JPS63113828A - 光デイスク - Google Patents
光デイスクInfo
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- JPS63113828A JPS63113828A JP61257602A JP25760286A JPS63113828A JP S63113828 A JPS63113828 A JP S63113828A JP 61257602 A JP61257602 A JP 61257602A JP 25760286 A JP25760286 A JP 25760286A JP S63113828 A JPS63113828 A JP S63113828A
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光ディスクのコンパクト化を図る方法として、透明基板
上に下地膜、記録膜、保護膜と層形成した後、該保護膜
上に透明な基板を接着固定して対称構造を作り、両面か
ら情報の記録を行う光ディスク。
上に下地膜、記録膜、保護膜と層形成した後、該保護膜
上に透明な基板を接着固定して対称構造を作り、両面か
ら情報の記録を行う光ディスク。
本発明は大容量化を実現した光ディスクの構成に関する
。
。
光ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を行う
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影害を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
メモリであり、記録容量が大きく、非接触で記録と再生
を行うことができ、また塵埃の影害を受けないなど優れ
た特徴をもっている。
ここで、光ディスクは記録媒体として低融点の金属或い
は非金属を用い、情報の書き込みを穴の有無により行う
追記型メモリ (Write 0nce Memory
)以外に、結晶−非晶質(アモルファス)間の相転移或
いは結晶−結晶間の相転移を行う際に両者の間に反射率
の差があるのを利用した書き換え可能メモリ (Era
sableMemory)がある。
は非金属を用い、情報の書き込みを穴の有無により行う
追記型メモリ (Write 0nce Memory
)以外に、結晶−非晶質(アモルファス)間の相転移或
いは結晶−結晶間の相転移を行う際に両者の間に反射率
の差があるのを利用した書き換え可能メモリ (Era
sableMemory)がある。
また、書き換え可能メモリとして、記録媒体を垂直磁化
している磁性膜で形成し、外部より反対方向に垂直磁場
を加えなからレーザ光を照射し、レーザ照射された磁性
膜の温度上昇による磁化反転が情報の記録と消去に用い
られ、磁性膜からの反射光の偏光面の回転が磁化方向に
より異なるのを利用して再生を行う光磁気ディスクがあ
る。
している磁性膜で形成し、外部より反対方向に垂直磁場
を加えなからレーザ光を照射し、レーザ照射された磁性
膜の温度上昇による磁化反転が情報の記録と消去に用い
られ、磁性膜からの反射光の偏光面の回転が磁化方向に
より異なるのを利用して再生を行う光磁気ディスクがあ
る。
本発明はか−る光ディスクの大容量化に関するものであ
る。
る。
光ディスクは上記のように光ディスクと光磁気ディスク
に大別されるが、共に透明基板上に下地膜、記録膜、保
護膜と次々に膜形成して構成されている。
に大別されるが、共に透明基板上に下地膜、記録膜、保
護膜と次々に膜形成して構成されている。
すなわち、透明基キ反としてディスク状のガラス基板或
いはディスク状の透明樹脂、例えばポリメチルメタアク
リレート(略称PHMA) 、ポリカーボネート(略称
PC)などからなる基板が用いられている。
いはディスク状の透明樹脂、例えばポリメチルメタアク
リレート(略称PHMA) 、ポリカーボネート(略称
PC)などからなる基板が用いられている。
そして、ガラス基板を用いる場合は写真蝕刻技術(フォ
トリソグラフィ)を用いて直接にエツチングする場合も
あるが、コスト的な見地から多くの場合フォトポリマ(
例えばアクリル酸エステル)を被覆し、この表面にスタ
ンパと言われる金型を圧着した状態で紫外線照射を行っ
て硬化させ、案内溝(プリグループ)が作られている。
トリソグラフィ)を用いて直接にエツチングする場合も
あるが、コスト的な見地から多くの場合フォトポリマ(
例えばアクリル酸エステル)を被覆し、この表面にスタ
ンパと言われる金型を圧着した状態で紫外線照射を行っ
て硬化させ、案内溝(プリグループ)が作られている。
また、透明樹脂を用いる場合にはスタンパを用いてモー
ルド成形することにより案内溝の付いた透明基板が作ら
れている。
ルド成形することにより案内溝の付いた透明基板が作ら
れている。
次にガラス基板を用い、これを直接にエツチングして案
内溝を形成する場合には省略することができるが、フォ
トポリマを用いたり、透明樹脂基板を用いる場合には透
湿性やガス吸着性が強いことから、この上に形成される
記録膜が酸化されて特性が劣化すると云う問題がある。
内溝を形成する場合には省略することができるが、フォ
トポリマを用いたり、透明樹脂基板を用いる場合には透
湿性やガス吸着性が強いことから、この上に形成される
記録膜が酸化されて特性が劣化すると云う問題がある。
また、樹脂の軟化点が低いために、レーザ光照射により
加熱される記録膜を基板から熱的に遮断する必要もある
。
加熱される記録膜を基板から熱的に遮断する必要もある
。
このような理由から透明基板上に窒化珪素(SiiN4
)や窒化アルミリラム(AI!N)などの透明材料を用
いて下地膜の形成が行われており、この上に記録膜が形
成され、この上に保護膜が形成されている。
)や窒化アルミリラム(AI!N)などの透明材料を用
いて下地膜の形成が行われており、この上に記録膜が形
成され、この上に保護膜が形成されている。
ここで、ガラス基板は平坦性が良く、また光透過率など
光学的特性が優れている。
光学的特性が優れている。
第3図はガラス基板lを用いて形成されている光デイス
ク基板の構成を示す部分拡大図であって、必要とする記
録容量によりそれぞれ直径は異なるもの\、厚さが約1
.2龍程度のガラス基板1の上に案内溝(プリグループ
)3の付いたフォトポリマ層がj形成されている。
ク基板の構成を示す部分拡大図であって、必要とする記
録容量によりそれぞれ直径は異なるもの\、厚さが約1
.2龍程度のガラス基板1の上に案内溝(プリグループ
)3の付いたフォトポリマ層がj形成されている。
こ\で、案内溝3の寸法としては例えば幅が1μm、深
さが0.07μm+X内溝のピッチは1.6 μm程度
であり、この場合の溝間隔は0.6μmである。
さが0.07μm+X内溝のピッチは1.6 μm程度
であり、この場合の溝間隔は0.6μmである。
次に、このような案内溝3の上に下地膜4.記録膜5お
よび保護膜6がそれぞれ100n+s程度の厚さに形成
されている。
よび保護膜6がそれぞれ100n+s程度の厚さに形成
されている。
第2図はエアサンドイッチ構造をとる光ディスクの断面
構造を示すもので、スペーサ8を用い、第3図のような
構造をとる二枚の光デイスク基板7を記録膜5内側にし
て空隙9を挟んで対向させたものである。
構造を示すもので、スペーサ8を用い、第3図のような
構造をとる二枚の光デイスク基板7を記録膜5内側にし
て空隙9を挟んで対向させたものである。
ここで記録膜5は第3図に示すように案内溝3が形成さ
れているフォトポリマ層2の上に下地膜4、記録膜5.
保護膜6と形成されているが、ここでは図示を省略しで
ある。
れているフォトポリマ層2の上に下地膜4、記録膜5.
保護膜6と形成されているが、ここでは図示を省略しで
ある。
そして、情報の記録はレーザ光10をガラス基板1を通
して記録膜5に照射することにより行われており、従来
の情報の記録は第3図に示すそれぞれの案内溝の位置(
溝内)か或いは案内溝の間(溝間)の何れかの位置に行
われている。
して記録膜5に照射することにより行われており、従来
の情報の記録は第3図に示すそれぞれの案内溝の位置(
溝内)か或いは案内溝の間(溝間)の何れかの位置に行
われている。
ここで、先に記した溝幅が1μm、案内溝のピッチ1.
6μmの例は溝内に情報を記録する場合の例で、この例
の場合は半値幅0.8μmのレーザ光を1μm幅の案内
溝に沿って照射することにより、溝内に情報の記録が行
われている。
6μmの例は溝内に情報を記録する場合の例で、この例
の場合は半値幅0.8μmのレーザ光を1μm幅の案内
溝に沿って照射することにより、溝内に情報の記録が行
われている。
このように情弗は光デイスク基板7の案内溝3の上に形
成されている記録膜5或いは案内溝3の間に形成されて
いる記録膜5に記録されているが、更に記録容量の増大
が要望されている。
成されている記録膜5或いは案内溝3の間に形成されて
いる記録膜5に記録されているが、更に記録容量の増大
が要望されている。
以上記したように光ディスクへの情報の記録は光デイス
ク基板7に設けられている案内溝3の溝内か溝間の何れ
かを用いて行われている。
ク基板7に設けられている案内溝3の溝内か溝間の何れ
かを用いて行われている。
然し、この両者を用いれば更に記録容量の増大できるこ
とが明らかである。
とが明らかである。
そこで、この具体的な実施法を開発することが課題であ
る。
る。
上記の問題はリング状或いはスパイラル状の案内溝を備
えた透明な基板上に下地膜、記録膜、保護膜と層形成し
てなり、ディスク基板側からレーザ光を照射して情報の
記録と再生を行う光ディスクにおいて、前記保護膜上に
透明な基板を接着固定して記録膜に対して鏡面対称な構
造をとり、両面より記録膜に情報を記録し再生する構造
の光ディスクにより解決することができる。
えた透明な基板上に下地膜、記録膜、保護膜と層形成し
てなり、ディスク基板側からレーザ光を照射して情報の
記録と再生を行う光ディスクにおいて、前記保護膜上に
透明な基板を接着固定して記録膜に対して鏡面対称な構
造をとり、両面より記録膜に情報を記録し再生する構造
の光ディスクにより解決することができる。
今まで光ディスクの情報記録が案内溝の溝内あるいは溝
間の何れかのみを用いている理由は、■ 漏話(Cro
ss−talk)が大きくなること、■ サーボ機構が
複雑になること、 による。
間の何れかのみを用いている理由は、■ 漏話(Cro
ss−talk)が大きくなること、■ サーボ機構が
複雑になること、 による。
る案内溝に直径が1μm (半値幅が0.8μm)のレ
ーザ光を照射しても、裾の部分の分布光は案内溝からは
み出して溝間部分を照射するために漏話が大きくなる。
ーザ光を照射しても、裾の部分の分布光は案内溝からは
み出して溝間部分を照射するために漏話が大きくなる。
また、情報の記録と再生はサーボ機構によりレーザ光を
溝内あるいは溝間に焦点を合わせて走査しているが、基
板側からレーザ光を照射して走査する場合、溝内と溝間
とでは案内溝の深さだけ異なるので、その都度サーボ機
構の調整が必要となる。
溝内あるいは溝間に焦点を合わせて走査しているが、基
板側からレーザ光を照射して走査する場合、溝内と溝間
とでは案内溝の深さだけ異なるので、その都度サーボ機
構の調整が必要となる。
このような理由から従来は溝内か溝間の何れかを用いて
情報の記録が行われていた。
情報の記録が行われていた。
然し、発明者等は記録膜を中心として鏡面対称の構造を
とる光ディスクを形成し、表裏面よりレーザ光を照射す
る構造をとることにより案内溝の溝内と溝間の両位置に
情報の記録ができることを見出した。
とる光ディスクを形成し、表裏面よりレーザ光を照射す
る構造をとることにより案内溝の溝内と溝間の両位置に
情報の記録ができることを見出した。
なお、この場合は従来の案内溝の溝内および溝間に情報
を記録するが、光ディスクの両側からレーザ光を照射す
るので、実際的には溝内あるいは溝間の何れかに情報を
記録することになる。
を記録するが、光ディスクの両側からレーザ光を照射す
るので、実際的には溝内あるいは溝間の何れかに情報を
記録することになる。
この場合、漏話を減少するために溝内および溝間の幅は
従来よりも少し広くとると安全である。
従来よりも少し広くとると安全である。
然し、ガラス基板の表裏面から情報記録位置までの距離
は等しいので、サーボ機構の調整は必要ない。
は等しいので、サーボ機構の調整は必要ない。
第1図は本発明を実施した光ディスクの部分拡大断面図
である。
である。
径5インチ、厚さ1.2鰭のガラス基板1の上にアクリ
ル酸エステルをスピンコードした後、スタンパを圧着し
ながら紫外線照射を行って硬化せしめ、厚さが30μm
で、案内溝3の深さが0.07μm、溝内および溝間の
幅が1.3μmのフォトポリマ層2を形成した。
ル酸エステルをスピンコードした後、スタンパを圧着し
ながら紫外線照射を行って硬化せしめ、厚さが30μm
で、案内溝3の深さが0.07μm、溝内および溝間の
幅が1.3μmのフォトポリマ層2を形成した。
この上にスパッタ法を用い、S i 3 N 4を80
nm成膜して下地膜4を、テルビウム・鉄・コバルト(
TbFe Co)を1100n成膜して記録膜5を、ま
たSi3N4を80nm成膜して保護膜6を成膜した。
nm成膜して下地膜4を、テルビウム・鉄・コバルト(
TbFe Co)を1100n成膜して記録膜5を、ま
たSi3N4を80nm成膜して保護膜6を成膜した。
このように形成した従来の光デイスク基板の上に先と同
一条件でアクリル酸エステルを被覆した後、ガラス基板
12を圧着し、紫外線を照射して硬化させ、先と同様に
厚さが約30μmのフォトポリマ層11を形成した。
一条件でアクリル酸エステルを被覆した後、ガラス基板
12を圧着し、紫外線を照射して硬化させ、先と同様に
厚さが約30μmのフォトポリマ層11を形成した。
このようにして形成した光ディスクは記録膜5を中心と
して鏡面対称である。
して鏡面対称である。
か\る光ディスクについて従来と同様に案内溝3の溝内
に情報の記録を行い、更にこれを裏返して溝内にも情報
の記録を行ったが、C/N(Carrier−1eve
l/No1se’−1evel)は共に60dBであり
、片面の溝内のみを用いる従来の光ディスクと同様な値
を得ることができた。
に情報の記録を行い、更にこれを裏返して溝内にも情報
の記録を行ったが、C/N(Carrier−1eve
l/No1se’−1evel)は共に60dBであり
、片面の溝内のみを用いる従来の光ディスクと同様な値
を得ることができた。
以上記したように本発明の実施により案内溝の溝内と溝
間の両方を利用して情報の記録が行われるため、記録容
量が大幅に増加し、また製造工数が削減されると共に光
ディスクのコンパクト化が可能となる。
間の両方を利用して情報の記録が行われるため、記録容
量が大幅に増加し、また製造工数が削減されると共に光
ディスクのコンパクト化が可能となる。
第1図は本発明を実施した光ディスクの部分拡大断面図
、 第2図はエアサンドイッチ構造をとる光ディスクの断面
図、 第3図は光デイスク基板の部分断面図、である。 図において、 1.12はガラス基板、 2.11はフォトポリマ層、3は案内溝、4は下地膜、
5は記録膜、6は保護膜、
7は光デイスク基板、10はレーザ光、 である。 ”(Qし′
、 第2図はエアサンドイッチ構造をとる光ディスクの断面
図、 第3図は光デイスク基板の部分断面図、である。 図において、 1.12はガラス基板、 2.11はフォトポリマ層、3は案内溝、4は下地膜、
5は記録膜、6は保護膜、
7は光デイスク基板、10はレーザ光、 である。 ”(Qし′
Claims (1)
- リング状或いはスパイラル状の案内溝を備えた透明な基
板上に下地膜、記録膜、保護膜と層形成してなり、ディ
スク基板側からレーザ光を照射して情報の記録と再生を
行う光ディスクにおいて、前記保護膜上に透明な基板を
接着固定して記録膜に対して鏡面対称な構造をとり、両
面より記録膜に情報を記録し再生することを特徴とする
光ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61257602A JPS63113828A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光デイスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61257602A JPS63113828A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光デイスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63113828A true JPS63113828A (ja) | 1988-05-18 |
Family
ID=17308545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61257602A Pending JPS63113828A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光デイスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63113828A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02189743A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
JP2002228193A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Nakano Refrigerators Co Ltd | 一体空冷式冷凍機ユニット |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61257602A patent/JPS63113828A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02189743A (ja) * | 1989-01-18 | 1990-07-25 | Fujitsu Ltd | 光ディスク |
JP2002228193A (ja) * | 2001-01-30 | 2002-08-14 | Nakano Refrigerators Co Ltd | 一体空冷式冷凍機ユニット |
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