JPS63113911A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS63113911A JPS63113911A JP26117286A JP26117286A JPS63113911A JP S63113911 A JPS63113911 A JP S63113911A JP 26117286 A JP26117286 A JP 26117286A JP 26117286 A JP26117286 A JP 26117286A JP S63113911 A JPS63113911 A JP S63113911A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄１１り磁気
ヘッドの製造工程において、眉間絶縁層上に密着層を介
して被着された上部磁極となる磁性層を、磁気特性の向
上のために磁場中で熱処理するに先立って、該密着層を
含む磁性層の磁極形成予定領域以外の領域に、該眉間絶
縁層が露出するガス抜き穴を設けておくことにより、前
記熱処理時に該眉間絶縁層より発生するガスに起因する
密着層を含む磁性層の剥離を防止して、製造歩留りの向
上を図ったものである。
ヘッドの製造工程において、眉間絶縁層上に密着層を介
して被着された上部磁極となる磁性層を、磁気特性の向
上のために磁場中で熱処理するに先立って、該密着層を
含む磁性層の磁極形成予定領域以外の領域に、該眉間絶
縁層が露出するガス抜き穴を設けておくことにより、前
記熱処理時に該眉間絶縁層より発生するガスに起因する
密着層を含む磁性層の剥離を防止して、製造歩留りの向
上を図ったものである。
本発明は磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法に係り、特に上部磁極の形成方法の改良に
関するものである。
ドの製造方法に係り、特に上部磁極の形成方法の改良に
関するものである。
薄膜磁気ヘッドはフェライトからなる磁気ヘッドに比べ
てギャップ厚の制御が容易で、ヘッド先端部での記録に
寄与する磁界が急峻であることから高密度記録化に適し
ている。またその上に均質な品質で大量生産が可能で安
価に得ることができる利点を有している。特に下部磁極
上に薄膜コイル及び上部磁極を形成するための層間絶縁
層として熱硬化性樹脂材を用いることができるので、該
層間絶縁層の平坦化が容易となり、薄膜コイル及び上部
磁極等の段差切れが防止できるが、熱硬化性樹脂材から
なる眉間絶縁層は温度上昇によりガスが発生し易く、こ
のガス発生により該層間絶縁層と被着する薄膜が剥離す
るといった問題があることから、そのような問題を防止
する製造方法が必要とされる。
てギャップ厚の制御が容易で、ヘッド先端部での記録に
寄与する磁界が急峻であることから高密度記録化に適し
ている。またその上に均質な品質で大量生産が可能で安
価に得ることができる利点を有している。特に下部磁極
上に薄膜コイル及び上部磁極を形成するための層間絶縁
層として熱硬化性樹脂材を用いることができるので、該
層間絶縁層の平坦化が容易となり、薄膜コイル及び上部
磁極等の段差切れが防止できるが、熱硬化性樹脂材から
なる眉間絶縁層は温度上昇によりガスが発生し易く、こ
のガス発生により該層間絶縁層と被着する薄膜が剥離す
るといった問題があることから、そのような問題を防止
する製造方法が必要とされる。
従来の薄膜磁気ヘッドにおける［ｉの形成方法は、先ず
第４図（ａｌの要部平面図及び第４図（ｂ）のＡ−Ａ’
断面図に示すように、例えばセラミック等からなる非
磁性基板１１上に、Ｃｏ−Ｚｒ系のアモルファスからな
る下部磁極１２、Ｓｉｎ、からなるギャップ層１３及び
熱硬化性樹脂材からなる第二層間絶縁層１４を介して薄
膜コイル１５を形成し、更にその上面に同じく熱硬化性
樹脂材からなる第二層間絶縁層１６を形成する。
第４図（ａｌの要部平面図及び第４図（ｂ）のＡ−Ａ’
断面図に示すように、例えばセラミック等からなる非
磁性基板１１上に、Ｃｏ−Ｚｒ系のアモルファスからな
る下部磁極１２、Ｓｉｎ、からなるギャップ層１３及び
熱硬化性樹脂材からなる第二層間絶縁層１４を介して薄
膜コイル１５を形成し、更にその上面に同じく熱硬化性
樹脂材からなる第二層間絶縁層１６を形成する。
次に第５図ｆａ）の要部平面図及び第５図（ｂｌのＡ−
Ａ゛断面図に示すように、該第二層間絶縁ＦＪ１６を含
む基板ｌｌ上の全面にＴｉからなる密着層１７及びＣ０
−Ｚｒ系のアモルファスからなる上部磁性層１８を被着
する。
Ａ゛断面図に示すように、該第二層間絶縁ＦＪ１６を含
む基板ｌｌ上の全面にＴｉからなる密着層１７及びＣ０
−Ｚｒ系のアモルファスからなる上部磁性層１８を被着
する。
次に該上部磁性層１８を回転磁場中で熱処理を行って、
該上部磁性層１８の異方性磁界を制御し、磁気特性を向
上させる。
該上部磁性層１８の異方性磁界を制御し、磁気特性を向
上させる。
その後、第６図（ａｌの要部平面図及び第６図（ｂｌの
Ａ−Ａ’断面図に示すように、前記上部磁性層１８及び
密着層１７を所定の上部磁極パターンにフォトリソグラ
フィ法によりパターニングすることによって上部磁極１
９を形成している 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、上記した従来の薄膜磁気ヘッドにおける磁極
の形成方法においては、第二層間絶縁層１６を含む基板
１１上の全面にＴｉからなる密着層１７を介して被着形
成されたＣｏ−Ｚｒ系のアモルファスからなる上部磁性
層１８を、その磁気特性を向上させるために、回転磁場
中で熱処理を行っていることから、この熱処理において
熱硬化性樹脂材からなる第一、第二層間絶縁層１４．１
６中で十分に硬化しきっていない部分からガスが発生し
、このガス発生に起因して、前記第一、第二層間絶縁層
１４．１６上に被着された密着層１７及び上部磁性層１
８が剥離するといった問題があった。
Ａ−Ａ’断面図に示すように、前記上部磁性層１８及び
密着層１７を所定の上部磁極パターンにフォトリソグラ
フィ法によりパターニングすることによって上部磁極１
９を形成している 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところで、上記した従来の薄膜磁気ヘッドにおける磁極
の形成方法においては、第二層間絶縁層１６を含む基板
１１上の全面にＴｉからなる密着層１７を介して被着形
成されたＣｏ−Ｚｒ系のアモルファスからなる上部磁性
層１８を、その磁気特性を向上させるために、回転磁場
中で熱処理を行っていることから、この熱処理において
熱硬化性樹脂材からなる第一、第二層間絶縁層１４．１
６中で十分に硬化しきっていない部分からガスが発生し
、このガス発生に起因して、前記第一、第二層間絶縁層
１４．１６上に被着された密着層１７及び上部磁性層１
８が剥離するといった問題があった。
特に磁性膜として高飽和磁束密度（１５０００Ｇａｕｓ
ｓ）。
ｓ）。
高透磁率（３０００〜５０００）を示す例えばＣｏ−Ｚ
ｒ、 Ｇｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃｒ＋ Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｍｏ、 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍｏ−ΔＵ等のＣ。
ｒ、 Ｇｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｃｒ＋ Ｃｏ
−Ｚｒ−Ｍｏ、 Ｃｏ−Ｚｒ−Ｍｏ−ΔＵ等のＣ。
−Ｚｒ系のアモルファス材料を用いた場合、上記回転磁
場中での熱処理温度としては、前記第一、第二層間絶縁
層１４．１６の熱硬化温度、例えば２５０〜３００℃よ
りも高く、かつ上記アモルファス材料の結晶化温度、例
えば３５０℃よりも低い温度範囲が好ましい。しかしこ
のような温度範囲の熱処理では前記ガス発生に起因する
密着層１７及び上部磁性層１８の剥離を阻止することが
できず、上記熱処理温度を低下させることな（密着層１
７及び上部磁性層１８の剥離を防止する方法が重要な課
題となっている。
場中での熱処理温度としては、前記第一、第二層間絶縁
層１４．１６の熱硬化温度、例えば２５０〜３００℃よ
りも高く、かつ上記アモルファス材料の結晶化温度、例
えば３５０℃よりも低い温度範囲が好ましい。しかしこ
のような温度範囲の熱処理では前記ガス発生に起因する
密着層１７及び上部磁性層１８の剥離を阻止することが
できず、上記熱処理温度を低下させることな（密着層１
７及び上部磁性層１８の剥離を防止する方法が重要な課
題となっている。
本発明は上記従来の実情に鑑み、磁気特性を向上させる
ための上部磁性層の回転磁場中での熱処理温度を低下さ
せることなく、熱硬化性樹脂材からなる各層間絶縁層か
ら発生するガスを磁極形成予定領域外で適当に放出させ
るようにして、密着層を含む上部磁性層の剥離を解消し
た新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とするものである。
ための上部磁性層の回転磁場中での熱処理温度を低下さ
せることなく、熱硬化性樹脂材からなる各層間絶縁層か
ら発生するガスを磁極形成予定領域外で適当に放出させ
るようにして、密着層を含む上部磁性層の剥離を解消し
た新規な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、下部磁極が形成され
た基板上にギャップ層及び第一層間絶縁層を介して薄膜
コイルを形成し、その上面に第二層間絶縁層を介して密
着層を含む上部磁性層を積層形成した後、該上部性極層
を磁場中で熱処理するに先立って、該密着層を含む上部
磁性層の磁極形成予定領域以外の領域に、該第二層間絶
縁層が露出するガス抜き穴をフォトリゾグラフィ法等に
より選択的に適当数穿設した後、上記熱処理を行うよう
にする。
た基板上にギャップ層及び第一層間絶縁層を介して薄膜
コイルを形成し、その上面に第二層間絶縁層を介して密
着層を含む上部磁性層を積層形成した後、該上部性極層
を磁場中で熱処理するに先立って、該密着層を含む上部
磁性層の磁極形成予定領域以外の領域に、該第二層間絶
縁層が露出するガス抜き穴をフォトリゾグラフィ法等に
より選択的に適当数穿設した後、上記熱処理を行うよう
にする。
本発明の製造方法においては、前記第二層間絶縁層上に
被着形成された密着層を含む上部磁性層の磁極形成予定
領域以外の領域に、該第二層間絶縁層が部分的に露出す
るガス抜き穴を予め適当数穿設しているため、その後、
該上部磁性層を磁場中で熱処理した際に、熱硬化性樹脂
材からなる第二層間絶縁層よりガスが発生しても、該ガ
スは前記ガス抜き穴より放出され、前記第二層間絶縁層
と密着層との間に蓄積されることがなくなるので、従来
のような蓄積ガスの熱膨張により該密着層が押上げられ
て密着層と共に上部磁性層を剥離するといった現象が解
消される。
被着形成された密着層を含む上部磁性層の磁極形成予定
領域以外の領域に、該第二層間絶縁層が部分的に露出す
るガス抜き穴を予め適当数穿設しているため、その後、
該上部磁性層を磁場中で熱処理した際に、熱硬化性樹脂
材からなる第二層間絶縁層よりガスが発生しても、該ガ
スは前記ガス抜き穴より放出され、前記第二層間絶縁層
と密着層との間に蓄積されることがなくなるので、従来
のような蓄積ガスの熱膨張により該密着層が押上げられ
て密着層と共に上部磁性層を剥離するといった現象が解
消される。
以下図面を用いて本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の
一実施例について詳細に説明する。
一実施例について詳細に説明する。
先ず第１図（ａｌの要部平面図及び第１図（′ｂ）のＡ
−Ａ′断面図に示すように、例えばセラミック等からな
る非磁性基板１１上に、Ｃｏ−Ｚｒ系のアモルファス材
料からなる下部磁極１２、ＳｉＯ□からなるギャップ層
１３及び熱硬化性樹脂材からなる第一層間絶縁層１４を
介して薄膜コイル１５を形成し、その上面に更に同じく
熱硬化性樹脂材からなる第二層間絶縁層１６を形成する
。
−Ａ′断面図に示すように、例えばセラミック等からな
る非磁性基板１１上に、Ｃｏ−Ｚｒ系のアモルファス材
料からなる下部磁極１２、ＳｉＯ□からなるギャップ層
１３及び熱硬化性樹脂材からなる第一層間絶縁層１４を
介して薄膜コイル１５を形成し、その上面に更に同じく
熱硬化性樹脂材からなる第二層間絶縁層１６を形成する
。
次に該第二層間絶縁層１６を含む基板１１上の全面にＴ
ｉからなる密着層１７及びＣｏ−Ｚｒ系のアモルファス
材料からなる上部磁性層１８を被着した後、該上部磁性
層１８上にレジスト膜を塗着し、該レジスト膜をパター
ニングして上部磁性層１８の磁極形成予定領域以外の領
域にガス抜き穴を形成すべきレジストマスク２１を形成
する。
ｉからなる密着層１７及びＣｏ−Ｚｒ系のアモルファス
材料からなる上部磁性層１８を被着した後、該上部磁性
層１８上にレジスト膜を塗着し、該レジスト膜をパター
ニングして上部磁性層１８の磁極形成予定領域以外の領
域にガス抜き穴を形成すべきレジストマスク２１を形成
する。
次に該レジストマスク２１を介して前記密着層１７を含
む上部磁性層１８にイオンミリング加工、或いはケミカ
ルエツチング処理を施した後、該レジストマスク２１を
除去することにより、第２図（ａ）の要部平面図及び第
２図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図に示すように、該密着層１
７を含む上部磁性層１８の磁極形成予定領域以外の領域
に第二層間絶縁層１６が露出する複数個のガス抜き穴２
２を形成する。
む上部磁性層１８にイオンミリング加工、或いはケミカ
ルエツチング処理を施した後、該レジストマスク２１を
除去することにより、第２図（ａ）の要部平面図及び第
２図（ｂ）のＡ−Ａ’断面図に示すように、該密着層１
７を含む上部磁性層１８の磁極形成予定領域以外の領域
に第二層間絶縁層１６が露出する複数個のガス抜き穴２
２を形成する。
次に該上部磁性層１８を回転磁場中で、例えば３００〜
３５０℃の温度で熱処理を行って磁気特性を向上させる
。この際に、当然のこととして前記第一、第二層間絶縁
層１４．１６よりガスが発生するが、該ガスは前記ガス
抜き穴２２より放出されて、該密着層１７をび含む上部
磁性層１８が剥離するといった現象が解消される。
３５０℃の温度で熱処理を行って磁気特性を向上させる
。この際に、当然のこととして前記第一、第二層間絶縁
層１４．１６よりガスが発生するが、該ガスは前記ガス
抜き穴２２より放出されて、該密着層１７をび含む上部
磁性層１８が剥離するといった現象が解消される。
その後、第３図（ａ）の要部平面図及び第３図（ｂ）の
Ａ−Ａ’断面図に示すように、前記上部磁性層１８及び
密着Ｎ１７を所定の上部磁極パターンに周知のフォトリ
ソグラフィ法等によりパターニングすることにより、剥
離のない上部磁極１９を形成することが出来る。
Ａ−Ａ’断面図に示すように、前記上部磁性層１８及び
密着Ｎ１７を所定の上部磁極パターンに周知のフォトリ
ソグラフィ法等によりパターニングすることにより、剥
離のない上部磁極１９を形成することが出来る。
以下、図示していないが、前記薄膜コイル１５に対する
リード線の接続処理、上部磁極１９を含む基板１１上へ
の絶縁保護膜の被覆、媒体対向面の加工処理等を行うこ
とにより、信頼性の良い薄膜磁気ヘッドを容易に得るこ
とができる。
リード線の接続処理、上部磁極１９を含む基板１１上へ
の絶縁保護膜の被覆、媒体対向面の加工処理等を行うこ
とにより、信頼性の良い薄膜磁気ヘッドを容易に得るこ
とができる。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、上部磁極を形成すべき磁性
層の磁場中での熱処理に際し、熱硬化性樹脂材からなる
第一、第二層間絶縁層よりガスが発生しても、該磁性層
に設けられたガス抜き穴より放出され、第二層間絶縁層
上の密着層を含む上部磁性層が剥離するといった現象が
防止される優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの製造歩
留りが向上すると共に、信頼性の良い薄膜磁気ヘッドを
得ることが出来る。
ヘッドの製造方法によれば、上部磁極を形成すべき磁性
層の磁場中での熱処理に際し、熱硬化性樹脂材からなる
第一、第二層間絶縁層よりガスが発生しても、該磁性層
に設けられたガス抜き穴より放出され、第二層間絶縁層
上の密着層を含む上部磁性層が剥離するといった現象が
防止される優れた利点を有し、薄膜磁気ヘッドの製造歩
留りが向上すると共に、信頼性の良い薄膜磁気ヘッドを
得ることが出来る。
従って、この種の薄膜磁気ヘッドの製造に適用して優れ
た効果を奏する。
た効果を奏する。
第１図（ａ）、 （ｂ）乃至第３図（ａｌ、 （ｂ）は
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例 を工程順に示す図であり、各図（ａ）は要部平面図、各
図（ｂｌは各図（ａｌに示すＡ−Ａ′切断線に沿った要
部断面図、 第４図（ａ）、 （ｂ）乃至第６図（ａ）、 （ｂ）は
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順に説明す るための図であり、各図（ａ）は要部平面図、各図（ｂ
ｌは各図（ａ）に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断面
図である。 第１図（ａ）、 （ｂｌ乃至第３図（ａｌ、 （ｂｌに
おいて、１１は非磁性基板、１２は下部磁極、１３はギ
ャップ層、１４は第一層間絶縁層、１５は薄膜コイル、
１６は第二層間絶縁層、１７は密着層、１日は上部磁性
層、１９は上部磁極、２１はレジストマスク、２２はガ
ス抜き穴をそれぞれ示す。 第１図（Ｑｌ 第１図（ｂＪ 半ｉとＥＩＦＩ禮゛ズオ々１穴１今賎Ｔ桐
′−４′庁ｔｉｍ第２図（Ｑ） 第２
図（ｂン 綾φ１軸硬麿汀 Ａ−Ａ’＃−
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施例 を工程順に示す図であり、各図（ａ）は要部平面図、各
図（ｂｌは各図（ａｌに示すＡ−Ａ′切断線に沿った要
部断面図、 第４図（ａ）、 （ｂ）乃至第６図（ａ）、 （ｂ）は
従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を工程順に説明す るための図であり、各図（ａ）は要部平面図、各図（ｂ
ｌは各図（ａ）に示すＡ−Ａ’切断線に沿った要部断面
図である。 第１図（ａ）、 （ｂｌ乃至第３図（ａｌ、 （ｂｌに
おいて、１１は非磁性基板、１２は下部磁極、１３はギ
ャップ層、１４は第一層間絶縁層、１５は薄膜コイル、
１６は第二層間絶縁層、１７は密着層、１日は上部磁性
層、１９は上部磁極、２１はレジストマスク、２２はガ
ス抜き穴をそれぞれ示す。 第１図（Ｑｌ 第１図（ｂＪ 半ｉとＥＩＦＩ禮゛ズオ々１穴１今賎Ｔ桐
′−４′庁ｔｉｍ第２図（Ｑ） 第２
図（ｂン 綾φ１軸硬麿汀 Ａ−Ａ’＃−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 下部磁極（１２）が形成された基板（１１）上に、ギャ
ップ層（１３）及び第一層間絶縁層（１４）を介して薄
膜コイル（１５）を形成し、さらにその上面に第二層間
絶縁層（１６）を介して上部磁性層（１８）を積層形成
した後、該上部磁性層（１８）を磁場中で熱処理し、更
にパターニングして上部磁極（１９）を形成する薄膜磁
気ヘッドの製造方法において、 上記上部磁性層（１８）を磁場中で熱処理するに先立っ
て、該上部磁性層（１８）の磁極形成予定領域以外の部
分に、第二層間絶縁層（１６）が露出するガス抜き穴（
２２）を選択的に形成する工程を行うことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26117286A JPS63113911A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26117286A JPS63113911A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113911A true JPS63113911A (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=17358123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26117286A Pending JPS63113911A (ja) | 1986-10-31 | 1986-10-31 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63113911A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9995716B2 (en) | 2012-10-12 | 2018-06-12 | General Electric Technology Gmbh | Method for determining boiler tube cold side cracking and article for accomplishing the same |
-
1986
- 1986-10-31 JP JP26117286A patent/JPS63113911A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9995716B2 (en) | 2012-10-12 | 2018-06-12 | General Electric Technology Gmbh | Method for determining boiler tube cold side cracking and article for accomplishing the same |
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