JPS63110643A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63110643A JPS63110643A JP25609886A JP25609886A JPS63110643A JP S63110643 A JPS63110643 A JP S63110643A JP 25609886 A JP25609886 A JP 25609886A JP 25609886 A JP25609886 A JP 25609886A JP S63110643 A JPS63110643 A JP S63110643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container body
- circuit element
- semiconductor circuit
- nut
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 230000013011 mating Effects 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000005493 welding type Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
マイクロ波半導体回路素子を容器本体へ取付け、キャッ
プを被せて気密封止した半導体装置において、該容器本
体にネジボルトを植設し、ドライバ使用可能なす・/1
・を適用して該回路素子を容器本体へ取付けたことを特
徴とする。
プを被せて気密封止した半導体装置において、該容器本
体にネジボルトを植設し、ドライバ使用可能なす・/1
・を適用して該回路素子を容器本体へ取付けたことを特
徴とする。
本発明は半導体回路素子を気密容器へ収容した半導体装
置に関し、気密容器の低廉化および装置の小型化を図る
ものである。
置に関し、気密容器の低廉化および装置の小型化を図る
ものである。
(従来の技術〕
マイクロ波領域で動作する高周波領域回路(増幅器、発
振器など)を気密容器内に取付けた半導体装置には第5
図および第6図に示すものがある。
振器など)を気密容器内に取付けた半導体装置には第5
図および第6図に示すものがある。
第6図は斜視図で、11は厚板状の容器本体、12はキ
ャップ、13,14. ・・・・・・は端子ピンで、1
3は高周波入力端子、14は中間周波出力端子、15.
16.・・・・・・は電源供給及び回路素子l制御用端
子、lla、llbは容器本体に設けられた取付は用の
孔である。
ャップ、13,14. ・・・・・・は端子ピンで、1
3は高周波入力端子、14は中間周波出力端子、15.
16.・・・・・・は電源供給及び回路素子l制御用端
子、lla、llbは容器本体に設けられた取付は用の
孔である。
第6図は、キャンプ12を持上げ状態の斜視図である。
31は半導体回路であり、セラミック製の回路基板、又
は、プリント回路基板に半導体チップ、CR部品などを
取付け、増幅回路、発振回路などを構成している。半導
体チップはパッケージに収容して完成品とするのが普通
であるが、こ−ではパンケージには収容せず、裸のチッ
プを回路基板に取付けている。32はキャリア板で、半
導体回路31はその回路基板の裏面をキャリア板32に
接着しキャリア板と一体化する。このようなキャリア板
付き半導体回路(半導体回路素子という)は本例では3
個あり、各々が平板状容器本体11の中央部に密着して
並べられ、締め付はネジ45で容器本体11に固定され
る。容器本体11には端子ピン13,14.・・・・・
・が植設されており (端子ピンと容器本体との間はハ
ーメチックシールされる)、半導体回路素子はワイヤボ
ンディングによりこれらの端子ピンへ接続される。
は、プリント回路基板に半導体チップ、CR部品などを
取付け、増幅回路、発振回路などを構成している。半導
体チップはパッケージに収容して完成品とするのが普通
であるが、こ−ではパンケージには収容せず、裸のチッ
プを回路基板に取付けている。32はキャリア板で、半
導体回路31はその回路基板の裏面をキャリア板32に
接着しキャリア板と一体化する。このようなキャリア板
付き半導体回路(半導体回路素子という)は本例では3
個あり、各々が平板状容器本体11の中央部に密着して
並べられ、締め付はネジ45で容器本体11に固定され
る。容器本体11には端子ピン13,14.・・・・・
・が植設されており (端子ピンと容器本体との間はハ
ーメチックシールされる)、半導体回路素子はワイヤボ
ンディングによりこれらの端子ピンへ接続される。
キャップ12は量線が平板状、中央部が皿状に膨出して
おり、容器本体へキャンプを被せた状態ではこの膨出部
が半導体回路素子部の上面及び側面を覆い、周縁は容器
本体11に密着する。該周縁と容器本体11とは溶接さ
れ、従ってキャップ12の膨出部と容器本体11は半導
体回路素子を気密封止し、そして容器本体へキヤ・7プ
を被せて溶接する作業は不活性ガス容器内で行なわれる
のでキャップの膨出部内に不活性ガスが封入され、こう
して半導体回路素子は不活性ガス入り気密容器内に収容
されることになる。また容器本体11とキャップ12は
金属製であるから、半導体回路素子はシールドされるこ
とになる。気密封止は内蔵回路素子の劣化防止用、また
シールドは内蔵回路素子により発生した電波が外部へ漏
れるのを防止するためである。
おり、容器本体へキャンプを被せた状態ではこの膨出部
が半導体回路素子部の上面及び側面を覆い、周縁は容器
本体11に密着する。該周縁と容器本体11とは溶接さ
れ、従ってキャップ12の膨出部と容器本体11は半導
体回路素子を気密封止し、そして容器本体へキヤ・7プ
を被せて溶接する作業は不活性ガス容器内で行なわれる
のでキャップの膨出部内に不活性ガスが封入され、こう
して半導体回路素子は不活性ガス入り気密容器内に収容
されることになる。また容器本体11とキャップ12は
金属製であるから、半導体回路素子はシールドされるこ
とになる。気密封止は内蔵回路素子の劣化防止用、また
シールドは内蔵回路素子により発生した電波が外部へ漏
れるのを防止するためである。
半導体回路素子を容器本体11へ取付けるネジ部の構造
を第7図に拡大して示す。キャリア板32には締め付は
ネジ45が通る貫通孔が、また容器本体11には該ネジ
45が螺合する有底ネジ孔があけられており、容器本体
11に半導体回路素子をのせ、ネジ45を座金(スプリ
ングワッシャ)36、キャリア板32の孔に通して容器
本体11のネジ孔に当て、ドライバーなどの工具でネジ
45の頭部を廻すことにより該ネジを容器本体11に螺
合する。このネジ45による半導体回路素子の容器本体
11への取付けは該回路素子の両端で行なわれ、従って
該回路素子が本例のように3個の場合は6個のネジで固
定される。この半導体回路素子の容器本体への取付は後
、ワイヤボンディング、不活性ガス容器内でのキャップ
取付け、溶接が行なわれる。
を第7図に拡大して示す。キャリア板32には締め付は
ネジ45が通る貫通孔が、また容器本体11には該ネジ
45が螺合する有底ネジ孔があけられており、容器本体
11に半導体回路素子をのせ、ネジ45を座金(スプリ
ングワッシャ)36、キャリア板32の孔に通して容器
本体11のネジ孔に当て、ドライバーなどの工具でネジ
45の頭部を廻すことにより該ネジを容器本体11に螺
合する。このネジ45による半導体回路素子の容器本体
11への取付けは該回路素子の両端で行なわれ、従って
該回路素子が本例のように3個の場合は6個のネジで固
定される。この半導体回路素子の容器本体への取付は後
、ワイヤボンディング、不活性ガス容器内でのキャップ
取付け、溶接が行なわれる。
半導体回路素子を容器本体へネジ化めすると、交換に有
利である。即ち容器本体上の複数個の半導体回路素子は
予め検査し、検査に合格した良品であるが、それでも全
体としての特性は要求性能を満たさないことがある。こ
のような場合は、各調整箇所を調整して全体として所要
の特性を示すようにするが、どう調整しても駄目な場合
があり、このような場合は複数の半導体回路素子のある
ものを他のものと交換してみるのがよく、この場合は一
旦取付け、ワイヤボンディングもした当該半導体回路素
子を取外し、他のものく新品)を取付け、結線する必要
がある。この場合、接着などによる固定ではなく、ネジ
締め付けによる固定は便利である。
利である。即ち容器本体上の複数個の半導体回路素子は
予め検査し、検査に合格した良品であるが、それでも全
体としての特性は要求性能を満たさないことがある。こ
のような場合は、各調整箇所を調整して全体として所要
の特性を示すようにするが、どう調整しても駄目な場合
があり、このような場合は複数の半導体回路素子のある
ものを他のものと交換してみるのがよく、この場合は一
旦取付け、ワイヤボンディングもした当該半導体回路素
子を取外し、他のものく新品)を取付け、結線する必要
がある。この場合、接着などによる固定ではなく、ネジ
締め付けによる固定は便利である。
しかしながらこの従来の半導体装置では、容器本体11
の厚みが厚くなり(51以上)、プレス打抜きなどで作
ることができなくて切削加工によらざるを得す、高価な
ものになる。厚くなる理由はネジ45が螺合するネジ孔
にあり、気密容器の関係で該ネジ孔は貫通孔では不可で
、有底ネジ孔にしなければならないので必然的に容器本
体11は厚くなってしまう。有底ネジ孔であると、加工
時の切削屑の除去、ニッケルメッキなどの後処理時の洗
浄に問題が残る。切削屑などがその後ネジ孔からとび出
し、周囲に飛散、残留すると微細回路間の短絡の恐れが
あり、また洗浄が不充分であると不純物による汚染、信
頼性低下の問題がある。
の厚みが厚くなり(51以上)、プレス打抜きなどで作
ることができなくて切削加工によらざるを得す、高価な
ものになる。厚くなる理由はネジ45が螺合するネジ孔
にあり、気密容器の関係で該ネジ孔は貫通孔では不可で
、有底ネジ孔にしなければならないので必然的に容器本
体11は厚くなってしまう。有底ネジ孔であると、加工
時の切削屑の除去、ニッケルメッキなどの後処理時の洗
浄に問題が残る。切削屑などがその後ネジ孔からとび出
し、周囲に飛散、残留すると微細回路間の短絡の恐れが
あり、また洗浄が不充分であると不純物による汚染、信
頼性低下の問題がある。
本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、半導
体回路素子を容器本体へ取付け、キャンプを被せて気密
封止した半導体装置において、該容器本体を薄くし、ま
た狭いスペースでもネジ締め付けが可能にしようとする
ものである。
体回路素子を容器本体へ取付け、キャンプを被せて気密
封止した半導体装置において、該容器本体を薄くし、ま
た狭いスペースでもネジ締め付けが可能にしようとする
ものである。
本発明は、容器本体へ半導体回路素子をネジにより固定
し、キャンプを被せて気密封止した半導体製雪において
、該容器本体(11)へネジボルト(34)を植設し、
該ネジボルトに螺合し頭部がドライバにより廻せるナツ
ト(35)を用い、半導体回路素子の取付は孔をネジボ
ルトに嵌合し、該ネジボルトの先端突出部に前記ナンド
を嵌め、ドライバで廻わして締め付けて、半導体回路素
子を容器本体へ固定してなることを特徴とするものであ
る。
し、キャンプを被せて気密封止した半導体製雪において
、該容器本体(11)へネジボルト(34)を植設し、
該ネジボルトに螺合し頭部がドライバにより廻せるナツ
ト(35)を用い、半導体回路素子の取付は孔をネジボ
ルトに嵌合し、該ネジボルトの先端突出部に前記ナンド
を嵌め、ドライバで廻わして締め付けて、半導体回路素
子を容器本体へ固定してなることを特徴とするものであ
る。
この装置では、容器本体へネジボルトを植設するので、
容器本体の厚みを薄くすることができ、プレス打抜き加
工が可能になってコストを低減することができる。また
締め付はナフト35の市販品は周面が6角形などの頭部
を持つナンドであり、スパナなどの工具でこの頭部を廻
わしてネジ締め付は作業を行なうが、これには締付スペ
ースを要する為、小型化するには半導体回路31とナツ
ト35の間に大きな間隙はとれず、しかし大きな間隙が
ないと工具を操作することができない。これを解決する
為に、ドライバーにより廻せるナンド(35)を用いる
ことにより、締め付け、固定することができるので、半
導体回路(31)とナツト(35)との間隙を微小にで
き、装置の小型化が可能になる。
容器本体の厚みを薄くすることができ、プレス打抜き加
工が可能になってコストを低減することができる。また
締め付はナフト35の市販品は周面が6角形などの頭部
を持つナンドであり、スパナなどの工具でこの頭部を廻
わしてネジ締め付は作業を行なうが、これには締付スペ
ースを要する為、小型化するには半導体回路31とナツ
ト35の間に大きな間隙はとれず、しかし大きな間隙が
ないと工具を操作することができない。これを解決する
為に、ドライバーにより廻せるナンド(35)を用いる
ことにより、締め付け、固定することができるので、半
導体回路(31)とナツト(35)との間隙を微小にで
き、装置の小型化が可能になる。
第1図に本発明の要部を示す。本発明では平板状容器本
体11にネジボルト34を植設する。またこのボルト3
4に螺合するナツト35は上面がドライバで廻せる構造
、本例では+ネジ用ドライバで廻せるよう十字型の溝に
なっている。勿論−ネジ用ドライバで廻せるよう一型の
溝になっていてもよく、或いは6角形などの角型の凹部
になっていて先端が角形状のドライバで廻せるようにな
っていてもよい。ドライバの中心が自動的に決って廻わ
し易いという点では+ネジ型又は角形凹部がよい。ネジ
ボルト34は直立状態でその下端面を容器本体11へ溶
接する。このような溶接は簡単にできる。
体11にネジボルト34を植設する。またこのボルト3
4に螺合するナツト35は上面がドライバで廻せる構造
、本例では+ネジ用ドライバで廻せるよう十字型の溝に
なっている。勿論−ネジ用ドライバで廻せるよう一型の
溝になっていてもよく、或いは6角形などの角型の凹部
になっていて先端が角形状のドライバで廻せるようにな
っていてもよい。ドライバの中心が自動的に決って廻わ
し易いという点では+ネジ型又は角形凹部がよい。ネジ
ボルト34は直立状態でその下端面を容器本体11へ溶
接する。このような溶接は簡単にできる。
半導体回路素子31.32は、そのキャリア板32の孔
をネジボルト34に通して容器本体11上にのせ、該ネ
ジボルトの先端突出部に座金36を嵌め、かつナツト3
5を嵌め、ドライバで該ナツト35を廻わしてネジボル
ト34に螺合させ、半導体回路素子を容器本体11ヘネ
ジ締めする。
をネジボルト34に通して容器本体11上にのせ、該ネ
ジボルトの先端突出部に座金36を嵌め、かつナツト3
5を嵌め、ドライバで該ナツト35を廻わしてネジボル
ト34に螺合させ、半導体回路素子を容器本体11ヘネ
ジ締めする。
ネジ締めする力は一定であるのが好ましく、この目的で
ドライバに定トルクドライバを使用するとよい。
ドライバに定トルクドライバを使用するとよい。
半導体回路素子を複数個、本例では3個容器本体11へ
取付けた後、ワイヤポンディングを行ない、不活性ガス
容器内でキャップ12を被せ、溶接して、不活性ガス入
り密閉容器とする。
取付けた後、ワイヤポンディングを行ない、不活性ガス
容器内でキャップ12を被せ、溶接して、不活性ガス入
り密閉容器とする。
第2図はキャップ12を被せようとする状態の斜視図で
、第6図に対応する。キャップを被せた状態は第5図と
同じである。但し、容器本体11の厚みは薄い。第2図
と第6図ではネジ部を除いて同じである。キャンプ12
を被せた状態の取付は孔11a、llbに沿う概略断面
図を第4図に、それと直交方向の概略断面図を第3図に
示す。
、第6図に対応する。キャップを被せた状態は第5図と
同じである。但し、容器本体11の厚みは薄い。第2図
と第6図ではネジ部を除いて同じである。キャンプ12
を被せた状態の取付は孔11a、llbに沿う概略断面
図を第4図に、それと直交方向の概略断面図を第3図に
示す。
材質、寸法などの具体例を挙げると容器本体11の材質
は5PCC(J I S品)、Fi厚は2mmである。
は5PCC(J I S品)、Fi厚は2mmである。
プレス打抜きで作り、30mmX50m程度の大きさを
持つ。その面上に複数本のネジボルト(2+n径)を溶
接する。端子ピン13,14.・・・・・・は材質KO
VAL (Fe/ Ni/ Co合金)、ハーメチック
シール部のガラスは硼珪酸ガラスで、電気炉などで加熱
焼成し、容器本体と端子ピンとの隙間に溶融、固着させ
る。キャリア板32の材質は5pcc又は銅板で、回路
素子31を貼り付ける。キャップI2の材質は5pcc
、板厚は0.4關であり、プレス絞り加工により形成し
、抵抗溶接法、レーザ溶接等に容器本体11に取付ける
。
持つ。その面上に複数本のネジボルト(2+n径)を溶
接する。端子ピン13,14.・・・・・・は材質KO
VAL (Fe/ Ni/ Co合金)、ハーメチック
シール部のガラスは硼珪酸ガラスで、電気炉などで加熱
焼成し、容器本体と端子ピンとの隙間に溶融、固着させ
る。キャリア板32の材質は5pcc又は銅板で、回路
素子31を貼り付ける。キャップI2の材質は5pcc
、板厚は0.4關であり、プレス絞り加工により形成し
、抵抗溶接法、レーザ溶接等に容器本体11に取付ける
。
半導体回路素子への高周波入力は9GHz帯、中間周波
出力は30〜60 M Hzである。入力端子ピン13
は導波管又は同軸コネクタのいずれでも接続可能とする
。
出力は30〜60 M Hzである。入力端子ピン13
は導波管又は同軸コネクタのいずれでも接続可能とする
。
以上述べたように本発明によれば、高周波領域回路が形
成される半導体回路素子を容器本体に取付け、キャンプ
を被せて気密封止した半導体装置において、容器本体に
ネジボルトを植設し、該ネジボルトに螺合し、頭部をド
ライバで廻せるナツトで、該半導体回路素子を容器本体
に取付けるので、容器本体に薄板を使用でき、プレス打
描き加工が可能になるので、コスト低廉な容器とするこ
とができる。またドライバでナンドを廻わして締め付は
締外しすることができるので、半導体回路素子の取付け
、交換が容易であり、小スペース、小型化が可能になり
、金属粉や汚染等による回路障害が防止され、信頼性向
上が図れる。
成される半導体回路素子を容器本体に取付け、キャンプ
を被せて気密封止した半導体装置において、容器本体に
ネジボルトを植設し、該ネジボルトに螺合し、頭部をド
ライバで廻せるナツトで、該半導体回路素子を容器本体
に取付けるので、容器本体に薄板を使用でき、プレス打
描き加工が可能になるので、コスト低廉な容器とするこ
とができる。またドライバでナンドを廻わして締め付は
締外しすることができるので、半導体回路素子の取付け
、交換が容易であり、小スペース、小型化が可能になり
、金属粉や汚染等による回路障害が防止され、信頼性向
上が図れる。
第1図は本発明装置の要部を示す部分断面図、第2図は
キャップを持ち上げた状態の斜視図、第3図および第4
図はキャンプを被せた状態の概略断面図、 第5図は従来例を示す斜視図、 第6図はキャップを持上げた状態の斜視図、第7図は取
付は部の断面図である。 第1図で11は容器本体、12はキャップ、34はネジ
ボルト、35はナツト、31.32は半導体回路素子で
ある。
キャップを持ち上げた状態の斜視図、第3図および第4
図はキャンプを被せた状態の概略断面図、 第5図は従来例を示す斜視図、 第6図はキャップを持上げた状態の斜視図、第7図は取
付は部の断面図である。 第1図で11は容器本体、12はキャップ、34はネジ
ボルト、35はナツト、31.32は半導体回路素子で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 容器本体へ半導体回路素子をネジにより固定し、キャッ
プを被せて気密封止した半導体装置において、 該容器本体(11)へネジボルト(34)を植設し、該
ネジボルトに螺合し頭部がドライバにより廻せるナット
(35)を用い、 半導体回路素子の取付け孔をネジボルトに嵌合し、該ネ
ジボルトの先端突出部に前記ナットを嵌め、ドライバで
廻わして締め付けて、半導体回路素子を容器本体へ固定
してなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25609886A JPS63110643A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25609886A JPS63110643A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63110643A true JPS63110643A (ja) | 1988-05-16 |
Family
ID=17287862
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25609886A Pending JPS63110643A (ja) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63110643A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000162068A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの構造 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50373B1 (ja) * | 1970-05-20 | 1975-01-08 | ||
JPS5859012A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-04-07 | Takiron Co Ltd | 金属板への合成樹脂板の取付方法 |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP25609886A patent/JPS63110643A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS50373B1 (ja) * | 1970-05-20 | 1975-01-08 | ||
JPS5859012A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-04-07 | Takiron Co Ltd | 金属板への合成樹脂板の取付方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000162068A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-06-16 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサの構造 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5457605A (en) | Electronic device having coplanar heatsink and electrical contacts | |
US6734605B2 (en) | Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
US6160710A (en) | Capacitive mounting arrangement for securing an integrated circuit package to a heat sink | |
EP0977251A4 (en) | RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURE | |
EP1466357A1 (en) | Surface mounted package with die bottom spaced from support board | |
JPH0126102Y2 (ja) | ||
JPS63110643A (ja) | 半導体装置 | |
EP0115386B1 (en) | Rectifier device | |
EP0076104A2 (en) | Package for semicondutor device and method of manufacturing it | |
US5644478A (en) | Electronic component and its manufacturing method | |
US5652696A (en) | Mechanically captivated integrated circuit chip | |
US4425575A (en) | Base for encapsulating components with coplanar electrodes | |
US20030080832A1 (en) | Single chip scale package | |
CN212785290U (zh) | 带热敏电阻的谐振器 | |
JPS5924163Y2 (ja) | マイクロ波ストリップ回路の実装構造 | |
JPS59144214A (ja) | 水晶発振器 | |
JPH05211250A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPH04233752A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
JPS6022604Y2 (ja) | ネジ端子型磁器コンデンサ | |
JPS63299130A (ja) | 半導体装置 | |
JPH04116957A (ja) | 高周波半導体装置 | |
JPH02192138A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JPH05291739A (ja) | 接続用端子及びこれを用いた装置の接続方法 | |
JPH10321746A (ja) | 電子部品の実装構造 | |
JP2850065B2 (ja) | 電子部品の金属気密容器 |