JPH0778683A - 電界発光素子及び蛍光体の製造方法 - Google Patents

電界発光素子及び蛍光体の製造方法

Info

Publication number
JPH0778683A
JPH0778683A JP5224087A JP22408793A JPH0778683A JP H0778683 A JPH0778683 A JP H0778683A JP 5224087 A JP5224087 A JP 5224087A JP 22408793 A JP22408793 A JP 22408793A JP H0778683 A JPH0778683 A JP H0778683A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
fluororesin
light emitting
emitting layer
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP5224087A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoichi Takeda
良一 武田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP5224087A priority Critical patent/JPH0778683A/ja
Publication of JPH0778683A publication Critical patent/JPH0778683A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 高湿寿命の優れた蛍光体及びこの蛍光体を使
用した電界発光素子を得る。 【構成】 背面電極、反射絶縁層、発光層及び透明電極
の積層体を具備してなる電界発光素子の発光層に分散さ
せる蛍光体20に於いて、上記蛍光体20の表面に、フ
ッ素樹脂の微粉末を均一に分散させた後、この表面にフ
ッ素樹脂の微粉末21が付着した蛍光体に熱処理又は溶
剤処理を施し、フッ素樹脂を融解又は溶融させることに
より、蛍光体20の表面にフッ素樹脂膜を形成し、か
つ、このフッ素樹脂膜22を有する蛍光体20を使用し
て電界発光素子を形成したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイのバ
ックライト等に使用される有機分散型電界発光灯に使用
する電界発光素子及びこの電界発光素子に使用する蛍光
体の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイのバックライト等とし
て使用される有機分散型電界発光灯(1)(以下、ELパ
ネルと称す)は、図4及び図5に示す如く、背面電極
(2)、反射絶縁層(3)、発光層(4)及び透明電極(5)を順次
積層することにより形成された電界発光素子(6)の上下
にポリアミド樹脂等の吸湿フィルム(7)を配置し、この
吸湿フィルム(7)を含む電界発光素子(6)全体をフッ素系
樹脂等からなる外皮フィルム(8)で気密に封止すると共
に、背面電極(2)及び透明電極(5)から外皮フィルム(8)
の封止部位を通ってリード(9)(10)を導出することによ
り形成される。
【0003】発光層(4)は、図6に示すように有機バイ
ンダ(11)に、銅で活性化した硫化亜鉛等の蛍光体(12)を
分散させることによって形成され、有機バインダ(11)に
より反射絶縁層(3)に接着されている。
【0004】このELパネル(1)では、リード(9)(10)か
ら背面電極(2)と透明電極(5)間に電圧を印加することに
より、両電極(2)(5)間に挟まれた発光層(4)の蛍光体(1
2)を発光させ、所望の発光輝度で駆動させる。
【0005】蛍光体(12)は、一般的に粒子状の硫化亜鉛
が使用され、その硫化亜鉛を母材として、銅の付活剤と
ハロゲン化合物の共付活剤を添加した混合物を焼成する
ことにより得られる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したELパネル
(1)の発光層(4)に分散される蛍光体(12)は、その表面に
水分が付着すると、この水分が原因となって蛍光体(12)
が劣化しやすく、輝度低下の原因となり、ELパネル
(1)の寿命を縮めるといった問題がある。
【0007】上記蛍光体劣化による輝度低下を抑制する
ための従来技術としては、例えば、特開平1−2845
83号に開示された、ゾルーゲル法による蛍光体の表面
処理がある。
【0008】この方法は、金属アルコキシドを用いて蛍
光体表面にZn−O−M(金属)を形成し、蛍光体(12)
の水分に対する活性度を低下させることにより、輝度の
経時劣化を抑制しようとするものである。
【0009】上記した如く、蛍光体(12)の表面に無機酸
化物の被膜を形成する方法では、この被膜にピンホール
ができやすく、蛍光体(12)に十分な防湿性を持たせるこ
とができず、蛍光体(12)の水分劣化を確実に抑制するこ
とはできないといった問題があった。
【0010】また、上記方法では、出発原料中のアルコ
ール基や、水酸基が残存し、これが原因となって輝度低
下を引き起こすといった問題もあった。
【0011】
【課題を解決するための手段】背面電極、反射絶縁層、
発光層及び透明電極の積層体を具備してなる電界発光素
子の発光層に分散させる蛍光体に於いて、
【0012】上記蛍光体の表面に、フッ素樹脂の微粉末
を均一に分散させた後、この表面にフッ素樹脂の微粉末
が付着した蛍光体に熱処理又は溶剤処理を施し、フッ素
樹脂を融解又は溶解させることにより、蛍光体の表面に
フッ素樹脂膜を形成し、かつ、このフッ素樹脂膜を有す
る蛍光体を使用して電界発光素子を形成したものであ
る。
【0013】
【作用】上記した如く、蛍光体の表面にフッ素樹脂膜を
形成し、かつ、このフッ素樹脂膜を有する蛍光体を使用
した電界発光素子によってELパネルを形成することに
より、高湿寿命の優れたELパネルを得るものである。
【0014】
【実施例】本発明に係る製造方法により、高い防湿性を
有する蛍光体(20)を製造するには、従来と同様の方法で
形成した図1のAに示す蛍光体(20)と、フッ素樹脂(P
TFE)の微粒子(21)(粒径20nm)とをボールミル
装置内に投入し、このボールミル装置により、蛍光体(2
0)の表面にフッ素樹脂の微粒子(21)を均一に分散させる
分散処理を行い、図1のBに示す如く、蛍光体(20)の表
面にフッ素樹脂の微粒子(21)を均一に付着させる。
【0015】次に、このフッ素樹脂の微粒子(21)が付着
した蛍光体(20)を、フッ素の融点(320℃)以上の温
度、例えば400〜700℃で10〜20分間加熱する
ことにより、蛍光体(20)の表面に付着したフッ素樹脂の
微粒子(21)を融解させ、図1のCの示す如く、蛍光体(2
0)の表面にフッ素樹脂膜(22)を形成する。
【0016】上記のようにして、蛍光体(20)の表面にフ
ッ素樹脂膜(22)を形成すれば、このフッ素樹脂膜(22)に
はピンホールが形成されることはなく、かつ、フッ素樹
脂は吸水率が0.01%と非常に小さく、防水性が高いた
め、蛍光体(20)の防湿性を大幅に向上できる。
【0017】従って、上記フッ素樹脂膜(22)を有する蛍
光体(20)を有機バインダ(11)に分散させてなる発光層
(4)を有するELパネル(1)を形成すれば、高湿下におい
ても寿命が大幅に改善されたELパネル(1)を得ること
ができる。
【0018】図2は、本発明に係る蛍光体(20)を使用し
て形成した2種類のELパネル(1)と、従来の蛍光体(1
2)を使用して形成したELパネル(1)とを、温度70
℃、相対湿度90%の雰囲気中で点灯させた時の輝度の
半減時間を測定したものである。
【0019】尚、図中、本願1のELパネル(1)は、フ
ッ素樹脂の微粒子(21)が付着した蛍光体(20)を400℃
で20分間加熱した蛍光体(20)を使用しており、本願2
のELパネル(1)は、フッ素樹脂の微粒子(21)が付着し
た蛍光体(20)を700℃で20分間加熱した蛍光体(20)
を使用している。
【0020】この図からも分るように、本発明は従来の
物に比較し、輝度半減時間が15時間から50時間以上
と大幅に伸びており、高湿寿命が大幅に改善されてい
る。
【0021】尚、上記実施例は、フッ素樹脂の微粒子(2
1)が付着した蛍光体(20)を加熱し、微粒子(21)を融解さ
せた例について説明したが、この微粒子(21)は、溶剤処
理により溶解させ、蛍光体(20)の表面にフッ素樹脂膜(2
2)を形成するようにしてもよい。
【0022】尚、上下の吸湿フィルムは使用しなくても
よい。
【0023】また、上記各実施例は、蛍光体(20)の表面
にフッ素樹脂膜(22)を直接形成した例について説明した
が、図3に示す如く、蛍光体(20)の表面に、先ず、無機
酸化物からなる被膜(23)を形成し、この被膜(23)の表面
にフッ素樹脂膜(22)を形成することにより、フッ素樹脂
膜(22)が形成された蛍光体(20)に電界がかかりやすいよ
うにしておいてもよい。
【0024】尚、上記無機酸化物としては、例えば、A
23,SiO2,Y23,Sm2 5,ZrO2,Ta2
3,Ta25,TiO2,BaTiO3,PbTiO3
SrTiO3等がある。
【0025】
【発明の効果】以上説明した如く、本発明は、背面電
極、反射絶縁層、発光層及び透明電極の積層体を具備し
てなる電界発光素子の発光層に分散させる蛍光体に於い
て、
【0026】上記蛍光体の表面に、フッ素樹脂の微粉末
を均一に分散させた後、この表面にフッ素樹脂の微粉末
が付着した蛍光体に熱処理又は溶剤処理を施し、フッ素
樹脂を溶解又は融解させることにより、蛍光体の表面に
フッ素樹脂膜を形成し、かつ、このフッ素樹脂膜を有す
る蛍光体を使用して電界発光素子を形成したものであ
る。
【0027】このように、蛍光体にフッ素樹脂膜を被覆
すれば、蛍光体の水分劣化を確実に抑制することができ
る。
【0028】従って、このフッ素樹脂膜を有する蛍光体
を使用して電界発光素子を形成し、この電界発光素子を
用いてELパネルを形成すれば、高湿下においても寿命
の非常に優れたELパネルを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の製造方法を説明するための説明図。
【図2】本発明に係る蛍光体を使用したELパネルの点
灯時間と輝度の関係を示す図。
【図3】本発明の第2の実施例を示す断面図。
【図4】ELパネルの平面図。
【図5】ELパネルの断面図。
【図6】発光層を示す部分断面図。
【符号の説明】
1 ELパネル 2 背面電極 3 反射絶縁層 4 発光層 5 透明電極 6 電界発光素子 20 蛍光体 21 フッ素樹脂の微粒子 22 フッ素樹脂膜

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 背面電極、反射絶縁層、発光層及び透明
    電極の積層体を具備してなる電界発光素子に於いて、 上記発光層内に分散させる蛍光体に、表面にフッ素樹脂
    からなるフッ素樹脂膜が形成された蛍光体を使用したこ
    とを特徴とする電界発光素子。
  2. 【請求項2】 前記フッソ樹脂膜の下地に無機酸化物の
    被膜を形成した蛍光体を使用したことを特徴とする請求
    項1記載の電界発光素子。
  3. 【請求項3】 背面電極、反射絶縁層、発光層及び透明
    電極の積層体を具備してなる電界発光素子の発光層に分
    散させる蛍光体に於いて、 上記蛍光体の表面に、フッ素樹脂の微粉末を均一に分散
    させた後、この表面にフッ素樹脂の微粉末が付着した蛍
    光体に熱処理又は溶剤処理を施し、フッ素樹脂を融解又
    は溶解させることにより、蛍光体の表面にフッ素樹脂膜
    を形成することを特徴とする蛍光体の製造方法。
JP5224087A 1993-09-09 1993-09-09 電界発光素子及び蛍光体の製造方法 Withdrawn JPH0778683A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5224087A JPH0778683A (ja) 1993-09-09 1993-09-09 電界発光素子及び蛍光体の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5224087A JPH0778683A (ja) 1993-09-09 1993-09-09 電界発光素子及び蛍光体の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0778683A true JPH0778683A (ja) 1995-03-20

Family

ID=16808355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5224087A Withdrawn JPH0778683A (ja) 1993-09-09 1993-09-09 電界発光素子及び蛍光体の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0778683A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003055274A1 (fr) * 2001-12-17 2003-07-03 Uezawa, Toshikazu Element electroluminescent et procede permettant de produire cet element
US8912561B2 (en) 2012-11-21 2014-12-16 Lextar Electronics Corporation Phosphor composition and light emitting diode device using the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003055274A1 (fr) * 2001-12-17 2003-07-03 Uezawa, Toshikazu Element electroluminescent et procede permettant de produire cet element
JPWO2003055274A1 (ja) * 2001-12-17 2005-04-28 植澤 俊一 エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法
JP4641722B2 (ja) * 2001-12-17 2011-03-02 植澤 俊一 エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法
US8912561B2 (en) 2012-11-21 2014-12-16 Lextar Electronics Corporation Phosphor composition and light emitting diode device using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007004577A1 (ja) 透明導電性フイルム及び該フイルムを用いた分散型エレクトロルミネッセンス素子
WO2006093095A1 (ja) 分散型エレクトロルミネッセンス素子
US20020125821A1 (en) Electroluminescent display formed on glass with a thick film dielectric layer
JPH0778683A (ja) 電界発光素子及び蛍光体の製造方法
JP4641722B2 (ja) エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法
JP2000068051A (ja) El表示装置
JP2838111B2 (ja) 薄膜el素子およびその製造方法
JPS5829880A (ja) 電場発光素子
JPS6369193A (ja) El素子とその製造方法
JPH047558B2 (ja)
JPS62200682A (ja) 薄膜el素子
JP2714697B2 (ja) 電界発光素子
JPH01200593A (ja) エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法
JPS61267297A (ja) 両面発光体
JP2009144073A (ja) 蛍光体、無機el表示素子、バックライト及びそれらの製造方法
JPS62123692A (ja) 反射型電場発光素子
JPH0121519Y2 (ja)
JPH01146290A (ja) 薄膜el素子
JPS62105394A (ja) 透明導電性フイルム
JP2002270379A (ja) エレクトロルミネッセンス
JP2001319786A (ja) 電界発光灯
JPS63224192A (ja) 薄膜elパネル
JPH0745369A (ja) El素子
JPH03238793A (ja) エレクトロルミネッセンスランプ
JPS63126193A (ja) El素子

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20001128