物領域を形成する方法としては、
上記の拡散による方法の他、エピタキシャル成長時にｐ
型不純物としてＺｎなどを含んだ層を成長させる方法で
もよく、特に限定されるものではなく、どのような方法
を用いても同じ作用・効果を得ることができる。

さらにＡｕＺｎ電極に金（Ａｕ）からなる放熱層を設け
たものでは、放熱が−・段と向」二するが、Ａｕは電気
及び熱伝導性に優れている上、＾ｕＺｎ電極に対して非
常に付着し易いからである。

なお本発明において、使用されている「半導体板材（基
板）に対して垂直方向に延在するｐｎ接合を含むｐ型不
純物領域」の文章のうち“垂直方向”という語句の意味
は、基板に対して角度９０度の直角方向のみと限定的に
解釈する必要はなく、基板に対して９０度より若干大き
い、または小さい傾斜角度をも包含する。

〔実施例〕

以下、本発明の半′１．ｑ体発光素子を実施例に基づい
て説明する。

本発明の半導体発光素子の第一の実施例を第１図及び第
３図に示す。この発光素子は、図からも明らかｊ、Ｃ、
！うに本発明者等が先に提案している第１３図に示した
ものと！、（本釣には同一であり、ｎ型Ｇ様Ｓからなる
半導体板材（基板）Ｂと、その基板Ｂの片面上において
一方の端縁から他方の端縁まで直線的に設けたｎ型Ｇａ
Ａｓからなる細長い一条の四角柱状突起Ｐと、突起Ｐの
両側面及び基板Ｂの突起Ｐを形成した側の面（基板Ｂの
上面）に設けたＡｕＺｎからなるｐ側電極Ｅ１と、基板
Ｂの下面に設けたｎ側電極Ｅ２と、ｐ側電極Ｅｌ上に設
けたＡｕからなる放熱層１とで構成されている。突起Ｐ
内には、その両側面に沿ってｐ型不純物としてＺｎが拡
散され、基板Ｂに対して垂直方向に延在するＺｎ拡散領
域が形成され、その拡散フロントでｐｎ接合ＰＮが形成
されている。

本実施例の発光素子は、ｐ型不純物領域をｐ型不純物（
たとえばＺｎ）を拡散させることにより形成したもので
、電極Ｅ１．８２間に電流を注入した場合、突起Ｐ内の
ｐｎ接合ＰＮを含む活性領域によって、突起Ｐから突起
Ｐの全長にわたって実質的に基板Ｂに対して垂直方向に
かつ線状に発光する。

しかも、電流は突起Ｐの両側面の電極［１からｐｎ接合
ＰＭを含む活性領域を通って基板Ｂの下面の電極Ｅ２に
流れるが、基板Ｂの上面の電極Ｉ！１から電極Ｉ！２に
は流れないので、活性領域への電流の注入効率が向−１
ニし、その結果として発光輝度が増大することになる。

これは前述した如くｐ型不純物領域とし゛（の７．ｎ拡
散領域に対してのみ＾ｕＺｎ電極Ｅ１がオーミックコン
タクトを呈するからである。また、基板ＢにＳｉｎ、や
ＳｉＮ４などからなる絶縁膜を設けていないので、基板
Ｂの上面の電極Ｅｌからも熱が効率良く放散され、素子
全体が高温になるようなことはなく、素子が破１封する
ようなこともない。さらには電極Ｅｌ上にＡｌｌからな
る放熱層１を設けたことにより、放熱が一段と向上する
他、発光輝度の増大、発光素子の寿命の向上、発光素子
の発光波長出力の安定などの効果が付加される。

このような発光素子は、基板Ｂに対して垂直方向に延在
する活性領域を有する構造であることにより、活性領域
からの光は集束性に優れ、かつ高輝度で均一に発光する
ので、検査、表示または通信用とし°ζ最適であり、た
とえば第１図に示した発光素子を光ファイバと結合して
通信用として使用する場合には、突起Ｐの全長にわたっ
て整合するように光ファイバを一直線状（−次元）にア
レイ化したものを突起Ｐの頂上面に簡単に結合できる。

第２図及び第３図に示す第二の実施例も第１２図のもの
と基本構造に差異はないが、ｐ側電極Ｅ１がＡｕＺｎか
らなり、この電極Ｅｌ上にＡｕからなる放熱層１を設け
たことを特徴とし、第一の実施例のものと同様に活性領
域への電流の注入効率が良く、放熱にも優れている。

上記の第−及び第二の実施例において、突起■〕の横断
方向及び径方向の断面形状は、共に第４図（ａｌに示し
たように長方形状を呈するが、これは特に限定はなく、
たとえばｆｂｌに示す如（台形状及び切頭円錐台形状に
して光ファイバに対して一層結合し易いように光を集束
させるもよく、或いは（Ｃ１のように逆台形状及び逆切
頭円錐台形状とし使用目的に応して適度に発散しても構
わない。

さらに、突起Ｐの平面形状も長方形状及び円形状である
必要はなく、第５図（８１〜ｔｃ＋に示すように、第一
の実施例では側面の両方または一方に、第二の実施例で
は側周面に四角形、三角形または半円形などの凹部を形
成してもよい。突起Ｐの平面形状をこのような形状にす
ることによって、凹部を設けないものに比べて活性領域
での基板Ｂに対して平行方向への光の励起が抑制され、
基板Ｂに対して垂直方向への光の励起がより促進される
と共に、実質上活性領域が増大するので、効率の良いか
つ輝度の高い垂直方向の発光が得られることになる。

−に記第一及び第二の実施例の変更例を第６図に示す。

この変更例でばＡｕＺｎ電極ｎｉｌのＡｕ放熱層１をさ
らに厚く設けてあり、Ａｕの特性からして放熱が−・層
高まる。

第７図に示した発光素子は、第１図に示したものを二次
元アレイ化したもの、すなわち基板Ｂ上に互いに平行な
細長い三条の突起Ｐを設けたもので、光ファイバと結合
するには、三列に整列させて二次元アレイ化した光ファ
イバを使用すればよい。用途に応じて基板Ｂ上に多条の
突起Ｐを設けた発光素手番Ｊ、光ファイバとの結合が容
易であり、実用上極めて便利なものである。

次に、第１図に示した第一の実施例の半導体発光素子の
製造方法の一例を、ｎ型ＧａＡｓ基板を用いた場合につ
いて第８図（ａｌ〜（ｋｌを参照しながら説明する。こ
こにおいて使用する基板は、発光素子の用途に応じた一
条の突起の長さを縦方向または横方向に有するものを使
用すればよく、たとえば突起の全長が１〜２印である発
光素子を製造する場合は、それに応じた長さを有する基
板を用いればよい。また、基板の厚さは通常は３００〜
５００戸である。

まず、ｎ型ＧａＡｓ基板Ｂ（第８図（ａｌ参照）の上面
全体に自体既知のマスキング剤（たとえば窒化ケイ素、
酸化ケイ素などが例示され、これらは電子ビーム蒸着、
スパッタ、ＣＶＤ法などによって適用される）でマスク
層Ｍを施す（第８図Ｔｂｌ参照）。

次に、フォトリソグラフィを行うべく、マスク層Ｍの」
二面にレジストＲを塗布して、所望の幅及び長さのパタ
ーン（−条の突起Ｐの平面形状であってこの場合は細長
い長方形のパターン、第５図ｔａ＋〜（Ｃ１に示したよ
うな形状にする場合はそれと同一のパターン）をマスク
層Ｍの上面のほぼ中央に露光・現像しく第８図Ｔｂｌ参
照）、マスク層ＭをＮｌ（、Ｆ−１）Ｆ系バツフアエツ
チングなどによりエツチングしてパターン化する（第８
図Ｔｂｌ参照）。

エツチング後、たとえば反応性イオンエツチング法（Ｒ
ＩＢ）または反応性イオンビームエツチング法（ＲＩＢ
Ｅ）により上記ｎ型ＧａＡｓ基板Ｂを所定の深さまでイ
オンエツチングし、基板Ｂ上に所定の高さを有するｎ型
ＧａＡｓからなる細長い一条の突起■〕を形成する（第
８図Ｔｂｌ参照）。当該突起Ｐの頂」二面には、上記の
工程の際に施与したマスク層Ｍ及びレジストＲが存在し
ているが、該マスク層Ｍ及びレジストＲを残存させて置
きマスク状態にした後に、ｐ型の不純物としてＺｎの拡
散を行って、突起Ｉ）内にその両側面に沿って基板Ｂに
対して垂直方向に延在する拡散領域（活性領域を含む）
を、また基板Ｂ内にその上面に沿って基板Ｂに対して平
行方向に延在する拡散領域をそれぞれ形成して、この領
域をｐ型不純物領域であるｐ型ＧａＡｓとし、これによ
りＺｎの拡散していない領域と拡散フロントとの界面に
ｐｎ接合ＰＩＪを形成する（第８図（ｆｌ参照）。

拡散工程の後に、基板Ｂ内に延在する拡散領域を除去す
べく、ＲＩＥまたはＲＩＢＥにより再びｎ型ＧａＡｓ基
板Ｂをイオンエツチングしく第８図（ｇｌ参照）、また
基板Ｂの下面にｎ側の電極材として、例えばＡｕ−Ｇｅ
からなる電極Ｅ２を真空蒸着などの手段によって設け（
第８図ｔｈ＋参照）、突起Ｐの両側面、突起Ｐ上のレジ
ス）Ｒの上面及び基板Ｂの上面にｐ側の電極材としてＡ
ｕ　−Ｚｎからなる電極［！■を同様に真空蒸着などの
手段によって設け（第８図ｉｌｌ参照）、さらに電極ｂ
ｌ上にＡｕからなる放熱層１を真空蒸着などを用いて設
ける（第８図（」）参照）。

その後、突起Ｐ上のＡｕ放熱層１、電極［！１、レジス
トＲ及びマスク層Ｍをリフトオフ法により除去する（第
８図ｆｋｌ参照）ことにより、第１図ｆａｌ、（ｂｌに
示した如く基板Ｂ上に細長い一条の突起Ｐを有し、突起
Ｐ内に基板Ｂに対して垂直方向に延在するｐｎ接合ＰＮ
を含む活性領域を有し、かつ基板Ｂ内に絶縁膜を有しな
い半導体発光素子が製造される。

さらに第９図及び第１０図に第三の実施例を示す。

これは第１５図のものの改良で、ｐ側電極［！１がＡｕ
Ｚｎからなり、電極［１上にＡｕ放熱層１を設けてあり
、第一・及び第二の実施例のものと同様の作用・効果が
得られる。

以下に第三の実施例の製法の一例をｎ型ＧａＡｓ基板を
用いた場合について第１）図０１参照（ｋｌを参照しな
がら説明する。

まず、四角柱状のｎ　１ＧａＡｓ基板Ｂ（第１）図＋８
１参照）の下面全体（図中では工程の都合上基板Ｂを逆
様にしである）に自体既知のマスキング剤（たとえば窒
化ケイ素、酸化ケイ素などが例示され、これらは電子ビ
ーム蒸竹、スパッタ、ＣＶＤ法などによって適用される
）でマスク層Ｍを施す（第１）図（ｂｌ参照）。次にフ
ォトリソグラフィを行うべく、マスク層間上にレジスＩ
−Ｒを塗布して、環状のパターン（基板Ｂのほぼ中央に
円形を形成するパターン）をマスク層Ｍに露光・現像し
く第３図（Ｃ１参照）、マスク層ＭをＣＦＪガスを用い
たＲＩＥなどによりエツチングしてパターン化する（第
１）図（１）参照）。

エツチング後、たとえばＲＩＥまたはＲＴＢＥにより上
記ｎ型ＧａＡｓ基板Ｂの中央に穴を開け、テーパをもた
せながらイオンエツチングして基板Ｂに穴を貫通し、基
板Ｂに切頭円錐台形状の貫通孔Ｈを形成する（第１）図
（ｅ）参照）。基板Ｂの下面には、上記の工程の際に施
与したマスクＮＭ及びレジストＲが存在しているが、該
マスク層Ｍ及びレジストＲを残存させて基板Ｂの下面を
マスク状態にして置いた後に、ｐ型の不純物としてたと
えばＺｎの拡散を行って、貫通孔Ｈの内壁面に沿って基
板Ｂに対して垂直方向に延在する拡散領域（活性領域を
含む）を形成して、この領域をｐ型不純物領域であるｐ
型ＧａＡｓとし、これによりＺｎの拡散していない領域
と拡散フロントとの界面にｐｎ接合ＰＮを形成する（第
１）図（ｆｌ参照）。なおこの工程（ｆｌで基板Ｂの上
面にも拡散領域が形成されるが、この領域は研磨により
削り取る。

拡散工程の後に、基板Ｂの下面のマスク層Ｍ及びレジス
トＲを１ｉｌ１４．Ｆ−１）Ｆ系バソフアエツヂングな
どによってリフトオフする（第１）図（ｇｌ参照）。そ
して、貫通孔Ｈの内壁面及び基板Ｂの下面にｐ側の電極
材としてＡｕ−Ｚｎからなる電極Ｅ１を、Ｚｎ、＾Ｕの
順に行うスパッタか、またはＡｕ　−Ｚｎ合金を真空蒸
着などの手段によって設け、さらに電極ｂｌ上にＡｕか
らなる放熱層１を真空蒸着などを用いて設ける（第１）
図（１）参照）。次にフォトリングラフィを行うべく、
逆様にした状態の基板Ｂの上面において露出する拡散領
域を覆うようにレジストＲ”を塗布して、これをパター
ン化しく第１）図（１）参照）、基板Ｈの上面及びレジ
ス）Ｒ”上にｎ側の電極材としてたとえばＡｕ−Ｇｅか
らなる電極Ｅ２を電極Ｅ１と同様に真空蒸着などの手段
によって設け（第１）図０１参照）、その後、レジスト
Ｒ°上の不要な電極［２をレジストＲ゛　と共にリフト
オフ法により除去する（第１）図（ト））参照）ことに
より、第９図に示した構造の発光素子が製造される。

」二速の実施例の発光素子は、ｎ型ＧａＡｓ基板のみを
用いて製造したものであるが、発光材料を変えることに
より、すなわち化合物半導体の禁制帯幅の異なる材料を
使用することにより、発光波長を種々に変えることも可
能である。発光材料としては、ｍ−ｖ族化合物半導体で
あるＧａＡｓ、　ＧａＰ、八１ＧａＡｓ、、　ＩｎＰ、
　　ＩｎＧａＡｓＰ、　　ｒｎＧａＰ、　　ＩｎＡｓＳ
ｂ、　　ＧａＡｓＰ、、　ＧａＮ。

ＩｎＡｓＰ、　ＩｎＡｓＳｂなど、ｍ−ｖｒ族化合物半
導体であるＺｎ５ｅ、　ＺｎＳ、　ＺｎＯ１ＣｄＳｅ、
　ＣｄＴｅなど、ＩＶ−’ｔ／Ｉ族化合物半導体である
ＰｂＴｅ、　Ｐｂ５ｎＴｅＸＰｂＳｎＳｅなど、更にＩ
Ｖ−ＩＶ族化合物半導体であるＳｉＣなどがあり、それ
ぞれの材料の長所を活かして適用することが可能である
。また本発明において、電極Ｅｌ、Ｅ２は、実施例に示
す大きさ及び形状に特定されるものではなく、基板Ｂに
対して垂直方向に発光しうる限り、任意の大きさ及び形
状で設けることができ、特にｐ側電極であるＡｕＺｎ電
極Ｅ１はＺｎ拡散領域に効率良く電流を注入でき、かつ
発光による熱を十分に放散できるのならば、その大きさ
及び形状が限定されることはない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明の半導体発光素子＆ｊ、半
導体板材（基板）にｐ型不純物領域を形成し、このｐ型
不純物領域の部分に＾ｕＺｎからなるｐ側電極を設け、
基板に５ｉ０２や５ｉＮａなどからなる絶縁膜を設けて
いないので、ｐｎ接合を含む活性領域に電流が効率良く
注入され、発光による熱の放散に優れ、破損するような
こともないと共に、優れた集束性かつ輝度の高い発光が
得られ、テープなどの検査用、ＯＡ機器などの表示用ま
たは光フアイバ通信用として最適なものであり、光ファ
イバとの結合が容易であり、しかもその製造工程も簡単
で大量生産することができ、製造工程において任意の発
光パターンを得ることができ、さらにＡｕＺｎ電極」二
に篩からなる放熱層を設けたものでは、放熱が一段と向
上するなど、実用上非常に有用なものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の半導体発光素子の第一の実施例の斜視
図、第２図は本発明の半導体発光素子の第二の実施例の
斜視図、第３図は第一の実施例の突起の横断方向かつ第
二の実施例の突起の径方向における断面図、第４図＋ａ
ｌ〜ｆｃ］は第１図及び第２図に示した発光素子の突起
の横断方向かつ径方向における断面形状の変更例を示す
断面図、第５図＋ａｌ〜（Ｃ１は第１図に示した発光素
子の突起の平面形状の変更例を示す平面図、第６図は第
１図及び第２図に示した発光素子の変更例の断面図、第
７図は第１図に示した発光素子を二次元アレイ化したも
のの斜視図、第８図ｉａｌ〜□□□）は第１図に示した
発光素子の製作工程の一例を示す流れ図、第９図は本発
明の半導体発光素子の第三の実施例の斜視図、第１０図
は第９図に示した発光素子の断面図、第１）図は第９図
に示した発光素子の製作工程の一例を示す流れ図、第１
２図及び第１３図は本発明者等が先に提案している半導
体発光素子の斜視図、第１４図は第１２図に示したもの
の突起の径方向かつ第１３図に示したものの突起の横断
方向における断面図、第１５図は本発明者等が先に提案
している半導体発光素子の一部破断斜視図である。 Ｂ　　　　　　：半導体板材（基板） Ｐ　　　　　　：突起 １）：貫通孔 Ｅｌ　　　　　　　：Ｉ）側ΔｕＺｎ電極［！２　　　
　　　　：　ｎ側電極 ＰＮ　　　　　　　：ｐｎ接合 １　　　　　　　；＾Ｕ放熱層 Ｍ　　　　　　：マスク層 Ｒ，、Ｒ１ニレジスト 特許出願人　新技術開発事業団（ばか６名）（ａ） （ａ） 第４図 （日）　　　　　　（こ） 第５図 （ｂ）（こ）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体板材と、該半導体板材に設けたｐ型不純物
   領域を形成するための部分と、該ｐ型不純物領域形成部
   分に半導体板材に対して垂直方向に延在するｐｎ接合を
   含むｐ型不純物領域を有し、ｐ型不純物領域形成部分を
   含む部分に設けたＡｕＺｎからなるｐ側電極と、半導体
   板材の任意の箇所に設けたｎ側電極とからなることを特
   徴とする半導体発光素子。
2. （２）前記ＡｕＺｎ電極の表面上に金からなる放熱層を
   設けてなることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   記載の半導体発光素子。
3. （３）前記ｐ型不純物領域形成部分が半導体板材の片面
   上に設けた柱状突起であることを特徴とする特許請求の
   範囲第（１）項または第（２）項記載の半導体発光素子
   。
4. （４）前記ｐ型不純物領域形成部分が半導体板材の片面
   上に設けた該面上を横切って延在する一条の突起である
   ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項または第（
   ２）項記載の半導体発光素子。
5. （５）前記ｐ型不純物領域形成部分が半導体板材に形成
   した貫通孔であることを特徴とする特許請求の範囲第（
   １）項または第（２）項記載の半導体発光素子。