JPS6311513A - 焼結密度の高い炭化ケイ素粒子の製造方法 - Google Patents

焼結密度の高い炭化ケイ素粒子の製造方法

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JPS6311513A
JPS6311513A JP61151793A JP15179386A JPS6311513A JP S6311513 A JPS6311513 A JP S6311513A JP 61151793 A JP61151793 A JP 61151793A JP 15179386 A JP15179386 A JP 15179386A JP S6311513 A JPS6311513 A JP S6311513A
Authority
JP
Japan
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silicon carbide
alkylchlorosilane
particle size
plasma
sintered density
Prior art date
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Pending
Application number
JP61151793A
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English (en)
Inventor
Masataka Yamamoto
昌孝 山本
Mamoru Asuwa
守 阿諏訪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は焼結して高温用構造材料等に用いらnる焼結性
がすぐれ、主として少な(とも0.1ミクロンの平均粒
子径を有する炭化ケイ素微粉を製造する方法に関する。
(従来の技術) 炭化ケイ素微粉を製造する方法としてはシリカを電気抵
抗炉で炭素還元する、いわゆるアチソン法があるがこの
方法では大塊を機械的方法で微粉とする必要があり、え
もちる微粉の平均粒子径には限界があって、せいぜい3
ミクロン程度である。そして所望の平均粒子径をうるた
めには、分級する必要がある。
又粉砕工程において不純物が混入するおそれがある。
近年上記の方法に比してより平均粒子径の小さい微粉を
製造する方法として気相法がある。
例えば特開昭40−.1.39.3IA号公報には非酸
化性雰囲気のプラズマ中にケイ化水素又はハロゲン化ケ
イ素と炭化水素の原料ガスを導入して気相反応により炭
化ケイ素微粉末を製造する方法が記載さnている。
この方法は一段の反応で微粉末′?:製造する方法であ
り、粉砕工程を要しないという特徴がある。然しこの方
法(でも次のような欠点がある。
即ち、微粉の平均粒子径の調整が極めて困難であり、粒
子径が0.7ミクロンよりはるかに微細であるため成型
体の充填密度が小さく、このために焼結密度が小さくな
る。
(発明が解決しようとする問題点) 本発明は気相法の改良にか−り、とくに任意の平均粒子
径を有する微粉をうることが可能であり、しかも原料の
入手が容易である。とくに焼結ぞ度の扁い炭化ケイ索微
粉の製造法を提供−することを目的とするものである。
(問題点を解決するための手段) 前記目的を達するための本発明は 一般式 R71Sイct、 。
(式中Rはメチル基又はエチル基t1%は〆〜3の整数
を表わす)で示さrるアルキルクロロシランをまず水素
ガスと混合した後、該混合物をプラズマ焔と、アルキル
クロロシランを分解し、生成せる炭化ケイ素が所要の粒
径に成長するのに充分なエネルギーを与えうる様に接触
させることを特徴とする少なくとも平均粒子径が0.7
ミクロンである焼結密度の高い炭化ケイ素粒子を製造す
る方法に関する。
本発明は上述のようにと(にアルキルクロロシランの分
解により、生成せる炭化ケイ素が所要の粒径に成長する
のに充分なエネルギーを与えうるようにプラズマ焔と接
触させることに特徴があり、こnは従来のプラズマ法の
欠点、即ちエネルギーが不足のため有機ケイ素化合物か
ら分解生成した炭化ケイ素微粒子が成長できず、そのた
め細かい粒子が多く、焼結密度の高い炭化ケイ素粒子が
得らnないという欠点を改良したものである。
焼結密度の高い炭化ケイ素粒子として平均粒子径が0.
1から1ミクロンの範囲内にあることが過当であり、炭
化ケイ素粒子を前記の平均粒子径に成長させるためのプ
ラズマ焔発生に必要な電力負荷はアルキルクロロシラン
1モル当り20KW −10KW である。そしてとく
に好ましいのは平均粒子径が0.3〜0.6ミクロンで
、この場合の前述の電力負荷はアルキルクロロシラン1
モル当り30〜1.OKWが必要である。なおアルゴン
流量はプラズマ発生の可能の範囲、即ちSO〜90t/
分に制御する必要があり、早丁ぎても、又遅丁ぎてもプ
ラズマ化しない。
(作 用) アルキルクロロシランと水素とアルゴンとをプラズマ発
生装置内に導入することにより装置内にプラズマ焔が発
生し、この焔にアルキルクロロシランが接触して1分解
して炭化ケイ素微粉が生成する。微粉は粒成長する。
そしてプラズマ発生のための′電力負荷の調整により微
粉の比表面積、換言すれば微粉の平均粒子径の制御が行
なわnる。
(実施例) 図面にもとづいて本発明を説明する。
図において、/はアルゴン貯槽、−は水素貯槽、3はア
ルキルクロロ7ラン貯槽、41はノズル6火有するプラ
ズマトーチであり、Sはプラズマ焔である。トーチの上
部よりアルゴンが又−トーチの下部よりアルキルクロロ
シランが水素と混合さnて導入される。アルキルクロロ
シランと水素との混合ガスはプラズマ焔とその下部にお
いて接触し、アルキルクロロシランは分解して炭化ケイ
素微粉を生成し、ノズルより反応′g7を経て捕集槽S
に堆積する。この場合、生成せる炭化ケイ素が所要の平
均粒子径を有するようになるまで成長するのに必要な電
力負荷をプラズマトーチに与えることが必要である。
炭化ケイ素微粉はと(に実用的には焼結性のすぐnてい
ることが必要である。0.7 ミクロンに達しない微粉
では焼結密度が上らない。したがって少な(ともo、t
 ミクロン以上の微粉をうろことが必要である。
本発明ではとくにプラズマトーチに対するアルキルクロ
ロシラン1モル当りの電力負荷を変化させることにより
、炭化ケイ素微粉末を焼結性のよい粒度、即ち平均粒子
径Q、/〜/、Qミクロンの範囲に容易に設定しうる。
そして生成せる微粉末の粒度分布の巾を狭くすることが
できるという特徴を有する。
次に具体的な実施例、比1咬例により本発明を説明する
図に示す反応装置を用い、メチルトリクロロシランを原
料と【7炭化ケイ素微扮の製造を行な一つだ。
プラズマトーチは次に示すものを用いた。
反応装置は直径qコ%、高さ/60〜、容積−一〇tw
?である。
又トーチのノズル径lλ■φであり、図に示さ−nるよ
うにトーチ上部よりアルゴンを70t/分、又トーチ下
部にはメチルトリクロロシラン八S2/分および水素1
117分を供給した。
メチルトリクロロシラン1モル当りの電力負荷を /!
;KW、/り KW、  コOKW、  ココ KW、
  コjKW、−,30KW、 、3!; KW、 I
I! KW、 !;!謂と変化させ、各負荷における炭
化ケイ素微粉の収率、平均粒子径及びその微粉の充てん
嵩密度を測定した。
その結果を次表に示す。
(炭化ケイ素収率はトリクロロシランのケイ素が丁ぺて
炭化ケイ素になった時を100%とする。
即ちメチルトリクロロシラン1モル当りの電力負荷を調
整することにより、焼結性のよい所望の平均粒子径を有
する炭化ケイ素微粉を容易にうろことができることが示
さ几ている。
以上メチルトリクロロシランについての実施例を示した
が 一般式 Rn5sct4 、で示さnる他のアルキルク
ロロシランについても、はy同様な結果をうろことがで
きた。
又水素とアルキルクロロシランとの混合物はプラズマ焔
の下部のノズル近くに導入するとよい結果をうろことが
できる。
こnkプラズマ焔の上部より供給した場合はプラズマ焔
が不安定となり、アルキルクロロシランの分解が完結せ
ず、中間生成物を生じる。
本発明方法で得らnた炭化ケイ素微粉体は灰白色を呈し
、結晶型はβ−8sCである。
そして次に示すように平均粒子径がO11ミクロン以上
の微粉はその焼結性はすぐnている。
0.3 (本発明)3.0g(デ謁)    /Jり(
,1t9qb)O,OS (本発明外)   2.vr
(デ3)1.フJ (slI唱)0は理論密度 (発明の効果) 本発明の方法により、プラズマトーチの原料アルキルク
ロロシラン1モル当りの負荷電力を調整することにより
、所要の平均粒子径を有する焼結性のよい炭化ケイ素微
粉を容易にうろことができる。そして原料中とくにメチ
ルトリクロロアルキルシランは入手も容易で安価であり
、公知の気相法に比して経済的に製造しうるという実用
的に丁ぐnた特徴を有している。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明方法を実施するための装置の一例を示す。 図中、コ・・・水素貯槽、3・・・アルキルクロロシラ
ン貯槽、4I・・・プラズマトーチ、S・・・ブ2.:
ズニマ焔、S・・・炭化ケイ素捕集槽。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 一般式 RnSiCl_4_−_n (式中Rはメチル基又はエチル基を、nは1〜3の整数
    を表わす。)で示されるアルキルクロロシランをまず水
    素ガスと混合した後、該混合物をプラズマ焔と、アルキ
    ルクロロシランが分解し、生成せる炭化ケイ素が所要の
    粒径に成長するのに充分なエネルギーを与えうる様に接
    触させることを特徴とする、少なくも平均粒子径が0.
    1ミクロンである焼結密度の高い炭化ケイ素粒子の製造
    方法。
JP61151793A 1986-06-30 1986-06-30 焼結密度の高い炭化ケイ素粒子の製造方法 Pending JPS6311513A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01126608A (ja) * 1987-11-11 1989-05-18 Hitachi Ltd 光入出力装置
CN102557030A (zh) * 2011-12-09 2012-07-11 邵水源 碳化硅冶炼炉尾气收集系统

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59131509A (ja) * 1983-01-17 1984-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 炭化けい素の製造方法

Patent Citations (1)

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