JPS63115691A - 活性銀鑞ペ−スト - Google Patents
活性銀鑞ペ−ストInfo
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- JPS63115691A JPS63115691A JP26094486A JP26094486A JPS63115691A JP S63115691 A JPS63115691 A JP S63115691A JP 26094486 A JP26094486 A JP 26094486A JP 26094486 A JP26094486 A JP 26094486A JP S63115691 A JPS63115691 A JP S63115691A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3006—Ag as the principal constituent
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
セラミックスと金属あるいはセラミック相互の接合をよ
り強固に行う方法として、従来の活性銀鑞ペーストの成
分に更に有機チタン系接着促進剤を添加して構成される
ペースト。
り強固に行う方法として、従来の活性銀鑞ペーストの成
分に更に有機チタン系接着促進剤を添加して構成される
ペースト。
本発明は接着強度を向上した活性銀鑞ペーストの構成に
関する。
関する。
大量の情報を高速に処理する要求に沿って情報処理技術
は急速に進歩しており、情報処理装置の主体を構成する
半導体装置は単位素子の小形化による集積化が行われて
LSIやVLSIが実用化されている。
は急速に進歩しており、情報処理装置の主体を構成する
半導体装置は単位素子の小形化による集積化が行われて
LSIやVLSIが実用化されている。
一方、パッケージング技術も改良されており、今までI
C,LSIなどの半導体素子(チップ)はアルミナ(α
−Al□03)などからなる多N基板に搭載してハーメ
チックシール構造をとり、これを多層プリント配線基板
上に装着する実装方法がとられていた。
C,LSIなどの半導体素子(チップ)はアルミナ(α
−Al□03)などからなる多N基板に搭載してハーメ
チックシール構造をとり、これを多層プリント配線基板
上に装着する実装方法がとられていた。
然し、半導体素子に対するパッシベーション技術の進歩
により複数個の半導体素子をチップの状態のま\で、セ
ラミック多層基板上に搭載して半導体モジュールを作り
、これを取替え単位としてコネクタを介してプリント配
線基板に装着する実装形態がとられつ\ある。
により複数個の半導体素子をチップの状態のま\で、セ
ラミック多層基板上に搭載して半導体モジュールを作り
、これを取替え単位としてコネクタを介してプリント配
線基板に装着する実装形態がとられつ\ある。
このように半導体装置は高密度化が進んでいるが、これ
に比例して発熱量も膨大となっている。
に比例して発熱量も膨大となっている。
例えばLSIチップの発熱量は最高でも4ワット(W)
程度であったがVLSIにおいてはIOW程度に達しよ
うとしている。
程度であったがVLSIにおいてはIOW程度に達しよ
うとしている。
そのため、従来の強制空冷法に代わって液冷法が研究さ
れているが、これと共に基板を通っての放熱法の改良が
必要となった。
れているが、これと共に基板を通っての放熱法の改良が
必要となった。
すなわち、半導体素子を搭載する基板の必要条件は、
■ 融点が高く安定で絶縁抵抗が高い材料からなること
。
。
■ 熱伝導度が優れていること。
などで、該当する材料として次のものがある。
表
今まで、IC,LSIなどの半導体素子を搭載する基板
材料としてはAJzOi、ガラスセラミックス。
材料としてはAJzOi、ガラスセラミックス。
結晶化ガラスなどが使われている。
ここで、ガラスセラミックスや結晶化ガラスは軟化温度
が低いために1000℃以下の比較的低い温度で焼成し
て多層基板が形成できることから使用されているが、熱
伝導度は4〜5 W/mKと低く、そのため充分な放熱
が行われない。
が低いために1000℃以下の比較的低い温度で焼成し
て多層基板が形成できることから使用されているが、熱
伝導度は4〜5 W/mKと低く、そのため充分な放熱
が行われない。
また、A I 203基板は安定な材料であり、従来よ
り使用されているが、半導体モジュールの搭載用として
は熱伝導度は不充分である。
り使用されているが、半導体モジュールの搭載用として
は熱伝導度は不充分である。
これらのことから放熱性の優れた基板の実用化が望まれ
ている。
ている。
一方、放熱を充分に行うため、或いは装置構成の必要上
から、充分な接着強度を備えたセラミック基板と金属と
の接合或いはセラミック相互の接合が必要である。
から、充分な接着強度を備えたセラミック基板と金属と
の接合或いはセラミック相互の接合が必要である。
セラミックスと金属或いはセラミックスとセラミックス
とを接合する方法として今までセラミックスの表面をメ
タライズした後、銀源などを用いて溶着する方法が採ら
れていた。
とを接合する方法として今までセラミックスの表面をメ
タライズした後、銀源などを用いて溶着する方法が採ら
れていた。
すなわち、真空蒸着、無電解メッキ、厚膜ペーストのス
クリーン印刷などの方法で、接着を行うセラミック基板
の上にメタライズして溶着可能な状態とし、銀源などを
用いて接合していた。
クリーン印刷などの方法で、接着を行うセラミック基板
の上にメタライズして溶着可能な状態とし、銀源などを
用いて接合していた。
然し、最近では活性銀源ペーストが開発され、メタライ
ズ層を形成しなくても直接に接合ができるようになった
。
ズ層を形成しなくても直接に接合ができるようになった
。
すなわち、従来の銀源ペーストは、
構成材として銀(Ag)・銅(Cu)合金粉末或いは銀
・パラジウム(Pd)合金粉末を、 バインダとしてポリビニルブチラール(略称PvB)や
アクリル樹脂などの合成樹脂を、有機ゲル化剤として硬
化ヒマシ油(略称ヒマ硬)などを、 溶媒としてキシレン、酢酸ブチル、メチルエチルケトン
(略称MEK)などの混合物を、用いて構成されている
が、活性銀源ペーストは、これに構成材としてチタン(
Ti)粉末を加えて形成されている。
・パラジウム(Pd)合金粉末を、 バインダとしてポリビニルブチラール(略称PvB)や
アクリル樹脂などの合成樹脂を、有機ゲル化剤として硬
化ヒマシ油(略称ヒマ硬)などを、 溶媒としてキシレン、酢酸ブチル、メチルエチルケトン
(略称MEK)などの混合物を、用いて構成されている
が、活性銀源ペーストは、これに構成材としてチタン(
Ti)粉末を加えて形成されている。
そして、セラミックス基板と金属板或いはセラミック基
板相互の接合は従来と同様に接合部に活性銀源ペースト
を塗布した後、真空中或いは不活性雰囲気中で850〜
900℃の温度に加熱することにより行われている。
板相互の接合は従来と同様に接合部に活性銀源ペースト
を塗布した後、真空中或いは不活性雰囲気中で850〜
900℃の温度に加熱することにより行われている。
ここで、構成材としてTi粉末を加えることによりメタ
ライズ層が不要となる理由はTiが非常に活性な金属で
あって、ゲッタ作用を示し、高温において酸素(02)
などのガスを吸収するからである。
ライズ層が不要となる理由はTiが非常に活性な金属で
あって、ゲッタ作用を示し、高温において酸素(02)
などのガスを吸収するからである。
か\る活性銀源ペーストを使用するとアルミナ(α−A
I!203)基板と金属板或いはアルミナ基板相互の
接着を行うことができる。
I!203)基板と金属板或いはアルミナ基板相互の
接着を行うことができる。
すなわち、ペースト中に含まれているTiは易動度が大
きく、また反応性であるためにアルミナ分子を構成する
酸素イオンと反応してTi自体が酸化物(例えばTiO
+ Ti sOa、Ti2oz+ Ti0zなど)化す
るために銀源との強固な接合が起こるのである。
きく、また反応性であるためにアルミナ分子を構成する
酸素イオンと反応してTi自体が酸化物(例えばTiO
+ Ti sOa、Ti2oz+ Ti0zなど)化す
るために銀源との強固な接合が起こるのである。
このようにして酸化物からなるセラミックスとの接合は
良(行われ、2.0 kg/1m”以上の接合強度を示
すが、窒化物や炭化物からなるセラミックス例えばAI
NやSiCなどの基板に対しては接合強度が弱く、必要
とする2、0 kg/ va”以上の接合強度を得るこ
とができない。
良(行われ、2.0 kg/1m”以上の接合強度を示
すが、窒化物や炭化物からなるセラミックス例えばAI
NやSiCなどの基板に対しては接合強度が弱く、必要
とする2、0 kg/ va”以上の接合強度を得るこ
とができない。
以上記したように、半導体モジュールの搭載用基板とし
ては熱伝導度が高く、融点の高い基板が必要で、アルミ
ナよりも更に熱伝導度の優れた基板が要望されているが
、酸化物でないために活性銀源ペースト用いて直接に接
合を行う場合に接合強度が弱いことが問題である。
ては熱伝導度が高く、融点の高い基板が必要で、アルミ
ナよりも更に熱伝導度の優れた基板が要望されているが
、酸化物でないために活性銀源ペースト用いて直接に接
合を行う場合に接合強度が弱いことが問題である。
上記の問題はセラミックスと金属或いはセラミックス相
互の接合に使用する活性銀源ペーストとして、従来成分
に更に有機チタン系接着促進剤を添加してなる活性銀源
ペーストを使用することにより解決することができる。
互の接合に使用する活性銀源ペーストとして、従来成分
に更に有機チタン系接着促進剤を添加してなる活性銀源
ペーストを使用することにより解決することができる。
活性銀源ペーストは既に市販されているが、(例えば日
中貴金属KK、商品番号5P−631,5P−641な
ど)これらのペーストを用いて窒化物や炭化物などから
なるセラミックスを接合する場合に必要とする接合強度
が得られない理由は、ペースト中に含まれているTi粉
末のセラミックスを構成する陰イオンに対するゲッタ作
用が弱いからである。
中貴金属KK、商品番号5P−631,5P−641な
ど)これらのペーストを用いて窒化物や炭化物などから
なるセラミックスを接合する場合に必要とする接合強度
が得られない理由は、ペースト中に含まれているTi粉
末のセラミックスを構成する陰イオンに対するゲッタ作
用が弱いからである。
そこで、本発明は有機チタン系接着促進剤を活性銀源ペ
ースト中に添加することにより接合強度を高めるもので
ある。
ースト中に添加することにより接合強度を高めるもので
ある。
有機チタン系接着促進剤はチタネートカップリング剤と
も言われており、対象物(この場合はセラミックス)の
表面に吸着している水分(H,O)や空気中の水分と反
応して加水分解し、階段的にアルコールを遊離して最終
的にはTiと0とからなる網目構造の巨大分子に成長す
る性質がある。
も言われており、対象物(この場合はセラミックス)の
表面に吸着している水分(H,O)や空気中の水分と反
応して加水分解し、階段的にアルコールを遊離して最終
的にはTiと0とからなる網目構造の巨大分子に成長す
る性質がある。
そして、一般にはプラスチッスクの接着に利用されてい
る。
る。
ここで、必要なことは対象物の表面に薄く均一に形成す
ることで、塗膜が厚いと、形成される皮膜は加水分解の
進行に伴ってクラックを生じ、最終的には個々の酸化チ
タン(TiO□)からなる粉末となり接着促進効果が全
く無くなってしまう。
ることで、塗膜が厚いと、形成される皮膜は加水分解の
進行に伴ってクラックを生じ、最終的には個々の酸化チ
タン(TiO□)からなる粉末となり接着促進効果が全
く無くなってしまう。
そこで、本発明は分解温度が300〜450°Cと高い
有機チタン系接着促進剤を少量活性銀源ペースト中に加
えることにより、極めて薄く対象物(この場合セラミッ
クス)の表面に形成し、このTiイオンをペースト中の
Ti粉末と共にセラミックスの構成陰イオンと反応させ
て化合物を作るようにするものである。
有機チタン系接着促進剤を少量活性銀源ペースト中に加
えることにより、極めて薄く対象物(この場合セラミッ
クス)の表面に形成し、このTiイオンをペースト中の
Ti粉末と共にセラミックスの構成陰イオンと反応させ
て化合物を作るようにするものである。
ここで、有機チタン系接着促進剤にはアルキルチタネー
ト系、チタニウムアシレート系、チタニウムキレート系
の三種類があり、この順に加水分解率は低くなるが、主
なものを挙げると次のようになる。
ト系、チタニウムアシレート系、チタニウムキレート系
の三種類があり、この順に加水分解率は低くなるが、主
なものを挙げると次のようになる。
アルキルチタネート系:
イソプロピルトリイソステアロイルチタネート。
テトラブチルチタネート、テトラステアリルチタネート
チタニウムアシレート系:
イソプロポキシチタニウムステアレート、チタニウムキ
レート系: チタニウムアセチルアセトネート、チタニウムラクテー
ト、 〔実施例〕 市販の活性銀源ペースト(日中貴金属KK、5P−63
1)に有機チタン系接着促進剤としてアルキルチタネー
ト系のイソプロピルトリイソステアロイルチタネートを
2重量%加えて本発明に係る活性銀源ペーストを作った
。
レート系: チタニウムアセチルアセトネート、チタニウムラクテー
ト、 〔実施例〕 市販の活性銀源ペースト(日中貴金属KK、5P−63
1)に有機チタン系接着促進剤としてアルキルチタネー
ト系のイソプロピルトリイソステアロイルチタネートを
2重量%加えて本発明に係る活性銀源ペーストを作った
。
次に、このペーストと従来の5P−631の両者を用い
て厚さが0.6Nで25X25mmの大きさをもつAβ
N基板(徳山曹達KK、製)とコバール金属板(29%
Ni・17%Co他Fe)との接合を行い、この接合強
度を比較した。
て厚さが0.6Nで25X25mmの大きさをもつAβ
N基板(徳山曹達KK、製)とコバール金属板(29%
Ni・17%Co他Fe)との接合を行い、この接合強
度を比較した。
また、この二種類のペーストについてアルミナ基板とコ
バール金属板についても接合を行い、接合強度を比較し
た。
バール金属板についても接合を行い、接合強度を比較し
た。
熱処理条件は真空中で860℃、40分である。
各5個づつの試料について接合強度を比較した結果は次
のようである。
のようである。
第1表 (ANN)
ココテ、〉2.8とする理由ハ2.8 kg/ am”
テAn i板が破壊したことによる。
テAn i板が破壊したことによる。
第2表(α−Afz(h)
このように本発明を実施するとAINのような基板に対
しても必要とする2、Q kg/ va”以上の接合強
度を得られると共に、アルミナの接合においても従来よ
りも海かに高い強度の接合を得ることができる。
しても必要とする2、Q kg/ va”以上の接合強
度を得られると共に、アルミナの接合においても従来よ
りも海かに高い強度の接合を得ることができる。
以上記したように本発明にか\る活性銀源ペーストの使
用によりAINのような酸化物以外のセラミックスに対
しても必要とする接合強度が得られると共にアルミナセ
ラミックスに対しても従来よりも優れた接着強度を得る
ことができる。
用によりAINのような酸化物以外のセラミックスに対
しても必要とする接合強度が得られると共にアルミナセ
ラミックスに対しても従来よりも優れた接着強度を得る
ことができる。
Claims (1)
- セラミックスと金属或いはセラミックス相互の接合に使
用する活性銀鑞ペーストが従来成分に更に有機チタン系
接着促進剤を添加してなることを特徴とする活性銀鑞ペ
ースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26094486A JPS63115691A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 活性銀鑞ペ−スト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26094486A JPS63115691A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 活性銀鑞ペ−スト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63115691A true JPS63115691A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17354943
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26094486A Pending JPS63115691A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 活性銀鑞ペ−スト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63115691A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5632833A (en) * | 1993-10-29 | 1997-05-27 | Nec Corporation | Method of manufacturing laminated ceramic capacitor |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP26094486A patent/JPS63115691A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5632833A (en) * | 1993-10-29 | 1997-05-27 | Nec Corporation | Method of manufacturing laminated ceramic capacitor |
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