JPS6311779B2 - - Google Patents

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JPS6311779B2
JPS6311779B2 JP61204196A JP20419686A JPS6311779B2 JP S6311779 B2 JPS6311779 B2 JP S6311779B2 JP 61204196 A JP61204196 A JP 61204196A JP 20419686 A JP20419686 A JP 20419686A JP S6311779 B2 JPS6311779 B2 JP S6311779B2
Authority
JP
Japan
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glass
nail
head
electrode
leadless
Prior art date
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Expired
Application number
JP61204196A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS62142336A (ja
Inventor
Naoharu Teguri
Kenji Ishihara
Makoto Nishikawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPS62142336A publication Critical patent/JPS62142336A/ja
Publication of JPS6311779B2 publication Critical patent/JPS6311779B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、リードレスガラス封止ダイオードに
関するものである。
最近、電子部品のプリント配線基板への実装の
高速化、高密度化の要求によつて、リード線を有
しない電子部品、いわゆるリードレス部品が脚光
を浴びている。
ダイオードにおいても、外径が2.2mmで、長さ
5.9mm、あるいは外径が1.4mmで長さが3.5mmの大き
さで、部品の自動供給に有利な円筒形をしたリー
ドレスダイオードが提案されている。
このリードレスダイオードは、基本的にはジユ
メツト材からなる一部の釘形電極、ダイオードチ
ツプ、およびガラス管で構成され、釘形シユメツ
ト電極の胴部端面同士でダイオードチツプを挾持
し、胴部側面でその表面に設けられた亜酸化胴層
を介してガラス管の内壁と封止し、ガラスの収縮
力を利用して電極でチツプを圧接した構造になつ
ており、一般にリードレスガラス封止ダイオード
と呼ばれている。
ところで、従来提案されているリードレスガラ
ス封止ダイオードは、第1図にその断面図で示し
たように、ガラス4が正規の封止部6すなわち釘
形電極1の胴部2以外に、少なくとも一方の釘形
電極1の電極頭部3の裏面7に、あるいはその裏
面7と側面8に密着または部分的に接着している
のが普通である。
これは、一般に金属の表面に金属の酸化層があ
るとガラスは接着しやすいが、特にジユメツト製
電極の表面に設けられた亜酸化銅層はガラスとき
わめてよくなじむこと、さらにまた通常採用され
ている縦形組立封止方式の場合下側になる釘形ジ
ユメツト電極にガラス管が当接して支持されたま
まで加熱されること等が原因と考えられる。
ところで、このように正規の封止部の他に釘形
電極の頭部にもガラスが接着して二面で固定され
た構造になると、加熱冷却の際にガラスに簡単に
「ひび」が入りやすいという欠点がある。
すなわち、加熱封止加工での冷却の際や、プリ
ント配線基板への実装における半田浸漬での加熱
冷却の際に、ガラスの収縮がジユメツト電極の軸
方向の収縮より大きいので、ガラスがジユメツト
電極の頭部裏面から離れようとしてガラスに「ひ
び」が入るものと考えられる。
この「ひび」は、「割れ」あるいは「気密漏れ」
などの半導体装置としては致命的な欠陥に発展す
る可能性がきわめて高いので、この問題を解決し
たリードレスガラス封止ダイオードの出現が強く
望まれているのである。
本発明は、リードレスガラス封止ダイオードの
釘形電極の頭部もしくはその表面を封止のための
ガラスとなじみにくい金属で構成することによつ
て、上述の問題点を解決した、耐熱信頼性の高い
リードレスガラス封止ダイオードを提供しようと
するものである。
以下に、本発明の実施例について、図面を用い
て詳しく説明する。
〔実施例 1〕 釘形電極がジユメツト材で構成され、頭部の亜
酸化銅層が完全に取り除かれており、ガラスが釘
形電極の頭部裏面には、あるいは裏面と側面には
接触しているだけのリードレスガラス封止ダイオ
ードについて説明する。
第2図に組立断面図で示したように、電極1の
胴部2にのみガラスのなじみやすい亜酸化銅層1
2が形成されており、その頭部3にはそれが形成
されていないので、ガラス管の端面11が電極頭
部3の裏面7に当接して組合わされていても加熱
封止工程でガラス4が電極頭部3に接着すること
はなく、単に接触しているだけの構造となる。し
たがつて、ガラスと電極との間に熱膨張差があつ
ても、加熱封止工程での冷却や、プリント板実装
での半田浴浸漬後の冷却などの際に、ガラス内に
引張り歪が発生することがなく「ひび」の入るこ
とがない。
ところで、ジユメツト材をヘツダー加工した電
極1の頭部3の亜酸化銅層を完全に取り除くに
は、頭部3のみをたとえば塩酸、硫酸、過硫酸ア
ンモン、あるいは塩化第2鉄等の腐食液に浸漬す
ればよい。
〔実施例 2〕 実施例1はジユメツト電極頭部3の亜酸化銅層
を取り除いた例であるが、逆に、第3図に示すよ
うに、ジユメツト電極頭部3にガラス4のなじま
ない金属、たとえばニツケル、銅、銀等のメツキ
層13を有する釘形電極1を用いて封止し、ガラ
ス4が電極頭部3に接着するのを阻止したリード
レスガラス封止ダイオードとしてもよい。
〔実施例 3〕 釘形電極の胴部をジユメツト材で構成し、頭部
をガラスのなじまない金属材で構成して、ガラス
が釘形電極の頭部裏面、あるいは裏面と側面には
接触しているだけの構造を有するリードレスガラ
ス封止ダイオードの例を説明する。
第4図に組立断面図で示したように、電極頭部
3は、ガラスのなじまない金属で構成されている
ので、ガラス管が電極頭部3に当接して組合わさ
れていても、加熱封止工程でガラス4が電極頭部
3に接着することはなく、ただ接触しているだけ
となる。したがつて、加熱操作を受けた際冷却時
にガラスと電極との熱膨張差によつてガラス内に
「ひび」が入るということはない。
上記の電極頭部3を構成するガラスのなじまな
い金属としては、鉄、鉄ニツケル合金、あるいは
銅などの金属生地があり、これらの金属生地のい
ずれかを胴部2を構成するジユメツト材と電気溶
接することにより釘形電極を形成することができ
る。14は電気溶接部である。
以上説明したように、本発明のリードレスガラ
ス封止ダイオードは、釘形電極の頭部もしくはそ
の表面を封止するためのガラスとなじみにくい金
属で構成することによつて、両方の釘形電極の頭
部にガラスが接着するのを阻止、すなわち、当接
してもガラスが釘形電極の頭部に接触しているだ
けの構造にしたので、加熱封止工程での冷却時や
プリント板実装における半田浴浸漬での加熱冷却
の際に、釘形電極とガラスとの間に熱膨張による
収縮差が生じても、「ひび」の発生することがな
く、したがつて「割れ」や「気密漏れ」のない耐
熱信頼性の高い半導体装置となつている。
また、本発明のリードレスガラス封止ダイオー
ドは、ガラスが釘形電極に部分的に接着している
場合に起りがちだつた半田浴浸漬でのフラツクス
の残留も生じないので、正規の封止部が次第に侵
食されて気密性の劣化に発展するというおそれも
ない。
また、本発明のリードレスガラス封止ダイオー
ドは、従来とかくガラスが釘形電極の頭部側面に
まで被つて側面の半田付面積が狭くなるといつた
点も改善され、プリント板回路との接続にも好ま
しい結果をもたらす。
この他、従来は主に抵抗やコンデンサ等の受動
部品を中心に展開されていたリードレス部品のプ
リント板実装も、本発明の信頼性の高いリードレ
スガラス封止ダイオードを使用することにより、
受動・能動の混成部品からなるプリント板実装を
促進できるなど、本発明の効果は非常に大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のリードレスガラス封止ダイオー
ドの一例を示す断面図である。第2図,第3図,
第4図は本発明にかかる実施例のリードレスガラ
ス封止ダイオードの断面図である。 1…釘形電極、2…釘形電極の胴部、3…釘形
電極の頭部、4…ガラス、6…封止部、7…釘形
電極の頭部裏面、8…釘形電極の頭部側面、12
…亜酸化銅層、13…ガラスのなじまないメツキ
層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 ダイオードチツプが一対の釘形電極の胴部先
    端で圧接挟持され、かつ前記釘形電極の胴部側面
    に接着されたガラスによつて前記ダイオードチツ
    プが封止されており、かつ、前記一対の釘形電極
    の頭部の少なくとも表面が前記ガラスのなじみに
    くい金属で構成されていることを特徴とするリー
    ドレスガラス封止ダイオード。
JP20419686A 1986-08-29 1986-08-29 リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド Granted JPS62142336A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20419686A JPS62142336A (ja) 1986-08-29 1986-08-29 リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20419686A JPS62142336A (ja) 1986-08-29 1986-08-29 リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12760081A Division JPS5828859A (ja) 1981-08-13 1981-08-13 リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS62142336A JPS62142336A (ja) 1987-06-25
JPS6311779B2 true JPS6311779B2 (ja) 1988-03-16

Family

ID=16486422

Family Applications (1)

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JP20419686A Granted JPS62142336A (ja) 1986-08-29 1986-08-29 リ−ドレスガラス封止ダイオ−ド

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Families Citing this family (2)

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JPH01185954A (ja) * 1988-01-20 1989-07-25 Nec Corp リードレスダイオード
JP4726069B2 (ja) * 2006-04-26 2011-07-20 株式会社いうら 入浴用ストレッチャー

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JPS62142336A (ja) 1987-06-25

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