JPS63112816A - 薄膜型多素子磁気ヘツド - Google Patents
薄膜型多素子磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS63112816A JPS63112816A JP25560986A JP25560986A JPS63112816A JP S63112816 A JPS63112816 A JP S63112816A JP 25560986 A JP25560986 A JP 25560986A JP 25560986 A JP25560986 A JP 25560986A JP S63112816 A JPS63112816 A JP S63112816A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- head
- recording
- magnetic head
- thin film
- azimuth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/488—Disposition of heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ヘッド、例えば多素子の薄膜磁気ヘッド
に係り、特に低クロストーク化ζこ好適なヘッド構造ｌ
こ関する。
に係り、特に低クロストーク化ζこ好適なヘッド構造ｌ
こ関する。
近年、薄膜型磁気ヘッドを基板ζこ多素子配置して多チ
ャンネル記録する例が見られ、代表的なものとして、特
開昭５４−５７０９ 号言己載の様に基板と平行なギ
ャップを横一列−こ並べているもの又特開昭５８−１８
２２ 号記載θ）様ζこ、基板に対して角度を持った
ギャップを繰り返し配置し、これを媒体ｌこ対して傾斜
させて走行させるものがある。
ャンネル記録する例が見られ、代表的なものとして、特
開昭５４−５７０９ 号言己載の様に基板と平行なギ
ャップを横一列−こ並べているもの又特開昭５８−１８
２２ 号記載θ）様ζこ、基板に対して角度を持った
ギャップを繰り返し配置し、これを媒体ｌこ対して傾斜
させて走行させるものがある。
後者は、トラック幅をヘッドコア膜厚で規制できる為、
高精度の狭トラツクヘッドが形成可能であり、かつヘッ
ド配列の点で、ヘッド間隔に余裕があり、薄膜コイルの
多ターン化等が可能となる優れた方法である。前述の特
開昭５４−５７０９ 号や、特開昭５８−１８２２
号に見られる例では、ギャップはすべて平行に並んで
いる為、記録トラックの間にある程度の長さのガートバ
ンドを設けてクロストークの影響を防ぐ仕組みになって
いる。
高精度の狭トラツクヘッドが形成可能であり、かつヘッ
ド配列の点で、ヘッド間隔に余裕があり、薄膜コイルの
多ターン化等が可能となる優れた方法である。前述の特
開昭５４−５７０９ 号や、特開昭５８−１８２２
号に見られる例では、ギャップはすべて平行に並んで
いる為、記録トラックの間にある程度の長さのガートバ
ンドを設けてクロストークの影響を防ぐ仕組みになって
いる。
しかしながら、記録パターンが平行である以上記録再生
時のヘッドトラッキングすれ等によるクロストークの影
響は避けられない。
時のヘッドトラッキングすれ等によるクロストークの影
響は避けられない。
一方、ＶＴＲ等では、クロスアジマスレコーディング技
術が開発されて低クロストークの記録再生が達成されて
いる。
術が開発されて低クロストークの記録再生が達成されて
いる。
現在、ＶＴＲでは、記録時のヘッドは１チヤンネルづつ
の順次記録方式となっているが、将来的には多チャンネ
ル記録（デジタル信号対応）等への発展が見込まれてい
る。しかし、多チャンネルで低クロストーク記録再生を
達成できる多素子ヘッド構造について報告された例はな
い。
の順次記録方式となっているが、将来的には多チャンネ
ル記録（デジタル信号対応）等への発展が見込まれてい
る。しかし、多チャンネルで低クロストーク記録再生を
達成できる多素子ヘッド構造について報告された例はな
い。
上記従来技術は、多素子ヘッドの低クロストーク化の点
についての配慮がされておらず、ヘッドトラッキングず
れ等−こより、簡単に隣チャンネルの信号を読んでしま
う七いった影響があった。
についての配慮がされておらず、ヘッドトラッキングず
れ等−こより、簡単に隣チャンネルの信号を読んでしま
う七いった影響があった。
本発明の目的は、多素子ヘッドにより、低クロストーク
化を達成するヘッド構造を提供すること（こある。
化を達成するヘッド構造を提供すること（こある。
上記目的は、多チヤンネルクロスアジマス記録の所望記
録アジマス角θＲ＝−ψ、＋ψ、−ψ、＋ψ。
録アジマス角θＲ＝−ψ、＋ψ、−ψ、＋ψ。
・・・に対して、ヘッドギャップアジマス角θＨＧをθ
ＨＧ−θＲ−θ又はθＨＧ−θＲ＋θ （ただし、θ＞
ｊａｎ−’ （ＴＨ／）−、ＬＰ）、 ＴＨ： ヘッ
ドトラック幅）のヘッドを順次１−１１Ｐのヘッドピッ
チで単一の基板上ｌこ配置し、テープ等の媒体と摺動す
る際Ａこは、その摺動力向に対して基板平面をθだけ頌
けて摺動させることにより、記録トラック幅’ｌ’ｗ＝
ＴＨ−ｃ ｏｓθ・ ６ｊ で、Ｔｐ −ＨＰ ｔ ａｎθ−Ｔ、のガートバンドを
持ったクロスアジマス記録再生として達成される。（Ｔ
ｐ：記録トラックピッチ） 〔作用〕 多素子磁気ヘッドの磁気ギャップのギャップアジマス角
θＨＧをθＨＧ ＝θＲ−θ、又はθＲ＋θ〔但しθＲ
は多素子磁気ヘッドによる多チャンネルクロスアジマス
記録丹生の記録アジマス角で、一般ｌこ一ψ、＋ψ、−
ψ、＋ψ・・・また、θはθ＞ ｔａｎ−’（Ｔ）ｌ／
Ｈ，Ｐ） （ＴＨはヘッドトランク幅、ＢＰは多素子磁
気ヘッドのヘッドピッチ）〕となる様に設定し、媒体に
対しヘッド基板面をθ傾けて摺動させるとトラックピッ
チＴｐ＝ＨＰｔａｎθのガートバンド付きの多チヤンネ
ルクロスアジマス記録再生による低クロストーク化が可
能となる。
ＨＧ−θＲ−θ又はθＨＧ−θＲ＋θ （ただし、θ＞
ｊａｎ−’ （ＴＨ／）−、ＬＰ）、 ＴＨ： ヘッ
ドトラック幅）のヘッドを順次１−１１Ｐのヘッドピッ
チで単一の基板上ｌこ配置し、テープ等の媒体と摺動す
る際Ａこは、その摺動力向に対して基板平面をθだけ頌
けて摺動させることにより、記録トラック幅’ｌ’ｗ＝
ＴＨ−ｃ ｏｓθ・ ６ｊ で、Ｔｐ −ＨＰ ｔ ａｎθ−Ｔ、のガートバンドを
持ったクロスアジマス記録再生として達成される。（Ｔ
ｐ：記録トラックピッチ） 〔作用〕 多素子磁気ヘッドの磁気ギャップのギャップアジマス角
θＨＧをθＨＧ ＝θＲ−θ、又はθＲ＋θ〔但しθＲ
は多素子磁気ヘッドによる多チャンネルクロスアジマス
記録丹生の記録アジマス角で、一般ｌこ一ψ、＋ψ、−
ψ、＋ψ・・・また、θはθ＞ ｔａｎ−’（Ｔ）ｌ／
Ｈ，Ｐ） （ＴＨはヘッドトランク幅、ＢＰは多素子磁
気ヘッドのヘッドピッチ）〕となる様に設定し、媒体に
対しヘッド基板面をθ傾けて摺動させるとトラックピッ
チＴｐ＝ＨＰｔａｎθのガートバンド付きの多チヤンネ
ルクロスアジマス記録再生による低クロストーク化が可
能となる。
以下、本発明の一笑施例を図面を用いて説明する。
第１図は、本発明による多素子薄膜磁気ヘッドの摺動面
を示す正面図である０図中１は非磁性の・ ４ ・ 基板で、この上に非磁性のギャップ２を挾んでコア半体
５ａ、５ｂが形成されており、各磁気ヘッドを構成して
いる（摺動面からの図なのでコイル４は省略）。
を示す正面図である０図中１は非磁性の・ ４ ・ 基板で、この上に非磁性のギャップ２を挾んでコア半体
５ａ、５ｂが形成されており、各磁気ヘッドを構成して
いる（摺動面からの図なのでコイル４は省略）。
各ヘッドはＨＰのヘッドピッチで順次並んでいる。
説明を簡単にする為に、本実施例は図の様に４素子の磁
気ヘッドで説明を行なう（４ｃｈ同時記録再生に対応）
。ここで、ヘッドに左から、Ａ、Ｂ。
気ヘッドで説明を行なう（４ｃｈ同時記録再生に対応）
。ここで、ヘッドに左から、Ａ、Ｂ。
Ｃ，Ｄと符号をつける。
磁気ギャップ２にはアジマス角度θＨＧがつけられてお
り、その素置は、Ａ＝−ψ−θ、Ｂ＝＋ψ−θ、Ｃ＝−
ψ−θ、Ｄ＝十ψ−θである。
り、その素置は、Ａ＝−ψ−θ、Ｂ＝＋ψ−θ、Ｃ＝−
ψ−θ、Ｄ＝十ψ−θである。
テープ等の媒体は、基板平面ｌこ対し、θの傾斜角度で
ヘッド摺動向を走行させる。このθは、θ＞ｔａｎ”
（Ｔｕ／）ｉＰ）となる様にする（ＴＨ：ヘッドトラッ
ク幅）。
ヘッド摺動向を走行させる。このθは、θ＞ｔａｎ”
（Ｔｕ／）ｉＰ）となる様にする（ＴＨ：ヘッドトラッ
ク幅）。
これにより記録トランク幅’Ｉ”ｗ＝ＴＨｃｏｓθで、
Ｔｐ −ＨＰ ｔａｎθ−ＴＨ（ＴＩ）：記録トラック
ピッチ）のガートバンド付きの多ａｈクロスアジマス記
録再生を行なうことができる。
Ｔｐ −ＨＰ ｔａｎθ−ＴＨ（ＴＩ）：記録トラック
ピッチ）のガートバンド付きの多ａｈクロスアジマス記
録再生を行なうことができる。
第２図は、摺動状態を示すヘッド及び媒体の構成例を示
している。
している。
第６図は、記録パターン例を示している。記録されたパ
ターンの記録アジマス角θＲは一ψ、＋ψ。
ターンの記録アジマス角θＲは一ψ、＋ψ。
−ψ、＋ψである。
例えば、記録アジマス角θＲが＋１０度で、単一基板上
にヘッドトラック幅１５μｍの薄膜磁気ヘラドラ６００
μｍのヘッドピッチで４つ並べ、この４つのヘッドのヘ
ッドギャップのアジマス角θＨＧは一１２度、＋８度、
−１２度、＋８度とし、才だ媒体と基板平面θ〕なす傾
斜角は２度とし記録再生には、ＶＴＲの同転シリンダー
の１８０度対向する位置に、２つの多素子ヘッド（各４
素子）を配置ＬＡＶＴＲテープを用いて記録したところ
記録トラック幅Ｔｗ ＝ １５μｍ、記録アジマス角θ
Ｒ＝ −１０，＋ １０．−１０゜＋１０度で、５μｍ
のガートバンドつきのクロスアジマス記録が達成された
。
にヘッドトラック幅１５μｍの薄膜磁気ヘラドラ６００
μｍのヘッドピッチで４つ並べ、この４つのヘッドのヘ
ッドギャップのアジマス角θＨＧは一１２度、＋８度、
−１２度、＋８度とし、才だ媒体と基板平面θ〕なす傾
斜角は２度とし記録再生には、ＶＴＲの同転シリンダー
の１８０度対向する位置に、２つの多素子ヘッド（各４
素子）を配置ＬＡＶＴＲテープを用いて記録したところ
記録トラック幅Ｔｗ ＝ １５μｍ、記録アジマス角θ
Ｒ＝ −１０，＋ １０．−１０゜＋１０度で、５μｍ
のガートバンドつきのクロスアジマス記録が達成された
。
マタクロストークについては、検出限界以下のレベルで
、非常に良好な結果であった０上記実施例では、いづれ
も４素子のヘッドを用いて説明を行なったが、本発明は
ヘッド素子数により制限を受けるものではない。
、非常に良好な結果であった０上記実施例では、いづれ
も４素子のヘッドを用いて説明を行なったが、本発明は
ヘッド素子数により制限を受けるものではない。
また、本実施例では、記録パターンのアジマス角θＲが
＋１０ｉ、−１０度になる場合で説明したが、隣接トラ
ックでアジマス角θＲが平行でなければ良い〇 一方、本発明者の検討によれば、１θＲ１が６０度を超
えると、ヘッド出力及び分解能の低下を招くという欠点
があることがわかった。
＋１０ｉ、−１０度になる場合で説明したが、隣接トラ
ックでアジマス角θＲが平行でなければ良い〇 一方、本発明者の検討によれば、１θＲ１が６０度を超
えると、ヘッド出力及び分解能の低下を招くという欠点
があることがわかった。
また本発明によれ、ば、ガートバンドつきの多ｃｈクロ
スアジマス記録杓生が可能ζこなる０〕で、低クロスト
ークの記録再生ができる効果がある。
スアジマス記録杓生が可能ζこなる０〕で、低クロスト
ークの記録再生ができる効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の多素子薄膜磁気ヘッドの
摺動面から見た正ｎＩＩ図、第２図は、第１図のヘッド
の媒体との摺動状態を示す斜視図、第５図は、第２図の
記録パターンの拡大図である。
摺動面から見た正ｎＩＩ図、第２図は、第１図のヘッド
の媒体との摺動状態を示す斜視図、第５図は、第２図の
記録パターンの拡大図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、単一の基板平面上に一定の繰り返し間隔で複数の磁
気ヘッドを配置してなる薄膜型多素子磁気ヘッドにおい
て、該基板平面を該基板平面と対向する媒体走行方向に
対し、角度θの傾きをもつて配置し、かつトラックピッ
チＴｐに対し、磁気ヘッドの繰り返し間隔ＨＰがθ＞ｔ
ａｎ＾−＾１（Ｔｐ／ＨＰ）であり、前記磁気ヘッドの
ギャップが、媒体走行方向に対してほぼ直角で、かつ２
種類のアジマス角度を交互に持つことを特徴とする薄膜
型多素子磁気ヘッド。 ２、特許請求の範囲第１項記載の薄膜型多素子磁気ヘッ
ドにおいて、媒体に記録された記録パターンが、媒体走
行方向に対し、あるトラックで６０°≦θ＿Ｒ＜１２０
°かつその隣りのトラックで−６０°＜θ＿Ｒ≦−１２
０°でありその差が＋１８０°又は−１８０°とならな
いような記録アジマス角θ＿Ｒとなることを特徴とした
薄膜型多素子磁気ヘッド。 ３、特許請求の範囲第１項記載の薄膜型多素子磁気ヘッ
ドにおいて、媒体に記載された記録パターンが、媒体走
行方向に対し、あるトラックでθ＿Ｒ、かつその隣りの
トラックで−θ＿Ｒであり６０°≦θ＿Ｒ≦１２０°、
｜θ＿Ｒ｜≠９０°であるような記録アジマス角θ＿Ｒ
となることを特徴とした、薄膜型多素子磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25560986A JPS63112816A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 薄膜型多素子磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25560986A JPS63112816A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 薄膜型多素子磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63112816A true JPS63112816A (ja) | 1988-05-17 |
Family
ID=17281114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25560986A Pending JPS63112816A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 薄膜型多素子磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63112816A (ja) |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP25560986A patent/JPS63112816A/ja active Pending
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