JPS6311652Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311652Y2 JPS6311652Y2 JP1981145435U JP14543581U JPS6311652Y2 JP S6311652 Y2 JPS6311652 Y2 JP S6311652Y2 JP 1981145435 U JP1981145435 U JP 1981145435U JP 14543581 U JP14543581 U JP 14543581U JP S6311652 Y2 JPS6311652 Y2 JP S6311652Y2
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- JP
- Japan
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- differential
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- Expired
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 6
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 102100023185 Transcriptional repressor scratch 1 Human genes 0.000 description 1
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、棒鋼などの被検材に含まれる傷を、
例えばその傷口における漏洩磁束に感応する検出
素子を利用することによつて、検出するととも
に、併せてその傷の大きさを判定することができ
る探傷装置に関する。
例えばその傷口における漏洩磁束に感応する検出
素子を利用することによつて、検出するととも
に、併せてその傷の大きさを判定することができ
る探傷装置に関する。
先行技術の探傷装置は、例えば第１図に示すよ
うに、２個の、漏洩磁束に感応する検出素子１お
よび２を樹脂３の内部に埋設して成る検出子４
と、その２個の検出素子１および２のそれぞれか
らの検出信号のレベル差に応答動作する差動回路
５とを含んで構成される。検出子３は、棒鋼など
の被検材６の表面から、少し離間したところに配
置される。被検材６は、矢符Ａ方向に移動させら
れており、その内部には、図示しない装置を介し
て、磁束が通過している。この被検材６には、傷
７があり、この傷７のところで、上記磁束は、破
線８に示すごとく漏洩する。したがつて、被検材
６が矢符Ａ方向に移動させられてゆき、被検材６
の傷７が検出子４に相対向させられたとき、その
傷７における漏洩磁束８が検出子４によつて検出
され、これによつて、被検材６の傷が探し出され
る。ところで、漏洩磁束８をｘ方向成分（水平成
分）とｙ方向成分（垂直成分）とに分けてみた場
合、上昇側（被検体から外部へ向かう方向側）の
最大垂直成分点ａと下降側（外部から被検体に向
かう方向側）の最大垂直成分点ｂとの間隔ｄが、
上記２個の検出素子１，２の相互離間距離Ｄに
ほゞ等しいとき、検出素子１，２のそれぞれから
は、第２図の曲線ｌ，ｍに示すごとき変化する検
出信号S1，S2が出力される。そして、これらの検
出信号S1，S2が差動回路５に入力されると、その
差動回路５からは、第２図の曲線ｎで示すごとき
変化をする差動信号S3が出力される。
うに、２個の、漏洩磁束に感応する検出素子１お
よび２を樹脂３の内部に埋設して成る検出子４
と、その２個の検出素子１および２のそれぞれか
らの検出信号のレベル差に応答動作する差動回路
５とを含んで構成される。検出子３は、棒鋼など
の被検材６の表面から、少し離間したところに配
置される。被検材６は、矢符Ａ方向に移動させら
れており、その内部には、図示しない装置を介し
て、磁束が通過している。この被検材６には、傷
７があり、この傷７のところで、上記磁束は、破
線８に示すごとく漏洩する。したがつて、被検材
６が矢符Ａ方向に移動させられてゆき、被検材６
の傷７が検出子４に相対向させられたとき、その
傷７における漏洩磁束８が検出子４によつて検出
され、これによつて、被検材６の傷が探し出され
る。ところで、漏洩磁束８をｘ方向成分（水平成
分）とｙ方向成分（垂直成分）とに分けてみた場
合、上昇側（被検体から外部へ向かう方向側）の
最大垂直成分点ａと下降側（外部から被検体に向
かう方向側）の最大垂直成分点ｂとの間隔ｄが、
上記２個の検出素子１，２の相互離間距離Ｄに
ほゞ等しいとき、検出素子１，２のそれぞれから
は、第２図の曲線ｌ，ｍに示すごとき変化する検
出信号S1，S2が出力される。そして、これらの検
出信号S1，S2が差動回路５に入力されると、その
差動回路５からは、第２図の曲線ｎで示すごとき
変化をする差動信号S3が出力される。
その結果、被検材６の傷７が検出子４に相対向
させられたときには、検出信号S1，S2の最大レベ
ルＥの２倍のレベルを有する差動信号S3を得るこ
とができ、したがつて差動回路５に接続された後
段の信号処理回路においては、差動信号S3のレベ
ルが非常に大きいので、Ｓ／Ｎ比の優れた、した
がつて傷の検出のための信号としては非常に処理
しやすい信号を得ることができる。ところが、前
記間隔ｄが検出素子の相互離間距離Ｄの２倍以上
にも達するような傷、例えば、大きく口を開いた
傷や、傷の方向が検出素子の配列方向（ｘ方向）
に対して傾斜している傷、などの場合には、検出
信号S1，S2に基づく差動回路５からの差動信号S3
のレベルが大きく低下してしまい、このため信号
処理回路において被検体の傷を正確に検出するこ
とができない場合が生じるおそれがあつた。
させられたときには、検出信号S1，S2の最大レベ
ルＥの２倍のレベルを有する差動信号S3を得るこ
とができ、したがつて差動回路５に接続された後
段の信号処理回路においては、差動信号S3のレベ
ルが非常に大きいので、Ｓ／Ｎ比の優れた、した
がつて傷の検出のための信号としては非常に処理
しやすい信号を得ることができる。ところが、前
記間隔ｄが検出素子の相互離間距離Ｄの２倍以上
にも達するような傷、例えば、大きく口を開いた
傷や、傷の方向が検出素子の配列方向（ｘ方向）
に対して傾斜している傷、などの場合には、検出
信号S1，S2に基づく差動回路５からの差動信号S3
のレベルが大きく低下してしまい、このため信号
処理回路において被検体の傷を正確に検出するこ
とができない場合が生じるおそれがあつた。
したがつて、本考案の目的は、上述の技術的課
題を解決し、被検体の傷が大きい場合でも小さい
場合でも正確にその傷を検出することのできると
ともに、併せて傷の大きさを判定できる探傷装置
を提供することである。
題を解決し、被検体の傷が大きい場合でも小さい
場合でも正確にその傷を検出することのできると
ともに、併せて傷の大きさを判定できる探傷装置
を提供することである。
第３図は、本考案の一実施例の構成を示すもの
である。棒鋼などの被検材１０は矢符Ｂの方向
に、図示しないローラなどの運搬装置によつて移
動させられる。被検材１０の内部には、図示しな
い磁束発生装置からの磁束が通過しており、この
被検材１０にはまた、漏洩磁束の上昇側最大垂直
成分点と下降側最大垂直成分点とのｘ方向におけ
る間隔が、それぞれ、d1，d2およびd3である異な
る大きさの傷１１，１２および１３がある。これ
らの傷１１，１２および１３のところには、図示
するように、それぞれ漏洩磁束１５，１６および
１７が発生している。これらの傷１１，１２およ
び１３において、傷１１は、材料を圧延したとき
に生じやすい密着割れ傷であり、傷１２は、開口
傷であり、傷１３は、あばた傷である。
である。棒鋼などの被検材１０は矢符Ｂの方向
に、図示しないローラなどの運搬装置によつて移
動させられる。被検材１０の内部には、図示しな
い磁束発生装置からの磁束が通過しており、この
被検材１０にはまた、漏洩磁束の上昇側最大垂直
成分点と下降側最大垂直成分点とのｘ方向におけ
る間隔が、それぞれ、d1，d2およびd3である異な
る大きさの傷１１，１２および１３がある。これ
らの傷１１，１２および１３のところには、図示
するように、それぞれ漏洩磁束１５，１６および
１７が発生している。これらの傷１１，１２およ
び１３において、傷１１は、材料を圧延したとき
に生じやすい密着割れ傷であり、傷１２は、開口
傷であり、傷１３は、あばた傷である。
したがつて、被検材１０の表面には、大きさが
相異なる３つの傷がある。ところで、これらの傷
を検出するための検出子１８は、樹脂１９の内部
に少なくとも３個以上、本件実施例では４個の検
出素子２０，２１，２２，および２３が被検材１
０に対する相対的な移動走査方向（図の左右方
向）に沿つて間隔をあけてこの順序で埋設されて
構成される。検出素子２３と２２は相互離間距離
がD1であり、これらの検出素子２３と２２は、
被検材１０の傷１１を検出するための第１の組合
わせを構成し、その相互離間距離D1は、被検材
１０の傷１１における漏洩磁束１５に関する前記
間隔d1にほゞ相等しくなるように設定されてい
る。次に、検出素子２３と２１は、相互離間距離
がD2であり、これらの検出素子２３と２１は、
被検材１０の傷１２を検出するための第２の組合
わせを構成し、その相互離間距離D2は、被検材
１０の傷１２における漏洩磁束１６に関する前記
間隔d2にほゞ等しくなるように設定されている。
最後に、検出素子２３と２０は、相互離間距離
D3であり、これらの検出素子２３と２０は、被
検材１０の傷１３を検出するための第３の組合わ
せを構成し、その相互離間距離D3は、被検材１
０の傷１３における漏洩磁束１７に関する前記間
隔d3にほゞ等しくなるように設定されている。
相異なる３つの傷がある。ところで、これらの傷
を検出するための検出子１８は、樹脂１９の内部
に少なくとも３個以上、本件実施例では４個の検
出素子２０，２１，２２，および２３が被検材１
０に対する相対的な移動走査方向（図の左右方
向）に沿つて間隔をあけてこの順序で埋設されて
構成される。検出素子２３と２２は相互離間距離
がD1であり、これらの検出素子２３と２２は、
被検材１０の傷１１を検出するための第１の組合
わせを構成し、その相互離間距離D1は、被検材
１０の傷１１における漏洩磁束１５に関する前記
間隔d1にほゞ相等しくなるように設定されてい
る。次に、検出素子２３と２１は、相互離間距離
がD2であり、これらの検出素子２３と２１は、
被検材１０の傷１２を検出するための第２の組合
わせを構成し、その相互離間距離D2は、被検材
１０の傷１２における漏洩磁束１６に関する前記
間隔d2にほゞ等しくなるように設定されている。
最後に、検出素子２３と２０は、相互離間距離
D3であり、これらの検出素子２３と２０は、被
検材１０の傷１３を検出するための第３の組合わ
せを構成し、その相互離間距離D3は、被検材１
０の傷１３における漏洩磁束１７に関する前記間
隔d3にほゞ等しくなるように設定されている。
前記移動走査方向の先頭位置（もしくは最後尾
位置）に配列された基準素子としての検出素子２
３は、リード線２４を介して各差動回路２６，２
７および２８の一方の入力部に接続される。残余
の各検出素子２２，２１および２０は、それぞ
れ、リード線２８，２９および３０を介して、各
差動回路２５，２６，および２７の他方の入力部
に接続される。各差動回路２５，２６，および２
７は、それぞれ、フイルタ／増幅回路３１，３
２，および３３を介して、判定回路３４，３５，
および３６に接続される。
位置）に配列された基準素子としての検出素子２
３は、リード線２４を介して各差動回路２６，２
７および２８の一方の入力部に接続される。残余
の各検出素子２２，２１および２０は、それぞ
れ、リード線２８，２９および３０を介して、各
差動回路２５，２６，および２７の他方の入力部
に接続される。各差動回路２５，２６，および２
７は、それぞれ、フイルタ／増幅回路３１，３
２，および３３を介して、判定回路３４，３５，
および３６に接続される。
フイルタ／増幅回路３１，３２，および３３
は、被検材１０の各傷１１，１２，および１３に
対応する信号成分のみを、差動回路２５，２６，
および２７のそれぞれの差動信号から取出して増
幅するための回路であり、この回路３１，３２，
３３によりノイズ成分を除去してＳ／Ｎを改善し
た後に、各判定回路３４，３５，３６でそれぞれ
判定を行う。各判定回路３４，３５，および３６
は、フイルタ／増幅回路３１，３２，および３３
からの各出力信号のレベル変化に基づいて被検材
１０の傷の有無を判定するための回路である。フ
イルタ／増幅回路３１，３２，および３３、なら
びに判定回路３４，３５，および３６をまとめて
信号処理回路と考えてもよい。
は、被検材１０の各傷１１，１２，および１３に
対応する信号成分のみを、差動回路２５，２６，
および２７のそれぞれの差動信号から取出して増
幅するための回路であり、この回路３１，３２，
３３によりノイズ成分を除去してＳ／Ｎを改善し
た後に、各判定回路３４，３５，３６でそれぞれ
判定を行う。各判定回路３４，３５，および３６
は、フイルタ／増幅回路３１，３２，および３３
からの各出力信号のレベル変化に基づいて被検材
１０の傷の有無を判定するための回路である。フ
イルタ／増幅回路３１，３２，および３３、なら
びに判定回路３４，３５，および３６をまとめて
信号処理回路と考えてもよい。
動作を説明する。
被検材１０が、検出子１８に対して矢符Ｂ方向
に相対的に移動させられてゆき、被検材１０の密
着割れ傷１１が、第１の組合わせである検出素子
２３と２２に相対向する位置になつたとき、検出
素子２３と２２のそれぞれからの検出信号が、リ
ード線２４，２８を介して、差動回路２５に送出
される。
に相対的に移動させられてゆき、被検材１０の密
着割れ傷１１が、第１の組合わせである検出素子
２３と２２に相対向する位置になつたとき、検出
素子２３と２２のそれぞれからの検出信号が、リ
ード線２４，２８を介して、差動回路２５に送出
される。
ところが、検出素子２３と２２の相互離間距離
D1が、その傷１１に関する前記間隔d1にほゞ等
しいので、第２図において説明したように、差動
回路２５からは、レベルの非常に大きい差動信号
が、フイルタ／増幅回路３１を介して、判定回路
３４に送出される。
D1が、その傷１１に関する前記間隔d1にほゞ等
しいので、第２図において説明したように、差動
回路２５からは、レベルの非常に大きい差動信号
が、フイルタ／増幅回路３１を介して、判定回路
３４に送出される。
したがつて、判定回路３４は、差動信号に基づ
いて、被検材１０に密着割れ傷１１があることを
正確に判定することができる。次に、被検材１０
が更に矢符Ｂの方向に移動させられてゆき、被検
材１０の開口傷１２が、第２の組合わせである検
出素子２３と２１に相対向するようになつたと
き、今度は、検出素子２３と２１のそれぞれから
の検出信号が、リード線２４，２９を介して、差
動回路２６に送出される。したがつて、この場合
も、検出素子２３と２１との相互離間距離D2が、
開口傷１２に対応しているので、差動回路２６か
らは、フイルタ／増幅回路３２を介して、判定回
路３５にレベルの大きい差動信号が印加されるこ
とになり、これによつて判定回路３５は、被検材
１０に開口傷１２があることを判定することがで
きる。このようにして、被検材１０のあばた傷１
３も、判定回路３６で判定されて検出される。こ
のようにして、移動走査方向の先頭位置の検出素
子２３と、残余の各検出素子２２，２１，２０と
の間隔D1，D2，D3にそれぞれ対応する異なる大
きさの傷１１，１２，１３を、各差動回路２５，
２６，２７の出力レベルの変化として各判定回路
３４，３５，３６で検出できるとともに、傷の大
きさに応じていずれかの判定回路３４，３５，３
６から判定信号が出力されるので、どの判定回路
から判定信号が出ているかを見ることで、傷１
１，１２，１３の大きさが分かる。さらに、フイ
ルタ／増幅回路３１，３２，３３によつてＳ／Ｎ
を改善して判定を行つているので、より正確な判
定が可能となる。
いて、被検材１０に密着割れ傷１１があることを
正確に判定することができる。次に、被検材１０
が更に矢符Ｂの方向に移動させられてゆき、被検
材１０の開口傷１２が、第２の組合わせである検
出素子２３と２１に相対向するようになつたと
き、今度は、検出素子２３と２１のそれぞれから
の検出信号が、リード線２４，２９を介して、差
動回路２６に送出される。したがつて、この場合
も、検出素子２３と２１との相互離間距離D2が、
開口傷１２に対応しているので、差動回路２６か
らは、フイルタ／増幅回路３２を介して、判定回
路３５にレベルの大きい差動信号が印加されるこ
とになり、これによつて判定回路３５は、被検材
１０に開口傷１２があることを判定することがで
きる。このようにして、被検材１０のあばた傷１
３も、判定回路３６で判定されて検出される。こ
のようにして、移動走査方向の先頭位置の検出素
子２３と、残余の各検出素子２２，２１，２０と
の間隔D1，D2，D3にそれぞれ対応する異なる大
きさの傷１１，１２，１３を、各差動回路２５，
２６，２７の出力レベルの変化として各判定回路
３４，３５，３６で検出できるとともに、傷の大
きさに応じていずれかの判定回路３４，３５，３
６から判定信号が出力されるので、どの判定回路
から判定信号が出ているかを見ることで、傷１
１，１２，１３の大きさが分かる。さらに、フイ
ルタ／増幅回路３１，３２，３３によつてＳ／Ｎ
を改善して判定を行つているので、より正確な判
定が可能となる。
ところで、被検材１０が平面状でなく、断面が
円状をなす材料の場合には、第３図に示すよう
に、被検材１０の傷３７に対しては符号が２１と
２２の検出素子によつて、またこの傷３７より更
に大きい傷に対しては符号が２０と２３の検出素
子によつて、それぞれ、傷の検出を行うように組
合わせを変更してもよく、これによつて、被検材
の表面から検出子の下面までの距離が、各検出素
子の位置に応じて異なつていても、被検材の傷を
検出するための検出信号、などのレベルに対する
影響は軽減される。このように、検出素子の組合
わせは、被検材の状態に応じて適宜設定される。
円状をなす材料の場合には、第３図に示すよう
に、被検材１０の傷３７に対しては符号が２１と
２２の検出素子によつて、またこの傷３７より更
に大きい傷に対しては符号が２０と２３の検出素
子によつて、それぞれ、傷の検出を行うように組
合わせを変更してもよく、これによつて、被検材
の表面から検出子の下面までの距離が、各検出素
子の位置に応じて異なつていても、被検材の傷を
検出するための検出信号、などのレベルに対する
影響は軽減される。このように、検出素子の組合
わせは、被検材の状態に応じて適宜設定される。
以上のように本考案によれば、検出素子を、被
検材に対する相対的な移動走査方向に沿つて間隔
をあけて配列し、これら検出素子の内、先頭もし
くは最後尾に位置する検出素子を基準素子として
その出力を残余の検出素子のいずれかの出力とと
もに各差動回路に供給し、各差動回路には、その
差動出力からノイズ成分を除去して増幅するフイ
ルタ／増幅回路をそれぞれ接続し、各フイルタ／
増幅回路には、その出力レベルに基づいて傷の有
無を判定する判定回路をそれぞれ接続しているの
で、前記検出素子の配列間隔に応じて種々の大き
さの傷を検出できるとともに、傷の大きさを判定
することが可能となり、これによつて、鋼材等の
傷検査における検査精度、能率向上に大きく貢献
することができる。
検材に対する相対的な移動走査方向に沿つて間隔
をあけて配列し、これら検出素子の内、先頭もし
くは最後尾に位置する検出素子を基準素子として
その出力を残余の検出素子のいずれかの出力とと
もに各差動回路に供給し、各差動回路には、その
差動出力からノイズ成分を除去して増幅するフイ
ルタ／増幅回路をそれぞれ接続し、各フイルタ／
増幅回路には、その出力レベルに基づいて傷の有
無を判定する判定回路をそれぞれ接続しているの
で、前記検出素子の配列間隔に応じて種々の大き
さの傷を検出できるとともに、傷の大きさを判定
することが可能となり、これによつて、鋼材等の
傷検査における検査精度、能率向上に大きく貢献
することができる。
第１図は、先行技術の構成を示す図、第２図
は、その構成において最大感度が得られる場合の
傷に関する信号波形図、第３図は、本考案の一実
施例の構成を示す図、第４図はタイプの異なる被
検材に対する検出素子の組合わせを説明するため
の図である。 １０……被検材、１１，１２，１３……傷、１
５，１６，１７……漏洩磁束、１８……検出子、
２０，２１，２２，２３……検出素子、２５，２
６，２７……差動回路、３１，３２，３３……フ
イルタ／増幅回路、３４，３５，３６……判定回
路。
は、その構成において最大感度が得られる場合の
傷に関する信号波形図、第３図は、本考案の一実
施例の構成を示す図、第４図はタイプの異なる被
検材に対する検出素子の組合わせを説明するため
の図である。 １０……被検材、１１，１２，１３……傷、１
５，１６，１７……漏洩磁束、１８……検出子、
２０，２１，２２，２３……検出素子、２５，２
６，２７……差動回路、３１，３２，３３……フ
イルタ／増幅回路、３４，３５，３６……判定回
路。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 少なくとも３個の検出素子からなる検出子と、
前記検出素子の任意の１つと他の検出素子との差
動信号を出力する複数の差動回路とを備えた探傷
装置において、 前記検出素子を、被検材に対する相対的な移動
走査方向に沿つて間隔をあけて配列し、これら検
出素子の内、先頭もしくは最後尾に位置する検出
素子を基準素子としてその出力を残余の検出素子
のいずれかの出力とともに各差動回路に供給し、
各差動回路には、その差動出力からノイズ成分を
除去して増幅するフイルタ／増幅回路をそれぞれ
接続し、各フイルタ／増幅回路には、その出力レ
ベルに基づいて傷の有無を判定する判定回路をそ
れぞれ接続したことを特徴とする探傷装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14543581U JPS5849250U (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 探傷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14543581U JPS5849250U (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 探傷装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5849250U JPS5849250U (ja) | 1983-04-02 |
| JPS6311652Y2 true JPS6311652Y2 (ja) | 1988-04-05 |
Family
ID=29938366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14543581U Granted JPS5849250U (ja) | 1981-09-30 | 1981-09-30 | 探傷装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5849250U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014202483A (ja) * | 2013-04-01 | 2014-10-27 | 大阪瓦斯株式会社 | 検査装置及び検査方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122938A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-26 | Shimadzu Corp | Flaw detecting method and defectoscope |
-
1981
- 1981-09-30 JP JP14543581U patent/JPS5849250U/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56122938A (en) * | 1980-02-29 | 1981-09-26 | Shimadzu Corp | Flaw detecting method and defectoscope |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5849250U (ja) | 1983-04-02 |
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