JP2602372B2 - メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法 - Google Patents

メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法

Info

Publication number
JP2602372B2
JP2602372B2 JP3105152A JP10515291A JP2602372B2 JP 2602372 B2 JP2602372 B2 JP 2602372B2 JP 3105152 A JP3105152 A JP 3105152A JP 10515291 A JP10515291 A JP 10515291A JP 2602372 B2 JP2602372 B2 JP 2602372B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
brazing
metallized
conductor composition
ceramic
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3105152A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04238875A (ja
Inventor
ラウペン・リーオン・クツセイアン
ウイリアム・ジヨン・ニーブ
ジエイムズ・ジエリー・オズボーン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
EI Du Pont de Nemours and Co
Original Assignee
EI Du Pont de Nemours and Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by EI Du Pont de Nemours and Co filed Critical EI Du Pont de Nemours and Co
Publication of JPH04238875A publication Critical patent/JPH04238875A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2602372B2 publication Critical patent/JP2602372B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
    • C04B37/006—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of metals or metal salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
    • C04B37/02—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles
    • C04B37/023—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used
    • C04B37/026—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with metallic articles characterised by the interlayer used consisting of metals or metal salts
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/89—Coating or impregnation for obtaining at least two superposed coatings having different compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4867—Applying pastes or inks, e.g. screen printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49883—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials the conductive materials containing organic materials or pastes, e.g. for thick films
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6565—Cooling rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
    • C04B2235/6582—Hydrogen containing atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
    • C04B2235/667—Sintering using wave energy, e.g. microwave sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/123—Metallic interlayers based on iron group metals, e.g. steel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/124—Metallic interlayers based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/12—Metallic interlayers
    • C04B2237/125—Metallic interlayers based on noble metals, e.g. silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/343—Alumina or aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/34—Oxidic
    • C04B2237/345—Refractory metal oxides
    • C04B2237/348—Zirconia, hafnia, zirconates or hafnates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/361—Boron nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/363—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/365—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/366—Aluminium nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/32—Ceramic
    • C04B2237/36—Non-oxidic
    • C04B2237/368—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/403—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/405—Iron metal group, e.g. Co or Ni
    • C04B2237/406—Iron, e.g. steel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/407—Copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C04B2237/408—Noble metals, e.g. palladium, platina or silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/55—Pre-treatments of a coated or not coated substrate other than oxidation treatment in order to form an active joining layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/59—Aspects relating to the structure of the interlayer
    • C04B2237/592—Aspects relating to the structure of the interlayer whereby the interlayer is not continuous, e.g. not the whole surface of the smallest substrate is covered by the interlayer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/708—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the interlayers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/76—Forming laminates or joined articles comprising at least one member in the form other than a sheet or disc, e.g. two tubes or a tube and a sheet or disc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/86—Joining of two substrates at their largest surfaces, one surface being complete joined and covered, the other surface not, e.g. a small plate joined at it's largest surface on top of a larger plate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12033—Gunn diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/245—Reinforcing conductive patterns made by printing techniques or by other techniques for applying conductive pastes, inks or powders; Reinforcing other conductive patterns by such techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はろう付け方法に関する。
さらに詳しくは、本発明はメタライズされた構成要素を
セラミック基板にろう付けする方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超小形電子パッケージの最近の動向はよ
り高速で動作するより高密度の電子機能性を必要とする
高性能用途に傾いている。信頼性のある動作をしかつ高
性能用途の要求を満たす電子パッケージを製作すること
は超小形電子工業に直面する挑戦である。かかるパッケ
ージを製作する上での特に困難な一面はピン、リード、
ウィンドーフレームまたはヒートシンクのようなメタラ
イズされた構成要素とセラミック基板との間の多層パッ
ケージに接合または結合部を形成させることである。こ
れらの接合または結合部は高性能用途で遭遇する種々の
極端な条件下で信頼性のある性能を保証するのに必要な
機械的耐久性、導電性および熱放散性を有しなければな
らない。さらに、メタライズされた構成要素をセラミッ
ク基板に接合する方法はできるだけ安価で簡単でなけれ
ばならない。
【０００３】現在では、多層電子パッケージにはメタラ
イズされた構成要素をセラミック基板に取り付けるいく
つかの方法が存在する。使用される取り付け方法は製作
される多層パッケージの種類に左右される。アルミナを
ベースとした誘電体層およびタングステンまたはモリブ
デンのメタライズ物（メタリゼーション）を用いる高温
共焼成(cofired）系には、ろう付け法を用いて取り付け
られる。ろう付けは水素−窒素雰囲気中で約８４０℃の
温度で行われる。この方法によってすぐれた結合強さが
得られそして引き続いての処理に温度を気にしなくてす
むことになる。
【０００４】低温厚膜または共焼成誘電体シート系では
ガラスとアルミナをベースとした誘電体および金、銀ま
たは銅をベースとしたメタライズ層が用いられる。焼成
とろう付けの温度が本質的に同じであるので、低温系で
はろう付けはうまくいかなかった。これはろう付け作業
の間にろうがメタライズ物とセラミックの間に予め形成
された結合を攻撃してメタライズ物を基板から分離させ
るという状況を作り出すことになる。導電性がなくなる
とパッケージが役に立たなくなる。これらの低温系のた
めのろう付けの代わりに用いられる取り付けの普通の方
法にははんだ付け、ワイヤボンディングおよび溶接例え
ば熱圧縮およびパラレルギャップ溶接がある。
【０００５】それぞれの取り付け法を含めての上記系の
双方が現在使用されている。しかしながら、これらの系
は高性能用途にはいくつかの欠点を有する。高温共焼成
パッケージでは、タングステンとモリブデンで形成され
たメタライズ物の導電性は高性能用途に望まれている程
高くはない。低温パッケージでは、金、銀または銅のメ
タライズ物の導電性はよいが、結合強さは典型的にはろ
う付けによって得られたものより低くそして高性能用途
に望まれている程高くはない。さらに、はんだ接合の一
体性はいくつかのその後の処理作業の間に失われるおそ
れがある。
【０００６】その後の作業が従来の製造工程に与える影
響は電子パッケージ製造における考慮すべき重要な事柄
である。例えば、ろう付け法を用いてピンを取り付ける
プロセスはパッケージの焼結回路部品の結合性に影響を
与えてはいけない。同様に、半導体チップを取り付ける
その後のプロセスはろう付けされたピンまたは焼結され
た回路線の結合性に影響を与えてはいけない。もしその
後の工程の温度が前の工程の温度と同等かあるいはそれ
より高いならば、前の工程からの製品の結合性がその後
の工程によって影響される可能性が大きい。かかるやっ
かいな問題を避けるために、電子パッケージの製造業者
は温度階層を有するプロセスを設計しようと努力してい
る。それで、各製造工程の一体性が全製造プロセスを通
じて保持される。実際は、完全なパッケージの形成中に
最後の製造段階が存在する温度が高くなればなるほどそ
の後の加工の間の温度間隔が大きくなりそして熱影響に
よってパッケージが影響されなくなるであろう。温度階
層を有するプロセスの別の利点はプロセスがモジュール
になり得るということである。したがって、サブユニッ
トを試験した後で最終的な組立てを行うことができるの
で診断作業を容易にしそしてシステム製品に高い最終品
質水準を保証することができる。
【０００７】
【発明の目的】本発明の目的は強い接合を形成しそして
メタライズ物とセラミック基板の界面における密着性が
失われないようにメタライズされた構成要素をセラミッ
ク基板にろう付けする方法を提供することである。ま
た、本発明の別の目的は高い導電率を有する金属ペース
トを用いてメタライズされた構成要素をセラミック、ガ
ラス−セラミックおよび金属基板にろう付けする方法を
提供することである。本発明の他の目的はメタライズさ
れた構成要素をセラミックをベースとした基板に高温で
取り付けできると共に低温焼成または共焼成系の温度階
層を保持しそして高温共焼成系で普通に用いられる次後
の同じ処理法を実施できる信頼性のある方法を提供する
ことである。
【０００８】
【発明の要約】本発明の方法はろう付け配合物の助けに
よりメタライズされた構成要素をセラミック基板または
誘電体層上のメタライズ物に５００°〜８４０℃の範囲
の高温で取り付けることにある。基本的には、本発明の
方法はそれぞれの組成が異なる少なくとも２つのメタラ
イズ層をセラミックをベースとした基板の表面に逐次適
用し焼成し次にメタライズされた基板を金属構成要素お
よびろう付け配合物と一緒に、構成要素を表面に取り付
けようとする位置で、接合を形成するのに十分な温度ま
で加熱することからなっている。
【０００９】特に、本発明は ａ） 金属粉、無機結合剤および有機媒体からなる第１
の導体組成物をセラミックをベースとした基板に適用す
る工程、 ｂ） 前記第１の導体組成物を乾燥させる工程、 ｃ） 前記第１の導体組成物を、セラミックを前記無機
結合剤でぬらし、前記金属粉を焼結しそして有機媒体を
逃散させるのに十分な温度で焼成して第１のメタライズ
層を形成させる工程、 ｄ） 前記第１のメタライズ層が第２のメタライズ層で
カバーされるように金属粉および有機媒体より本質的に
なる第２の導体組成物を前記第１のメタライズ層に適用
する工程、 ｅ） 前記第２の導体組成物を乾燥させる工程、 ｆ） 前記第２の導体組成物を、第２の導体組成物の金
属粉を焼結しそして有機媒体を逃散させるのに十分な温
度で焼成して前記第２のメタライズ層を形成させる工
程、 ｇ） 少なくとも１つのメタライズされた構成要素を第
２のメタライズ層の上にそしてろう付け組成物を前記構
成要素と第２のメタライズ層の界面に位置決めすること
によって集成体を形成させる工程、および ｈ） 前記集成体を、前記ろう付け組成物が前記構成要
素と前記第２のメタライズ層との間に接合を形成するの
に十分な温度で加熱する工程からなる、メタライズされ
た構成要素をセラミックをベースとした基板にろう付け
する方法に関する。
【００１０】
【発明の詳述】構成要素のセラミックをベースとした電
子構造部材への取り付けは、典型的にはパッケージ本体
に内部回路部品を形成する一連の工程の後で行われるこ
とは当業者によって理解されるところである。構成要素
取り付け以前のこれらの工程例えばバイアの形成、内部
メタライズ物の形成などはパッケージを製作するのに用
いられるセラミック技術のタイプに応じて同じである。
したがって、金属構成要素は普通構造部材の外部表面層
である基板に取り付けられる。
【００１１】本発明で用いられる基板は当該技術で慣用
されている周知のセラミックをベースとした基板ならど
れでもよい。セラミックをベースとした基板の例にはア
ルミナ、ベリリア、ハフニア、窒化物、炭化物などのよ
うなセラミック基板がある。また、本発明のセラミック
ベース基板として使用するのに適したものはガラス−セ
ラミックスおよび先進のセラミックス例えば窒化アルミ
ニウム、炭化けい素、窒化けい素および窒化ほう素であ
る。本発明で用いられる好適な基板は９６％Ａｌ2Ｏ3で
構成されるアルミナ基板であり、最も好ましいものはデ
ュポン社によって販売されているGreen Tape（ＴＭ）の
ようなガラス−セラミック製品である。
【００１２】第１の厚膜導体組成物は慣用技術によって
セラミック基板に適用される。好適なプロセスは約２０
〜８０ミクロン好ましくは２５〜７０ミクロンの湿潤厚
さまでスクリーン印刷することである。次に、印刷パタ
ーンを約５０°〜２００℃で約５〜１５分間乾燥させ
る。第１のメタライズ層を形成させるための焼成は温度
分布を有するベルトコンベア炉で行われるのが好まし
く、有機媒体は約３００°〜６６０℃で完全燃焼され、
約６００°〜１０５０℃の最高温度は約５〜２５分持続
されその後徐々に温度が下げられる。第１のメタライズ
層の好適な焼成厚さは約５〜２０ミクロンである。全体
の焼成手順は約１時間で行われるのが好ましく、２０〜
２５分で焼成温度に到達し、約１０分間焼成温度に保ち
そして約２０〜２５分で温度が下げられる。
【００１３】導体組成物は当該分野でよく知られてい
る。導体組成物はセラミック誘電体基板に適用され焼成
されて第１のメタライズパターンを形成するが、普通は
微細な金属粒子と無機結合剤粒子からなっている。組成
物の金属成分は機能的（導電性）ユーティリティを与え
るが、無機結合剤は金属粒子相互を結合させて基板に結
合させる。多くの場合、無機粉末は不活性液体媒体すな
わちビヒクルに分散されて、この分散液は基板に容易に
適用できる。導体組成物に有用な金属粒子には金、銀、
銅、白金、パラジウムまたはそれらの混合物がある。無
機結合剤にはガラスバインダー（フリット）および金属
酸化物がある。導体組成物に有用なガラスバインダーは
当該分野で慣用されているものであって、Ｂ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ2、Ａｌ2Ｏ3、ＣｄＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｓ
ｉＯ2、Ｎａ2Ｏ、ＰｂＯおよびＺｒＯなどがあるがこれ
らに制限されるものではない。同様に、導体組成物に有
用な金属酸化物は当該分野で慣用されているものであっ
て、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＦｅＯ、ＭｎＯ
およびこれらの混合物であってもよいがこれらに制限さ
れるものではない。
【００１４】無機粉末は典型的には機械的混合によって
有機液体媒体（ビヒクル）と混合されてスクリーン印刷
に適した稠度とレオロジーを有するペースト状組成物を
形成させる。有機媒体として種々の不活性液体を用いる
ことができる。有機媒体は当該分野で慣用的なものであ
って、典型的には溶媒中の樹脂溶液多くの場合樹脂とチ
キソトロープ剤の双方を含有する溶剤溶液である。この
目的のためによく用いられている樹脂はエチルセルロー
スである。しかしながら、エチルヒドロキシエチルセル
ロース、ウッドロジン、エチルセルロースの混合物およ
びフェノール樹脂のような樹脂、低級アルコールのポリ
メタクリレートおよびエチレングリコールモノアセテー
トのモノブチルエーテルも用いることができる。厚膜適
用に最も広く用いられる溶媒はアルファ−またはベータ
−テルピネオールのようなテルペン類あるいはそれらと
他の溶媒例えばケロシン、ジブチルフタレート、ブチル
カルビトール、ブチルカルビトールアセテート、ヘキシ
レングリコール、高沸点アルコール類およびアルコール
エステル類との混合物である。これらと他の溶媒との種
々の組合せを調合して所望の粘度と揮発性が得られる。
さらに、導体組成物は組成物の種々の性質例えば密着
性、焼結性、加工性、ろう付け性、はんだ付け性、信頼
性などを強化するために他の金属粒子および無機結合剤
粒子を含有することができる。
【００１５】外部回路部品用の通常の銀、銅および金導
体組成物は本発明に使用するのに適している。好適な金
導体組成物は全無機固形分を基準にして重量で（ａ）
７５〜９５％の金属金粒子、そのうちの少なくとも９０
重量％が２以下のアスペクト比を有するもの、（ｂ）
０.５〜１０％の硼珪酸カドミウムガラス、（ｃ） Ｃ
ｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＦｅＯ、Ｍｎ
Ｏおよびそれらの混合物よりなる群から選ばれた０.１
〜５％のスピネル形成性２価金属酸化物および（ｄ）
パラジウム、白金およびロジウムよりなる群から選ばれ
た０.１〜１.０％の金属の微細粒子からなり、（ａ）〜
（ｄ）のすべてが（ｅ）有機媒体中に分散しているもの
である。
【００１６】本発明は第２のメタライズ層を第１のメタ
ライズ層へ適用すると基板と取り付けられた構成要素と
の間に強い結合が得られるという知見を含んでいる。第
２のメタライズ層はろう付けされたメタライズされた構
成要素とセラミック−メタライズ物界面との間の導電性
バリヤー層として作用する。
【００１７】第２のメタライズ層は第１のメタライズ層
に適用される第２の導体組成物から通常の厚膜技術好ま
しくはスクリーン印刷を用いて形成される。この工程で
は金属構成要素を取り付けようとする第１のメタライズ
層の露出部分を完全にコートまたはカバーするように第
２の導体組成物を適用することが重要である。これは第
２の導体組成物の第１のメタライズ層への正確なスクリ
ーン整合によるかあるいは第１の導体組成物に用いられ
るパッドサイズに比べて約５％の僅かに大きなパターン
（例えばパッドサイズ）を有する第２の導体組成物の第
２のスクリーンを用いて行われる。これは第１のメタラ
イズ層をカバーしそしてセラミックと第１のメタライズ
物との界面を保護するためには印刷、乾燥、焼成という
いくつかの工程が必要とされることを意味している。第
２の導体組成物の乾燥は第１の導体組成物の乾燥につい
て上述したものと同じである。第２の導体組成物を焼成
する方法は第１の導体組成物について述べたものと同様
であるが、第２のメタライズ層の所望の焼成厚さに適合
するように条件を変えてもよい。第２のメタライズ層の
焼成厚さは約５〜１００ミクロンであるべきである。厚
さは用いられるろう付け用合金の種類と融解温度ならび
にろう付けのピーク温度とピーク温度での保持時間に依
存する。典型的には、保持時間が一定の場合、ろう付け
のピーク温度が高ければ高い程、第２の層の厚さは大き
くなる。例えば、１分の保持時間では、第２のメタライ
ズ層の厚さは、約６００℃以下のろう付けピーク温度で
約１０〜３０ミクロン、約６００〜７００℃のろう付け
ピーク温度で３０〜５０ミクロンそして約７００〜８１
０℃のろう付けピーク温度で４０〜７０ミクロンになる
のが普通である。
【００１８】第２のメタライズ層を形成する第２の導体
組成物は有機媒体中に分散された微細な金属粉からなっ
ている。第２の導体組成物中の金属粒子は焼成工程中に
それ自体焼結しそして第１のメタライズ層と第２のメタ
ライズ層との間の界面に存在する第１のメタライズ層の
金属粒子に焼結する。第２の導体組成物に使用するのに
適した金属には金、銀、銅、白金、パラジウムまたはそ
れらの混合物がある。他の金属を用いてもよいが、パッ
ケージの冶金学的、熱的および電気的性質と適合しなけ
ればならない。第２の導体組成物の有機媒体の機能は第
１の導体組成物における有機媒体のものと同じである。
ここで、有機媒体は当該分野で慣用のものでありそして
第１の導体組成物について述べた有機媒体と同じまたは
異なった組成を有していてもよい。無機結合剤は第２の
メタライズ層には使用されないことが好ましい。しかし
ながら、固形分の１０重量％までの少量の無機結合剤を
うまく使用することができる。
【００１９】本発明の別の態様では、第１および第２の
メタライズ層の別々の焼成を単一の工程として併合する
ことができる。焼成工程を併合する前に、第１の導体組
成物を適用し、乾燥させ次に第２の導体組成物を整合し
て適用し乾燥させる。両層の焼成は個々の層の焼成につ
いて上述したものと同様である。
【００２０】セラミック基板への取り付けに有用な金属
構成要素は例えばピン、リード、ウィンドーフレームお
よびヒートシンクである。これらの構成要素は他の電子
パッケージ間の相互連結として機能するかあるいはヒー
トシンクの場合不要な熱の吸収または放散として機能す
るのでメタライズされる。本発明における使用に適した
メタライズされた構成要素は銅、ニッケル、モリブデ
ン、タングステン、銀、金、鉄、カーボングラファイト
または合金またはクラッドあるいはこれらの混合物から
形成することができる。ガラス−セラミック基板と一緒
に用いられるのに好適なものはピンおよびリード線材料
用のKovar、Alloy 42、Alloy 46のような鉄とニッケル
の合金であるが、銅／タングステン、銅／モリブデン、
銅／モリブデン／銅および銅／インバール(Invar)／銅
はヒートシンクおよびスプレダーとして用いられる。そ
れらの熱膨脹率（ＴＣＥ）はこれらの物質が接触するメ
タライズ物とセラミック基板のそれと適合し得るので上
記の物質が用いられる。適合性ＴＣＥはろう付けプロセ
スの間に発生される残留熱応力を最小にする助けをす
る。また、金属構成要素は炉内ろう付け後にそれらの機
械的一体性（目に見えるほどのアニールは存在しない）
を保持することができる。金属構成要素はニッケルだけ
でメッキしてもよいが所望により続いて金、銅または銀
をメッキしてもよい。
【００２１】第２のメタライズ層およびメタライズされ
た構成要素と適合できる通常の硬ろう組成物は本発明に
使用するのに適している。銀、銅、金、インジウム、亜
鉛、錫、ニッケル、りんまたはゲルマニウムあるいはそ
れらの混合物を含有するろう付け組成物が適している。
ろう付け組成物の例は（１）６１.５Ａｇ／２４Ｃｕ／
１４.５Ｉｎ、（２）５６Ａｇ／２２Ｃｕ／１７Ｚｎ／
５Ｓｎ、（３）７８Ｃｕ／６Ｎｉ／９Ｓｎ／７Ｐおよび
（４）８２Ａｕ／１８Ｉｎ（各数字は重量％を示す）で
ある。使用される硬ろうの種類はメタライズバリアー層
およびメタライズされた構成要素中の金属に依存する。
ろう合金（１）および（２）は銀メタライズ物に最も適
している。ろう合金（１）、（２）および（３）は銅を
ベースとしたメタライズ物に最も適しておりそしてろう
合金（４）は金をベースとしたメタライズ物に最も適し
ている。ろう付け配合物はペーストまたはプレフォーム
状態であってもよい。ろうペーストはスクリーン印刷、
ステンシル印刷または他の分配技術を用いて適用され
る。また、ろうをパッドまたは構成要素上に適用しそし
て予め流動させてからろう接合プロセスを行うことがで
きる。
【００２２】ろう付けによって接合しようとする構成要
素は通常ろう付けサイクルを通じて維持される固定位置
で典型的には補助取付け材(auxiliary fixturing)を用
いて組立てられる。軟鋼、コバール(kovar)、被切削性
セラミック、溶岩およびグラファイトはしばしば補助取
付け材として用いられる。特に好適な取付け材はグラフ
ァイトである。取付け材の選択は用いられるろう付け
法、用いられるろう付け温度および雰囲気、組立て物の
材料および仕上げられたパッケージの寸法要求と関連し
て材料の性質例えば耐熱性によって決定される。接合し
ようとする面は硬ろうが接合部をみたして最高の性質を
達成するために室温とろう付け温度で接合クリアランス
を保つ取付け材によって適当な間隔があけられる。ろう
配合物はペーストまたはプレフォーム状であってもよい
が、メタライズされた構成要素と第２のメタライズ層の
間に置かれるかあるいはろう配合物が接合部をみたすよ
うにメタライズ構成要素の上にのせてもよい。例えば、
ろうプレフォーム配合物はピン構成要素の軸によってろ
う付けするための適所にしっかりと固着することができ
る。
【００２３】メタライズされた構成要素のセラミック基
板のメタライズ層へのろう付けはろう付け炉内で行われ
炉内には取付けられた集成体が置かれている。集成体は
硬ろう配合物をぬらして接合を形成させるのに十分な時
間と温度でろう付け炉内で徐々に加熱させる。通常、ピ
ーク温度は硬ろうの融点より２０°〜８０℃高い。取付
けられた集成体はピーク温度で極めて短時間通常は１分
のオーダーで加熱され次いで徐冷される。ろう付けに適
した炉はバッチおよびベルトコンベヤ（赤外またはマッ
フル）である。ベルトコンベヤ炉を用いるのが好まし
い。
【００２４】適合し得る、メタライズされた構成要素、
メタライズ層、ろう付け用配合物およびセラミックをベ
ースとした電子パッケージ用基板を選択することは当業
者の範囲内である。材料が適合しないと不適合材料間の
界面の接合が弱くなり、パッケージは使用中にこの場所
で破損してしまう。メタライズされた構成要素を基板に
取付ける材料（実際には、パッケージ全体の材料）の適
合性は冶金学的、熱的および電気的性質を補足すること
を含む。
【００２５】
【実施例】実施例１ この実施例は金をベースとした第１および第２のメタラ
イズ組成物および８２Ａｕ／１８Ｉｎろう付け用配合物
を用いてメタライズされたピンをガラスセラミック基板
へろう付けする本発明の方法を説明するものである。
【００２６】（ａ） 厚膜ペーストは金導体組成物すな
わちデュポンにより販売されているタイプ５０６２であ
った。
【００２７】（ｂ） この実施例で用いられる基板はグ
リーンテープ（ＴＭ)(タイプ８５１ＡＴ）としてデュポ
ンにより販売されているガラスセラミックテープであっ
た。テープ基板は共焼成(cofiring)後１.７６０×１.７
６０インチに切断された。当該分野で知られた方法を用
いて８５１ＡＴグリーンテープ（ＴＭ）を１０層重ねて
多層電子パッケージを製作した。
【００２８】（ｃ） １０〜１５ミクロンの焼成厚さと
するために、工程（ａ）のペーストを（ｂ）で形成され
た焼成パッケージ体の外部表面層に８８５ＡＭＩプリン
ター（ＡＭＩ社、ノースブランチ、ニュージャージ州に
よって製造された）を用いて１回で４５ミクロンの湿時
厚さになるように印刷した。メタライズされた構成要素
を取付けようとする場所に印刷ペーストを適用した。グ
リーンテープ上のペーストをブルー・エム・カンパニー
（マルベルン、ペンシルバニア州）により製造されたブ
ルーＭ炉中、窒素雰囲気中で１５０℃の温度で１５〜３
０分間乾燥させた。ペーストをリンドベルグ炉（リンド
ベルグ、シカゴ、イリノイ州）中で大約１時間のサイク
ル（すなわち約２０〜２５分で焼成温度まで加熱し、８
５０℃で１０分間焼成しそして残りの時間で温度を下げ
ていく）で焼成した。
【００２９】（ｄ） 第２の導体組成物は８８％の金フ
レーク粉末と１２％の有機媒体からなっていた。
【００３０】（ｅ） 工程（ｄ）からの第２の導体組成
物を第１の導体メタライズ層の上に上記工程（ｃ）で述
べた８８５ＡＭＩプリンターを用いて４０〜５０ミクロ
ンの湿時厚さによるように印刷した。第１層のパッドサ
イズに比べてわずかに大きなパッドサイズ（約５％大き
い）を有する第２のメタライズ層用の第２のスクリーン
を用いて、結合パッドの両側を含めての最初のメタライ
ズ層を完全にカバーするように印刷される。約２５ミク
ロンの所望の焼成厚さとするために第２の導体組成物を
２回の印刷および乾燥工程で印刷した。上記工程（ｃ）
と同様にして第２の導体組成物をブルーＭ炉で乾燥させ
た。
【００３１】（ｆ） ペーストをリンドベルグ炉中で大
約１時間のサイクル（すなわち約２０〜２５分で焼成温
度まで加熱させ、８５０℃で１０分間焼成しそして残り
の時間で温度を下げていく）を用いて焼成させた。
【００３２】（ｇ） アストロ・プレシジオン・インコ
ーポレーテッド（ベイビレ、コネチカット州）によって
販売されているコバール(Kovar)ピンにサートロニック
ス・カンパニー（ラレイ、ノースカロライナ州）による
５０マイクロインチのニッケルと５０マイクロインチの
金をメッキした。
【００３３】（ｈ） パッケージコンポーネントをグラ
ファイト取付け材を用いて組立て逐次メタライズ層を有
するセラミック基板、ろう付けプレフォームおよびメッ
キされたピンを焼成のためのメタライズ層上の適正な位
置に保持した。ろう付けプレフォームは８２Ａｕ／１８
Ｉｎでつくられそしてアドバンスド・マテリアル・テク
ノロジー・コーポレーション（オリスカニイ、ニューヨ
ーク州）によって販売されている。ろう付けプレフォー
ムは座金状に成形されて、ピンの頭部にある延長ピンの
軸の上に置いた。ピンの頭部を第２のメタライズ層の上
に置きそしてグラファイト取付け材によって適所に保持
した。
【００３４】（ｉ） ５８０℃のピーク温度を２分間保
つ１時間のプロフィールで３.７％水素と９６.３％窒素
の雰囲気を用いてワトキンス−ジョンソン炉（ワトキン
ス−ジョンソン・カンパニー、スコットバレイ、カリフ
ォルニア州）でろう付けを行った。その部分を十分に冷
却した後、グラファイト取付け材を取りはずしそして組
立てたパッケージを取り出した。
【００３５】セラミック基板に対するピンの取付けまた
は接合の強さをインストロン機械（インストロン・コー
ポレーション、キャントン、マサチュセッツ州）を用い
て１２mm／分のクロスヘッドスピードで試験した。基板
および／またはメタライズ層からピンを引っ張る強さの
平均は６００本以上のピンを試験して１８±３ポンドで
あった。これはセラミックをベースとした系の取付け性
能のうちで極めてすぐれた強さである。
【００３６】実施例２ この実施例は銀をベースとした第１および第２のメタラ
イズ組成物およびろう付け用配合物を用いてメタライズ
された構成要素をガラスセラミック基板にろう付けし、
超小形電子パッケージのピン−グリッドアレイとして使
用するための本発明の方法を説明するものである。
【００３７】（ａ） 厚膜ペーストは銀導体組成物すな
わちデュポンによって販売されているタイプ５０８１で
あった。基板は実施例１の工程（ｂ）で用いたものと同
様であった。１０〜１５ミクロンの焼成厚さとするため
に、銀導体ペーストを焼成パッケージ体の外面に８８５
ＡＭＩプリンターを用いて４５ミクロンの湿時厚さにな
るように印刷した。メタライズされた構成要素を取付け
ようとする場所に印刷ペーストを適用した。
【００３８】（ｂ） 基板上のペーストをブルー・エム
・カンパニー（マルベルン、ペンシルバニア州）によっ
て製造されたブルーＭ炉中、空気雰囲気中で１５０℃の
温度で１５〜３０分間乾燥させた。
【００３９】（ｃ） ペーストをリンドベルグ炉（リン
ドベルグ、シカゴ、イリノイ州）中で大約１時間のサイ
クル（すなわち、約２０〜２５分で焼成温度まで加熱
し、８５０℃で１０分間焼成しそして残りの時間で温度
を下げていく）で焼成した。
【００４０】第２の導体組成物は金属銀粉末と有機媒体
（銀導体、デュポンによって販売されているタイプ５０
８２）からなっていた。
【００４１】（ｄ） 第２の導体組成物を上記実施例１
の工程（ｅ）で述べたような第１の導体メタライズ層の
上に６０ミクロンの焼成厚さを得るために数回の印刷お
よび乾燥工程で印刷した。
【００４２】（ｅ） 上記工程（ｂ）と同様にして第２
の導体組成物をブルーＭ炉で乾燥させた。
【００４３】（ｆ） ペーストをリンドベルグ炉中で大
約１時間のサイクル（すなわち、約２０〜２５分で焼成
温度まで加熱し、８５０℃で１０分間焼成しそして残り
の時間で温度を下げていく）で焼成した。
【００４４】（ｇ） アストロ・プレシジオン・インコ
ーポレーテッド（ベイビレ、コネチカット州）によって
販売されているコバールピンにサートロニックス・カン
パニー（ラレイ、ノースカロライナ州）による５０マイ
クロインチのニッケルをメッキした。
【００４５】（ｈ） パッケージコンポーネントをグラ
ファイト取付け材を用いて組立逐次メタライズ層を有す
るセラミック基板、ろう付けプレフォームおよびメッキ
されたピンを焼成のためのメタライズ層上の適正な位置
に保持した。ろう付けプレフォームは６１.５銀／２４
銅／１４.５インジウムでつくられそしてＧＴＥウエス
ゴ（ベルモント、カリフォルニア州）によって販売され
ている。ろう付けプレフォームは座金状に成形されて、
ピンの頭部にある延長ピンの軸の上に置いた。ピンの頭
部を第２のメタライズ層の上に置きそしてグラファイト
取付け材によって適所に保持した。
【００４６】（ｉ） ７８０℃のピーク温度を１分間保
つ１時間のプロフィールで窒素雰囲気を用いてＲＴＣ炉
（ラジアント・テクノロジー・コーポレーション、セリ
トス、カリフォルニア州）でろう付けを行った。その部
分を十分に冷却した後、グラファイト取付け材を取りは
ずしそして組立てたパッケージを取り出した。
【００４７】セラミック基板に対するピンの取付けまた
は接合の強さをインストロン機械（インストロン・コー
ポレーション、キャントン、マサチュセッツ州）を用い
て１２mm／分のクロスヘッドスピードで試験した。基板
および／またはメタライズ層からピンを引っ張る強さの
平均は６００本以上のピンを試験して２２±２ポンドで
あった。
【００４８】実施例３ この実施例はパラジウム／銀をベースとした第１および
第２のメタライズ組成物およびろう付け用配合物を用い
てメタライズされた構成要素をアルミナ基板にろう付け
し、超小形電子パッケージのピン−グリッドアレイとし
て使用するための本発明の方法を説明するものである。
【００４９】（ａ） 厚膜ペーストはパラジウム／銀導
体組成物すなわちデュポンによって販売されているタイ
プ５０８３であった。基板はクーズ・インコーポレーテ
ッド（コロラド）によって販売されている９６％アルミ
ナであった。１０〜１５ミクロンの焼成厚さとするため
に、銀導体ペーストをアルミナ基板に８８５ＡＭＩプリ
ンターを用いて４５ミクロンの湿時厚さになるように印
刷した。メタライズされた構成要素を取付けようとする
場所に印刷ペーストを適用した。
【００５０】（ｂ） 基板上のペーストをブルー・エム
・カンパニー（マルベン、ペンシルバニア州）によって
製造されたブルーＭ炉中、空気雰囲気中で１５０℃の温
度で１５〜３０分間乾燥させた。
【００５１】（ｃ） ペーストをリンドベルグ炉（リン
ドベルグ、シカゴ、イリノイ州）中で大約１時間のサイ
クル（すなわち、約２０〜２５分で焼成温度まで加熱
し、８５０℃で１０分間焼成しそして残りの時間で温度
を下げて行く）で焼成した。
【００５２】第２の導体組成物は金属パラジウム粉末、
金属銀粉末および有機媒体（パラジウム／銀をベースと
した導体、デュポンによって販売されているタイプ５０
８４）からなっていた。
【００５３】（ｄ） 第２の導体組成物を上記実施例１
の工程（ｅ）で述べたような第１の導体メタライズ層の
上に６０ミクロンの焼成厚さを得るために数回の印刷お
よび乾燥工程で印刷した。
【００５４】（ｅ） 上記工程（ｂ）と同様にして、第
２の導体組成物をブルーＭ炉で乾燥させた。
【００５５】（ｆ） ペーストをリンドベルグ炉中で大
約１時間のサイクル（すなわち、約２０〜２５分で焼成
温度まで加熱し、８５０℃で１０分間焼成しそして残り
の時間で温度を下げていく）で焼成した。
【００５６】（ｇ） アストロ・プレシジオン・インコ
ーポレーテッド（ベイビレ、コネチカット州）によって
販売されているコバールピンにサートロニックス・カン
パニー（ラレイ、ノースカロライナ州）による５０マイ
クロインチのニッケルをメッキした。
【００５７】（ｈ） パッケージ構成要素をグラファイ
ト取付け材を用いて組立て逐次メタライズ層を有するセ
ラミック基板、ろう付けプレフォームおよびメッキされ
たピンを焼成のためのメタライズ層上の適正な位置に保
持した。ろう付けプレフォームは６１.５銀／２４銅／
１４.５インジウムでつくられそしてＧＴＥウエスゴ
（ベルモント、カリフォルニア州）によって販売されて
いる。ろう付けプレフォームは座金状に成形されて、ピ
ンの頭部にある延長ピンの軸の上に置いた。ピンの頭部
を第２のメタライズ層の上に置きそしてグラファイト取
付け材によって適所に保持した。
【００５８】（ｉ） ７８０℃のピーク温度を１分間保
つ１時間のプロフィールで窒素雰囲気を用いてＲＴＣ炉
（ラジアント・テクノロジー・コーポレーション、セリ
トス、カリフォルニア州）でろう付けを行った。その部
分を十分に冷却した後、グラファイト取付け材を取りは
ずしそして組立てたパッケージを取り出した。
【００５９】セラミック基板に対するピンの取付けまた
は接合の強さをインストロン機械（インストロン・コー
ポレーション、キャントン、マサチュセッツ州）を用い
て１２mm／分のクロスヘッドスピードで試験した。基板
および／またはメタライズ層からピンを引っ張る強さの
平均は６００本以上のピンを試験して２０±２ポンドで
あった。
【００６０】実施例４ この実施例は銅をベースとした第１および第２のメタラ
イズ組成物およびろう付け用配合物を用いてメタライズ
された構成要素をアルミナ基板にろう付けし、超小形電
子パッケージのピン−グリッドアレイとして使用するた
めの本発明の方法を説明するものである。
【００６１】（ａ） 厚膜ペーストは銅導体組成物すな
わちデュポンによって販売されているタイプ５０８５で
あった。基板はクーズ・インコーポレーテッド（コロラ
ド）によって販売されている９６％アルミナであった。
１０〜１５ミクロンの焼成厚さとするために、銅導体ペ
ーストをアルミナ基板に８８５ＡＭＩプリンターを用い
て４５ミクロンの湿時厚さになるように印刷した。メタ
ライズされた構成要素を取付けようとする場所に印刷ペ
ーストを適用した。
【００６２】（ｂ） 基板上のペーストをブルー・エム
・カンパニー（マルベン、ペンシルバニア州）によって
製造されたブルーＭ炉中、窒素雰囲気中で８０℃の温度
で１５〜４０分間乾燥させた。
【００６３】（ｃ） ペーストをＲＴＣ炉（ラジアント
・テクノロジー・コーポレーション、セリトス、カリフ
ォルニア州）中で大約１時間のサイクル（すなわち、約
２０〜２５分で焼成温度まで加熱し、９５０℃で１０分
間焼成しそして残りの時間で温度を下げていく）で焼成
した。
【００６４】第２の導体組成物は金属銅粉末および有機
媒体（銅をベースとした導体、デュポンによって販売さ
れているタイプ５０８６）からなっていた。
【００６５】（ｄ） 第２の導体組成物を上記実施例１
の工程（ｅ）で述べたような第１の導体メタライズ層の
上に６０ミクロンの焼成厚さを得るために数回の印刷お
よび乾燥工程で印刷した。
【００６６】（ｅ） 上記工程（ｃ）と同様にして、第
２の導体組成物をブルーＭ炉で乾燥させた。
【００６７】（ｆ） ペーストを上記工程（ｃ）と同様
なＲＴＣ炉で焼成した。
【００６８】（ｇ） アストロ・プレシジオン・インコ
ーポレーテッド（ベイビレ、コネチカット州）によって
販売されているコバールピンにサートロニックス・カン
パニー（ラレイ、ノースカロリナ州）による５０マイク
ロインチのニッケルをメッキした。
【００６９】（ｈ） パッケージ構成要素をグラファイ
ト取付け材を用いて組立て逐次メタライズ層を有するセ
ラミック基板、ろう付けプレフォームおよびメッキされ
たピンを焼成のためのメタライズ層上の適正な位置に保
持した。ろう付けプレフォームは６１.５銀／２４銅／
１４.５インジウムでつくられそしてＧＴＥウエスゴ
（ベルモント、カリフォルニア州）によって販売されて
いる。ろう付けプレフォームは座金状に成形されて、ピ
ンの頭部にある延長ピンの軸の上に置きそしてグラファ
イト取付け材によって適所に保持した。
【００７０】（ｉ） ７８０℃のピーク温度を１分間保
つ１時間のプロフィールで窒素雰囲気を用いてＲＴＣ炉
（ラジアント・テクノロジー・コーポレーション、セリ
トス、カリフォルニア州）でろう付けを行った。その部
分を十分に冷却した後、グラファイト取付け材を取りは
ずしそして組立てたパッケージを取り出した。セラミッ
ク基板に対するピンの取付けまたは接合の強さをインス
トロン機械（インストロン・コーポレーション、キャン
トン、マサチュセッツ州）を用いて１２mm／分のクロス
ヘッドスピードで試験した。基板および／またはメタラ
イズ層からピンを引っ張る強さの平均は６００本以上の
ピンを試験して２０±２ポンドであった。
【００７１】本発明の要旨およびその実施態様を以下に
要約して示す。 １．ａ） 金属粉、無機結合剤および有機媒体からなる
第１の導体組成物をセラミックをベースとした基板に適
用する工程、 ｂ） 前記第１の導体組成物を乾燥させる工程、 ｃ） 前記第１の導体組成物を、セラミックを前記無機
結合剤でぬらし、前記金属粉を焼結しそして有機媒体を
逃散させるのに十分な温度で焼成して第１のメタライズ
層を形成させる工程、 ｄ） 前記第１のメタライズ層が第２のメタライズ層で
カバーされるように金属粉および有機媒体より本質的に
なる第２の導体組成物を前記第１のメタライズ層に適用
する工程、 ｅ） 前記第２の導体組成物を乾燥させる工程、 ｆ） 前記第２の導体組成物を、第２の導体組成物の金
属粉を焼結しそして有機媒体を逃散させるのに十分な温
度で焼成して前記第２のメタライズ層を形成させる工
程、 ｇ） 少なくとも１つのメタライズされた構成要素を第
２のメタライズ層の上にそしてろう付け組成物を前記構
成要素と第２のメタライズ層の界面に位置決めすること
によって集成体を形成させる工程、および ｈ） 前記集成体を、前記ろう付け組成物が前記構成要
素と前記第２のメタライズ層との間に接合を形成するの
に十分な温度で加熱する工程 からなる、メタライズされた構成要素をセラミックをベ
ースとした基板にろう付けする方法。 ２．セラミックをベースとした基板がアルミナまたはガ
ラス−セラミックからなる前項１の方法。 ３．集成体を５００〜８４０℃の範囲の温度まで加熱す
る前項２の方法。 ４．前記第１の導体組成物が全無機固形分を基準にして
重量で、 （ａ） ７５〜９５％の金属金粒子、そのうちの少なく
とも９０重量％が２以下のアスペクト比を有するもの、 （ｂ） ０.５〜１０％の硼珪酸カドミウムガラス、 （ｃ） ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｆ
ｅＯ、ＭｎＯおよびそれらの混合物よりなる群から選ば
れた０.１〜５％のスピネル形成性２価金属酸化物およ
び （ｄ） パラジウム、白金およびロジウムよりなる群か
ら選ばれた０.１〜１.０％の金属 の微細粒子のすべてが （ｅ） 有機媒体 中に分散されたものからなる前項３の方法。 ５．ａ） 金属粉、無機結合剤および有機媒体からなる
第１の導体組成物をセラミックをベースとした基板に適
用する工程、 ｂ） 前記第１の導体組成物を乾燥させる工程、 ｃ） 前記第１の導体組成物が金属粉および有機媒体よ
り本質的になる第２の導体組成物によってカバーされる
ように前記第２の導体組成物を第１の導体組成物に適用
する工程、 ｄ） 前記第２の導体組成物を乾燥させる工程、 ｅ） 前記第１および第２の導体組成物を、セラミック
を無機結合剤でぬらし、前記金属粉を焼結しそして有機
媒体を逃散させるのに十分な温度で焼成して前記導体組
成物をメタライズ層に変換させる工程、 ｆ） 少なくとも１つのメタライズされた構成要素を前
記第２のメタライズ層にそしてろう付け組成物を前記構
成要素と第２のメタライズ層の界面に位置決めすること
によって集成体を形成させる工程、および ｇ） 前記集成体を、前記ろう付け組成物が前記構成要
素と前記第２のメタライズ層との間に接合を形成するの
に十分な温度で加熱する工程 からなる、メタライズされた構成要素をセラミックをベ
ースとした基板にろう付けする方法。 ６．セラミックをベースとした基板がアルミナまたはガ
ラス−セラミックからなる前項５の方法。 ７．集成体を５００〜８４０℃の範囲の温度まで加熱す
る前項６の方法。 ８．前記第１の導体組成物が全無機固形分を基準にして
重量で、 （ａ） ７５〜９５％の金属金粒子、そのうちの少なく
とも９０重量％が２以下のアスペクト比を有するもの、 （ｂ） ０.５〜１０％の硼珪酸カドミウムガラス、 （ｃ） ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｆ
ｅＯ、ＭｎＯおよびそれらの混合物よりなる群から選ば
れた０.１〜５％のスピネル形成性２価金属酸化物およ
び （ｄ） パラジウム、白金およびロジウムよりなる群か
ら選ばれた０.１〜１.０％の金属 の微細粒子のすべてが （ｅ） 有機媒体 中に分散されたものからなる前項７の方法。 ９．ａ） 金属粉および有機媒体より本質的になる第２
の導体組成物によってメタライズ物がカバーされるよう
に前記第２の導体組成物を基板上のメタライズ物の上に
適用する工程、 ｂ） 前記第２の導体組成物を乾燥させる工程、 ｃ） 前記第２の導体組成物を、第２の導体組成物の金
属粉を焼結しそして前記有機媒体を逃散させるのに十分
な温度で焼成して第２のメタライズ層を形成させる工
程、 ｄ） 少なくとも１つのメタライズされた構成要素を前
記第２のメタライズ層にそしてろう付け組成物を前記構
成要素と第２のメタライズ層の界面に位置決めすること
によって集成体を形成させる工程、および ｅ） 前記集成体を、前記ろう付け組成物が前記構成要
素と前記第２のメタライズ層との間に接合を形成するの
に十分な温度で加熱する工程 からなる、メタライズされた構成要素をメタライズされ
たセラミックベース基板にろう付けする方法。 １０．セラミックをベースとした基板がアルミナまたは
ガラス−セラミックからなる前項９の方法。 １１．集成体を５００〜８４０℃の範囲まで加熱する前
項１０の方法。 １２．前記第１の導体組成物が全無機固形分を基準にし
て重量で、 （ａ） ７５〜９５％の金属金粒子、そのうちの少なく
とも９０重量％が２以下のアスペクト比を有するもの、 （ｂ） ０.５〜１０％の硼珪酸カドミウムガラス、 （ｃ） ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ｆ
ｅＯ、ＭｎＯおよびそれらの混合物よりなる群から選ば
れた０.１〜５％のスピネル形成性２価金属酸化物およ
び （ｄ） パラジウム、白金およびロジウムよりなる群か
ら選ばれた０.１〜１.０％の金属 の微細粒子のすべてが （ｅ） 有機媒体 中に分散されたものからなる前項１１の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウイリアム・ジヨン・ニーブ アメリカ合衆国デラウエア州19808．ウ イルミントン．タナジヤードライブ2719 (72)発明者 ジエイムズ・ジエリー・オズボーン アメリカ合衆国ペンシルベニア州19348. ケネツトスクエア．リツジアベニユー 609

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ａ） 金属粉、無機結合剤および有機媒
    体からなる第１の導体組成物をセラミックをベースとし
    た基板に適用する工程、 ｂ） 第１の導体組成物を乾燥させる工程、 ｃ） 第１の導体組成物が金属粉および有機媒体より本
    質的になる第２の導体組成物によってカバーされるよう
    に第２の導体組成物を第１の導体組成物に適用する工
    程、 ｄ） 第２の導体組成物を乾燥させる工程、 ｅ） 第１および第２の導体組成物を、セラミックを無
    機結合剤でぬらし、金属粉を焼結しそして有機媒体を逃
    散させるのに十分な温度で焼成して導体組成物をメタラ
    イズ層に変換させる工程、 ｆ） 少なくとも１つのメタライズされた構成要素を第
    ２のメタライズ層にそしてろう付け組成物を構成要素と
    第２のメタライズ層の界面に位置決めすることによって
    集成体を形成させる工程、および ｇ） 集成体を、ろう付け組成物が構成要素と第２のメ
    タライズ層との間に接合を形成するのに十分な温度で加
    熱する工程からなる、メタライズされた構成要素をセラ
    ミックをベースとした基板にろう付けする方法。
JP3105152A 1990-04-12 1991-04-11 メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法 Expired - Fee Related JP2602372B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/508,871 US5033666A (en) 1990-04-12 1990-04-12 Process for brazing metallized components to ceramic substrates
US508871 1990-04-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04238875A JPH04238875A (ja) 1992-08-26
JP2602372B2 true JP2602372B2 (ja) 1997-04-23

Family

ID=24024417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3105152A Expired - Fee Related JP2602372B2 (ja) 1990-04-12 1991-04-11 メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5033666A (ja)
EP (1) EP0453858B1 (ja)
JP (1) JP2602372B2 (ja)
KR (1) KR940006434B1 (ja)
CA (1) CA2039205A1 (ja)
DE (1) DE69103807T2 (ja)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5202153A (en) * 1991-08-23 1993-04-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for making thick film/solder joints
US5402032A (en) * 1992-10-29 1995-03-28 Litton Systems, Inc. Traveling wave tube with plate for bonding thermally-mismatched elements
JP2674523B2 (ja) * 1993-12-16 1997-11-12 日本電気株式会社 セラミック配線基板とその製造方法
US5700724A (en) * 1994-08-02 1997-12-23 Philips Electronic North America Corporation Hermetically sealed package for a high power hybrid circuit
US5637261A (en) * 1994-11-07 1997-06-10 The Curators Of The University Of Missouri Aluminum nitride-compatible thick-film binder glass and thick-film paste composition
US5763888A (en) * 1995-01-30 1998-06-09 Ametek Aerospace Products, Inc. High temperature gas stream optical flame sensor and method for fabricating same
US5678168A (en) * 1995-11-13 1997-10-14 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Two-layer solderable gold for thick film circuits
DE19621001A1 (de) * 1996-05-24 1997-11-27 Heraeus Sensor Nite Gmbh Sensoranordnung zur Temperaturmessung und Verfahren zur Herstellung der Anordnung
US5896869A (en) * 1997-01-13 1999-04-27 International Business Machines Corporation Semiconductor package having etched-back silver-copper braze
DE19842276A1 (de) * 1998-09-16 2000-03-30 Bosch Gmbh Robert Paste zum Verschweißen von Keramiken mit Metallen und Verfahren zur Herstellung einer Schweißverbindung
US6699571B1 (en) * 2002-03-27 2004-03-02 Morgan Advanced Ceramics, Inc. Devices and methods for mounting components of electronic circuitry
KR100873772B1 (ko) * 2002-11-19 2008-12-15 도와 홀딩스 가부시끼가이샤 금속/세라믹 접합 제품
US7989086B2 (en) * 2003-11-05 2011-08-02 Hamilton Sundstrand Corporation High temperature seal for joining ceramic components such as cells in a ceramic oxygen generator
US20060009036A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 Bacher Rudolph J High thermal cycle conductor system
US7145076B2 (en) * 2005-02-08 2006-12-05 Greatbatch, Inc. Method for minimizing stress in feedthrough capacitor filter assemblies
US20060275607A1 (en) * 2005-06-06 2006-12-07 Semih Demir Composite assemblies including powdered metal components
US7328832B2 (en) * 2005-09-28 2008-02-12 General Electric Company Gold/nickel/copper brazing alloys for brazing WC-Co to titanium alloys
US7293688B2 (en) * 2005-11-14 2007-11-13 General Electric Company Gold/nickel/copper/aluminum/silver brazing alloys for brazing WC-Co to titanium alloys
US7987712B2 (en) * 2008-12-10 2011-08-02 Rosemount Aerospace Inc. High temperature seal assembly for optical sensor
US9174047B2 (en) * 2010-05-12 2015-11-03 Advanced Bionics Ag Electrical feedthrough assembly
US9643021B2 (en) 2013-01-08 2017-05-09 Advanced Bionics Ag Electrical feedthrough assembly
JP6480806B2 (ja) 2014-05-23 2019-03-13 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ セラミックと金属を接合するための方法およびその封止構造
BG112154A (bg) * 2015-11-19 2017-05-31 СОФИЙСКИ УНИВЕРСИТЕТ "Св. Кл. Охридски" Метод за получаване на течни, полутечни и твърди органични частици с контролирана форма и/или размер
US11222878B2 (en) 2019-04-30 2022-01-11 Ab Mikroelektronik Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung Electronic power module
EP4112586A1 (de) * 2021-06-29 2023-01-04 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Verfahren zur herstellung eines metall-keramik-substrats mittels einem durchlaufofen

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6369786A (ja) * 1986-09-09 1988-03-29 電気化学工業株式会社 メタライズ層をもつた窒化アルミニウム基板の製法
JPH03103385A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Nippon Steel Corp セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2857664A (en) * 1954-08-09 1958-10-28 Frenchtown Porcelain Company Coated non-metallic refractory bodies, composition for coating such bodies, and method for bonding such bodies by means of said composition
US3006069A (en) * 1957-05-23 1961-10-31 Rca Corp Method of sealing a metal member to a ceramic member
US3207838A (en) * 1961-06-30 1965-09-21 Western Electric Co Substrates having solderable gold films formed thereon, and methods of making the same
US3281931A (en) * 1963-10-10 1966-11-01 Bendix Corp High temperature ceramic-metal seal
US3590468A (en) * 1969-02-19 1971-07-06 Sperry Rand Corp Glassy phase method for making pure alumina-to-metal hermetic seals
US4313262A (en) * 1979-12-17 1982-02-02 General Electric Company Molybdenum substrate thick film circuit
US4613560A (en) * 1984-12-28 1986-09-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photosensitive ceramic coating composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6369786A (ja) * 1986-09-09 1988-03-29 電気化学工業株式会社 メタライズ層をもつた窒化アルミニウム基板の製法
JPH03103385A (ja) * 1989-09-18 1991-04-30 Nippon Steel Corp セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR940006434B1 (ko) 1994-07-20
KR910019109A (ko) 1991-11-30
EP0453858B1 (en) 1994-09-07
US5033666A (en) 1991-07-23
EP0453858A1 (en) 1991-10-30
CA2039205A1 (en) 1991-10-13
DE69103807D1 (de) 1994-10-13
DE69103807T2 (de) 1995-03-23
JPH04238875A (ja) 1992-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2602372B2 (ja) メタライズされた構成要素をセラミツク基板にろう付けする方法
CA2566279C (en) Lead-free and cadmium-free conductive copper thick film pastes
KR900006122B1 (ko) 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법
JPH11504159A (ja) セラミック回路板支持基板用ガラスボンディング層
US5304518A (en) Hybrid package, glass ceramic substrate for the hybrid package, and composition for the glass ceramic substrate
US5041342A (en) Multilayered ceramic substrate fireable in low temperature
US5167869A (en) Gold conductor composition for forming conductor patterns on ceramic based substrates
US5138426A (en) Ceramic joined body
KR100744855B1 (ko) 높은 열적 사이클 전도체 시스템
JP3401102B2 (ja) 回路基板およびその製造方法、電子デバイス実装体、グリーンシート
US4963187A (en) Metallizing paste for circuit board having low thermal expansion coefficient
JP3053454B2 (ja) 金導体組成物
JP2652014B2 (ja) 複合セラミック基板
JP4567328B2 (ja) 多層セラミック基板の製造方法
JP2764990B2 (ja) 複合型回路装置及び接合用ペースト
WO2020051390A1 (en) Conductive thick film paste for silicon nitride and other substrates
JP2004055558A (ja) 銅ペースト及びそれを用いた配線基板
JPH0450186A (ja) 窒化アルミニウム基材への金属化層形成方法
JPS63115393A (ja) 高熱伝導性回路基板
JPS59143344A (ja) 電子回路用炭化珪素質基板の製造方法
JP2525870B2 (ja) 配線基板
JPH09270479A (ja) セラミック配線基板
JPH0725615B2 (ja) 低熱膨張基板用メタライズペースト
JPH0324431B2 (ja)
JPH02240995A (ja) 電子部品実装用セラミックス基板

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090129

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100129

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees