JPS63116391A - 電界発光素子の製造方法 - Google Patents
電界発光素子の製造方法Info
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- JPS63116391A JPS63116391A JP61263439A JP26343986A JPS63116391A JP S63116391 A JPS63116391 A JP S63116391A JP 61263439 A JP61263439 A JP 61263439A JP 26343986 A JP26343986 A JP 26343986A JP S63116391 A JPS63116391 A JP S63116391A
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、液晶表示装置などに組み込まれて背面照明用
として用いられる厚膜タイプの電界発光素子に関する。
として用いられる厚膜タイプの電界発光素子に関する。
〈従来の技術〉
従来から、この種の電界発光素子として、第4図に示す
ものが知られている。この電界発光素子の本体部30は
セラミックやガラスなどからなる基板31を備える。こ
の基板31の内面には、まず、内面電極32が電子ビー
ム蒸着処理により形成される。
ものが知られている。この電界発光素子の本体部30は
セラミックやガラスなどからなる基板31を備える。こ
の基板31の内面には、まず、内面電極32が電子ビー
ム蒸着処理により形成される。
そして、この内面電極32の上には絶縁N33および発
光層34が順次印刷により積層して形成され、そののち
、発光層34上には透明電極35がスパッタリングもし
くは電子ビーム1着処理(以下、スパッタリング処理等
という)により積層して形成される。なお、この発光層
34は有機バインダに螢光体粉末を混合したものからな
っている。また、内面電極32お°よび透明電極35の
一端部にはそれぞれ外部リード端子36.37の内端部
が導電性接着剤により固定され、各外部リード端子36
.37の外端部は基板31を貫通して外部へ導出されて
いる。
光層34が順次印刷により積層して形成され、そののち
、発光層34上には透明電極35がスパッタリングもし
くは電子ビーム1着処理(以下、スパッタリング処理等
という)により積層して形成される。なお、この発光層
34は有機バインダに螢光体粉末を混合したものからな
っている。また、内面電極32お°よび透明電極35の
一端部にはそれぞれ外部リード端子36.37の内端部
が導電性接着剤により固定され、各外部リード端子36
.37の外端部は基板31を貫通して外部へ導出されて
いる。
このような構成とされた本体部30は、その上部がガラ
ス製の蓋38で覆われることによって封止され、電界発
光素子を構成する。なお、各外部リード端子36.37
の基板31貫通部も、図示していないシール材料により
封止されている。
ス製の蓋38で覆われることによって封止され、電界発
光素子を構成する。なお、各外部リード端子36.37
の基板31貫通部も、図示していないシール材料により
封止されている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、この電界発光素子の本体部30にスバフタリ
ング処理等により低抵抗で高透過率を有する透明電極3
5を形成しようとすれば、発光N34を含む基板31全
体を200℃以上の高い温度に保持した状態で透明電極
35を形成することが望ましいが、基板31全体をこの
ような温度に保持すると有機バインダを含む発光層34
が温度の影響を受けることになり、その性質が変化する
という問題点があった。
ング処理等により低抵抗で高透過率を有する透明電極3
5を形成しようとすれば、発光N34を含む基板31全
体を200℃以上の高い温度に保持した状態で透明電極
35を形成することが望ましいが、基板31全体をこの
ような温度に保持すると有機バインダを含む発光層34
が温度の影響を受けることになり、その性質が変化する
という問題点があった。
また、この本体部30においては、絶縁層33および発
光層34それぞれを1枚の基板31毎に印刷しているの
で、量産性が悪いという問題点もあった。
光層34それぞれを1枚の基板31毎に印刷しているの
で、量産性が悪いという問題点もあった。
本発明はかかる従来の問題点に鑑み、透明電極の低抵抗
や高透過率を確保しつつ、発光層の変質防止を図るとと
もに、量産性の向上を図ることができる電界発光素子の
製造方法の提供を目的とする。
や高透過率を確保しつつ、発光層の変質防止を図るとと
もに、量産性の向上を図ることができる電界発光素子の
製造方法の提供を目的とする。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は、このような目的を達成するために、透明フィ
ルムの一面に透明電極を形成し、かつ該透明電極上に発
光層と絶縁層とを順次形成してフィルム積層体を構成す
る工程と、基板に内面電極を形成する工程と、絶縁層の
内面と内面電極とを対面させてフィルム積層体と基板と
を圧着する工程とからなるものである。
ルムの一面に透明電極を形成し、かつ該透明電極上に発
光層と絶縁層とを順次形成してフィルム積層体を構成す
る工程と、基板に内面電極を形成する工程と、絶縁層の
内面と内面電極とを対面させてフィルム積層体と基板と
を圧着する工程とからなるものである。
〈作用〉
上記製造方法によれば、スパタリング処理等によって透
明フィルムに透明電極を形成したのち、この透明電極上
に発光層および絶縁層を形成するので、発光層が透明電
極の形成時に高温にさらされることがなく、高温による
変質が生じない。また、透明電極は、発光層に関係なく
、高温状態で形成できるので、低抵抗で高透過率を有す
る透明電極が得られる。しかも、フィルム積層体を構成
する際に、長尺の透明フィルムを用いて透明T、Fi、
発光層、絶縁層のそれぞれを連続的に積石して形成する
ことが可能となる。
明フィルムに透明電極を形成したのち、この透明電極上
に発光層および絶縁層を形成するので、発光層が透明電
極の形成時に高温にさらされることがなく、高温による
変質が生じない。また、透明電極は、発光層に関係なく
、高温状態で形成できるので、低抵抗で高透過率を有す
る透明電極が得られる。しかも、フィルム積層体を構成
する際に、長尺の透明フィルムを用いて透明T、Fi、
発光層、絶縁層のそれぞれを連続的に積石して形成する
ことが可能となる。
〈実施例〉
以下、本発明を図面に示す実施例に基づき詳細に説明す
る。
る。
第1図は電界発光素子の縦断側面図であり、第2図はそ
の本体部の製造途中の状態を示す説明図である。これら
の図における符号10は電界発光素子の本体部であって
、この本体部IOはそれぞれ個別に製造される基板11
とフィルム積層体12とにより構成される。
の本体部の製造途中の状態を示す説明図である。これら
の図における符号10は電界発光素子の本体部であって
、この本体部IOはそれぞれ個別に製造される基板11
とフィルム積層体12とにより構成される。
基板11はガラスもしくはセラミックからなるものであ
って、鏡面研磨された基板11の内面には、アルミニウ
ムなどからなる内面電極13が電子ビーム蒸着処理によ
り形成される。
って、鏡面研磨された基板11の内面には、アルミニウ
ムなどからなる内面電極13が電子ビーム蒸着処理によ
り形成される。
一方、フィルム積層体12は、例えば、耐熱性を有する
ポリエステルフィルムのような透明フィルム14からな
るものであって、その内面には、例えば、インジウム・
錫酸化物(ITO)などからなる透明電極15がスパッ
タリングもしくは電子ビーム蒸着処理によって形成され
る。そして、この透明電極15上には、発光層16およ
び絶縁層17が順次積層して形成される。この発光層1
6は、例えば、シアノエチルセルロースおよび有機溶剤
からなる有機バインダに硫化亜鉛(ZnS )を含む螢
光体粉末を混合したものであって、印刷もしくはドクタ
ーブレード法などの塗布方法により厚膜に形成される。
ポリエステルフィルムのような透明フィルム14からな
るものであって、その内面には、例えば、インジウム・
錫酸化物(ITO)などからなる透明電極15がスパッ
タリングもしくは電子ビーム蒸着処理によって形成され
る。そして、この透明電極15上には、発光層16およ
び絶縁層17が順次積層して形成される。この発光層1
6は、例えば、シアノエチルセルロースおよび有機溶剤
からなる有機バインダに硫化亜鉛(ZnS )を含む螢
光体粉末を混合したものであって、印刷もしくはドクタ
ーブレード法などの塗布方法により厚膜に形成される。
また、絶縁層17は、例えば、前記同様の有機バインダ
にチタン酸バリウム(BaTi○。
にチタン酸バリウム(BaTi○。
)粉末を混合したものであって、印刷もしくはドクター
ブレード法などの塗布方法により厚膜に形成される。
ブレード法などの塗布方法により厚膜に形成される。
そして、内面rt極13および透明電極15に外部リー
ド端子18.19の内端部を導電接着剤によってそれぞ
れ固定したうえで、基板11の内面電極13とフィルム
積層体12の絶縁層17とを互いに対面させ、両者を圧
着する。このとき、有機バインダを含む絶縁層17が接
着剤として作用することになり、基板11とフィルム積
層体12とが接合されて一体化し、電界発光素子の本体
部IOとなる。
ド端子18.19の内端部を導電接着剤によってそれぞ
れ固定したうえで、基板11の内面電極13とフィルム
積層体12の絶縁層17とを互いに対面させ、両者を圧
着する。このとき、有機バインダを含む絶縁層17が接
着剤として作用することになり、基板11とフィルム積
層体12とが接合されて一体化し、電界発光素子の本体
部IOとなる。
ところで、このような本体部IQを製造する場合、フィ
ルム積層体12を対応する基板11毎に製造し圧着して
もよいが、つぎのようにすることもできる。
ルム積層体12を対応する基板11毎に製造し圧着して
もよいが、つぎのようにすることもできる。
すなわち、長尺状の透明フィルム14の内面に透明電極
15を連続して形成し、かつこの透明電極15上に発光
層16および絶縁層17をそれぞれ形成することによっ
てフィルム積層体12を連続体として形成したのち、こ
のフィルム積層体12を切断して基板11と圧着゛して
個々の本体部10とする。あるいは、前記同様の連続し
たフィルム積層体12の所定間隔毎に基板11を圧着し
たのち、このフィルム積層体12を切断して個々の電界
発光素子の本体部10としてもよい。このように、フィ
ルム積層体12の透明電極15を連続して形成する場合
には専用のスパッタリング処理等の装置を使用すること
ができ、また、発光層16および絶縁層17を連続して
形成する場合には、例えば、ドクターブ1/−ド法など
のコーテング装置を用いることができる。
15を連続して形成し、かつこの透明電極15上に発光
層16および絶縁層17をそれぞれ形成することによっ
てフィルム積層体12を連続体として形成したのち、こ
のフィルム積層体12を切断して基板11と圧着゛して
個々の本体部10とする。あるいは、前記同様の連続し
たフィルム積層体12の所定間隔毎に基板11を圧着し
たのち、このフィルム積層体12を切断して個々の電界
発光素子の本体部10としてもよい。このように、フィ
ルム積層体12の透明電極15を連続して形成する場合
には専用のスパッタリング処理等の装置を使用すること
ができ、また、発光層16および絶縁層17を連続して
形成する場合には、例えば、ドクターブ1/−ド法など
のコーテング装置を用いることができる。
そして、この本体部10の上部を外気遮断用のガラスか
らなる蓋20で覆うことによって封止し、第1図に示す
ような電界発光素子を構成する。なお、この図における
符号21は交流電源である。
らなる蓋20で覆うことによって封止し、第1図に示す
ような電界発光素子を構成する。なお、この図における
符号21は交流電源である。
また、電界発光素子として構成する場合、第3図に示す
ように、本体部10をその上下方向から、例えば、耐湿
性の良好なフッ素系樹脂フィルムなどからなる樹脂外被
22.22で挟み込んだのち、その周縁を熱圧着するこ
とにより封入することもできる。なお、第3図における
符号23.23は、必要に応じて用いられる浦水層であ
る。
ように、本体部10をその上下方向から、例えば、耐湿
性の良好なフッ素系樹脂フィルムなどからなる樹脂外被
22.22で挟み込んだのち、その周縁を熱圧着するこ
とにより封入することもできる。なお、第3図における
符号23.23は、必要に応じて用いられる浦水層であ
る。
ところで、このような電界発光素子における発光輝度に
ついて、本発明の発明者が測定したところ、つぎのよう
な結果を得た。すなわら、交流電源21から100 V
、 400 Hzの駆動電圧を印加することによって
、従来品では30〜35Cd/mであった発光輝度が本
発明品においては40〜50Cd/r/に向上した。
ついて、本発明の発明者が測定したところ、つぎのよう
な結果を得た。すなわら、交流電源21から100 V
、 400 Hzの駆動電圧を印加することによって
、従来品では30〜35Cd/mであった発光輝度が本
発明品においては40〜50Cd/r/に向上した。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明の方法によれば、所定の高
い温度中でスパッタリング処理等により透明電極を形成
することができるため、低抵抗で高透過率を有する透明
電極を形成することができる。そして、この透明電極上
に発光層および絶縁層を形成するので、発光層が透明電
極形成時の温度の影響を受けることがなく、その変質の
おそれもない。したがって、発光輝度および発光効率の
高い電界発光素子を得ることができる。
い温度中でスパッタリング処理等により透明電極を形成
することができるため、低抵抗で高透過率を有する透明
電極を形成することができる。そして、この透明電極上
に発光層および絶縁層を形成するので、発光層が透明電
極形成時の温度の影響を受けることがなく、その変質の
おそれもない。したがって、発光輝度および発光効率の
高い電界発光素子を得ることができる。
また、透明電極、発光層、絶縁層を含むフィルム積層体
を所定の装置によって連続的に製造することができるの
で、その量産性が大幅に同上するという効果もある。
を所定の装置によって連続的に製造することができるの
で、その量産性が大幅に同上するという効果もある。
第1図ないし第3図は本発明の実施例を示し、第1図は
電界発光素子の縦断側面図、第2図は電界発光素子の本
体部の製造途中の状態を示す説明図、第3図は電界発光
素子の他の例を示す縦断側面図である。また、第4図は
従来例としての電界発光素子の縦断側面図である。 10・・・電界発光素子の本体部、11・・・基板、1
2・・・フィルム積層体、13・・・内面電極、14・
・・透明フィルム、15・・・透明電極、16・・・発
光層、17・・・絶縁層。
電界発光素子の縦断側面図、第2図は電界発光素子の本
体部の製造途中の状態を示す説明図、第3図は電界発光
素子の他の例を示す縦断側面図である。また、第4図は
従来例としての電界発光素子の縦断側面図である。 10・・・電界発光素子の本体部、11・・・基板、1
2・・・フィルム積層体、13・・・内面電極、14・
・・透明フィルム、15・・・透明電極、16・・・発
光層、17・・・絶縁層。
Claims (1)
- (1)透明フイルムの一面に透明電極を形成し、かつ該
透明電極上に発光層と絶縁層とを順次形成してフイルム
積層体を構成する工程と、基板に内面電極を形成する工
程と、前記絶縁層の内面と前記内面電極とを対面させて
前記フイルム積層体と前記基板とを圧着する工程とから
なる電界発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61263439A JPS63116391A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 電界発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61263439A JPS63116391A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 電界発光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63116391A true JPS63116391A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17389518
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61263439A Pending JPS63116391A (ja) | 1986-11-04 | 1986-11-04 | 電界発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63116391A (ja) |
-
1986
- 1986-11-04 JP JP61263439A patent/JPS63116391A/ja active Pending
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