JPS63114410A - データ整形回路 - Google Patents
データ整形回路Info
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- JPS63114410A JPS63114410A JP62256447A JP25644787A JPS63114410A JP S63114410 A JPS63114410 A JP S63114410A JP 62256447 A JP62256447 A JP 62256447A JP 25644787 A JP25644787 A JP 25644787A JP S63114410 A JPS63114410 A JP S63114410A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 14
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04L—TRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
- H04L27/00—Modulated-carrier systems
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
- H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
- H03K17/666—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
- H03K17/667—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor using complementary bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
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- Signal Processing (AREA)
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)
- Dc Digital Transmission (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は一般に高周波、高利得の受信機に関し、更に詳
細には、このような受信機に利用して受信信号の前縁お
よび後縁を改善する回路に関する。
細には、このような受信機に利用して受信信号の前縁お
よび後縁を改善する回路に関する。
[従来の技術]
高周波高利得受信システムは無数の用途に使用されてい
る。たとえば、ディジタルデータ通信機器は一般的に高
周波、高利得周波数シフトキーインク(FSK)受信機
を備えている。ディジタルデータは承知のとおり受信さ
れ復調される。
る。たとえば、ディジタルデータ通信機器は一般的に高
周波、高利得周波数シフトキーインク(FSK)受信機
を備えている。ディジタルデータは承知のとおり受信さ
れ復調される。
送信されたディジタルデータは受信機の中間段階を通じ
て方形波ディジタルデータが正弦波に一層近い形になる
ようにゆがめられることがときどきある。このような場
合には、データは有益な情報ビットを得るために再整形
しなければならない。
て方形波ディジタルデータが正弦波に一層近い形になる
ようにゆがめられることがときどきある。このような場
合には、データは有益な情報ビットを得るために再整形
しなければならない。
従来技術のシステムはデータビットを方形にするのにコ
ンパレータを使用してきた。しかしながらある受信機、
たとえば、FSK受信臨では、データ信号の直流(DC
)レベルはコンパレータの基準電圧からドリフトする可
能性がある。これは交流(AC)結合により解決するこ
とができるが、こうした回路はもはや1つの極性の長い
ビット列を処理することができない。
ンパレータを使用してきた。しかしながらある受信機、
たとえば、FSK受信臨では、データ信号の直流(DC
)レベルはコンパレータの基準電圧からドリフトする可
能性がある。これは交流(AC)結合により解決するこ
とができるが、こうした回路はもはや1つの極性の長い
ビット列を処理することができない。
この問題は従来技術の1つの広帯域FSK受信機、すな
わちモトローラ社が製作したMC3356型受信機で、
「浮動」コンパレータの入力を横切る背面結合クランプ
ダイオード(back to backclampin
g diodes)を用いて解決された。
わちモトローラ社が製作したMC3356型受信機で、
「浮動」コンパレータの入力を横切る背面結合クランプ
ダイオード(back to backclampin
g diodes)を用いて解決された。
[発明が解決しようとする問題点]
この機構は入力が大きく電源電圧が充分な場合には極め
て良く動作するが、2つの背面結合ダイオードにバイア
スが必要のため、電源電圧および信号レベルが低い場合
には使用することができない。
て良く動作するが、2つの背面結合ダイオードにバイア
スが必要のため、電源電圧および信号レベルが低い場合
には使用することができない。
したがって上述の問題を克服するデータ整形回路の必要
性が存在する。
性が存在する。
本発明の目的は、改良されたデータ整形回路を提供する
ことである。
ことである。
本発明の他の目的は、改良されたデータ整形集積回路を
提供することである。
提供することである。
[問題点を解決するための手段]
上記のおよび他の目的によれば、交番入力信号が加えら
れる入力と、方形パルスが発生する出力と、その正の半
サイクルの期間入力信号により順方向にバイアスされる
第1のPN接合と、その負の半サイクルの期間入力信号
により順方向にバイアスされる第2のPN接合と、第1
および第2のPN接合を貫流する電流を比較し、これに
応じて出力パルスを発生する回路とを有する、集積回路
の形に製作するに適するデータ整形回路が提供される。
れる入力と、方形パルスが発生する出力と、その正の半
サイクルの期間入力信号により順方向にバイアスされる
第1のPN接合と、その負の半サイクルの期間入力信号
により順方向にバイアスされる第2のPN接合と、第1
および第2のPN接合を貫流する電流を比較し、これに
応じて出力パルスを発生する回路とを有する、集積回路
の形に製作するに適するデータ整形回路が提供される。
[実施例コ
第1図には上述のMC3356型広帯域FSK受信機に
データ整形のために使用されているデータ整形回路8の
「浮動」コンパレータ10を示しである。コンパレータ
10はそれぞれのエミッタが電流源18に差動的に接続
されているNP、Nトランジスタ14および16を有す
る差動増幅器12を備えている。トランジスタ14およ
び16のコレクタはトランジスタを流れる差動電流を出
力22で単一出力電流に変換する差動・単一変換回路(
differential−to−single en
ded convertercircuit) 20に
結合されている。出力22はインバータ23を経てNP
Nトランジスタ24のベースに接続されるとともにその
コレクタはデータ整形回路10の出力26に結合されて
いる。トランジスタ24のエミッタは、電流w、18と
ともに、端子28に負またはグランドの基準電位源を供
給される。差動増幅器12の入力30と32とはそれぞ
れトランジスタ14および16のベース電極に結合され
ている。内部ベース電流源34および36はそれぞれの
トランジスタ14および16のベースにIbの電流を供
給する。電流源34および36は、変換器回路20と同
様に正の供給レール38に接続されて動作電位■。Cを
受ける。逆結合(back to back)クランプ
ダイオード40および42は入力30および32にまた
がって接続されている。デカップリングコンデンサ43
は入力32とグランド基準との間に接続されている。
データ整形のために使用されているデータ整形回路8の
「浮動」コンパレータ10を示しである。コンパレータ
10はそれぞれのエミッタが電流源18に差動的に接続
されているNP、Nトランジスタ14および16を有す
る差動増幅器12を備えている。トランジスタ14およ
び16のコレクタはトランジスタを流れる差動電流を出
力22で単一出力電流に変換する差動・単一変換回路(
differential−to−single en
ded convertercircuit) 20に
結合されている。出力22はインバータ23を経てNP
Nトランジスタ24のベースに接続されるとともにその
コレクタはデータ整形回路10の出力26に結合されて
いる。トランジスタ24のエミッタは、電流w、18と
ともに、端子28に負またはグランドの基準電位源を供
給される。差動増幅器12の入力30と32とはそれぞ
れトランジスタ14および16のベース電極に結合され
ている。内部ベース電流源34および36はそれぞれの
トランジスタ14および16のベースにIbの電流を供
給する。電流源34および36は、変換器回路20と同
様に正の供給レール38に接続されて動作電位■。Cを
受ける。逆結合(back to back)クランプ
ダイオード40および42は入力30および32にまた
がって接続されている。デカップリングコンデンサ43
は入力32とグランド基準との間に接続されている。
第2図を参照してデータ整形回路10の動作を説明する
。下記の説明では人力32に加えられる入力信号は人力
34に現われる信号に関して正であると仮定するが、逆
も真であり得ることが理解される。コンデンサ43は「
浮動」基準となって入力段での周波数偏移に追随する。
。下記の説明では人力32に加えられる入力信号は人力
34に現われる信号に関して正であると仮定するが、逆
も真であり得ることが理解される。コンデンサ43は「
浮動」基準となって入力段での周波数偏移に追随する。
入力30での大きな電圧偏移(第2A図の波形44)に
対して、入力32に、1ダイオード電圧により入力30
の電圧に追随する電圧(第2B図の波形46)が発生す
ることになる。このように、時刻10とtlとの間に、
ダイオード40は順方向にバイアスされてコンデンサ4
3を充電し、入力32の電圧は入力30の電圧よりダイ
オードをはさむ電圧降下分だけ小さい。tlで入力30
の電圧はピークとなって振幅が減少し始め、コンデンサ
43はもはや充電しないようになる。したがって人力3
2の電圧レベルは時刻t2まで一定になっている。t2
で入力30の電圧が減少して人力32の電圧と等しくな
る。その後、コンパレータ10の出力の状態が切換ねる
。時刻t2の前に、トランジスタ14はそのベースがト
ランジスタ16のベースに関して順方向にバイアスされ
るにつれて導通し、トランジスタ16のコレクタの電圧
が高になり、出力トランジスタ24がインバータ23を
介して遮断されるようになる。これによって出力26が
高出力レベル状態(第2図のCの波形48)となる。次
いで入力30での入力信号が人力32に保持されている
電圧より低くなるにつれてトランジスタ16が導通し、
トランジスタ14が非導通となる。このようにしてトラ
ンジスタ16のコレクタの電圧レベルが下がって出力ト
ランジスタ24が導通する。次に、コンパレータ10の
出力が高レベル状態から低レベル状態に切換わる。人力
32の電圧は入力30の電圧が入力32の電圧より1ダ
イオード電圧低くなってコンデンサ43がダイオード4
2を通して放電できるようになるまでコンデンサ43に
よって一定に保持される。したがって、人力32の電圧
は入力信号に追随するが、入力信号が、時刻t3に負方
向のピークに達するまでは1ダイオード電圧だけ高い値
になっている。この時刻に、入力信号は増加し始め、こ
れによりダイオード42が非導通になるにつれてコンデ
ンサ43の放電が停止する。
対して、入力32に、1ダイオード電圧により入力30
の電圧に追随する電圧(第2B図の波形46)が発生す
ることになる。このように、時刻10とtlとの間に、
ダイオード40は順方向にバイアスされてコンデンサ4
3を充電し、入力32の電圧は入力30の電圧よりダイ
オードをはさむ電圧降下分だけ小さい。tlで入力30
の電圧はピークとなって振幅が減少し始め、コンデンサ
43はもはや充電しないようになる。したがって人力3
2の電圧レベルは時刻t2まで一定になっている。t2
で入力30の電圧が減少して人力32の電圧と等しくな
る。その後、コンパレータ10の出力の状態が切換ねる
。時刻t2の前に、トランジスタ14はそのベースがト
ランジスタ16のベースに関して順方向にバイアスされ
るにつれて導通し、トランジスタ16のコレクタの電圧
が高になり、出力トランジスタ24がインバータ23を
介して遮断されるようになる。これによって出力26が
高出力レベル状態(第2図のCの波形48)となる。次
いで入力30での入力信号が人力32に保持されている
電圧より低くなるにつれてトランジスタ16が導通し、
トランジスタ14が非導通となる。このようにしてトラ
ンジスタ16のコレクタの電圧レベルが下がって出力ト
ランジスタ24が導通する。次に、コンパレータ10の
出力が高レベル状態から低レベル状態に切換わる。人力
32の電圧は入力30の電圧が入力32の電圧より1ダ
イオード電圧低くなってコンデンサ43がダイオード4
2を通して放電できるようになるまでコンデンサ43に
よって一定に保持される。したがって、人力32の電圧
は入力信号に追随するが、入力信号が、時刻t3に負方
向のピークに達するまでは1ダイオード電圧だけ高い値
になっている。この時刻に、入力信号は増加し始め、こ
れによりダイオード42が非導通になるにつれてコンデ
ンサ43の放電が停止する。
t4で入力30の電圧が入力32の電圧と等しくなり(
コンパレータ10の境界スイッチング状態)、入力信号
が入力32の電圧を超えるとコンパレータ10の出力の
状態が切換ねる。コンパレータ10の出力は入力30に
加えられる入力信号が方向を変えてからある時間間隔の
後にレベル状態が切換えられる。このように、送信中に
ゆがめられる可能性のあるデータビットはデータ整形回
路10により整形され、出力26にデータパルスとして
現われる。
コンパレータ10の境界スイッチング状態)、入力信号
が入力32の電圧を超えるとコンパレータ10の出力の
状態が切換ねる。コンパレータ10の出力は入力30に
加えられる入力信号が方向を変えてからある時間間隔の
後にレベル状態が切換えられる。このように、送信中に
ゆがめられる可能性のあるデータビットはデータ整形回
路10により整形され、出力26にデータパルスとして
現われる。
上記の従来技術のデータ整形回路は動作に対して2つの
入力端子が必要であるという点で1つの欠点を持ってい
る。別のピンアウトを利用できるようにするためにデー
タ整形回路10に2つの入力が必要でおるということを
除くことが望ましい。
入力端子が必要であるという点で1つの欠点を持ってい
る。別のピンアウトを利用できるようにするためにデー
タ整形回路10に2つの入力が必要でおるということを
除くことが望ましい。
第3図に戻ると、2つの入力端子の必要性を除去したデ
ータ整形回路50が示されている。第3図に示す構成要
素は、続く第4図とともに、第1図の同様の構成要素に
対応するものは同じ参照番号が付けであることが理解さ
れる。上述の方法で整形される交番入力信号はそれぞれ
の電圧源(図示せず)からコンデンサ43に入力52で
加えられる。コンデンサ43は上)小の人力32とは反
対に入力30に対して直列に配置されている。ダイオー
ド40および42は今度はコンパレータの反転入力と非
反転入力との間に逆結合されており、非反転入力は■B
IASにも接続されている。
ータ整形回路50が示されている。第3図に示す構成要
素は、続く第4図とともに、第1図の同様の構成要素に
対応するものは同じ参照番号が付けであることが理解さ
れる。上述の方法で整形される交番入力信号はそれぞれ
の電圧源(図示せず)からコンデンサ43に入力52で
加えられる。コンデンサ43は上)小の人力32とは反
対に入力30に対して直列に配置されている。ダイオー
ド40および42は今度はコンパレータの反転入力と非
反転入力との間に逆結合されており、非反転入力は■B
IASにも接続されている。
入力信号の振幅が少なくとも2ダイオード電圧であれば
、データ整形回路50は加えられる交番入力信号を方形
にするデータ整形回路8に関して先に述べたと実質上同
じ方法で動作する。したがって、交番信号が正のピーク
値まで増大するにつれてダイオード40はコンデンサ4
3を充電する。
、データ整形回路50は加えられる交番入力信号を方形
にするデータ整形回路8に関して先に述べたと実質上同
じ方法で動作する。したがって、交番信号が正のピーク
値まで増大するにつれてダイオード40はコンデンサ4
3を充電する。
この時間中コンパレータ10の出力は高レベル状態すな
わち第1のレベル状態になっている。コンパレータ10
の出力は入力信号がそのピーク値から1ダイオード電圧
下まで減少するまでこの状態を保ち、その時点でコンパ
レータ10の出力は低いレベル状態すなわち第2の出力
レベル状態に切換ねる。その後コンパレータ10は第2
のレベル状態になっているがコンデンサ43は交番信号
がその負のピーク値に達し、その正のピーク値に向って
増大し始めるまでダイオード42を通して放電する。交
番信号の振幅が1ダイオード電圧だけ大きい値となる点
でコンパレータは再び出力状態を切換える。
わち第1のレベル状態になっている。コンパレータ10
の出力は入力信号がそのピーク値から1ダイオード電圧
下まで減少するまでこの状態を保ち、その時点でコンパ
レータ10の出力は低いレベル状態すなわち第2の出力
レベル状態に切換ねる。その後コンパレータ10は第2
のレベル状態になっているがコンデンサ43は交番信号
がその負のピーク値に達し、その正のピーク値に向って
増大し始めるまでダイオード42を通して放電する。交
番信号の振幅が1ダイオード電圧だけ大きい値となる点
でコンパレータは再び出力状態を切換える。
上述のデータ整形回路は電源電位が充分な場合には極め
て良く動作するが、電源電圧が2ボルト未満の場合には
、2つのクランピングダイオードにバイアス電圧が必要
であるため、動作しない。
て良く動作するが、電源電圧が2ボルト未満の場合には
、2つのクランピングダイオードにバイアス電圧が必要
であるため、動作しない。
今度は第4図に移ると、上述のバイアス問題を克服する
とともに入力を1つだけしか必要としない本発明のデー
タ整形回路54が示されている。
とともに入力を1つだけしか必要としない本発明のデー
タ整形回路54が示されている。
回路54は第1および第2の電源導体56および5Bを
備えており、これらの間に電源が接続されている。デー
タ入力信号は単一の入力端子60に供給される。出力デ
ータパルスは出力62、すなわちトランジスタ64のコ
レクタに供給される。
備えており、これらの間に電源が接続されている。デー
タ入力信号は単一の入力端子60に供給される。出力デ
ータパルスは出力62、すなわちトランジスタ64のコ
レクタに供給される。
トランジスタ64のエミッタは導体58に戻されている
が、そのベースは抵抗66を介してNPNトランジスタ
68のエミッタに結合されている。
が、そのベースは抵抗66を介してNPNトランジスタ
68のエミッタに結合されている。
トランジスタ68のコレクタは導体56に戻されており
、そのベースはノード70でカレントミラー回路72の
出力に接続されている。カレントミラー回路72は相補
的カレントミラー74および76を備えている。カレン
トミラー74はそのベースが相互に接続されているPN
Pトランジスタ78および80を備えている。トランジ
スタ78と80とのエミッタは電源導体56に接続され
ているが、トランジスタ78のベースはそのコレクタと
トランジスタ82のコレクタとに接続され、トランジス
タ80のコレクタはノード70に接続されている。カレ
ントミラー76はそのベースが相互に接続されそのエミ
ッタが電源導体58に戻されているNPNトランジスタ
84および86を備えている。トランジスタ84のベー
スはそのコレクタとPNPトランジスタ88のコレクタ
とに接続されている。トランジスタ86のコレクタはノ
ード70に接続されている。トランジスタ82と88は
直列に接続されており、それらのエミッタは入力60に
接続され、そのそれぞれのコレクタはカレントミラー7
4および76の入力に結合されている。バイアス回路9
0は静止状態でトランジスタ82および88をバイアス
して入力60に高い入力インピーダンスが得られるよう
にするのに使用される。バイアス回路90は、図示の目
的で、そのコレクタ・エミッタ導通径路が抵抗94およ
び96を経由して電源導体56と58との間に結合して
いるNPNトランジスタ92を備えている。トランジス
タ92のコレクタとエミッタとはそれぞれトランジスタ
82と88とのベースに結合している。PNPトランジ
スタ98はそのエミッタとコレクタとがトランジスタ9
2のコレクタとベースとの間に結合しているトランジス
タ92にベース駆動電流を供給する。トランジスタ98
のベースはダイオード接続されたトランジスタ100の
コレクタとベースとに接続されており、そのエミッタは
トランジスタ88のベースに結合されている。データ整
形回路54は集積回路の形で製作するのに適しているこ
とが理解される。
、そのベースはノード70でカレントミラー回路72の
出力に接続されている。カレントミラー回路72は相補
的カレントミラー74および76を備えている。カレン
トミラー74はそのベースが相互に接続されているPN
Pトランジスタ78および80を備えている。トランジ
スタ78と80とのエミッタは電源導体56に接続され
ているが、トランジスタ78のベースはそのコレクタと
トランジスタ82のコレクタとに接続され、トランジス
タ80のコレクタはノード70に接続されている。カレ
ントミラー76はそのベースが相互に接続されそのエミ
ッタが電源導体58に戻されているNPNトランジスタ
84および86を備えている。トランジスタ84のベー
スはそのコレクタとPNPトランジスタ88のコレクタ
とに接続されている。トランジスタ86のコレクタはノ
ード70に接続されている。トランジスタ82と88は
直列に接続されており、それらのエミッタは入力60に
接続され、そのそれぞれのコレクタはカレントミラー7
4および76の入力に結合されている。バイアス回路9
0は静止状態でトランジスタ82および88をバイアス
して入力60に高い入力インピーダンスが得られるよう
にするのに使用される。バイアス回路90は、図示の目
的で、そのコレクタ・エミッタ導通径路が抵抗94およ
び96を経由して電源導体56と58との間に結合して
いるNPNトランジスタ92を備えている。トランジス
タ92のコレクタとエミッタとはそれぞれトランジスタ
82と88とのベースに結合している。PNPトランジ
スタ98はそのエミッタとコレクタとがトランジスタ9
2のコレクタとベースとの間に結合しているトランジス
タ92にベース駆動電流を供給する。トランジスタ98
のベースはダイオード接続されたトランジスタ100の
コレクタとベースとに接続されており、そのエミッタは
トランジスタ88のベースに結合されている。データ整
形回路54は集積回路の形で製作するのに適しているこ
とが理解される。
今度はデータ整形回路54の休止動作状態について説明
する。コンデンサ43に入力交番信号が加えられていな
い状態でバイアス回路90は休止状態にあるクランピン
グダイオード/トランジスタ82および88をバイアス
して入力60に高インピーダンスを提供するが、2ボル
ト未満の供給電圧で回路を動作することができるように
している。前述の事項を実現させるために、バイアス回
路90が回路54の正常動作中クランピングに充分な電
流が利用できるとともにトランジスタ82および88を
貫流する休止バイアス電流が最小になるようにしている
。トランジスタ98および1’ OOはトランジスタ8
2および88のベース間に2ダイオ一ド分の電圧降下を
与え、トランジスタ98および100を貫流する電流を
最小限にすることによりトランジスタ82および88の
ベース間の電圧ではクランピングトランジスタを完全に
導通させるには不充分となる。ただし、通常動作中トラ
ンジスタ92を通る全電流は、トランジスタ98を貫流
する休止電流の大きざのβ(ベータ)倍でおるが、トラ
ンジスタ82および88をクランプするのに利用できる
。
する。コンデンサ43に入力交番信号が加えられていな
い状態でバイアス回路90は休止状態にあるクランピン
グダイオード/トランジスタ82および88をバイアス
して入力60に高インピーダンスを提供するが、2ボル
ト未満の供給電圧で回路を動作することができるように
している。前述の事項を実現させるために、バイアス回
路90が回路54の正常動作中クランピングに充分な電
流が利用できるとともにトランジスタ82および88を
貫流する休止バイアス電流が最小になるようにしている
。トランジスタ98および1’ OOはトランジスタ8
2および88のベース間に2ダイオ一ド分の電圧降下を
与え、トランジスタ98および100を貫流する電流を
最小限にすることによりトランジスタ82および88の
ベース間の電圧ではクランピングトランジスタを完全に
導通させるには不充分となる。ただし、通常動作中トラ
ンジスタ92を通る全電流は、トランジスタ98を貫流
する休止電流の大きざのβ(ベータ)倍でおるが、トラ
ンジスタ82および88をクランプするのに利用できる
。
通常動作では、入力信号を加えない状態で、トランジス
タ82および88を貫流する電流は理想的に等しくなり
かつカレントミラー74および76によって同等に反映
されるのでトランジスタ68を導通させるのに利用でき
る余分な電流は無い。この状態ではトランジスタ64は
遮断されたままであり出力は第1のレベル状態にある。
タ82および88を貫流する電流は理想的に等しくなり
かつカレントミラー74および76によって同等に反映
されるのでトランジスタ68を導通させるのに利用でき
る余分な電流は無い。この状態ではトランジスタ64は
遮断されたままであり出力は第1のレベル状態にある。
コンデンサ43に加えられる交番入力信号が正になると
トランジスタ88はトランジスタ82よりよく導通し始
め、これによってコンデンサをクランプする。この状態
では、カレントミラー76はその入力にカレントミラー
74の入力に供給されるよりも多い電流が供給されるこ
とになり、カレントミラー74の出力に与えられるより
も大きな電流をノード70で吸込もうとする。トランジ
スタ68は、したがってそのベースに利用できる余分な
電流が無いので遮断状態のままになっており、出力は第
1のレベル状態のままでおる。入力信号が負になると、
トランジスタ82はトランジスタ88より一層導電的と
なり、カレントミラー74はカレントミラー76の出力
から吸込まれるよりも多い電流をノード70に供給する
。このようにしてトランジスタ68を導通させるための
余分な電流が得られ、これによりトランジスタ64が導
通する。したがって出力62における出力信号はトラン
ジスタ64が導通するのに応じて第2のレベル状態に切
換ねる。上述のように、トランジスタ82と88とはカ
レントミラー回路72およびトランジスタ68と協同し
て、第1図および第3図を参照して上に述べたクランピ
ングと比較とを組合せ提供する。
トランジスタ88はトランジスタ82よりよく導通し始
め、これによってコンデンサをクランプする。この状態
では、カレントミラー76はその入力にカレントミラー
74の入力に供給されるよりも多い電流が供給されるこ
とになり、カレントミラー74の出力に与えられるより
も大きな電流をノード70で吸込もうとする。トランジ
スタ68は、したがってそのベースに利用できる余分な
電流が無いので遮断状態のままになっており、出力は第
1のレベル状態のままでおる。入力信号が負になると、
トランジスタ82はトランジスタ88より一層導電的と
なり、カレントミラー74はカレントミラー76の出力
から吸込まれるよりも多い電流をノード70に供給する
。このようにしてトランジスタ68を導通させるための
余分な電流が得られ、これによりトランジスタ64が導
通する。したがって出力62における出力信号はトラン
ジスタ64が導通するのに応じて第2のレベル状態に切
換ねる。上述のように、トランジスタ82と88とはカ
レントミラー回路72およびトランジスタ68と協同し
て、第1図および第3図を参照して上に述べたクランピ
ングと比較とを組合せ提供する。
[発明の効果]
上に述べたことは、これに加えられる、送信中にゆがめ
られたディジタルデータを再整形する新規なデータ整形
回路である。このデータ整形回路は、外部入力を1つし
か必要とせず、また本発明の1つの特徴によれば、2ポ
ルトの電源で動作することができる。
られたディジタルデータを再整形する新規なデータ整形
回路である。このデータ整形回路は、外部入力を1つし
か必要とせず、また本発明の1つの特徴によれば、2ポ
ルトの電源で動作することができる。
第1図は従来のデータ整形コンパレータを示す概要回路
図でおる。 第2図は第1図の従来のコンパレータの動作を説明する
のに役立つ波形図でおる。 第3図は本発明の回路の1実施例を示す概要回路図でお
る。 第4図は本発明の好ましい実施例を示す簡略回路図でお
る。 10.54・・・データ整形回路、 12・・・差動増幅器、 18.34.36・・・電流源、 22.26.62・・・出力、 30.32.60・・・入力、 40.42・・・クランピングダイオード、56.58
・・・電源導体、 74.76・・・カレントミラー。
図でおる。 第2図は第1図の従来のコンパレータの動作を説明する
のに役立つ波形図でおる。 第3図は本発明の回路の1実施例を示す概要回路図でお
る。 第4図は本発明の好ましい実施例を示す簡略回路図でお
る。 10.54・・・データ整形回路、 12・・・差動増幅器、 18.34.36・・・電流源、 22.26.62・・・出力、 30.32.60・・・入力、 40.42・・・クランピングダイオード、56.58
・・・電源導体、 74.76・・・カレントミラー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、容量性素子を介してその入力に供給される交番入力
信号に応じて出力に方形出力パルスを発生するデータ整
形回路であって、 入力に結合している第1の電極を有し、その正の半サイ
クルの期間交番入力信号により順方向にバイアスされて
電流を貫流させる第1の半導体PN接合と、入力に結合
している第1の電極を有し、その負の半サイクルの期間
交番入力信号により順方向にバイアスされて電流を貫流
させる第2の半導体PN接合とを備え、交番信号に応じ
て電流駆動を行う第1の回路と、 前記第1および第2の半導体PN接合をバイアスする回
路と、 前記第1および第2の半導体PN接合に結合しており、
前記第1および第2のPN接合を流れる前記電流に応じ
て、前記第1のPN接合を流れる前記電流が前記第2の
PN接合を流れる前記電流より大きいとき第1のレベル
状態にあり、前記第1のPN接合を流れる前記電流が前
記第2のPN接合を流れる前記電流より小さいとき第2
のレベル状態にある出力パルスを発生する第2の回路と
、を具備することを特徴とするデータ整形回路。 2、前記第1のPN接合は、ベース・エミッタ径路が前
記バイアス回路の第1の出力端子とデータ整形回路の入
力との間に結合しており、そのコレクタが前記第2の回
路に結合している第1のトランジスタであり、 前記第2のPN接合は前記第1のトランジスタとは逆の
導電型の第2のトランジスタであつて、そのベース・エ
ミッタ径路は前記バイアス回路の第2の出力とデータ整
形回路の入力との間に結合しており、そのコレクタは前
記第2の回路に結合しているものである特許請求の範囲
第1項に記載の回路。 3、前記第2の回路は、 前記第1のトランジスタを流れる電流に応じて第1の回
路ノードに比例電流を供給し、前記第2のトランジスタ
を流れる電流に応じて前記第1の回路ノードから比例電
流を吸い出すカレントミラー回路と、 入力が前記第1の回路ノードに結合し、出力がデータ整
形回路の出力に結合して、前記カレントミラー回路に応
答して出力パルスを発生するスイッチング回路と、 を備えている特許請求の範囲第2項に記載の回路。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/919,349 US4728815A (en) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | Data shaping circuit |
US919349 | 1992-07-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63114410A true JPS63114410A (ja) | 1988-05-19 |
JPH07105698B2 JPH07105698B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=25441932
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62256447A Expired - Lifetime JPH07105698B2 (ja) | 1986-10-16 | 1987-10-13 | データ整形回路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4728815A (ja) |
JP (1) | JPH07105698B2 (ja) |
KR (1) | KR950007691B1 (ja) |
GB (1) | GB2196499B (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5281861A (en) * | 1989-11-30 | 1994-01-25 | Compaq Computer Corporation | Sine wave clock distribution with high voltage output |
US5500615A (en) * | 1991-12-06 | 1996-03-19 | Tektronix, Inc. | Low power CCD driver with symmetrical output drive signal |
DE4200681A1 (de) * | 1992-01-14 | 1993-07-15 | Bosch Gmbh Robert | Schaltungsanordnung zur unterspannungserkennung |
US5227963A (en) * | 1992-04-16 | 1993-07-13 | Westinghouse Electric Corp. | Flat-top waveform generator and pulse-width modulator using same |
US5365120A (en) * | 1992-09-21 | 1994-11-15 | Motorola, Inc. | Data slicer with hold |
US5451937A (en) * | 1993-08-16 | 1995-09-19 | Badger Meter, Inc. | Universal generator interface module |
JP2611725B2 (ja) * | 1993-09-13 | 1997-05-21 | 日本電気株式会社 | カスコード回路 |
DE19739960C2 (de) * | 1997-09-11 | 2000-11-30 | Siemens Ag | Signalregenerierungsschaltung |
US6091272A (en) * | 1997-12-18 | 2000-07-18 | Vlsi Technologies, Inc. | Low power clock squarer with tight duty cycle control |
US6753705B1 (en) * | 2000-07-27 | 2004-06-22 | Sigmatel, Inc. | Edge sensitive detection circuit |
DE602004018806D1 (de) * | 2003-10-15 | 2009-02-12 | Nxp Bv | Elektronische schaltung zur verstärkung eines bipolaren signals |
EP2016771B1 (en) * | 2006-05-11 | 2012-12-19 | Thomson Licensing | Frequency translation module data clamp |
DE102013201686A1 (de) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Wandlung eines Sinussignals in ein Rechtecksignal, sowie Verwendung hierfür |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57117835U (ja) * | 1981-01-17 | 1982-07-21 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3818356A (en) * | 1968-05-10 | 1974-06-18 | Japan Atomic Energy Res Inst | Pulse-shape discriminating circuit, for discriminating between pulses of differing amplitude and time duration |
GB1306115A (ja) * | 1970-04-08 | 1973-02-07 | ||
SU374725A1 (ru) * | 1971-08-30 | 1973-03-20 | Устройство для формирования прямоугольных импульсов из синусоидального напряжения | |
US3810090A (en) * | 1972-09-15 | 1974-05-07 | Avco Corp | Pneumatic tire low pressure monitoring and warning system |
US3895237A (en) * | 1973-07-05 | 1975-07-15 | Ibm | Peak detector |
JPS5990412A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | Nec Corp | 双方向性定電流駆動回路 |
JPS59129589A (ja) * | 1983-01-13 | 1984-07-25 | Jeol Ltd | 高周波ゼロクロス信号検出回路 |
-
1986
- 1986-10-16 US US06/919,349 patent/US4728815A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-08-18 GB GB8719489A patent/GB2196499B/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-13 JP JP62256447A patent/JPH07105698B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1987-10-15 KR KR1019870011429A patent/KR950007691B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57117835U (ja) * | 1981-01-17 | 1982-07-21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105698B2 (ja) | 1995-11-13 |
KR880005768A (ko) | 1988-06-30 |
GB2196499B (en) | 1991-04-17 |
GB8719489D0 (en) | 1987-09-23 |
GB2196499A (en) | 1988-04-27 |
KR950007691B1 (ko) | 1995-07-14 |
US4728815A (en) | 1988-03-01 |
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