JPS63112815A - 薄膜型多素子磁気ヘツド - Google Patents
薄膜型多素子磁気ヘツドInfo
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- JPS63112815A JPS63112815A JP25560886A JP25560886A JPS63112815A JP S63112815 A JPS63112815 A JP S63112815A JP 25560886 A JP25560886 A JP 25560886A JP 25560886 A JP25560886 A JP 25560886A JP S63112815 A JPS63112815 A JP S63112815A
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- Japan
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- recording
- head
- magnetic head
- azimuth
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- Pending
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000030400 head development Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000004091 panning Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッド、例えば多素子の薄膜磁気ヘッド
に係り、特に高密度記録に好適なヘッド構造に関する。
に係り、特に高密度記録に好適なヘッド構造に関する。
近年、薄膜型磁気ヘッドを基板ζこ多素子配置して多チ
ャンネル(ah)記録する例が見られ、代表的なものと
して、特開昭54−5709 号記載の様に基板と、平
行なギャップを横一列に並べているもの、又は特開昭5
8−1822 号記載のように基板に対して角度を持
ったギャップを繰り返し配置し、これを媒体に対して傾
斜させて走行させるものがある。後者は、トラック幅を
膜厚で規制できる為、高精度の狭トラツクヘッドが可能
であり、かつヘッド配列の点で間隔に余裕があり、薄膜
コイルの多ターン化等が可能となる優れた方法である。
ャンネル(ah)記録する例が見られ、代表的なものと
して、特開昭54−5709 号記載の様に基板と、平
行なギャップを横一列に並べているもの、又は特開昭5
8−1822 号記載のように基板に対して角度を持
ったギャップを繰り返し配置し、これを媒体に対して傾
斜させて走行させるものがある。後者は、トラック幅を
膜厚で規制できる為、高精度の狭トラツクヘッドが可能
であり、かつヘッド配列の点で間隔に余裕があり、薄膜
コイルの多ターン化等が可能となる優れた方法である。
しかしながら、前述の特開昭54−5709 号や特開
昭58−1822 号に見られる例では、ギャップは
すべて平行に並んでいる為、ヘッドピッチの間にはある
程度のガートバンドがスペーシングとして設けられてい
る。
昭58−1822 号に見られる例では、ギャップは
すべて平行に並んでいる為、ヘッドピッチの間にはある
程度のガートバンドがスペーシングとして設けられてい
る。
−4、VTR等でヘリカルスキャニングクロスアジマス
レコーディング技術の開発によってガートバンドのない
高密度記録が達成されている。
レコーディング技術の開発によってガートバンドのない
高密度記録が達成されている。
現在VTRでは記録時のヘッドはi ahづつの順次記
録方式となっているが将来的には多ah記録(デジタル
信号対応)等への発展が見込まれている。クロスアジマ
スで多chのヘッド展開を可能にするヘッド構造につい
ては特に配慮されていない。
録方式となっているが将来的には多ah記録(デジタル
信号対応)等への発展が見込まれている。クロスアジマ
スで多chのヘッド展開を可能にするヘッド構造につい
ては特に配慮されていない。
上記従米技術は、ガードパンドレス記録による高密度記
録化の点についての配慮がされていない。
録化の点についての配慮がされていない。
本発明の目的は、多素子ヘッドによるガードバンドンス
クロスアジマス記録再生を達成する高精度なヘッド構造
を提供することにある。
クロスアジマス記録再生を達成する高精度なヘッド構造
を提供することにある。
上記目的は、多chクロスアジマス記録の所望記録アジ
マス角θR=−ψ、+ψ、−ψ、+ψ、・・・に対して
、ヘッドギャップアジマス角ヲθKG =θR−θ又は
θ)IC)−θR+θ(ただしθ≦jan−’ (TH
/HP)TH:ヘッドトラック幅)のヘッドを順次、H
Pのヘッドピッチで単一の基板上に配置し、テープ等の
媒体と摺動する際には、その摺動方向に対して基板平面
をθだけ傾けて摺動させることにより、記録トラック幅
Tw=HPtan eのガードバンドンスクロスアジマ
ス記録再生として達成される。
マス角θR=−ψ、+ψ、−ψ、+ψ、・・・に対して
、ヘッドギャップアジマス角ヲθKG =θR−θ又は
θ)IC)−θR+θ(ただしθ≦jan−’ (TH
/HP)TH:ヘッドトラック幅)のヘッドを順次、H
Pのヘッドピッチで単一の基板上に配置し、テープ等の
媒体と摺動する際には、その摺動方向に対して基板平面
をθだけ傾けて摺動させることにより、記録トラック幅
Tw=HPtan eのガードバンドンスクロスアジマ
ス記録再生として達成される。
多素子磁気ヘッドの磁気ギャップのギャップアジマス角
θHGをθR−θ、又はθR+θ、〔但しθRは多素子
磁気へ゛ラドによる多ahクロスアジマス記録の記録ア
ジマス角で、一般に−ψ、+ψ、−ψ。
θHGをθR−θ、又はθR+θ、〔但しθRは多素子
磁気へ゛ラドによる多ahクロスアジマス記録の記録ア
ジマス角で、一般に−ψ、+ψ、−ψ。
、 5 。
+ 91−・・またθは、θ≦tan−1(TH/ H
P) + (T)Iはヘッドトラック幅、 HPは多素
子磁気ヘッドのヘッドピッチ)〕となる様に設定し、媒
体に対しヘッド基板面をθ傾けて摺動させると−r=H
Pta、nθの記録トランク幅のガードパンドレス多c
hクロスアジマス記録再生が可能となる。
P) + (T)Iはヘッドトラック幅、 HPは多素
子磁気ヘッドのヘッドピッチ)〕となる様に設定し、媒
体に対しヘッド基板面をθ傾けて摺動させると−r=H
Pta、nθの記録トランク幅のガードパンドレス多c
hクロスアジマス記録再生が可能となる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第1図は、本発明による多素子薄膜磁気ヘッドの摺動面
を示している。図中1は非磁性の基板で、この上に非磁
性のギャップ2を挾んでコア半体3a、3bが形成され
ており、各磁気ヘッドを構成している(摺動面からの図
なのでコイル4は省略)0 各ヘッドはHPのヘッドピッチで順次並んでいる。
を示している。図中1は非磁性の基板で、この上に非磁
性のギャップ2を挾んでコア半体3a、3bが形成され
ており、各磁気ヘッドを構成している(摺動面からの図
なのでコイル4は省略)0 各ヘッドはHPのヘッドピッチで順次並んでいる。
説明を簡単にする為に、本実施例は図の様に4素子の磁
気ヘッドで説明を行なう(4ch同時記録再生に対応)
0ここで、ヘッドに左からA、B、C。
気ヘッドで説明を行なう(4ch同時記録再生に対応)
0ここで、ヘッドに左からA、B、C。
Dと符号をつける。
・ 4 ・
磁気ギャップ2にはアジマス角度θHGがつけられてお
り、その角度は、A=−ψ−θ、B=+ψ−θ、c=−
ψ−θ、D=十ψ−θである。
り、その角度は、A=−ψ−θ、B=+ψ−θ、c=−
ψ−θ、D=十ψ−θである。
テープ等の媒体は、基板平面に対し、θの傾斜角度でヘ
ッド摺動面を走行させる。このθはθ≦jan−’ (
TI(/HP) となる様にする。(TH:ヘッドト
ラック幅) これにより、Tw = HP t anθを記録トラッ
ク幅とするガートバンドのない多chクロスアジマス記
録再生を行なうことができる。
ッド摺動面を走行させる。このθはθ≦jan−’ (
TI(/HP) となる様にする。(TH:ヘッドト
ラック幅) これにより、Tw = HP t anθを記録トラッ
ク幅とするガートバンドのない多chクロスアジマス記
録再生を行なうことができる。
第2図は、摺動状態を示すヘッド及び媒体の構成例を示
している。
している。
第6図は、クロスアジマス記録の記録パターン例を示し
ている。記録されたパターンの記録アジマス角θRは一
ψ、+ψ、−ψ、+ψである。
ている。記録されたパターンの記録アジマス角θRは一
ψ、+ψ、−ψ、+ψである。
例えば、記録アジマス角θRが±10度で、単一基板上
にヘッドトラック幅22〜24μmの薄膜磁気ヘラドラ
600μmのヘッドピッチで4つ並べ、この4つのヘッ
ドのヘッドギャップのアジマス角θHGは、−12度、
+8度、−12度、+8度と、また、媒体と基板平面の
なす傾斜角度θは2度とし、記録再生には、VTRの回
転シリンダーの180度対向する位置に2つの多素子ヘ
ッド(各々4:A子)を配置し、VTRテープを用いて
記録したところ、記録トランク幅Wキ21μm、記録ア
ジマスθR=−10,+10.−10. +10度の
ガードパンドレスクロスアジマス記録が達成された。
にヘッドトラック幅22〜24μmの薄膜磁気ヘラドラ
600μmのヘッドピッチで4つ並べ、この4つのヘッ
ドのヘッドギャップのアジマス角θHGは、−12度、
+8度、−12度、+8度と、また、媒体と基板平面の
なす傾斜角度θは2度とし、記録再生には、VTRの回
転シリンダーの180度対向する位置に2つの多素子ヘ
ッド(各々4:A子)を配置し、VTRテープを用いて
記録したところ、記録トランク幅Wキ21μm、記録ア
ジマスθR=−10,+10.−10. +10度の
ガードパンドレスクロスアジマス記録が達成された。
本発明者の検討では、記録トラック幅Twは、媒体と基
板の傾斜角度θと、ヘッドピンチHPで決まる大きさで
、Tw=MP4anθの関係をみたす。ヘッドのトラッ
ク幅THは記録トラック幅Twよりもいくぶん幅広で良
い。これは後から記録してくるヘッドが20度ずれたア
ジマスで重量記録するからである○ 記録アジマス角度θRは、ヘッドギャップのアジマス角
θHGとθで決まり、θHG =θR−θの関係を満た
すことになる。
板の傾斜角度θと、ヘッドピンチHPで決まる大きさで
、Tw=MP4anθの関係をみたす。ヘッドのトラッ
ク幅THは記録トラック幅Twよりもいくぶん幅広で良
い。これは後から記録してくるヘッドが20度ずれたア
ジマスで重量記録するからである○ 記録アジマス角度θRは、ヘッドギャップのアジマス角
θHGとθで決まり、θHG =θR−θの関係を満た
すことになる。
また本実施例では、いづれも4素子のヘッドを用いて説
明を行なったが、本発明はヘッド素子数により制限を受
けるものではない。
明を行なったが、本発明はヘッド素子数により制限を受
けるものではない。
例えば、現在提案されているハイビジョンVTRシステ
ム仕様では、記録再生〜4ヘッド、同時モニター用〜4
ヘッド、PCMアフターレコーディング用〜4ヘッド、
フライングイレーズ用〜4ヘッドの計16ヘツドのデジ
タル信号用ヘッドを使うシステムとrjっているが、こ
の様な多ch同時記録再生システムの達成は、本発明に
よる薄膜量多素子磁気ヘッドによってのみ可能であり、
従来のヘッドアセンブリ技術では、アジマス精度、ヘッ
ド位置合わせ精度、トラック位置、ピッチ合わせ精度の
点で困難であり、実現は不可能である。
ム仕様では、記録再生〜4ヘッド、同時モニター用〜4
ヘッド、PCMアフターレコーディング用〜4ヘッド、
フライングイレーズ用〜4ヘッドの計16ヘツドのデジ
タル信号用ヘッドを使うシステムとrjっているが、こ
の様な多ch同時記録再生システムの達成は、本発明に
よる薄膜量多素子磁気ヘッドによってのみ可能であり、
従来のヘッドアセンブリ技術では、アジマス精度、ヘッ
ド位置合わせ精度、トラック位置、ピッチ合わせ精度の
点で困難であり、実現は不可能である。
また、本発明の様な薄膜量多素子磁気ヘッドでは、ヘッ
ドピッチ(ギャップ間距離)を数μmの精度例えば±2
μmでかつ数百μmの狭さ例えば600μmで形成する
ことが可能となる為、前記のハイビジョンシステム等に
用いた場合、間精度でエラーのない特殊再生が可能きな
る利点がある。
ドピッチ(ギャップ間距離)を数μmの精度例えば±2
μmでかつ数百μmの狭さ例えば600μmで形成する
ことが可能となる為、前記のハイビジョンシステム等に
用いた場合、間精度でエラーのない特殊再生が可能きな
る利点がある。
また、本発明者の試作及び不実施例では、記録パターン
のアジマス角θRが+107f、 −1o度になる場合
で説明したが、隣接トラックでアジマス角が・ 7 ・ 平行でなければ良い。
のアジマス角θRが+107f、 −1o度になる場合
で説明したが、隣接トラックでアジマス角が・ 7 ・ 平行でなければ良い。
一方、本発明者の検討によれば、1θR1が30度を超
えるとヘッド出力及び分解能の低下を招くという欠点が
あった。このため、記録アジマス角θRは1θR1〈6
0度で用いるのがよい。
えるとヘッド出力及び分解能の低下を招くという欠点が
あった。このため、記録アジマス角θRは1θR1〈6
0度で用いるのがよい。
本発明によれば、ガードパンドレスの高精度多ah同時
記録再生を可能になるので、高密度記録再生が達成され
る効果がある。
記録再生を可能になるので、高密度記録再生が達成され
る効果がある。
第1図は、本発明の一実施例の多素子薄膜磁気ヘッドの
摺動面から見た正面図、第2図は、第1図のヘッドの媒
体との摺動状態を示す斜視図、第6図は、第2図の記録
パターンの拡大図である。 1・・・基板 2・・・磁気ギャップ6・・
・磁気コア 4・・・コイル・ 8 ・
摺動面から見た正面図、第2図は、第1図のヘッドの媒
体との摺動状態を示す斜視図、第6図は、第2図の記録
パターンの拡大図である。 1・・・基板 2・・・磁気ギャップ6・・
・磁気コア 4・・・コイル・ 8 ・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、単一の基板平面上に一定の繰り返し間隔で複数の磁
気ヘッドを配置してなる薄型多素子磁気ヘッドにおいて
、該基板平面を該基板平面と対向する媒体走行方向に対
し、角度θの傾きをもつて配置し、かつトラックピッチ
Tpに対し、磁気ヘッドの繰り返し間隔HPがθ<ta
n^−^1(Tp/HP)であり、前記磁気ヘッドのギ
ャップが、媒体走行方向に対してほぼ直角で、かつ2種
類のアジマス角度を交互に持つことを特徴とする薄膜型
多素子磁気ヘッド。 2、特許請求の範囲第1項記載の薄膜型多素子磁気ヘッ
ドにおいて、媒体に記載された記録パターンが、媒体走
行方向に対し、あるトラックで60°≦θ_R<120
°かつその隣りのトラックで−60°<θ_R≦−12
0°であり、かつその差が+180°又は−180°と
ならないような記録アジマス角θ_Rとなることを特徴
とした薄膜量多素子磁気ヘッド。 5、特許請求の範囲第1項記載の薄膜型多素子磁気ヘッ
ドにおいて、媒体に記録された記録パターンが、媒体走
行方向に対し、あるトラックでθ_R、かつその隣のト
ラックで−θ_Rであり、60°≦θ_R≦120°、
|θ_R|≠90°であるような記録アジマス角θ_R
となることを特徴とした、薄膜型多素子磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25560886A JPS63112815A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 薄膜型多素子磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25560886A JPS63112815A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 薄膜型多素子磁気ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63112815A true JPS63112815A (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=17281099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25560886A Pending JPS63112815A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 薄膜型多素子磁気ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63112815A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04186511A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チャンネル薄膜磁気ヘッド |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25560886A patent/JPS63112815A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04186511A (ja) * | 1990-11-21 | 1992-07-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多チャンネル薄膜磁気ヘッド |
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