JPS63115691A - 活性銀鑞ペ−スト - Google Patents

活性銀鑞ペ−スト

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Publication number
JPS63115691A
JPS63115691A JP26094486A JP26094486A JPS63115691A JP S63115691 A JPS63115691 A JP S63115691A JP 26094486 A JP26094486 A JP 26094486A JP 26094486 A JP26094486 A JP 26094486A JP S63115691 A JPS63115691 A JP S63115691A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramics
titanium
solder paste
active silver
silver solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26094486A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Watanabe
勲 渡辺
Katsuhide Natori
名取 勝英
Isao Kawamura
勲 川村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP26094486A priority Critical patent/JPS63115691A/ja
Publication of JPS63115691A publication Critical patent/JPS63115691A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/24Selection of soldering or welding materials proper
    • B23K35/30Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
    • B23K35/3006Ag as the principal constituent

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミックスと金属あるいはセラミック相互の接合をよ
り強固に行う方法として、従来の活性銀鑞ペーストの成
分に更に有機チタン系接着促進剤を添加して構成される
ペースト。
〔産業上の利用分野〕
本発明は接着強度を向上した活性銀鑞ペーストの構成に
関する。
大量の情報を高速に処理する要求に沿って情報処理技術
は急速に進歩しており、情報処理装置の主体を構成する
半導体装置は単位素子の小形化による集積化が行われて
LSIやVLSIが実用化されている。
一方、パッケージング技術も改良されており、今までI
C,LSIなどの半導体素子(チップ)はアルミナ(α
−Al□03)などからなる多N基板に搭載してハーメ
チックシール構造をとり、これを多層プリント配線基板
上に装着する実装方法がとられていた。
然し、半導体素子に対するパッシベーション技術の進歩
により複数個の半導体素子をチップの状態のま\で、セ
ラミック多層基板上に搭載して半導体モジュールを作り
、これを取替え単位としてコネクタを介してプリント配
線基板に装着する実装形態がとられつ\ある。
このように半導体装置は高密度化が進んでいるが、これ
に比例して発熱量も膨大となっている。
例えばLSIチップの発熱量は最高でも4ワット(W)
程度であったがVLSIにおいてはIOW程度に達しよ
うとしている。
そのため、従来の強制空冷法に代わって液冷法が研究さ
れているが、これと共に基板を通っての放熱法の改良が
必要となった。
すなわち、半導体素子を搭載する基板の必要条件は、 ■ 融点が高く安定で絶縁抵抗が高い材料からなること
■ 熱伝導度が優れていること。
などで、該当する材料として次のものがある。
表 今まで、IC,LSIなどの半導体素子を搭載する基板
材料としてはAJzOi、ガラスセラミックス。
結晶化ガラスなどが使われている。
ここで、ガラスセラミックスや結晶化ガラスは軟化温度
が低いために1000℃以下の比較的低い温度で焼成し
て多層基板が形成できることから使用されているが、熱
伝導度は4〜5 W/mKと低く、そのため充分な放熱
が行われない。
また、A I 203基板は安定な材料であり、従来よ
り使用されているが、半導体モジュールの搭載用として
は熱伝導度は不充分である。
これらのことから放熱性の優れた基板の実用化が望まれ
ている。
一方、放熱を充分に行うため、或いは装置構成の必要上
から、充分な接着強度を備えたセラミック基板と金属と
の接合或いはセラミック相互の接合が必要である。
〔従来の技術〕
セラミックスと金属或いはセラミックスとセラミックス
とを接合する方法として今までセラミックスの表面をメ
タライズした後、銀源などを用いて溶着する方法が採ら
れていた。
すなわち、真空蒸着、無電解メッキ、厚膜ペーストのス
クリーン印刷などの方法で、接着を行うセラミック基板
の上にメタライズして溶着可能な状態とし、銀源などを
用いて接合していた。
然し、最近では活性銀源ペーストが開発され、メタライ
ズ層を形成しなくても直接に接合ができるようになった
すなわち、従来の銀源ペーストは、 構成材として銀(Ag)・銅(Cu)合金粉末或いは銀
・パラジウム(Pd)合金粉末を、 バインダとしてポリビニルブチラール(略称PvB)や
アクリル樹脂などの合成樹脂を、有機ゲル化剤として硬
化ヒマシ油(略称ヒマ硬)などを、 溶媒としてキシレン、酢酸ブチル、メチルエチルケトン
(略称MEK)などの混合物を、用いて構成されている
が、活性銀源ペーストは、これに構成材としてチタン(
Ti)粉末を加えて形成されている。
そして、セラミックス基板と金属板或いはセラミック基
板相互の接合は従来と同様に接合部に活性銀源ペースト
を塗布した後、真空中或いは不活性雰囲気中で850〜
900℃の温度に加熱することにより行われている。
ここで、構成材としてTi粉末を加えることによりメタ
ライズ層が不要となる理由はTiが非常に活性な金属で
あって、ゲッタ作用を示し、高温において酸素(02)
などのガスを吸収するからである。
か\る活性銀源ペーストを使用するとアルミナ(α−A
 I!203)基板と金属板或いはアルミナ基板相互の
接着を行うことができる。
すなわち、ペースト中に含まれているTiは易動度が大
きく、また反応性であるためにアルミナ分子を構成する
酸素イオンと反応してTi自体が酸化物(例えばTiO
+ Ti sOa、Ti2oz+ Ti0zなど)化す
るために銀源との強固な接合が起こるのである。
このようにして酸化物からなるセラミックスとの接合は
良(行われ、2.0 kg/1m”以上の接合強度を示
すが、窒化物や炭化物からなるセラミックス例えばAI
NやSiCなどの基板に対しては接合強度が弱く、必要
とする2、0 kg/ va”以上の接合強度を得るこ
とができない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
以上記したように、半導体モジュールの搭載用基板とし
ては熱伝導度が高く、融点の高い基板が必要で、アルミ
ナよりも更に熱伝導度の優れた基板が要望されているが
、酸化物でないために活性銀源ペースト用いて直接に接
合を行う場合に接合強度が弱いことが問題である。
〔問題点を解決するための手段〕
上記の問題はセラミックスと金属或いはセラミックス相
互の接合に使用する活性銀源ペーストとして、従来成分
に更に有機チタン系接着促進剤を添加してなる活性銀源
ペーストを使用することにより解決することができる。
〔作用〕
活性銀源ペーストは既に市販されているが、(例えば日
中貴金属KK、商品番号5P−631,5P−641な
ど)これらのペーストを用いて窒化物や炭化物などから
なるセラミックスを接合する場合に必要とする接合強度
が得られない理由は、ペースト中に含まれているTi粉
末のセラミックスを構成する陰イオンに対するゲッタ作
用が弱いからである。
そこで、本発明は有機チタン系接着促進剤を活性銀源ペ
ースト中に添加することにより接合強度を高めるもので
ある。
有機チタン系接着促進剤はチタネートカップリング剤と
も言われており、対象物(この場合はセラミックス)の
表面に吸着している水分(H,O)や空気中の水分と反
応して加水分解し、階段的にアルコールを遊離して最終
的にはTiと0とからなる網目構造の巨大分子に成長す
る性質がある。
そして、一般にはプラスチッスクの接着に利用されてい
る。
ここで、必要なことは対象物の表面に薄く均一に形成す
ることで、塗膜が厚いと、形成される皮膜は加水分解の
進行に伴ってクラックを生じ、最終的には個々の酸化チ
タン(TiO□)からなる粉末となり接着促進効果が全
く無くなってしまう。
そこで、本発明は分解温度が300〜450°Cと高い
有機チタン系接着促進剤を少量活性銀源ペースト中に加
えることにより、極めて薄く対象物(この場合セラミッ
クス)の表面に形成し、このTiイオンをペースト中の
Ti粉末と共にセラミックスの構成陰イオンと反応させ
て化合物を作るようにするものである。
ここで、有機チタン系接着促進剤にはアルキルチタネー
ト系、チタニウムアシレート系、チタニウムキレート系
の三種類があり、この順に加水分解率は低くなるが、主
なものを挙げると次のようになる。
アルキルチタネート系: イソプロピルトリイソステアロイルチタネート。
テトラブチルチタネート、テトラステアリルチタネート チタニウムアシレート系: イソプロポキシチタニウムステアレート、チタニウムキ
レート系: チタニウムアセチルアセトネート、チタニウムラクテー
ト、 〔実施例〕 市販の活性銀源ペースト(日中貴金属KK、5P−63
1)に有機チタン系接着促進剤としてアルキルチタネー
ト系のイソプロピルトリイソステアロイルチタネートを
2重量%加えて本発明に係る活性銀源ペーストを作った
次に、このペーストと従来の5P−631の両者を用い
て厚さが0.6Nで25X25mmの大きさをもつAβ
N基板(徳山曹達KK、製)とコバール金属板(29%
Ni・17%Co他Fe)との接合を行い、この接合強
度を比較した。
また、この二種類のペーストについてアルミナ基板とコ
バール金属板についても接合を行い、接合強度を比較し
た。
熱処理条件は真空中で860℃、40分である。
各5個づつの試料について接合強度を比較した結果は次
のようである。
第1表 (ANN) ココテ、〉2.8とする理由ハ2.8 kg/ am”
 テAn i板が破壊したことによる。
第2表(α−Afz(h) このように本発明を実施するとAINのような基板に対
しても必要とする2、Q kg/ va”以上の接合強
度を得られると共に、アルミナの接合においても従来よ
りも海かに高い強度の接合を得ることができる。
〔発明の効果〕
以上記したように本発明にか\る活性銀源ペーストの使
用によりAINのような酸化物以外のセラミックスに対
しても必要とする接合強度が得られると共にアルミナセ
ラミックスに対しても従来よりも優れた接着強度を得る
ことができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. セラミックスと金属或いはセラミックス相互の接合に使
    用する活性銀鑞ペーストが従来成分に更に有機チタン系
    接着促進剤を添加してなることを特徴とする活性銀鑞ペ
    ースト。
JP26094486A 1986-10-31 1986-10-31 活性銀鑞ペ−スト Pending JPS63115691A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26094486A JPS63115691A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 活性銀鑞ペ−スト

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JP26094486A JPS63115691A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 活性銀鑞ペ−スト

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JPS63115691A true JPS63115691A (ja) 1988-05-20

Family

ID=17354943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26094486A Pending JPS63115691A (ja) 1986-10-31 1986-10-31 活性銀鑞ペ−スト

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JP (1) JPS63115691A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5632833A (en) * 1993-10-29 1997-05-27 Nec Corporation Method of manufacturing laminated ceramic capacitor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5632833A (en) * 1993-10-29 1997-05-27 Nec Corporation Method of manufacturing laminated ceramic capacitor

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